JPS58125664A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPS58125664A JPS58125664A JP57006373A JP637382A JPS58125664A JP S58125664 A JPS58125664 A JP S58125664A JP 57006373 A JP57006373 A JP 57006373A JP 637382 A JP637382 A JP 637382A JP S58125664 A JPS58125664 A JP S58125664A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁器組成物１％に１０００℃以下の低温で焼結
でき、誘電率と比抵抗の積が高く、しかも機構的強度の
高い誘電体磁器組成物に関するものである。
でき、誘電率と比抵抗の積が高く、しかも機構的強度の
高い誘電体磁器組成物に関するものである。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉ０３）などを主成分とする磁器組成物が広く実用
化されていることは周知のとおりである。しかしながら
、ＢａＴｉＯ３などを主成分とするものは焼結温度が通
常１３００〜１４ｏｏ℃の高温である。このため、これ
を積層形コンデンサに利用する場合には、内部電極とし
てこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、パラジウ
ム等の高価な貴金属を使用しなければならず、製造コス
トが高くつくという欠点がある。積層形コンデンサを安
く作るためには、銀、ニッケル等を主成分とする安価な
金種が使用できるようなできるだけ低温、特に１０００
℃以下の低い温度で焼結できる磁器組放物が望まれてい
る。
ａＴｉ０３）などを主成分とする磁器組成物が広く実用
化されていることは周知のとおりである。しかしながら
、ＢａＴｉＯ３などを主成分とするものは焼結温度が通
常１３００〜１４ｏｏ℃の高温である。このため、これ
を積層形コンデンサに利用する場合には、内部電極とし
てこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、パラジウ
ム等の高価な貴金属を使用しなければならず、製造コス
トが高くつくという欠点がある。積層形コンデンサを安
く作るためには、銀、ニッケル等を主成分とする安価な
金種が使用できるようなできるだけ低温、特に１０００
℃以下の低い温度で焼結できる磁器組放物が望まれてい
る。
ところで磁器組成物を用い、実用的な積層形コンデンサ
を作製するときに磁器組成物の電気的特性として多くの
項目が評価されな＆Ｊればならない。
を作製するときに磁器組成物の電気的特性として多くの
項目が評価されな＆Ｊればならない。
一般的に誘電率はできるだけ大きく、誘電損失はできる
だけ小さく、比抵抗はできるだけ大きく、誘電率の温度
変化は小さいことなどが要求される。
だけ小さく、比抵抗はできるだけ大きく、誘電率の温度
変化は小さいことなどが要求される。
しかしながら、実際に積層形コンデンサを種々の機器に
用いる場合においては誘電率で々く、まず容量、次に容
量の温度変化率、誘電損失などの値が必要とされる。積
層形コンデンサにおいて、容量は磁器組成物の誘電率に
比例するが、しかしその厚みに反比例し、電極面積、積
層数に比例するので、一定の容量を得るためには磁器組
成物の誘電率が大きいことは必ずしも絶対的な要因でな
い。さらに容量の温度変化率（誘電率の温度変化率）は
用途により種々許容された範囲があり、磁器組成物の誘
電率の温度変化率も積層形コンデンサを作製するときの
絶対的な要因でない。
用いる場合においては誘電率で々く、まず容量、次に容
量の温度変化率、誘電損失などの値が必要とされる。積
層形コンデンサにおいて、容量は磁器組成物の誘電率に
比例するが、しかしその厚みに反比例し、電極面積、積
層数に比例するので、一定の容量を得るためには磁器組
成物の誘電率が大きいことは必ずしも絶対的な要因でな
い。さらに容量の温度変化率（誘電率の温度変化率）は
用途により種々許容された範囲があり、磁器組成物の誘
電率の温度変化率も積層形コンデンサを作製するときの
絶対的な要因でない。
一方、誘電損失は用途により一定の値以下でなけねばな
らないという規定があり室温で最大５．０％以下である
。さらに比抵抗に関しては、例えばＥＩＡＪ規格（日本
電子機械工業会の電子機器用積層磁器コンデンサ（チッ
プ形）Ｒｃ〜３６９８Ｂ）に述べられているごとく、積
層コンデンサの絶縁抵抗として１１００ＯＯΩ以上また
は容量抵抗積で５００μＦ−ＭΩ以上のいずれが小さい
方以上と規定されていｚｌｏすなわち磁器組成物の誘電
率と比抵抗の積がある絶対値以上なければ、任意の容量
特に大きな容量のコンデンサを実用的規格に合せること
ができず、その用途が非常に限定され、実用的′１．ｆ
意味がｆ、ｒ ＜ ’１．ｒる。この点を詳しく説明す
ると次の様になる。積層形コンデンサでは、ｎ＋１（１
１Ｎの内部電極を構成して一般にｎ個の同じ厚さの層か
らなる単一層コンデンサが積層された構造になっている
。この場合、単一層当りの容量をＣ８゜絶縁抵抗をＲ８
とすれば、積層形コンデンサの容量ＣはＣ６のｎ倍にな
り、絶縁抵抗Ｒは１′Ｌｏの１ ／ ｎになる。ここで
磁器組成物の誘電率をε、真空の誘電率をε。、磁器組
成物の比抵抗ｋｌ、単一層コンデンサの磁器の厚さを６
５重なる電極面積をＳとすれば、単一層コンデンサのＣ
６は（ε。ａｓ）／ｄとなりＲ８は（、／？ｄ）／Ｓと
なる。従ってｎ層からなる積層コンデンサの容量（０）
と絶縁抵抗（Ｒ）の積Ｃ×ＲはＣＯ＞ｄ）／（ｎａ））
Ｘ ［（ｎｇｏ ｇｓ）／ｄ）＝εｏ ｔｊ’となる
。すなわちどのような容量の積層コンデンサもその容量
・抵抗積ＣＸＲは、磁器組成物のεとＪの積にと。を乗
じた一定値（ε。εｆ）に規格化される容量・抵抗積Ｏ
ｘ ｎが５００μＦ’−ＭΩすなわち５００Ｆ・Ω以上
ということは、ε。”’８．８５５ｘ１０−”Ｆ／ｃｒ
ｎ より、ＯＸ Ｒ＝ ｇ。ε／＝８．８５５ Ｘｌ
０−” （Ｆ／ｃ１Ｊ Ｘ εｘＪ？≧５００Ｆ−Ω、
よってｔｆ≧５、６５ Ｘ １０１５．Ｑ なる要求が
ある。例えばε−１００００ではア≧５．６５ Ｘ ］
０”Ω・ｍ、ε−３０００ではＪ≧１．８８ Ｘ １
０１２Ω・口、ε＝５００ではＩ〉１．１３ ｘ １０
１３Ω・σが要求される。誘電率に応じてこれらの値以
上のＪを持つ磁器組成物であればどのような大きな容量
の積層コンデンサも容量抵抗積は５００μＦ −ＭΩを
満足する。もしεが３０００でＩが要求値より１桁低い
１．８８ Ｘ １０”Ω・（７）とすればε。εＪ）＝
５０μＦ’−ＭΩで５００μｌｉ”−ＭΩは満足せず、
絶縁抵抗として１１００ＯＯΩすなわち１０１０Ω以上
を満足するには容量Ｃとして０．００５μＦ以下に限定
されなければならない。それはこの積層コンデンサの容
量・抵抗積（ｃ×Ｒ）は常に５０μＦ−ＭΩを示してい
るので、Ｒが１０００ＯＯΩのとき、Ｃは０．００５μ
Ｆとなり、Ｃがこれより大きければＲは１１００ＯＯΩ
より小さくなり、０００５μＦが規格を満たす最高の容
量となるためである。従って磁器組成物の比抵抗が低い
とその材料の実用性、特に積層形コンデンサの特長であ
る小型、大容量の特長を生がずことはできないし、全く
意味のないことにもなる。よって磁器組成物の誘電率と
比抵抗の積がある値以上を持つことが実用上極めて重要
なことである。
らないという規定があり室温で最大５．０％以下である
。さらに比抵抗に関しては、例えばＥＩＡＪ規格（日本
電子機械工業会の電子機器用積層磁器コンデンサ（チッ
プ形）Ｒｃ〜３６９８Ｂ）に述べられているごとく、積
層コンデンサの絶縁抵抗として１１００ＯＯΩ以上また
は容量抵抗積で５００μＦ−ＭΩ以上のいずれが小さい
方以上と規定されていｚｌｏすなわち磁器組成物の誘電
率と比抵抗の積がある絶対値以上なければ、任意の容量
特に大きな容量のコンデンサを実用的規格に合せること
ができず、その用途が非常に限定され、実用的′１．ｆ
意味がｆ、ｒ ＜ ’１．ｒる。この点を詳しく説明す
ると次の様になる。積層形コンデンサでは、ｎ＋１（１
１Ｎの内部電極を構成して一般にｎ個の同じ厚さの層か
らなる単一層コンデンサが積層された構造になっている
。この場合、単一層当りの容量をＣ８゜絶縁抵抗をＲ８
とすれば、積層形コンデンサの容量ＣはＣ６のｎ倍にな
り、絶縁抵抗Ｒは１′Ｌｏの１ ／ ｎになる。ここで
磁器組成物の誘電率をε、真空の誘電率をε。、磁器組
成物の比抵抗ｋｌ、単一層コンデンサの磁器の厚さを６
５重なる電極面積をＳとすれば、単一層コンデンサのＣ
６は（ε。ａｓ）／ｄとなりＲ８は（、／？ｄ）／Ｓと
なる。従ってｎ層からなる積層コンデンサの容量（０）
と絶縁抵抗（Ｒ）の積Ｃ×ＲはＣＯ＞ｄ）／（ｎａ））
Ｘ ［（ｎｇｏ ｇｓ）／ｄ）＝εｏ ｔｊ’となる
。すなわちどのような容量の積層コンデンサもその容量
・抵抗積ＣＸＲは、磁器組成物のεとＪの積にと。を乗
じた一定値（ε。εｆ）に規格化される容量・抵抗積Ｏ
ｘ ｎが５００μＦ’−ＭΩすなわち５００Ｆ・Ω以上
ということは、ε。”’８．８５５ｘ１０−”Ｆ／ｃｒ
ｎ より、ＯＸ Ｒ＝ ｇ。ε／＝８．８５５ Ｘｌ
０−” （Ｆ／ｃ１Ｊ Ｘ εｘＪ？≧５００Ｆ−Ω、
よってｔｆ≧５、６５ Ｘ １０１５．Ｑ なる要求が
ある。例えばε−１００００ではア≧５．６５ Ｘ ］
０”Ω・ｍ、ε−３０００ではＪ≧１．８８ Ｘ １
０１２Ω・口、ε＝５００ではＩ〉１．１３ ｘ １０
１３Ω・σが要求される。誘電率に応じてこれらの値以
上のＪを持つ磁器組成物であればどのような大きな容量
の積層コンデンサも容量抵抗積は５００μＦ −ＭΩを
満足する。もしεが３０００でＩが要求値より１桁低い
１．８８ Ｘ １０”Ω・（７）とすればε。εＪ）＝
５０μＦ’−ＭΩで５００μｌｉ”−ＭΩは満足せず、
絶縁抵抗として１１００ＯＯΩすなわち１０１０Ω以上
を満足するには容量Ｃとして０．００５μＦ以下に限定
されなければならない。それはこの積層コンデンサの容
量・抵抗積（ｃ×Ｒ）は常に５０μＦ−ＭΩを示してい
るので、Ｒが１０００ＯＯΩのとき、Ｃは０．００５μ
Ｆとなり、Ｃがこれより大きければＲは１１００ＯＯΩ
より小さくなり、０００５μＦが規格を満たす最高の容
量となるためである。従って磁器組成物の比抵抗が低い
とその材料の実用性、特に積層形コンデンサの特長であ
る小型、大容量の特長を生がずことはできないし、全く
意味のないことにもなる。よって磁器組成物の誘電率と
比抵抗の積がある値以上を持つことが実用上極めて重要
なことである。
また積層形チップコンデンサの場合はチップコンデンサ
を基板に実装したときの基板とチップコンデンサを構成
している磁器との熱膨張係数の違いによりチップコンデ
ンサに機械的な歪みが加わり、クラックの発生や、ひど
い場合にはチンプコンデンサが破損する場合が生じる。
を基板に実装したときの基板とチップコンデンサを構成
している磁器との熱膨張係数の違いによりチップコンデ
ンサに機械的な歪みが加わり、クラックの発生や、ひど
い場合にはチンプコンデンサが破損する場合が生じる。
またエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの
場合も外装樹脂の応力によってディップコンデンサにク
ラックか発生ずる場合がある。いずれの場合もコンデン
サを形成している磁器の機械的強度が低いほどクラック
が生じやすくまた破損しやすいため信頼性が低くなる。
場合も外装樹脂の応力によってディップコンデンサにク
ラックか発生ずる場合がある。いずれの場合もコンデン
サを形成している磁器の機械的強度が低いほどクラック
が生じやすくまた破損しやすいため信頼性が低くなる。
したがって磁器の機械的強度をできるたり増大させるこ
とは実用上きわめて重要なことである。
とは実用上きわめて重要なことである。
ところでＩ’ｂ（Ｍｇ＋／２Ｗ”／２）０３ＰｂＴｉＯ
３系磁器組成物については既にエヌ、エヌ、クライニク
。
３系磁器組成物については既にエヌ、エヌ、クライニク
。
エイ、アイ、アゲラノフスカヤ（フイジコトベルＦゴテ
ラＶｏｌ ２． Ｎｏ １７０−７２ペ一ジ１月、１９
６０年）ＣＮ、 Ｎ、 Ｋｒａｉｎｉｋ ａｎｄ Ａ、
１． Ａｇｒａｎｏｖｓｋａｙａ（］”１ｚｉｋｏ
Ｔｙｅｒｄｏｇｏ Ｔｅ１ａ、 Ｖｏｌ、 ２． Ｎｏ
、 １． ｐｐ７０〜７２． Ｊａｎｕａｒｙ １９６
０））より提案があったが、誘電率とその温度変化につ
いての記載のみであった。
ラＶｏｌ ２． Ｎｏ １７０−７２ペ一ジ１月、１９
６０年）ＣＮ、 Ｎ、 Ｋｒａｉｎｉｋ ａｎｄ Ａ、
１． Ａｇｒａｎｏｖｓｋａｙａ（］”１ｚｉｋｏ
Ｔｙｅｒｄｏｇｏ Ｔｅ１ａ、 Ｖｏｌ、 ２． Ｎｏ
、 １． ｐｐ７０〜７２． Ｊａｎｕａｒｙ １９６
０））より提案があったが、誘電率とその温度変化につ
いての記載のみであった。
また（ ５ｒｘＰｂ＋−ｘＴｉＯ２）ａ（ＰｂＭｇｏ、
５Ｗｏ５０：＋）ｂ〔ただしＸ＝Ｏ−０，１０、ａは０
．３５−０．５．ｂは（１，５−０，６５であり、そし
てａ＋ｂ＝１）はモノリシックコンデンサおよびその製
造方法として特開昭５２−２１６６２号に開示され、ま
た誘電体粉末組成物として特開昭５２−２１６９９号に
開示されている。しかしここでは誘電率（２０００〜５
５００）と誘電損失（２，０％〜４．４％）に関するデ
ータの記載しかない。またＰ ｂ （Ｍ’ｇ ＋／２Ｗ
＋／２ ）０３−Ｐ ｂ ’Ｊ’ ｉ （’ｌａ系を含
む三成分系については特開昭５５−１１１０１１におい
てＰｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ＋／２）０３−Ｐｂ’Ｉ’ １ｏ
３−Ｐｂ ＣＭｇ＋７３Ｎｂ２／３）０３系が開示され
、特開昭５５−１１７８０９においてＰ ｂ （Ｍｇｌ
／２Ｗ＋／の０ａ−Ｐｂ’Ｉ’ｉ０１０３−Ｐｂ（＋／
３’ｌ’ａ２／３）０３糸が開示されている。これらに
おいても誘電率や誘電損失および誘電率の温度特性につ
いてのみ記載されている。以上いずれも比抵抗や機械的
強度に関する開示は全くされておらずその実用性につい
ては明らかでなかった。
５Ｗｏ５０：＋）ｂ〔ただしＸ＝Ｏ−０，１０、ａは０
．３５−０．５．ｂは（１，５−０，６５であり、そし
てａ＋ｂ＝１）はモノリシックコンデンサおよびその製
造方法として特開昭５２−２１６６２号に開示され、ま
た誘電体粉末組成物として特開昭５２−２１６９９号に
開示されている。しかしここでは誘電率（２０００〜５
５００）と誘電損失（２，０％〜４．４％）に関するデ
ータの記載しかない。またＰ ｂ （Ｍ’ｇ ＋／２Ｗ
＋／２ ）０３−Ｐ ｂ ’Ｊ’ ｉ （’ｌａ系を含
む三成分系については特開昭５５−１１１０１１におい
てＰｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ＋／２）０３−Ｐｂ’Ｉ’ １ｏ
３−Ｐｂ ＣＭｇ＋７３Ｎｂ２／３）０３系が開示され
、特開昭５５−１１７８０９においてＰ ｂ （Ｍｇｌ
／２Ｗ＋／の０ａ−Ｐｂ’Ｉ’ｉ０１０３−Ｐｂ（＋／
３’ｌ’ａ２／３）０３糸が開示されている。これらに
おいても誘電率や誘電損失および誘電率の温度特性につ
いてのみ記載されている。以上いずれも比抵抗や機械的
強度に関する開示は全くされておらずその実用性につい
ては明らかでなかった。
さらに本発明者達は既に９１０〜９５０℃の温度で焼結
でき、Ｐ ｂ （Ｍｇ ＋／２ｗ＋／２）Ｏ：ｌとＰｂ
’Ｉ’１０３２成分系からなりこれをＣＰ ｂ （Ｍｇ
１／２ＷＩ／２ ）０３ ：ｌ工［ＰｂＴｉｏ３１１
−Ｘと表わしたときにＸが０．６５＜Ｘ≦１．００の範
囲にある磁器組成物を提案している。
でき、Ｐ ｂ （Ｍｇ ＋／２ｗ＋／２）Ｏ：ｌとＰｂ
’Ｉ’１０３２成分系からなりこれをＣＰ ｂ （Ｍｇ
１／２ＷＩ／２ ）０３ ：ｌ工［ＰｂＴｉｏ３１１
−Ｘと表わしたときにＸが０．６５＜Ｘ≦１．００の範
囲にある磁器組成物を提案している。
この磁器組成物は誘電率と比抵抗の積が高い値を持ち、
誘電損失の小さい優れた電気的特性を有している。しか
しながら、この組成物は機械的強度が低いためその用途
は自ら狭い範朋に限定せざるを得なかった。
誘電損失の小さい優れた電気的特性を有している。しか
しながら、この組成物は機械的強度が低いためその用途
は自ら狭い範朋に限定せざるを得なかった。
本発明の目的は機械的強度の大きいしかも容量抵抗積の
高い実用性に優れた磁器組成物を提供することにある。
高い実用性に優れた磁器組成物を提供することにある。
すなわち本発明はＰｂ（Ｍｎ＋／３Ｔ ａ２／３ ）
０３． Ｐ ｂ （Ｍｇ１７２Ｗ１７ｚ ） ０３およ
びＰｂＴ！ｉ０３を含む組成物を（：Ｐｂ（Ｍ’ｎｌ／
３Ｔａ２／Ａ）０３ ）ｘ［：Ｐｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ＋／
ｚ） ０３ ］ ｙ ＣＰ ｂＴ ｉ Ｏａ ） ｚ
と表わしたとき（ただしＸ十Ｙ＋Ｚ＝１．０）この３
成分組成図において Ｘ ｙ ｚ Ｏ，１００，９０’ ０ ０．００５ ０．Ｑ９５ ００．００５
０．４９７５ ０．４９７５０．０８ ０
．４６ ０．４６（９） ０．１５ ０．５９５ ０．２
５５０．１５ ０．７６５ ０．
０８５の各点を結ぶ線上およびこの範囲内にあることを
特徴とするものである。本発明の磁器組成物は積層形コ
ンデンサに利用する場合銀、ニッケル等を主成分とする
。安価な内部電極が使用可能な９００℃〜１０００℃の
温度で焼結でき容量・抵抗積が５００μＦ−ＭΩ以上で
しかも誘電損失が小さく、機械的強度が高くまた誘電率
も前記の範囲内で３００〜６０００程度の値を持つ優れ
た材料である。
０３． Ｐ ｂ （Ｍｇ１７２Ｗ１７ｚ ） ０３およ
びＰｂＴ！ｉ０３を含む組成物を（：Ｐｂ（Ｍ’ｎｌ／
３Ｔａ２／Ａ）０３ ）ｘ［：Ｐｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ＋／
ｚ） ０３ ］ ｙ ＣＰ ｂＴ ｉ Ｏａ ） ｚ
と表わしたとき（ただしＸ十Ｙ＋Ｚ＝１．０）この３
成分組成図において Ｘ ｙ ｚ Ｏ，１００，９０’ ０ ０．００５ ０．Ｑ９５ ００．００５
０．４９７５ ０．４９７５０．０８ ０
．４６ ０．４６（９） ０．１５ ０．５９５ ０．２
５５０．１５ ０．７６５ ０．
０８５の各点を結ぶ線上およびこの範囲内にあることを
特徴とするものである。本発明の磁器組成物は積層形コ
ンデンサに利用する場合銀、ニッケル等を主成分とする
。安価な内部電極が使用可能な９００℃〜１０００℃の
温度で焼結でき容量・抵抗積が５００μＦ−ＭΩ以上で
しかも誘電損失が小さく、機械的強度が高くまた誘電率
も前記の範囲内で３００〜６０００程度の値を持つ優れ
た材料である。
次に本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例
出発原料として純度９９．９％以上の酸化鉛（ＰｂＯ）
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、次階マンガン（ＭｎＣ
Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２’ｓ）、酸化タングステ
ン（ＷＯａ）および酸化チタン（ＴｉＯ２）を使用し、
所定の配合比に秤量した。次にボールミル中で湿式混合
した後７５０℃〜８００℃で予焼した。その後ボールミ
ルで粉砕し、日別、乾燥後有機バインダーを入れ整粒後
プレスし、直径１６聾、厚さ約２Ｈの円板を４枚と直径
１６顛、厚さ約１０劃の円柱を作製した。次に空気中９
００〜１０００℃で１時間焼結した。焼結した円板の上
下面に６００℃で銀電極を焼付け、デジタルＬＣＲメー
ターで周波数１ｋＨｚ、電圧Ｉ Ｖｒ、ｍ、ｓで容量と
誘電損失（ｔａｎδ）を測定、し、誘電率を算出した。
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、次階マンガン（ＭｎＣ
Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２’ｓ）、酸化タングステ
ン（ＷＯａ）および酸化チタン（ＴｉＯ２）を使用し、
所定の配合比に秤量した。次にボールミル中で湿式混合
した後７５０℃〜８００℃で予焼した。その後ボールミ
ルで粉砕し、日別、乾燥後有機バインダーを入れ整粒後
プレスし、直径１６聾、厚さ約２Ｈの円板を４枚と直径
１６顛、厚さ約１０劃の円柱を作製した。次に空気中９
００〜１０００℃で１時間焼結した。焼結した円板の上
下面に６００℃で銀電極を焼付け、デジタルＬＣＲメー
ターで周波数１ｋＨｚ、電圧Ｉ Ｖｒ、ｍ、ｓで容量と
誘電損失（ｔａｎδ）を測定、し、誘電率を算出した。
次に超絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印力口して絶
縁抵抗を測定した。４個の試料の平均値をとり、その値
を各配合比の代表値とした。また機械的強度を抗折強度
で評価するため円柱試料から厚さ０．５＋ｏ＋、ｌｌζ
１２肛、長さ約１３闇の矩形板を切り出した。支点間の
距離を９圓にとり、３点法で破 Ｐｍ７ 壊荷重Ｐｍ ＣＫｇ ：ｌを測定し、τ＝ ２Ｗｔ”
［ｌｃｙ／ｃＪ］ なる式により抗折強度τ（ｋｇ／ｉ
）を求めた。ただしｌは支点間距肉１（、ｔは試料の
厚み、Ｗは試料の［１］である。値は試料１０点の平均
値より求めた。試作した磁器組成物の成分配合比を表に
示す。また磁器組成物配合比と容量・抵抗積、誘電損失
、抗折強度との関係を第１図から第３図に示す。なお図
中の曲線上の番号は表の各番号に対応している。
縁抵抗を測定した。４個の試料の平均値をとり、その値
を各配合比の代表値とした。また機械的強度を抗折強度
で評価するため円柱試料から厚さ０．５＋ｏ＋、ｌｌζ
１２肛、長さ約１３闇の矩形板を切り出した。支点間の
距離を９圓にとり、３点法で破 Ｐｍ７ 壊荷重Ｐｍ ＣＫｇ ：ｌを測定し、τ＝ ２Ｗｔ”
［ｌｃｙ／ｃＪ］ なる式により抗折強度τ（ｋｇ／ｉ
）を求めた。ただしｌは支点間距肉１（、ｔは試料の
厚み、Ｗは試料の［１］である。値は試料１０点の平均
値より求めた。試作した磁器組成物の成分配合比を表に
示す。また磁器組成物配合比と容量・抵抗積、誘電損失
、抗折強度との関係を第１図から第３図に示す。なお図
中の曲線上の番号は表の各番号に対応している。
ｆ １１ ′Ｘ
これらの図においてＰｂ（Ｍｇ’／２Ｗ’／２）０３−
ＰｂＴｉＯ３糸組成物、ある放物Ｐｂ （Ｍｇ’／２Ｗ
＋／２）０３に対してＰｂ（Ｍｎ１／３Ｔａ２／３）０
３を固溶させると、誘電損失はＰｂ （Ｍｎｌ／：＋Ｔ
ａ２／３）０３が１〜５モル％付近で極小になり、その
後増加する。また容１１ｔｔ抵抗積はＰｂ（ＭＨ１７３
Ｔａ２／３ ） ０３が１モル％付近で極大になり、そ
の後減少し、抗折強度はＰ ｂ （Ｍｎ １／３Ｔ ａ
２／ａ ）０３を固溶させると急激に増加し１モル％
付近で１２００〜１４００吻／−の値に７’Ｃす、その
後１０００〜１１００にり／ｄのほぼ一定した値になる
。
ＰｂＴｉＯ３糸組成物、ある放物Ｐｂ （Ｍｇ’／２Ｗ
＋／２）０３に対してＰｂ（Ｍｎ１／３Ｔａ２／３）０
３を固溶させると、誘電損失はＰｂ （Ｍｎｌ／：＋Ｔ
ａ２／３）０３が１〜５モル％付近で極小になり、その
後増加する。また容１１ｔｔ抵抗積はＰｂ（ＭＨ１７３
Ｔａ２／３ ） ０３が１モル％付近で極大になり、そ
の後減少し、抗折強度はＰ ｂ （Ｍｎ １／３Ｔ ａ
２／ａ ）０３を固溶させると急激に増加し１モル％
付近で１２００〜１４００吻／−の値に７’Ｃす、その
後１０００〜１１００にり／ｄのほぼ一定した値になる
。
ｆｌつ）
（ｌＪ）
（ＩＺ）
Ｌｌ）ｕ）
（１４）
また第３図を第１，２図と比べるとＰｂＴｉ０Ａのモル
比が増加すると誘電損失が大きくなり、容量抵抗値は減
少してゆくことが判かる。
比が増加すると誘電損失が大きくなり、容量抵抗値は減
少してゆくことが判かる。
ここで本発明の組成物は〔Ｐｂ（Ｍｎｌ／３Ｔａ２／３
）０３〕Ｘ・ＣＰｂ（Ｍｇ＋／２Ｗ＋７２）０３１ｙ・
［Ｐｂ’ｌ’ｉ０３〕ｚと表わしたときに、この３成分
系組成図において点 ｘ、ｙ、ｚ １ （０，１０，０，９０、０） ４ （０，００５，０，９９５、０）３２（０，００
５，０，４９７５，０，４９７５）２９（０，０８，０
，４６，０，４６）１８（０，１５，０，５９５，０，
２５５）６ （０，１５、０，１６５、０，０８５）
結ぶ線上、並びにこの範囲内に限定される。その理由は
、点１，６．１８，２９．３２を結ぶ線の外側では容量
抵抗−が５００μＦ−Ｍｎより小さくなって実用上の規
格より劣る。また点３２，４を結ぶ線の外側では抗折強
度が低くなってしまう。
）０３〕Ｘ・ＣＰｂ（Ｍｇ＋／２Ｗ＋７２）０３１ｙ・
［Ｐｂ’ｌ’ｉ０３〕ｚと表わしたときに、この３成分
系組成図において点 ｘ、ｙ、ｚ １ （０，１０，０，９０、０） ４ （０，００５，０，９９５、０）３２（０，００
５，０，４９７５，０，４９７５）２９（０，０８，０
，４６，０，４６）１８（０，１５，０，５９５，０，
２５５）６ （０，１５、０，１６５、０，０８５）
結ぶ線上、並びにこの範囲内に限定される。その理由は
、点１，６．１８，２９．３２を結ぶ線の外側では容量
抵抗−が５００μＦ−Ｍｎより小さくなって実用上の規
格より劣る。また点３２，４を結ぶ線の外側では抗折強
度が低くなってしまう。
以上本発明の磁器組成物は１０００℃以下の低湿で焼成
でき銀やニッケル等を主成分とする低価格金属を内部電
極として使用できると共に、省エネルギーや炉材の節約
という経済的な面で極めて有用な材料である。さらに特
性面においては容量抵抗積は十分に実用上の規格値より
大きく、また機械的強度が高いため高信頼性が得られさ
らに誘電損失が小さく、非常に優れた材料である。
でき銀やニッケル等を主成分とする低価格金属を内部電
極として使用できると共に、省エネルギーや炉材の節約
という経済的な面で極めて有用な材料である。さらに特
性面においては容量抵抗積は十分に実用上の規格値より
大きく、また機械的強度が高いため高信頼性が得られさ
らに誘電損失が小さく、非常に優れた材料である。
第１図から第３図は磁器組成物の配合比と緒特性との関
係を示した図である。第１図は表のＮｏ。 １−１１．第２図は表のＮｏ１２−２３．第３図は表の
Ｎｏ２４〜３３のそれぞれの特性値である。各図中の曲
線（ａ）は抗折強度、（ｂ）は容量抵抗積、（Ｃ）は誘
電損失の特性をそれぞれ示している。また図中の番号は
表の各組成配合比の番号に対応している。 第４図は本発明の請求の範囲と表に示した各配合比の組
成点を示した図である。 閃理人弁理士内原 普 （１７） −−第 １
図 ０ ５ １０ １５Ｐｂ （
Ｍｎ’／３Ｔａ ２／３） ０３ ノモルｚ第３図 Ｐｂ （Ｍｎ’Ａ Ｔａ２／３）０３ （？ｒモル２第
４図
係を示した図である。第１図は表のＮｏ。 １−１１．第２図は表のＮｏ１２−２３．第３図は表の
Ｎｏ２４〜３３のそれぞれの特性値である。各図中の曲
線（ａ）は抗折強度、（ｂ）は容量抵抗積、（Ｃ）は誘
電損失の特性をそれぞれ示している。また図中の番号は
表の各組成配合比の番号に対応している。 第４図は本発明の請求の範囲と表に示した各配合比の組
成点を示した図である。 閃理人弁理士内原 普 （１７） −−第 １
図 ０ ５ １０ １５Ｐｂ （
Ｍｎ’／３Ｔａ ２／３） ０３ ノモルｚ第３図 Ｐｂ （Ｍｎ’Ａ Ｔａ２／３）０３ （？ｒモル２第
４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マンガン・タンタル酸鉛［Ｐｂ（Ｍｎ＋／３Ｔａ２／ａ
）０３］、マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ（Ｍ
ｇ’／２Ｗ］／２） ０３ ）およびチタン酸鉛［：Ｐ
ｂＴｉ０：ｉ〕からなる組成物谷〔Ｐｂ（ＭｎＩ／３Ｔ
ａ２／３）０３〕Ｘ・［Ｐｂ（Ｍｇｌ／ｚＷ’＋／ｚ）
ＣＬ＋ ］ｙ ・［ＰｂＴｉ０ａ〕ｚと表わしたとき、
（ただしＸ十Ｙ＋Ｚ＝１．００ ）、ｍの３成分組成図
において Ｘ Ｙ ｚ Ｏ，１６０，９００ ０，００５０，９９５（１ ０，００５０，４９７５０，４９７５ ０，０８０，４６０，４１； ０．１５ ０．５９．５ ０．２’；ＥＯ，１
５０，７６５０，０ＰＳ の各点を結ぶ線上およびこの範囲内にあることを特徴と
する磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57006373A JPS58125664A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57006373A JPS58125664A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125664A true JPS58125664A (ja) | 1983-07-26 |
| JPS6235990B2 JPS6235990B2 (ja) | 1987-08-05 |
Family
ID=11636566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57006373A Granted JPS58125664A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125664A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6021859A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-04 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
-
1982
- 1982-01-19 JP JP57006373A patent/JPS58125664A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6021859A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-04 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6235990B2 (ja) | 1987-08-05 |
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