JPH1154870A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
配線基板及びその製造方法Info
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- JPH1154870A JPH1154870A JP22111297A JP22111297A JPH1154870A JP H1154870 A JPH1154870 A JP H1154870A JP 22111297 A JP22111297 A JP 22111297A JP 22111297 A JP22111297 A JP 22111297A JP H1154870 A JPH1154870 A JP H1154870A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
- H05K3/427—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in metal-clad substrates
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 表裏両面に導体パタ−ンを持ち、表面はバン
プ（突起）と導体パタ−ンが共存する為、高密度配線化
やパタ−ン設計の自由度の増大が可能であるばかりでな
く、バンプの先端がくぼんだ形状（凹状）となっている
ため、被接触物が凸状の場合でも十分な接触が得られる
配線基板及びその製造方法の提供。 【解決手段】 絶縁性基材４を表面銅箔７と裏面銅箔８
で挟み込み、表面銅箔７に開口部を設け、絶縁性基材を
４を露出する。次に絶縁性基材４にプラズマエッチンッ
グ、化学エッチンッグ、レ−ザ加工等により貫通孔６を
設け、裏面銅箔８に貫通孔６を設けて表裏両面導体パタ
−ンを形成する。表裏両面導体パタ−ンをレジスト（マ
スキング）９し、裏面の導体パタ−ンの端面よりメッキ
を析出させてバンプを形成して、レジスト（マスキン
グ）９を除去する。
プ（突起）と導体パタ−ンが共存する為、高密度配線化
やパタ−ン設計の自由度の増大が可能であるばかりでな
く、バンプの先端がくぼんだ形状（凹状）となっている
ため、被接触物が凸状の場合でも十分な接触が得られる
配線基板及びその製造方法の提供。 【解決手段】 絶縁性基材４を表面銅箔７と裏面銅箔８
で挟み込み、表面銅箔７に開口部を設け、絶縁性基材を
４を露出する。次に絶縁性基材４にプラズマエッチンッ
グ、化学エッチンッグ、レ−ザ加工等により貫通孔６を
設け、裏面銅箔８に貫通孔６を設けて表裏両面導体パタ
−ンを形成する。表裏両面導体パタ−ンをレジスト（マ
スキング）９し、裏面の導体パタ−ンの端面よりメッキ
を析出させてバンプを形成して、レジスト（マスキン
グ）９を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表裏両面に導体パ
タ−ンを持ち、表面はバンプ（突起）と導体パタ−ンが
共存する為、高密度配線化やパタ−ン設計の自由度の増
大が可能であるばかりでなく、バンプの先端がくぼんだ
形状（凹状）となっているため、被接触物が凸状の場合
でも十分な接触が得られる配線基板及びその製造方法に
関する。
タ−ンを持ち、表面はバンプ（突起）と導体パタ−ンが
共存する為、高密度配線化やパタ−ン設計の自由度の増
大が可能であるばかりでなく、バンプの先端がくぼんだ
形状（凹状）となっているため、被接触物が凸状の場合
でも十分な接触が得られる配線基板及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】従来、絶縁性基材に貫
通穴を有し、その開口部にバンプ状の金属突起物を設け
た配線基板では、バンプが突出している面にはバンプの
みで導体パタ−ンが共存せず、この為、高密度配線化に
対応出来ず、バンプ周辺への必要なパタ−ン形成が行え
ない等問題点があった。又、バンプの先端形状が凸状で
被接触物の形状が凸状の場合、ややもすると接触性は十
分とはいい難かった。本発明は、これらの問題点を解決
するために、バンプ突出面に導体パタ−ンが共存し、バ
ンプ先端の中央部が凹形状を持つ配線基板及びその製造
法を提供しようとするものである。
通穴を有し、その開口部にバンプ状の金属突起物を設け
た配線基板では、バンプが突出している面にはバンプの
みで導体パタ−ンが共存せず、この為、高密度配線化に
対応出来ず、バンプ周辺への必要なパタ−ン形成が行え
ない等問題点があった。又、バンプの先端形状が凸状で
被接触物の形状が凸状の場合、ややもすると接触性は十
分とはいい難かった。本発明は、これらの問題点を解決
するために、バンプ突出面に導体パタ−ンが共存し、バ
ンプ先端の中央部が凹形状を持つ配線基板及びその製造
法を提供しようとするものである。
【０００３】
【発明を解決するための手段】本発明の第１番目として
は、表裏両面に導体パタ−ンを持ち、表面は、バンプと
導体パタ−ンが共存する構造である。第２番目として
は、第１番目のバンプの先端がくぼんだ形状（凹状）と
なっている構造である。第３番目としては、絶縁性基材
４を表面銅箔７と裏面銅箔８で挟み込む第１工程と、表
面銅箔７に開口部を設け、絶縁性基材４を露出する第２
工程と、絶縁性基材４にプラズマエッチンッグ、化学エ
ッチンッグ、レ−ザ加工等により貫通孔６を設ける第３
工程と、裏面銅箔８に貫通孔６を設けかつ、表裏両面導
体パタ−ンを形成する第４工程と、表裏両面導体パタ−
ンをレジスト（マスキング）９し、裏面の導体パタ−ン
の端面よりメッキを析出させてバンプを形成する第５工
程と、バンプを熟成させ、レジスト（マスキング）９を
除去して完了する第６工程からなる配線基板の製造方法
である。
は、表裏両面に導体パタ−ンを持ち、表面は、バンプと
導体パタ−ンが共存する構造である。第２番目として
は、第１番目のバンプの先端がくぼんだ形状（凹状）と
なっている構造である。第３番目としては、絶縁性基材
４を表面銅箔７と裏面銅箔８で挟み込む第１工程と、表
面銅箔７に開口部を設け、絶縁性基材４を露出する第２
工程と、絶縁性基材４にプラズマエッチンッグ、化学エ
ッチンッグ、レ−ザ加工等により貫通孔６を設ける第３
工程と、裏面銅箔８に貫通孔６を設けかつ、表裏両面導
体パタ−ンを形成する第４工程と、表裏両面導体パタ−
ンをレジスト（マスキング）９し、裏面の導体パタ−ン
の端面よりメッキを析出させてバンプを形成する第５工
程と、バンプを熟成させ、レジスト（マスキング）９を
除去して完了する第６工程からなる配線基板の製造方法
である。
【０００４】
【作用】表裏両面に導体パタ−ンを持ち、表面はバンプ
と導体パタ−ンが共存する為、高密度配線化やパタ−ン
設計の自由度の増大が可能である。又、バンプの先端が
くぼんだ形状（凹状）のため、被接触物が凸状の場合で
も十分な接触が得られる。
と導体パタ−ンが共存する為、高密度配線化やパタ−ン
設計の自由度の増大が可能である。又、バンプの先端が
くぼんだ形状（凹状）のため、被接触物が凸状の場合で
も十分な接触が得られる。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の配線基板及びその
製造方法の実施例を添付図面を参照して詳細に説明す
る。図１は、本発明の配線基板１の断面図、図２は、本
発明の配線基板１の製造方法で、製造工程説明図であ
る。図から明らかなように、第１番目としては、絶縁性
基材４を表裏導体パタ−ンで挟んだ配線基板において、
バンプ形成位置に表面の導体パタ−ン３と絶縁性基材４
と裏面導体パタ−ン５に貫通孔６を設け、前記貫通孔６
には、バンプ状の金属突出物２が絶縁性基材４の表面上
に盛り上がって形成され、かつ貫通孔６以外の部分にお
いては、表裏の両面導体パタ−ンが共存していることを
特徴とする配線基板１である。第２番目としては、第１
番目のバンプ状の金属突出物２の中央が凹状に形成され
ていることを特徴とする配線基板１である。ここで、バ
ンプの先端がくぼんだ形状（凹状）の方が好ましいが、
これに限らず、通常のバンプ（突起）形状でも構わな
い。第３番目としては、絶縁性基材４を表面銅箔７と裏
面銅箔８で挟み込む第１工程と、表面銅箔７に開口部を
設け、絶縁性基材４を露出する第２工程と、絶縁性基材
４にプラズマエッチンッグ、化学エッチンッグ、レ−ザ
加工等により貫通孔６を設ける第３工程と、裏面銅箔８
に貫通孔６を設けかつ、表裏両面導体パタ−ンを形成す
る第４工程と、表裏両面導体パタ−ンをレジスト（マス
キング）９し、裏面の導体パタ−ンの端面よりメッキを
析出させてバンプを形成する第５工程と、バンプを熟成
させ、レジスト（マスキング）９を除去して完了する第
６工程からなることを特徴とする配線基板の製造方法で
ある。以下、本発明の具体的実施例は下記の通りであ
る。
製造方法の実施例を添付図面を参照して詳細に説明す
る。図１は、本発明の配線基板１の断面図、図２は、本
発明の配線基板１の製造方法で、製造工程説明図であ
る。図から明らかなように、第１番目としては、絶縁性
基材４を表裏導体パタ−ンで挟んだ配線基板において、
バンプ形成位置に表面の導体パタ−ン３と絶縁性基材４
と裏面導体パタ−ン５に貫通孔６を設け、前記貫通孔６
には、バンプ状の金属突出物２が絶縁性基材４の表面上
に盛り上がって形成され、かつ貫通孔６以外の部分にお
いては、表裏の両面導体パタ−ンが共存していることを
特徴とする配線基板１である。第２番目としては、第１
番目のバンプ状の金属突出物２の中央が凹状に形成され
ていることを特徴とする配線基板１である。ここで、バ
ンプの先端がくぼんだ形状（凹状）の方が好ましいが、
これに限らず、通常のバンプ（突起）形状でも構わな
い。第３番目としては、絶縁性基材４を表面銅箔７と裏
面銅箔８で挟み込む第１工程と、表面銅箔７に開口部を
設け、絶縁性基材４を露出する第２工程と、絶縁性基材
４にプラズマエッチンッグ、化学エッチンッグ、レ−ザ
加工等により貫通孔６を設ける第３工程と、裏面銅箔８
に貫通孔６を設けかつ、表裏両面導体パタ−ンを形成す
る第４工程と、表裏両面導体パタ−ンをレジスト（マス
キング）９し、裏面の導体パタ−ンの端面よりメッキを
析出させてバンプを形成する第５工程と、バンプを熟成
させ、レジスト（マスキング）９を除去して完了する第
６工程からなることを特徴とする配線基板の製造方法で
ある。以下、本発明の具体的実施例は下記の通りであ
る。
【０００６】
【実施例】 第１工程： 両面銅張板を形成。 第２工程： バンプ形成位置の表面銅箔に開口部を設
け、絶縁基材であるポリイミドを露出させる。 第３工程： ポリイミドに貫通孔を設ける。（プラズマ
等によるポリイミドエッチング、銅箔の部分はエッチン
グされない） 第４工程： 両面にパタ−ンを形成。（銅箔のエッチン
グによる） 裏面銅箔の貫通孔部分もエッチングされ除
去される。 第５工程： バンプ形成（電気メッキ） 表面と裏面の
導体パタ−ンをレジスト（マスキング）し、裏面の導体
パタ−ンの端面よりメッキを析出させバンプを形成す
る。 第６工程： バンプを熟成させ、レジスト（マスキン
グ）９を除去して完了。
け、絶縁基材であるポリイミドを露出させる。 第３工程： ポリイミドに貫通孔を設ける。（プラズマ
等によるポリイミドエッチング、銅箔の部分はエッチン
グされない） 第４工程： 両面にパタ−ンを形成。（銅箔のエッチン
グによる） 裏面銅箔の貫通孔部分もエッチングされ除
去される。 第５工程： バンプ形成（電気メッキ） 表面と裏面の
導体パタ−ンをレジスト（マスキング）し、裏面の導体
パタ−ンの端面よりメッキを析出させバンプを形成す
る。 第６工程： バンプを熟成させ、レジスト（マスキン
グ）９を除去して完了。
【０００７】次に、本発明の配線基板１の接触抵抗を測
定した結果、従来品と比較して接触性が向上しており、
良好な結果が得られた。
定した結果、従来品と比較して接触性が向上しており、
良好な結果が得られた。
【０００８】本発明の実施例では、両面銅張板の場合で
絶縁性基材４としてポリイミドを代表例にとり図示した
が、これに限るものではない。このように、設計上本発
明の範囲内で各種の変形を含むものであることはいうま
でもない。
絶縁性基材４としてポリイミドを代表例にとり図示した
が、これに限るものではない。このように、設計上本発
明の範囲内で各種の変形を含むものであることはいうま
でもない。
【０００９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の配線基板及びその製造方法によれば、表裏両面に導体
パタ−ンを持ち、表面は、バンプと導体パタ−ンが共存
する為、高密度配線化やパタ−ン設計の自由度の増大が
可能となるものである。又、バンプの先端がくぼんだ形
状（凹状）となっているため、被接触物が凸状の場合で
も十分な接触が得られるという効果があり、その工業的
価値は大なるものがある。
の配線基板及びその製造方法によれば、表裏両面に導体
パタ−ンを持ち、表面は、バンプと導体パタ−ンが共存
する為、高密度配線化やパタ−ン設計の自由度の増大が
可能となるものである。又、バンプの先端がくぼんだ形
状（凹状）となっているため、被接触物が凸状の場合で
も十分な接触が得られるという効果があり、その工業的
価値は大なるものがある。
【図１】本発明の配線基板１の断面図。
【図２】本発明の配線基板１の製造方法で、製造工程説
明図。
明図。
１ 本発明の配線基板 ２ バンプ状金属突出物 ３ 表面導体パタ−ン ４ 絶縁性基材 ５ 裏面導体パタ−ン ６ 貫通孔 ７ 表面銅箔 ８ 裏面銅箔 ９ レジスト
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年１１月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 栗原 繁 神奈川県川崎市中原区下小田中２丁目12番 ８号 沖電線株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基材４を表裏導体パタ−ンで挟ん
だ配線基板において、バンプ形成位置に表面の導体パタ
−ン３と絶縁性基材４と裏面導体パタ−ン５に貫通孔６
を設け、前記貫通孔６には、バンプ状の金属突出物２が
絶縁性基材４の表面上に盛り上がって形成され、かつ貫
通孔６以外の部分においては、表裏の両面導体パタ−ン
が共存していることを特徴とする配線基板１。 - 【請求項２】 請求項１のバンプ状の金属突出物２の中
央が凹状に形成されていることを特徴とする配線基板
１。 - 【請求項３】 絶縁性基材４を表面銅箔７と裏面銅箔８
で挟み込む第１工程と、 表面銅箔７に開口部を設け、絶縁性基材４を露出する第
２工程と、 絶縁性基材４に貫通孔６を設ける第３工程と、 裏面銅箔８に貫通孔６を設けかつ、表裏両面導体パタ−
ンを形成する第４工程と、 表裏両面導体パタ−ンをレジスト（マスキング）９し、
裏面の導体パタ−ンの端面よりメッキを析出させてバン
プを形成する第５工程と、 バンプを熟成させ、レジスト（マスキング）９を除去し
て完了する第６工程からなることを特徴とする配線基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22111297A JP3889485B2 (ja) | 1997-08-01 | 1997-08-01 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22111297A JP3889485B2 (ja) | 1997-08-01 | 1997-08-01 | 配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154870A true JPH1154870A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3889485B2 JP3889485B2 (ja) | 2007-03-07 |
Family
ID=16761675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22111297A Expired - Fee Related JP3889485B2 (ja) | 1997-08-01 | 1997-08-01 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3889485B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100572880B1 (ko) * | 2000-07-14 | 2006-04-24 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마를 이용한 기판의 홀가공방법 |
| JP2006253176A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Tdk Corp | 基板及び電子部品の製造方法 |
| US7589416B2 (en) | 2005-05-26 | 2009-09-15 | Tdk Corporation | Substrate, electronic component, and manufacturing method of these |
-
1997
- 1997-08-01 JP JP22111297A patent/JP3889485B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100572880B1 (ko) * | 2000-07-14 | 2006-04-24 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마를 이용한 기판의 홀가공방법 |
| JP2006253176A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Tdk Corp | 基板及び電子部品の製造方法 |
| US7589416B2 (en) | 2005-05-26 | 2009-09-15 | Tdk Corporation | Substrate, electronic component, and manufacturing method of these |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3889485B2 (ja) | 2007-03-07 |
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