JPS58140130A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS58140130A JPS58140130A JP57023203A JP2320382A JPS58140130A JP S58140130 A JPS58140130 A JP S58140130A JP 57023203 A JP57023203 A JP 57023203A JP 2320382 A JP2320382 A JP 2320382A JP S58140130 A JPS58140130 A JP S58140130A
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- JP
- Japan
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- polycrystalline silicon
- insulator
- phosphorus
- semiconductor device
- vapor phase
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造方法にかかシ、とくに段差
を有する半導体装置の段部を滑らかにし。
を有する半導体装置の段部を滑らかにし。
容易に微細な金鵬配麹を可能にする製造方法に関する。
近年、半導体装置は、高密度化、高速化を実現する為に
、微細パターン化が進むとともに、多結晶シリコン層を
積極的に用いる技術が利用されている。例えば、シリコ
ンゲート型ＭＯ８半導体装皺では、多結晶シリコン層を
ゲート電極及び配線ルとして用いておシ、絶縁物を介し
て削記多結晶シリコン階を横切って金属配線層が形成さ
れている。これら多結晶シリコン服を用いる半導体装置
では、多結晶シリコン層を横切る金属配ＩＩＩが多結晶
シリコン層の段部で断線しないように、多結晶シリコン
層の段部を滑らかにしている。本発明は、多結晶シリコ
ン層段部に於ける金属配線の断線を防止するとともに、
樹脂封入に耐え得る信頼性を有する半導体装置の製造方
法に関するものである。
、微細パターン化が進むとともに、多結晶シリコン層を
積極的に用いる技術が利用されている。例えば、シリコ
ンゲート型ＭＯ８半導体装皺では、多結晶シリコン層を
ゲート電極及び配線ルとして用いておシ、絶縁物を介し
て削記多結晶シリコン階を横切って金属配線層が形成さ
れている。これら多結晶シリコン服を用いる半導体装置
では、多結晶シリコン層を横切る金属配ＩＩＩが多結晶
シリコン層の段部で断線しないように、多結晶シリコン
層の段部を滑らかにしている。本発明は、多結晶シリコ
ン層段部に於ける金属配線の断線を防止するとともに、
樹脂封入に耐え得る信頼性を有する半導体装置の製造方
法に関するものである。
従来の多結晶シリコン層を用いている半導体装置の製法
について、シリコングー）５ＭＯ８ＩＣを例に１ｇ１図
を用いて説明する。
について、シリコングー）５ＭＯ８ＩＣを例に１ｇ１図
を用いて説明する。
シリコン基板１上に通常の選択酸化法を用いて、フィー
ルド酸化膜２を形成した彼、熱酸化によシ、ゲート酸化
膜３を形成する。次に多結晶シリコンＦｆＩ４を全面に
形成し通常のフォトエッチングエ稚を用いて、ゲート電
極５及び配線用の多結晶シリコン〜のパターン６を形成
する。この場合バターニングされた多結晶シリコン層の
断面形状は、非常に急峻であるので、絶縁物を介して前
記多結晶シリコシ層を横切って形成された金・属配線は
、前記多結晶シリコン層の段部で切断される。この金属
配線の断線を防止する為従来の技術では、多結晶シリコ
ン層のパターンを形成した後、高濃度のリンを含んだリ
ンガラス膜７を気相成長法によ多形成し、高温熱処理を
行うことによって、リンガラス膜の流動性を利用して多
結晶シリコン層の段部の形状を滑らかにし、多結晶シリ
コン層を横断する配線金属８の形成を可能にしていた。
ルド酸化膜２を形成した彼、熱酸化によシ、ゲート酸化
膜３を形成する。次に多結晶シリコンＦｆＩ４を全面に
形成し通常のフォトエッチングエ稚を用いて、ゲート電
極５及び配線用の多結晶シリコン〜のパターン６を形成
する。この場合バターニングされた多結晶シリコン層の
断面形状は、非常に急峻であるので、絶縁物を介して前
記多結晶シリコシ層を横切って形成された金・属配線は
、前記多結晶シリコン層の段部で切断される。この金属
配線の断線を防止する為従来の技術では、多結晶シリコ
ン層のパターンを形成した後、高濃度のリンを含んだリ
ンガラス膜７を気相成長法によ多形成し、高温熱処理を
行うことによって、リンガラス膜の流動性を利用して多
結晶シリコン層の段部の形状を滑らかにし、多結晶シリ
コン層を横断する配線金属８の形成を可能にしていた。
しかしながら従来方法では、多結晶シリコン層段部を滑
らかにし、配線金属の断縁を防止することはできたが、
多結晶シリコン層の段部を滑らかＫする為に形成してい
た高濃度のリンを含んだリンガラス膜と配線金属が反応
を起し、配線金属が腐食されるという欠点があった。つ
ｔｂ、従来方法で製造した半導体装置を樹脂封入し、高
湿中で動作させた場合、樹脂中を浸入してきた水分とリ
ンガラス中のリンによシ、リン酸ができ、このリン酸が
配線金属を溶解させ、半導体装置の動作を不能にすると
いう重大な欠点があった。
らかにし、配線金属の断縁を防止することはできたが、
多結晶シリコン層の段部を滑らかＫする為に形成してい
た高濃度のリンを含んだリンガラス膜と配線金属が反応
を起し、配線金属が腐食されるという欠点があった。つ
ｔｂ、従来方法で製造した半導体装置を樹脂封入し、高
湿中で動作させた場合、樹脂中を浸入してきた水分とリ
ンガラス中のリンによシ、リン酸ができ、このリン酸が
配線金属を溶解させ、半導体装置の動作を不能にすると
いう重大な欠点があった。
仁の問題を解決する為に、リンガラス膜中のリン嬢度を
８モル参以下に下けれは配線金属の腐食は防止できたか
、リン濃度を下げたことによシリンガラス暎の充分な流
＆性が得られず、多結晶シリコン服の段差部で配線金属
が断線する。また配線金属の断線を防止する為に１多結
晶シリコン簾のパターンエツチング工程で、多結晶シリ
コン層の工、チング拶の形状にテーパーをつけようとす
ると、加工寸法精度か悪くなる等の間組があシ容易にこ
の間勉の解決をみる方法がなかった。
８モル参以下に下けれは配線金属の腐食は防止できたか
、リン濃度を下げたことによシリンガラス暎の充分な流
＆性が得られず、多結晶シリコン服の段差部で配線金属
が断線する。また配線金属の断線を防止する為に１多結
晶シリコン簾のパターンエツチング工程で、多結晶シリ
コン層の工、チング拶の形状にテーパーをつけようとす
ると、加工寸法精度か悪くなる等の間組があシ容易にこ
の間勉の解決をみる方法がなかった。
本発明は、前述した欠点を解決しながら、多結晶シリコ
ン服の段部を滑らかにし、金楓配艙の断縁をなくすとと
もに、配線金属の腐食をなくし、かつ、微細パターン化
に逸した新規な製造方法に関するものである。つｔｂ、
本発明の目的とするところは、段差を有する半導体装置
の表面を滑らかにし、絶縁物を介して割記段差部を横断
する金属配線の断縁な防止するとともに、配線金属の腐
食をも防止する新規な製造方法を提供することにある。
ン服の段部を滑らかにし、金楓配艙の断縁をなくすとと
もに、配線金属の腐食をなくし、かつ、微細パターン化
に逸した新規な製造方法に関するものである。つｔｂ、
本発明の目的とするところは、段差を有する半導体装置
の表面を滑らかにし、絶縁物を介して割記段差部を横断
する金属配線の断縁な防止するとともに、配線金属の腐
食をも防止する新規な製造方法を提供することにある。
すなわち本発明の％黴は、段差を有する半導体基板の表
面に、気相成長による第１の絶縁物を形成する工程と１
．塗布法による第２の絶縁物を形成する工程と、気相成
長による第３の絶縁物を形成する工程を含み、熱処理を
行うことによって、半導体基板の前記段部を滑らかにす
る半導体装置の製造方法にある。この場合気相成長によ
る第１及び第３の絶縁物が、４〜８モル優のリンガラス
膜であることが好ましい。又は、塗布法による第２の絶
縁物が８モル参以下のリンガラス膜であることが好まし
い。又は、気相成長による第１及び第３の絶縁物が、同
一のリン濃度を有するリンガラス膜であることが好まし
い。又は、気相成長による第１及び第３の絶縁物を形成
した彼の工程でそれぞれ高温熱処理を行い絶縁物の高温
における流動性を利用して段差部上の絶縁物形状を滑ら
かｋすることが好ましい。
面に、気相成長による第１の絶縁物を形成する工程と１
．塗布法による第２の絶縁物を形成する工程と、気相成
長による第３の絶縁物を形成する工程を含み、熱処理を
行うことによって、半導体基板の前記段部を滑らかにす
る半導体装置の製造方法にある。この場合気相成長によ
る第１及び第３の絶縁物が、４〜８モル優のリンガラス
膜であることが好ましい。又は、塗布法による第２の絶
縁物が８モル参以下のリンガラス膜であることが好まし
い。又は、気相成長による第１及び第３の絶縁物が、同
一のリン濃度を有するリンガラス膜であることが好まし
い。又は、気相成長による第１及び第３の絶縁物を形成
した彼の工程でそれぞれ高温熱処理を行い絶縁物の高温
における流動性を利用して段差部上の絶縁物形状を滑ら
かｋすることが好ましい。
以下１本発明をシリコングー）２ＭＯ８ＩＣに適用した
実施例について第２図を用いて説明する。
実施例について第２図を用いて説明する。
（１） シリコン基板上ｌに、フィールド酸化膜２を
通常の選択熱酸化によって０．８〜１．０μ程度形成す
る。この場合フィールド部分のシリコン基板表面濃度は
、フィールド部分の１′界による反ＩＩ２層の形成を防
ぐ為、他の部分よシも１桁程度濃くしておく。
通常の選択熱酸化によって０．８〜１．０μ程度形成す
る。この場合フィールド部分のシリコン基板表面濃度は
、フィールド部分の１′界による反ＩＩ２層の形成を防
ぐ為、他の部分よシも１桁程度濃くしておく。
（２）通常の熱酸化によってゲート酸化膜３を１０００
Ａ＆度形成する。
Ａ＆度形成する。
（３） ８ｉＨ，ガスの熱分解を利用した減圧気相成
長法により、多結晶シリコン層４を全面に０．３〜０．
７μ程度形成する。
長法により、多結晶シリコン層４を全面に０．３〜０．
７μ程度形成する。
（４） 通常のフォトエツチング工程を用いて、ゲー
ト電極５及び配置に６となる多結晶シリコン服のパター
ンを形成する微細パターンでかっｈ密な加工寸法を必要
とする場合、エツチング工程で社、平行平板型のドライ
エ、テング装置を用いているので、断面形状は、非常に
急峻となる。
ト電極５及び配置に６となる多結晶シリコン服のパター
ンを形成する微細パターンでかっｈ密な加工寸法を必要
とする場合、エツチング工程で社、平行平板型のドライ
エ、テング装置を用いているので、断面形状は、非常に
急峻となる。
（５） ソース、ドレイン領域及び多結晶シリコン４
５．６へ熱拡散法もしくはイオン注入法部によ）、不純
物をドープし、ソース、ドレイン領域の拡散層９．１０
を形成する。
５．６へ熱拡散法もしくはイオン注入法部によ）、不純
物をドープし、ソース、ドレイン領域の拡散層９．１０
を形成する。
（６） ８１Ｈ４，ＰＨ，ガスを用いて獣素雰曲気中
で気相成長法によ）、８モルチ以下のリンを含んだ第１
のリンガラス膜１１をα２〜０．７μ程度形成する。
で気相成長法によ）、８モルチ以下のリンを含んだ第１
のリンガラス膜１１をα２〜０．７μ程度形成する。
（７） ９００℃〜１１００℃の温度で熱処理を行い
、リンガ２不膜の流動性を利用して、多結晶シリコン層
段部を若干滑らかｋする。
、リンガ２不膜の流動性を利用して、多結晶シリコン層
段部を若干滑らかｋする。
（８）塗布法によってリンを含んだリンガラス膜法によ
るリンガラス膜は、段部に厚く、平担部に薄く形成され
るので第２図（Ｃ）に示すように段部な埋めるような形
状に形成できる。
るリンガラス膜は、段部に厚く、平担部に薄く形成され
るので第２図（Ｃ）に示すように段部な埋めるような形
状に形成できる。
（９） ８ ｉｎ、 ；ｐＨ，ガスを用いて％腋素雰
囲気中で気相成長法によシ８モル憾以下のリンを含んだ
第３のリンガマス膜１３をｏ、５〜ＬＯμ程度形成する
。塗布法によるリンガラス膜が多結晶シリコン層段部を
埋めるように形成されているので、多結晶シリ；ン脂段
部では、かなシ滑らかなリンガラス膜を形成することが
できる。
囲気中で気相成長法によシ８モル憾以下のリンを含んだ
第３のリンガマス膜１３をｏ、５〜ＬＯμ程度形成する
。塗布法によるリンガラス膜が多結晶シリコン層段部を
埋めるように形成されているので、多結晶シリ；ン脂段
部では、かなシ滑らかなリンガラス膜を形成することが
できる。
Ｑ（１９００℃〜１１００℃の温度で熱処理を行い、リ
ンガラス膜の流動性をオＵ用して多結晶シリコン層の段
部を更に滑らかにする。
ンガラス膜の流動性をオＵ用して多結晶シリコン層の段
部を更に滑らかにする。
αυ 通常のフォトエツチング工程を用いて拡散層９及
び多結晶シリコン＆６からの電極引き出し用のコンタク
トホールを形成する。
び多結晶シリコン＆６からの電極引き出し用のコンタク
トホールを形成する。
醤 配緑金ＩＩ４を全面に被着し、通常の７オトエ、チ
ング工程を用いて、金属配線８のパターンを形成を行う
。
ング工程を用いて、金属配線８のパターンを形成を行う
。
（１３４００℃〜５００℃のフォーミングガス中でシン
ターを行い、配線金ｌＩ４８と拡散層９及び多結晶シリ
コン層６とのオーミックコンタクトを形成する。
ターを行い、配線金ｌＩ４８と拡散層９及び多結晶シリ
コン層６とのオーミックコンタクトを形成する。
α尋 バ、シペーシ、ン用のリン刀フスＨｔ気相成長法
によシ全面に成形し、通常のフォトエツチング工程を用
いて電極引き出し用バット部を１孔して半導体装置の完
成となる。
によシ全面に成形し、通常のフォトエツチング工程を用
いて電極引き出し用バット部を１孔して半導体装置の完
成となる。
上記実施例に示したように、本発明によれは、多結晶シ
リコン層段部を気相成長によるリンガラス膜を形成した
彼、高温熱処理によって段部を若干滑らかＫし塗布法に
よるリンガラス膜を形成することによシ段部を埋め、再
び気相成長によるリンガラス膜を形成し熱処理によるリ
ンガラスの流動性を利用してさらに多結晶シリコン層段
部を滑らかにすることによって容易に微細な金属配線パ
ターンの形成を可能にできる。
リコン層段部を気相成長によるリンガラス膜を形成した
彼、高温熱処理によって段部を若干滑らかＫし塗布法に
よるリンガラス膜を形成することによシ段部を埋め、再
び気相成長によるリンガラス膜を形成し熱処理によるリ
ンガラスの流動性を利用してさらに多結晶シリコン層段
部を滑らかにすることによって容易に微細な金属配線パ
ターンの形成を可能にできる。
本実雄側において塗布法によるリンガラス膜で多結晶シ
リコン層段部を滑らかにした後、直に金属配線を形成し
た場合は、段部の滑らかさは不充分であシ、配線金属の
断線を引き起し、また、塗布法によるリンガラス膜は非
常に軟らかく、後工程の配線金属のパターン形成の際工
、チングされてしまうという欠点がある。
リコン層段部を滑らかにした後、直に金属配線を形成し
た場合は、段部の滑らかさは不充分であシ、配線金属の
断線を引き起し、また、塗布法によるリンガラス膜は非
常に軟らかく、後工程の配線金属のパターン形成の際工
、チングされてしまうという欠点がある。
また、塗布法によってリンを含んだ酸化膜を形成し、多
結晶シリコン層段部を滑らかＫした後、熱処理によるリ
ンガラス膜の流動性を利用してさらに段部を滑らかＫし
ようとす為場合、塗布法によって形成したリンを含んだ
酸化膜を高温で熱処理を行うと酸化膜に亀裂が住じ、こ
の方法にも不具合がある。
結晶シリコン層段部を滑らかＫした後、熱処理によるリ
ンガラス膜の流動性を利用してさらに段部を滑らかＫし
ようとす為場合、塗布法によって形成したリンを含んだ
酸化膜を高温で熱処理を行うと酸化膜に亀裂が住じ、こ
の方法にも不具合がある。
従って本発明で示したように、気相成長によるリンガラ
ス膜を形成して、高温熱処理によって段部を若干溝らか
にし、塗布法によるリンガラス膜で多結晶シリコン層段
部をかなシ滑らかにした彼、気相成長によるリンガラス
膜を形成し熱処理を行い、さらに段部を滑らかＫする方
法が、酸化膜亀裂を発生されることもなく、シかも多結
晶シリコン鳩段部を滑らかにし配線全島の断線を防止で
きる。
ス膜を形成して、高温熱処理によって段部を若干溝らか
にし、塗布法によるリンガラス膜で多結晶シリコン層段
部をかなシ滑らかにした彼、気相成長によるリンガラス
膜を形成し熱処理を行い、さらに段部を滑らかＫする方
法が、酸化膜亀裂を発生されることもなく、シかも多結
晶シリコン鳩段部を滑らかにし配線全島の断線を防止で
きる。
次に、樹脂封止を行った前記製法を用いて作製した半導
体装置において、リンガラス膜中のリン濃度とＡＪの腐
食の関係を調べてみると、リンガラス膜中のリン濃度を
８モルチ以下にすれば配糾金−の腐食が起シ難くなる。
体装置において、リンガラス膜中のリン濃度とＡＪの腐
食の関係を調べてみると、リンガラス膜中のリン濃度を
８モルチ以下にすれば配糾金−の腐食が起シ難くなる。
しかし、リンガラス膜の熱処理による流動性を−べた結
果、４モルラ以下では、リンガラス膜の熱処理による流
動性を観察することはできなかった。従って本発明に示
すように４モルＩｓ〜８モルー〇リンガラス膜を用いれ
ば、リンガラス膜の流動性を利用して、段部の形状をさ
らに滑らかにするとともに、リンガラス膜による配線金
楓の腐食を防止することができるＯ また本実施例において、気相成長によって形成する第１
のリンガラス膜のリン濃度と第３のリンガラス層のリン
濃度を同一にすれば、作業ミスを防止でき製造管理上有
利であシ、また同一装置を用いて、第１のリンガラス層
、第２のリンガラス層を成長することができるのでｌ室
上非常に好都合である。
果、４モルラ以下では、リンガラス膜の熱処理による流
動性を観察することはできなかった。従って本発明に示
すように４モルＩｓ〜８モルー〇リンガラス膜を用いれ
ば、リンガラス膜の流動性を利用して、段部の形状をさ
らに滑らかにするとともに、リンガラス膜による配線金
楓の腐食を防止することができるＯ また本実施例において、気相成長によって形成する第１
のリンガラス膜のリン濃度と第３のリンガラス層のリン
濃度を同一にすれば、作業ミスを防止でき製造管理上有
利であシ、また同一装置を用いて、第１のリンガラス層
、第２のリンガラス層を成長することができるのでｌ室
上非常に好都合である。
さらに、気相成長によって形成した第１．第２のリンガ
ラス層と塗布法によって形成した酸化膜中のリン濃も同
一にすれば、同一の膨張係数１ ｒｅ！＋−の流動性を
有するので、高温の熱処理工程を行っても熱履歴による
ひずみ（クラ、り等→の発生を心配する必要がない。
ラス層と塗布法によって形成した酸化膜中のリン濃も同
一にすれば、同一の膨張係数１ ｒｅ！＋−の流動性を
有するので、高温の熱処理工程を行っても熱履歴による
ひずみ（クラ、り等→の発生を心配する必要がない。
本実施例では、多結晶シリコン層による段差について述
べたが、高融点金属による段差についても同様である。
べたが、高融点金属による段差についても同様である。
また塗布法による酸化膜で段部を埋めたが、他の塗布法
によって形成できる高温熱処理に耐え得る絶縁物で本可
能である。
によって形成できる高温熱処理に耐え得る絶縁物で本可
能である。
本実施例では、シリコンゲート２ＭＯ８ＩＣについて述
べたが、他の半導体基板上に段差を有するすべての半導
体に＆について有効である。
べたが、他の半導体基板上に段差を有するすべての半導
体に＆について有効である。
第１図は、従来法によるシリコン基板）ＩＪＭＯ８ＩＣ
の製造方法の例について示す図である。第２図は、本発
明による実施例のシリコンゲート型ＭＯ８ＩＣの製造方
法について示す図である。 図において、１・・・・・・シリコン基板、２・・・・
・・フィールド酸化膜、３・・・・・・ゲート酸化膜、
４・・・・・・多結晶シリコン、５・・・・・・ゲート
電極、６・・・・・・配線多結晶シリコン、７・・・・
・・高濃度リンガラス膜、８・・・・・・配線用会議、
９．１０・・・・・・拡散層、１１，１３・・・・・・
リンガラス膜、１２・・・・・・塗布法によって形成し
たリンガラス膜である。 第１図
の製造方法の例について示す図である。第２図は、本発
明による実施例のシリコンゲート型ＭＯ８ＩＣの製造方
法について示す図である。 図において、１・・・・・・シリコン基板、２・・・・
・・フィールド酸化膜、３・・・・・・ゲート酸化膜、
４・・・・・・多結晶シリコン、５・・・・・・ゲート
電極、６・・・・・・配線多結晶シリコン、７・・・・
・・高濃度リンガラス膜、８・・・・・・配線用会議、
９．１０・・・・・・拡散層、１１，１３・・・・・・
リンガラス膜、１２・・・・・・塗布法によって形成し
たリンガラス膜である。 第１図
Claims (5)
- （１） 段差を有する半導体基板の表面に、気相成長
による第１の絶縁物を形成する工程と、塗布法による第
２の絶縁物を形成する工程と、気相成長による第３の絶
縁物を形成する工程とを含み、熱処理を行うことによっ
て半導体基板の前記段部を清らかにすることを％黴とす
る半導体装置の製造方法。 - （２）前記気相成長による第１及び第３の絶縁物が、４
〜８モルチのリンガラス膜であることを特徴とする特許
諸本の範囲第（１）項記載の半導体装置の製造方法。 - （３）前記塗布法による第２の絶縁物が８モル慢以下の
リンガラス膜であることを特徴とする特許論求の範囲第
（１）項記載の半導体装置の製造方法。 - （４） ＩＩＩ記気相成長による第１及び第３の絶縁
物が四−のリン濃度を有するリンガラス膜であることを
特徴とする特許論求の範囲第（１）項記載の半導体装置
の製造方法。 - （５）前記気相成長による第１及び第３の絶縁物を形成
した後の工程でそれぞれ高温熱処理を行い絶縁物の高温
における流動性を利用して段差部上の絶縁物形状を滑ら
かにすることを特徴とする特許蛸求の範囲第（１）項の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57023203A JPS58140130A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57023203A JPS58140130A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58140130A true JPS58140130A (ja) | 1983-08-19 |
| JPS6343886B2 JPS6343886B2 (ja) | 1988-09-01 |
Family
ID=12104105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57023203A Granted JPS58140130A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58140130A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61237449A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-22 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133575A (en) * | 1974-09-17 | 1976-03-22 | Nippon Telegraph & Telephone | Tasohaisenkozo |
| JPS53105385A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-13 | Fujitsu Ltd | Manufacture for semiconductor |
-
1982
- 1982-02-16 JP JP57023203A patent/JPS58140130A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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| JPS5133575A (en) * | 1974-09-17 | 1976-03-22 | Nippon Telegraph & Telephone | Tasohaisenkozo |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61237449A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-22 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6343886B2 (ja) | 1988-09-01 |
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