JPS58129657U - ジヨセフソン接合素子の搭載構造 - Google Patents
ジヨセフソン接合素子の搭載構造Info
- Publication number
- JPS58129657U JPS58129657U JP2511182U JP2511182U JPS58129657U JP S58129657 U JPS58129657 U JP S58129657U JP 2511182 U JP2511182 U JP 2511182U JP 2511182 U JP2511182 U JP 2511182U JP S58129657 U JPS58129657 U JP S58129657U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- josephson junction
- mounting structure
- junction element
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は本考案によるジョセフソン接合素子の搭載構造
の一例を示す正断面図、第2図は本考案の他の実施例を
示す正断面図、第3図は第2図のトンネルバリア層付近
の平面図、第4図は従来のジョセフソン接合素子の搭載
構造を示す正断面図である。 1・・・・・・ジョセフソン接合素子、2・・開基板、
3・・・・・・超電導接地層、5・・・・・・絶縁層、
6.7・・・・・・電極層、9・・・・・・トンネルバ
リア層、10.10’・・・・・・導電層、11・・・
・・・緩衝層。
の一例を示す正断面図、第2図は本考案の他の実施例を
示す正断面図、第3図は第2図のトンネルバリア層付近
の平面図、第4図は従来のジョセフソン接合素子の搭載
構造を示す正断面図である。 1・・・・・・ジョセフソン接合素子、2・・開基板、
3・・・・・・超電導接地層、5・・・・・・絶縁層、
6.7・・・・・・電極層、9・・・・・・トンネルバ
リア層、10.10’・・・・・・導電層、11・・・
・・・緩衝層。
Claims (4)
- (1)基板上に搭載され、該基板上に超電導接地層、絶
縁層を介してトンネルバリア層を形成する電極層の形成
されたジョセフソン接合素子において、前記超電導接地
層を導電層及び緩衝層から形成し、前記緩衝層が基板と
電極層間に生じる熱応力を吸収し得るようにして構成し
たジョセフソン接合素子の搭載構造。 - (2)緩衝層を複数層、各層間の熱膨張係数が基板から
順次導電層に向かって段階的に変化するように積層して
構成した実用新案登録請求の範囲第1項記載のジョセフ
ソン接合素子の搭載構造。 - (3)基板がシリコンで、導電層がニオブ、緩衝層が鉛
から形成された実用新案登録請求の範囲第1項記載のジ
ョセフソン接合素子の搭載構造。 - (4) 緩衝層及び導電層が共に鉛からなり、更に前
記導電層の、トンネルバリア層に対応した部分に鉛より
硬い金属からなる導電層を前記バリア層をカバーし得る
ように島状に形成して構成した実用新案登録請求の範囲
第1項記載のジョセフソン接合素子の搭載構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2511182U JPS58129657U (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | ジヨセフソン接合素子の搭載構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2511182U JPS58129657U (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | ジヨセフソン接合素子の搭載構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58129657U true JPS58129657U (ja) | 1983-09-02 |
Family
ID=30037084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2511182U Pending JPS58129657U (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | ジヨセフソン接合素子の搭載構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58129657U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182282A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 磁束トラツプ防止型ジョセフソン装置 |
-
1982
- 1982-02-24 JP JP2511182U patent/JPS58129657U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182282A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 磁束トラツプ防止型ジョセフソン装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2982182B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS60177689A (ja) | 超伝導回路装置 | |
| JPH01196863A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0526738Y2 (ja) | ||
| JPS63312661A (ja) | 半導体装置用パッケ−ジ | |
| JPS5927570A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS605055B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6186943U (ja) | ||
| JPS6117743U (ja) | 高周波トランジスタ用パツケ−ジ | |
| JPS5944056U (ja) | 電荷転送装置 | |
| JPS6016568U (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS59138255U (ja) | ジヨセフソン接合装置 | |
| JPS5895859A (ja) | 多層構造半導体装置 | |
| JPS5856452U (ja) | ハイブリツド型電子部品 | |
| JPS6138947U (ja) | 半導体の回路基板構造 | |
| JPS60125750U (ja) | 半導体スイツチング素子 | |
| JPS59107156U (ja) | 高感度サイリスタ | |
| JPS6083258U (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS60153544U (ja) | スイツチング回路を組込んだ混成集積回路装置 | |
| JPS60125751U (ja) | 半導体スイツチング素子 | |
| JPH01145845A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5878656U (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS60153534U (ja) | ビ−ムリ−ド型半導体素子 | |
| JPH01157563A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60125748U (ja) | ラテラル型トランジスタ |