JPS58129657U - ジヨセフソン接合素子の搭載構造 - Google Patents

ジヨセフソン接合素子の搭載構造

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JPS58129657U
JPS58129657U JP2511182U JP2511182U JPS58129657U JP S58129657 U JPS58129657 U JP S58129657U JP 2511182 U JP2511182 U JP 2511182U JP 2511182 U JP2511182 U JP 2511182U JP S58129657 U JPS58129657 U JP S58129657U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
josephson junction
mounting structure
junction element
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP2511182U
Other languages
English (en)
Inventor
誠 向井
大木 登
明 金子
吉村 達郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS58129657U publication Critical patent/JPS58129657U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案によるジョセフソン接合素子の搭載構造
の一例を示す正断面図、第2図は本考案の他の実施例を
示す正断面図、第3図は第2図のトンネルバリア層付近
の平面図、第4図は従来のジョセフソン接合素子の搭載
構造を示す正断面図である。 1・・・・・・ジョセフソン接合素子、2・・開基板、
3・・・・・・超電導接地層、5・・・・・・絶縁層、
6.7・・・・・・電極層、9・・・・・・トンネルバ
リア層、10.10’・・・・・・導電層、11・・・
・・・緩衝層。

Claims (4)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)基板上に搭載され、該基板上に超電導接地層、絶
    縁層を介してトンネルバリア層を形成する電極層の形成
    されたジョセフソン接合素子において、前記超電導接地
    層を導電層及び緩衝層から形成し、前記緩衝層が基板と
    電極層間に生じる熱応力を吸収し得るようにして構成し
    たジョセフソン接合素子の搭載構造。
  2. (2)緩衝層を複数層、各層間の熱膨張係数が基板から
    順次導電層に向かって段階的に変化するように積層して
    構成した実用新案登録請求の範囲第1項記載のジョセフ
    ソン接合素子の搭載構造。
  3. (3)基板がシリコンで、導電層がニオブ、緩衝層が鉛
    から形成された実用新案登録請求の範囲第1項記載のジ
    ョセフソン接合素子の搭載構造。
  4. (4)  緩衝層及び導電層が共に鉛からなり、更に前
    記導電層の、トンネルバリア層に対応した部分に鉛より
    硬い金属からなる導電層を前記バリア層をカバーし得る
    ように島状に形成して構成した実用新案登録請求の範囲
    第1項記載のジョセフソン接合素子の搭載構造。
JP2511182U 1982-02-24 1982-02-24 ジヨセフソン接合素子の搭載構造 Pending JPS58129657U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61182282A (ja) * 1985-02-08 1986-08-14 Agency Of Ind Science & Technol 磁束トラツプ防止型ジョセフソン装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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