JPS58103157U - 分布帰還型半導体レ−ザ装置 - Google Patents
分布帰還型半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS58103157U JPS58103157U JP13336182U JP13336182U JPS58103157U JP S58103157 U JPS58103157 U JP S58103157U JP 13336182 U JP13336182 U JP 13336182U JP 13336182 U JP13336182 U JP 13336182U JP S58103157 U JPS58103157 U JP S58103157U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- distributed feedback
- semiconductor laser
- laser device
- active layer
- feedback semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来の分布帰還型レーザの断面−１第２図は本
考案の分布帰還型レーザの断面図、第３図は本考案の分
布帰還型レーザの拡大断面図、第４図ａ−ｄ及び第５図
ａ〜ｆはそれぞれ本考案の実施例にかかる分布帰還型レ
ーザの製造工程図である。 ｌ −−−−−−ｎ −ＧａＡｓ、 ２−−−−−−
ｎ−Ｇａｏ、 ７Ａｌ。、 ３Ａｓ。 ３−−−−−−ｐ −ＧａＡｓ、 ４−−−−−−ｐ
−Ｇａ０．７ＡｌＯ、ｇＡｓ、 ５ 。 ６・・・・・・コンタクト用電極。
考案の分布帰還型レーザの断面図、第３図は本考案の分
布帰還型レーザの拡大断面図、第４図ａ−ｄ及び第５図
ａ〜ｆはそれぞれ本考案の実施例にかかる分布帰還型レ
ーザの製造工程図である。 ｌ −−−−−−ｎ −ＧａＡｓ、 ２−−−−−−
ｎ−Ｇａｏ、 ７Ａｌ。、 ３Ａｓ。 ３−−−−−−ｐ −ＧａＡｓ、 ４−−−−−−ｐ
−Ｇａ０．７ＡｌＯ、ｇＡｓ、 ５ 。 ６・・・・・・コンタクト用電極。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された活性層の表面に、前記活性層
とは反対の導電型を有する半導体層が、光の進行方向に
周期的に縞状配置され、前記半導体層の表面全体に共通
の電極が形成されてなり、前記半導体層と前記活性層と
からなるｐｎ接合に逆方向電圧が印加され光の進行方向
に周期的に空乏層を縞状形成する巳とを特徴とする分布
帰還型半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13336182U JPS58103157U (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 分布帰還型半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13336182U JPS58103157U (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 分布帰還型半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58103157U true JPS58103157U (ja) | 1983-07-13 |
Family
ID=30101491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13336182U Pending JPS58103157U (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 分布帰還型半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58103157U (ja) |
-
1982
- 1982-09-02 JP JP13336182U patent/JPS58103157U/ja active Pending
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