JPH1153965A - 架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの製造方法 - Google Patents
架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの製造方法Info
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- JPH1153965A JPH1153965A JP20692297A JP20692297A JPH1153965A JP H1153965 A JPH1153965 A JP H1153965A JP 20692297 A JP20692297 A JP 20692297A JP 20692297 A JP20692297 A JP 20692297A JP H1153965 A JPH1153965 A JP H1153965A
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- JP
- Japan
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- layer
- cross
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- power cable
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スコーチングが発生しにくく、外部半導電層
の架橋を十分に行うことができる架橋ポリエチレン絶縁
電力ケーブルの製造方法を提供する。 【解決手段】 外部半導電層１０の材料として光増感剤
を添加したものを用い、導体４の上に三層押出被覆によ
り内部半電導層６、絶縁層８、外部半導電層１０の材料
形成し、架橋装置の架橋筒に導して加熱し、内部半電導
層６を移行架橋によって架橋させるとともに絶縁層８を
架橋させ、外部半導電層１０の外周全体から紫外線を照
射することによって、外部半導電層１０に添加された光
増感剤の作用により光重合によって外部半導電層１０を
架橋させる。
の架橋を十分に行うことができる架橋ポリエチレン絶縁
電力ケーブルの製造方法を提供する。 【解決手段】 外部半導電層１０の材料として光増感剤
を添加したものを用い、導体４の上に三層押出被覆によ
り内部半電導層６、絶縁層８、外部半導電層１０の材料
形成し、架橋装置の架橋筒に導して加熱し、内部半電導
層６を移行架橋によって架橋させるとともに絶縁層８を
架橋させ、外部半導電層１０の外周全体から紫外線を照
射することによって、外部半導電層１０に添加された光
増感剤の作用により光重合によって外部半導電層１０を
架橋させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は架橋ポリエチレン絶
縁電力ケーブルの製造方法に関し、外部半導電層にスコ
ーチングが発生しにくく、外部半導電層の架橋を十分に
行うことができる架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの
製造方法に関する。
縁電力ケーブルの製造方法に関し、外部半導電層にスコ
ーチングが発生しにくく、外部半導電層の架橋を十分に
行うことができる架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルは、
その絶縁層が架橋ポリエチレンからなるもので、広く用
いられている。図１は架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブ
ルの一例の断面図を示したもので、銅線などの素線２を
複数本撚り合わせた導体４上に順次、内部半電導層６、
絶縁層８、外部半導電層１０、金属遮蔽層１２、シース
１４が設けられて構成されている。前記内部半電導層６
と外部半導電層１０は例えばエチレン−酢酸ビニル共重
合体を主材料とし、これにカーボンブラックが添加され
たものから形成されている。前記絶縁層８は架橋ポリエ
チレンから形成されている。前記金属遮蔽層１２は銅テ
ープなどからなり、前記シース１４は塩化ビニル樹脂な
どから形成されている。
その絶縁層が架橋ポリエチレンからなるもので、広く用
いられている。図１は架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブ
ルの一例の断面図を示したもので、銅線などの素線２を
複数本撚り合わせた導体４上に順次、内部半電導層６、
絶縁層８、外部半導電層１０、金属遮蔽層１２、シース
１４が設けられて構成されている。前記内部半電導層６
と外部半導電層１０は例えばエチレン−酢酸ビニル共重
合体を主材料とし、これにカーボンブラックが添加され
たものから形成されている。前記絶縁層８は架橋ポリエ
チレンから形成されている。前記金属遮蔽層１２は銅テ
ープなどからなり、前記シース１４は塩化ビニル樹脂な
どから形成されている。
【０００３】この架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルは
例えば以下のようにして製造する。素線２を複数本撚り
合わせて導体４とした後、内部半電導層６、絶縁層８、
外部半導電層１０のそれぞれの材料を、加熱、軟化させ
て導体４上に三層押出被覆し、これを架橋装置にて加熱
して架橋処理する。
例えば以下のようにして製造する。素線２を複数本撚り
合わせて導体４とした後、内部半電導層６、絶縁層８、
外部半導電層１０のそれぞれの材料を、加熱、軟化させ
て導体４上に三層押出被覆し、これを架橋装置にて加熱
して架橋処理する。
【０００４】絶縁層８の材料にはジクルミパーオキサイ
ド（以下ＤＣＰと略記する）などの架橋剤が添加されて
おり、この架橋剤の作用によって絶縁層８の架橋が進行
する。これに対して外部半導電層１０の材料には架橋剤
は添加されていないが、前記架橋処理によれば絶縁層８
のみが架橋されるのではなく、絶縁層８に添加された架
橋剤の一部が燐接する外部半導電層１０に移行し、この
外部半導電層１０の架橋が進行する。このような架橋方
法を移行架橋とよぶ。この外部半導電層１０の架橋は、
耐熱性を向上させるために行われるものである。この
他、外部半導電層１０の架橋は、外部半導電層１０の材
料に架橋剤を添加しておき、三層押出被覆後の加熱（架
橋処理）により、外部半導電層１０に添加した架橋剤の
作用によって架橋させる方法によっても行われる。以下
常法に従って金属遮蔽層１２とシース１４を設けること
によって架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルが得られ
る。
ド（以下ＤＣＰと略記する）などの架橋剤が添加されて
おり、この架橋剤の作用によって絶縁層８の架橋が進行
する。これに対して外部半導電層１０の材料には架橋剤
は添加されていないが、前記架橋処理によれば絶縁層８
のみが架橋されるのではなく、絶縁層８に添加された架
橋剤の一部が燐接する外部半導電層１０に移行し、この
外部半導電層１０の架橋が進行する。このような架橋方
法を移行架橋とよぶ。この外部半導電層１０の架橋は、
耐熱性を向上させるために行われるものである。この
他、外部半導電層１０の架橋は、外部半導電層１０の材
料に架橋剤を添加しておき、三層押出被覆後の加熱（架
橋処理）により、外部半導電層１０に添加した架橋剤の
作用によって架橋させる方法によっても行われる。以下
常法に従って金属遮蔽層１２とシース１４を設けること
によって架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルが得られ
る。
【０００５】しかしながら上述の外部半導電層１０の移
行架橋においては、架橋度を十分に高めることができ
ず、不十分である。また、外部半導電層１０の材料に架
橋剤を添加しておく方法においては、前記材料を加熱、
軟化させて押出被覆する際にも架橋剤が反応して架橋が
ある程度進行する。このとき温度が高すぎたりする場合
には局部的な発熱が発生し、スコーチングとよばれるこ
げを生じることがある。外部半導電層１０にはカーブン
ブラックが添加されているため、スコーチングが発生し
やすく、外部半導電層１０の外観の低下を招く。このた
め押出被覆時の温度管理を厳重に行う必要があった。
行架橋においては、架橋度を十分に高めることができ
ず、不十分である。また、外部半導電層１０の材料に架
橋剤を添加しておく方法においては、前記材料を加熱、
軟化させて押出被覆する際にも架橋剤が反応して架橋が
ある程度進行する。このとき温度が高すぎたりする場合
には局部的な発熱が発生し、スコーチングとよばれるこ
げを生じることがある。外部半導電層１０にはカーブン
ブラックが添加されているため、スコーチングが発生し
やすく、外部半導電層１０の外観の低下を招く。このた
め押出被覆時の温度管理を厳重に行う必要があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明にお
いては外部半導電層にスコーチングが発生しにくく、外
部半導電層の架橋を十分に行うことができる架橋ポリエ
チレン絶縁電力ケーブルの製造方法を提供することを目
的とする。
いては外部半導電層にスコーチングが発生しにくく、外
部半導電層の架橋を十分に行うことができる架橋ポリエ
チレン絶縁電力ケーブルの製造方法を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明においては、光増感剤を添加した外部半導電層
材料を用いて外部半導電層を形成し、この外部半導電層
の外部から光を照射して、この外部半導電層を架橋させ
ることを特徴とする架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル
の製造方法を提案する。
に本発明においては、光増感剤を添加した外部半導電層
材料を用いて外部半導電層を形成し、この外部半導電層
の外部から光を照射して、この外部半導電層を架橋させ
ることを特徴とする架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル
の製造方法を提案する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の架橋ポリエチレン絶縁電
力ケーブルの構造は、例えば、図１に示した従来の架橋
ポリエチレン絶縁電力ケーブルの構造と同様にすること
ができる。以下図１を利用して説明する。この架橋ポリ
エチレン絶縁電力ケーブルは、素線２を複数本撚り合わ
せた導体４上に順次、内部半電導層６、絶縁層８、外部
半導電層１０、金属遮蔽層１２、シース１４が設けられ
て構成されている。
力ケーブルの構造は、例えば、図１に示した従来の架橋
ポリエチレン絶縁電力ケーブルの構造と同様にすること
ができる。以下図１を利用して説明する。この架橋ポリ
エチレン絶縁電力ケーブルは、素線２を複数本撚り合わ
せた導体４上に順次、内部半電導層６、絶縁層８、外部
半導電層１０、金属遮蔽層１２、シース１４が設けられ
て構成されている。
【０００９】素線２としては、銅線などが用いられる。
内部半電導層６はエチレン−酢酸ビニル共重合体にカー
ボンブラックなどが添加されてなり、移行架橋によって
架橋されたものである。絶縁層８はポリエチレンをＤＣ
Ｐなどの架橋剤によって架橋させた架橋ポリエチレンか
らなるものである。外部半導電層１０はエチレン−酢酸
ビニル共重合体を主材料とし、これにカーボンブラック
と光増感剤などが添加されたものからなり、その外部か
ら光を照射して、光重合により架橋されたものである。
金属遮蔽層１２は銅テープなどからなり、シース１４は
塩化ビニル樹脂などからなるものである。
内部半電導層６はエチレン−酢酸ビニル共重合体にカー
ボンブラックなどが添加されてなり、移行架橋によって
架橋されたものである。絶縁層８はポリエチレンをＤＣ
Ｐなどの架橋剤によって架橋させた架橋ポリエチレンか
らなるものである。外部半導電層１０はエチレン−酢酸
ビニル共重合体を主材料とし、これにカーボンブラック
と光増感剤などが添加されたものからなり、その外部か
ら光を照射して、光重合により架橋されたものである。
金属遮蔽層１２は銅テープなどからなり、シース１４は
塩化ビニル樹脂などからなるものである。
【００１０】外部半導電層１０を光重合によって架橋さ
せるには、光重合の開始剤である光増感剤を外部半導電
層１０の材料に配合し、この材料を好ましくは押出被覆
して外部半導電層１０を形成する。この後、この外部半
導電層１０に光を照射し、光増感剤を作用させて架橋さ
せる。この光は光増感剤を作用させることができる波長
のものを選択し、外部半導電層１０において必要な架橋
度が得られるように照射強度と照射時間を調整して照射
する。この外部半導電層１０の主材料はエチレン−酢酸
ビニル共重合体であり、これに配合する必須のものはカ
ーボンブラックと光増感剤である。さらにこの他にエチ
レン−酢酸ビニル共重合体にポリエチレンを配合した
り、各種架橋促進剤、酸化防止剤、老化防止剤などを添
加することができる。
せるには、光重合の開始剤である光増感剤を外部半導電
層１０の材料に配合し、この材料を好ましくは押出被覆
して外部半導電層１０を形成する。この後、この外部半
導電層１０に光を照射し、光増感剤を作用させて架橋さ
せる。この光は光増感剤を作用させることができる波長
のものを選択し、外部半導電層１０において必要な架橋
度が得られるように照射強度と照射時間を調整して照射
する。この外部半導電層１０の主材料はエチレン−酢酸
ビニル共重合体であり、これに配合する必須のものはカ
ーボンブラックと光増感剤である。さらにこの他にエチ
レン−酢酸ビニル共重合体にポリエチレンを配合した
り、各種架橋促進剤、酸化防止剤、老化防止剤などを添
加することができる。
【００１１】前記光増感剤としては、塩化ベンゾフェノ
ン、ベンゾフェノン、アントラセン誘導体、ベンゾイン
などをあげることができ、塩化ベンゾフェノンが好適で
ある。 また、これらの光増感剤の特性によって照射す
る光の波長を選択するが、通常は紫外線が好適である。
光増感剤として塩化ベンゾフェノンを用いる場合、その
添加量は、エチレン−酢酸ビニル共重合体１００重量
部、あるいはポリエチレンを配合する場合にはエチレン
−酢酸ビニル共重合体とポリエチレンの合計１００重量
部に対して１．５〜０．５重量部とされる。そしてこの
塩化ベンゾフェノンを添加した外部半導電層１０の材料
に波長２５０〜２９０ｎｍの紫外線を照射すると、架橋
を進行させることができる。
ン、ベンゾフェノン、アントラセン誘導体、ベンゾイン
などをあげることができ、塩化ベンゾフェノンが好適で
ある。 また、これらの光増感剤の特性によって照射す
る光の波長を選択するが、通常は紫外線が好適である。
光増感剤として塩化ベンゾフェノンを用いる場合、その
添加量は、エチレン−酢酸ビニル共重合体１００重量
部、あるいはポリエチレンを配合する場合にはエチレン
−酢酸ビニル共重合体とポリエチレンの合計１００重量
部に対して１．５〜０．５重量部とされる。そしてこの
塩化ベンゾフェノンを添加した外部半導電層１０の材料
に波長２５０〜２９０ｎｍの紫外線を照射すると、架橋
を進行させることができる。
【００１２】この架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル
は、例えば以下のようにして製造することができる。ま
ず素線２を複数本撚り合わせて導体４とする。この導体
４の上に好ましくは三層押出被覆により、内部半電導層
６、絶縁層８、外部半導電層１０を形成する。さらにこ
れを架橋装置に導して加熱し、内部半電導層６を移行架
橋によって架橋させるとともに絶縁層８の架橋を進行さ
せる。ついで、外部半導電層１０の外周全体から所定波
長の光を外部半導電層１０を架橋させるのに必要な強度
と時間で照射することによって、外部半導電層１０に添
加された光増感剤によって光重合を開始させ、外部半導
電層１０の架橋を進行させる。以下常法によって金属遮
蔽層１２とシース１４を形成して架橋ポリエチレン絶縁
電力ケーブルが得られる。
は、例えば以下のようにして製造することができる。ま
ず素線２を複数本撚り合わせて導体４とする。この導体
４の上に好ましくは三層押出被覆により、内部半電導層
６、絶縁層８、外部半導電層１０を形成する。さらにこ
れを架橋装置に導して加熱し、内部半電導層６を移行架
橋によって架橋させるとともに絶縁層８の架橋を進行さ
せる。ついで、外部半導電層１０の外周全体から所定波
長の光を外部半導電層１０を架橋させるのに必要な強度
と時間で照射することによって、外部半導電層１０に添
加された光増感剤によって光重合を開始させ、外部半導
電層１０の架橋を進行させる。以下常法によって金属遮
蔽層１２とシース１４を形成して架橋ポリエチレン絶縁
電力ケーブルが得られる。
【００１３】上述の製造方法によれば、外部半導電層１
０の材料には加熱によって架橋を進行させるＤＣＰなど
の通常の架橋剤は添加されていないので、前記材料を加
熱溶融して押出被覆する際にスコーチングが発生しにく
くなっている。また、外部半導電層１０においては、光
を照射し、光増感剤を作用させることによって架橋度を
十分に高めることができる。このように、外部半導電層
１０の架橋度を十分に高めることによって、外部半導電
層１０の耐熱性を向上させることができる。
０の材料には加熱によって架橋を進行させるＤＣＰなど
の通常の架橋剤は添加されていないので、前記材料を加
熱溶融して押出被覆する際にスコーチングが発生しにく
くなっている。また、外部半導電層１０においては、光
を照射し、光増感剤を作用させることによって架橋度を
十分に高めることができる。このように、外部半導電層
１０の架橋度を十分に高めることによって、外部半導電
層１０の耐熱性を向上させることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を実施例を示して詳しく説明す
る。 （実施例）最初に以下の配合のものを混練し、外部半導
電層材料の組成物とした。 （外部半導電層材料組成物） エチレン−酢酸ビニル共重合体 ４６重量％ カーボンブラック ３２重量％ ポリエチレン ２０重量％ トリアリルイソシアヌレート架橋促進剤 ０．８重量％ 安定剤 ０．３重量％ 塩化ベンゾフェノン（光増感剤） ０．８重量％ 老化防止剤 ０．１重量％ また内部半電導層の材料としては、塩化ベンゾフェノン
を添加しない以外は上述の外部半導電層材料組成物と同
様のものを用意した。また絶縁層の材料として、低密度
ポリエチレン（ＭＩ＝１、密度：０．９２ｇ／ｃｃ）１
００重量部に、ＤＣＰ１．５重量部を添加したもの用意
した。そして、外径２０ｍｍの押出機を用い、導体の上
に三層押出被覆により、内部半電導層、絶縁層、外部半
導電層を形成した。これを架橋装置に導き、絶縁層を架
橋させた後、２００Ｖの円環状の紫外線ランプを５つ並
べたものによって２５０〜２９０ｎｍの紫外線を外部半
導電層外周全体に５〜１０秒照射した。この実施例にお
いて導体面積は６０ｍｍ2、絶縁層の厚さは３ｍｍ、内
部半電導層と外部半導電層の厚さはそれぞれ１ｍｍであ
った。
る。 （実施例）最初に以下の配合のものを混練し、外部半導
電層材料の組成物とした。 （外部半導電層材料組成物） エチレン−酢酸ビニル共重合体 ４６重量％ カーボンブラック ３２重量％ ポリエチレン ２０重量％ トリアリルイソシアヌレート架橋促進剤 ０．８重量％ 安定剤 ０．３重量％ 塩化ベンゾフェノン（光増感剤） ０．８重量％ 老化防止剤 ０．１重量％ また内部半電導層の材料としては、塩化ベンゾフェノン
を添加しない以外は上述の外部半導電層材料組成物と同
様のものを用意した。また絶縁層の材料として、低密度
ポリエチレン（ＭＩ＝１、密度：０．９２ｇ／ｃｃ）１
００重量部に、ＤＣＰ１．５重量部を添加したもの用意
した。そして、外径２０ｍｍの押出機を用い、導体の上
に三層押出被覆により、内部半電導層、絶縁層、外部半
導電層を形成した。これを架橋装置に導き、絶縁層を架
橋させた後、２００Ｖの円環状の紫外線ランプを５つ並
べたものによって２５０〜２９０ｎｍの紫外線を外部半
導電層外周全体に５〜１０秒照射した。この実施例にお
いて導体面積は６０ｍｍ2、絶縁層の厚さは３ｍｍ、内
部半電導層と外部半導電層の厚さはそれぞれ１ｍｍであ
った。
【００１５】このようにして架橋させた外部半導電層の
架橋度は８０％で、外観は良好であった。また電気特
性、外部半導電層の外表面の突起、導電率は、従来の架
橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルにおいてＤＣＰなどの
架橋剤を添加した材料から外部半導電層を形成した場合
と同等のレベルであった。したがって光重合によって外
部半導電層を十分に架橋させることができ、スコーチン
グが発生せず、外観が良好なものが得られることが確認
できた。
架橋度は８０％で、外観は良好であった。また電気特
性、外部半導電層の外表面の突起、導電率は、従来の架
橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルにおいてＤＣＰなどの
架橋剤を添加した材料から外部半導電層を形成した場合
と同等のレベルであった。したがって光重合によって外
部半導電層を十分に架橋させることができ、スコーチン
グが発生せず、外観が良好なものが得られることが確認
できた。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は光増感剤
を添加した外部半導電層材料を用いて外部半導電層を形
成し、その外部から光を照射して外部半導電層を架橋さ
せるものである。したがって十分に架橋させることによ
って外部半導電層の耐熱性が向上する。さらに従来のよ
うに架橋剤と温度の影響によってスコーチングがおこら
ないため、押出被覆時の温度管理はそれ程厳しく行う必
要なく、外観が良好な外部半導電層を有する架橋ポリエ
チレン絶縁電力ケーブルを得ることができる。
を添加した外部半導電層材料を用いて外部半導電層を形
成し、その外部から光を照射して外部半導電層を架橋さ
せるものである。したがって十分に架橋させることによ
って外部半導電層の耐熱性が向上する。さらに従来のよ
うに架橋剤と温度の影響によってスコーチングがおこら
ないため、押出被覆時の温度管理はそれ程厳しく行う必
要なく、外観が良好な外部半導電層を有する架橋ポリエ
チレン絶縁電力ケーブルを得ることができる。
【図１】 架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの正断面
図である。
図である。
１０…外部半導電層
Claims (1)
- 【請求項１】 光増感剤を添加した外部半導電層材料を
用いて外部半導電層を形成し、この外部半導電層の外部
から光を照射して、この外部半導電層を架橋させること
を特徴とする架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20692297A JPH1153965A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20692297A JPH1153965A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1153965A true JPH1153965A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16531309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20692297A Withdrawn JPH1153965A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1153965A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008028340A1 (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-13 | University Of Science And Technology Of China | Manufacture method for wire cable insulated by uv crosslinked polyolefin and uv irradiation crosslink equipment |
| CN103943276A (zh) * | 2014-04-02 | 2014-07-23 | 武汉瑞奇特种电缆有限公司 | 一种辐照交联无卤低烟阻燃a类舰船用橡套电缆制作方法 |
| CN104103379A (zh) * | 2014-08-05 | 2014-10-15 | 河北华通线缆集团有限公司 | 交联聚乙烯绝缘非挤压绝缘屏蔽中压电力电缆生产工艺 |
| CN104715821A (zh) * | 2015-03-18 | 2015-06-17 | 中天科技装备电缆有限公司 | 新型双层绝缘系统轨道交通车辆用电缆及其制备方法 |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP20692297A patent/JPH1153965A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008028340A1 (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-13 | University Of Science And Technology Of China | Manufacture method for wire cable insulated by uv crosslinked polyolefin and uv irradiation crosslink equipment |
| CN103943276A (zh) * | 2014-04-02 | 2014-07-23 | 武汉瑞奇特种电缆有限公司 | 一种辐照交联无卤低烟阻燃a类舰船用橡套电缆制作方法 |
| CN103943276B (zh) * | 2014-04-02 | 2016-07-06 | 武汉瑞奇特种电缆有限公司 | 一种辐照交联无卤低烟阻燃a类舰船用橡套电缆制作方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041005 |