JPS58142533A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS58142533A
JPS58142533A JP57025415A JP2541582A JPS58142533A JP S58142533 A JPS58142533 A JP S58142533A JP 57025415 A JP57025415 A JP 57025415A JP 2541582 A JP2541582 A JP 2541582A JP S58142533 A JPS58142533 A JP S58142533A
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JP
Japan
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metal
semiconductor device
bonding pad
electrode
junction
Prior art date
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Pending
Application number
JP57025415A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuya Kauchi
加内　一也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS58142533A publication Critical patent/JPS58142533A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体及び半導体集積回路装置のポンディング
パッド部の構造に関する。
従来のポンディングパッド部の構造及びその形成方法を
第１図（ａ）　＝　（ｂ）を用いて説明する。
半導体基板ｌ上にシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化
膜等の絶縁膜２ｔ−形成し、その後その上面にアルミニ
ウム等の金Ｉ！１ｖｉ−付着させる。
第１図（ａ）はエツチング法によシミ極配線パターン３
ｔ−形成した場合で、その後パッジベージ、ンのための
絶縁膜５を付着させ、金等のボンディング、１４をボン
ディングすべき領域のみ絶ｆＩ＆＠５を開孔する。
また１１１図（ｂ）は陽極酸化法により電極配線パター
ンを形成した場合の断面図で電極部配線上面の同じくボ
ンディングすべき領域のアルミナ６を開孔していた。
第１図（ａ）及び第１図（ｂ）のようなポンディングパ
ッド構造を有する半導体装置をプラスチックケースに封
止した時の断面図を第２図に示す、半導体装［１１１７
をマウント後、半導体装置上面のポンディングパッド部
と外部リード＠８とＯＶａ続を金線等のボンディング４
１４ｔ−用いて行ないその後プラスチック樹脂９で封止
していた。
しかしながらプラスチック封止半導体装置は気密封止に
較べ耐湿性が余ま９良くなく第２図に示す如く、プラス
チック樹ｔ１１ｔ−通しての水分の進入１０及びリード
線界面からの水分進入１０’のために内部配線及びポン
ディングパッド部の金属が腐食される事が明きらかにさ
ｎている。
内部配線の腐食は、配線上面のパッジベニジョン膜の欠
陥部（ピンホールやクラック等）から発生し対策の余地
があるのに対し、ボンディングバ、ド部の腐食は、パッ
ジベージ、ン嘆が無く、裸の金岡層が露出しているため
に水分の進入があると確実に腐食が進行すると甘う弱点
がある。最近この対策としてボンディング終了の半導体
装置に光化学反応を利用してシリコン電化ｌＩ［ｔ−か
ぶせてポンディングパッド部の金属露出部を無くし耐湿
性を向上させようと言う研究が進められているが実用迄
には未だかなりの時間が必要と考えられる。
本発明は、上記欠点に鑑みてなされたもので。
ポンディングパッド部の金ＩＩの腐食を防止又は。
抑制するためのポンディングパッドｔｉｔ及びソノ形成
方法を提供する事を目的とすゐ。
本発明の特徴は、パッジベージｉ）膜を開孔し。
金属電極部を露出させたポンディングパッド構造の半導
体装置に於て、ｔＸバッジベージ、ン嗅及びボンディン
グリード線に覆われていない電極部会−〇上ｒｋＪ′ｆ
：該電極部金属の酸化物に置換させる事により、核ポン
ディングパッド部に電極形成金４１−が曖終的に露出し
ていない半導体装置にある。
以下本発明にかかるポンディングパッド部の構造をその
実施例とともに説明する。
第３図（ａ）はエツチング法により形成した（極配Ｊ部
に又第３図（ｂ）は陽極酸化法により形成した電極配線
部に本発明を実施した場合の断面構造を示している。
共に、ポンディングパッド部会［１３にボンディングＩ
ＩＩ　４′ｔ−ボンディング後露出した金部上面を酸化
＠１７に置換している。
金［１１７１１３の金属酸化１ｆｌ１７への置換は、■
ボンディング済み半導体装置′ｆ！−超純水温水中に短
時間浸漬し熱風乾燥させる方法、■純水蒸気中に短時間
放置後Ｑ燥′させる方法、■低温酸素雰囲気中に長時間
放置する方法等が考えらｎる。
特に方法■−■の場合には外部からアルカリイオンやハ
ロゲンイオン等の混入が無い様に注意する必要がある。
一般的に、８１図（ａ）とｌｌｌ１図（ｂ）の構造では
第１図（ｂ）の構造の方が耐湿性的には強いと言わｎて
いるがこれは内部配線上面が腐食に強い無孔質アルミナ
に覆わｎているためであり、従って上記方法により第３
図ら）の構造にす石と配線間アルミナ１６も封孔処理効
果により多孔質アル電すから無孔質アルミナに変質し、
さらに耐湿効果が強められる。
以上説明した様に、本発明のポンディングパッド構造に
することによりプラスチック樹脂封止半導体装置の耐湿
性を大幅に向上させゐことが可能となり非常に実用的価
値が大なるものでああ。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）　ｅ　（ｂ）は従来の半導体装置のボンデ
ィング部を説明する断面図、１Ｍ２図はプラスチック樹
脂前止半導体装置の断面図、第３図（ａ）　＃　（ｂ）
は本発明の一実施例の半導体装置のボンディング部を説
明する断面図である。 同、図において、１１１１・・・・・・半導体基板、２
゜１２・旧・・絶縁＠、３＊１３・旧・・金属層、４１
１４・・・・・・ボンディング［，５参１５・・・・・
・パ、シベーシ冒ン膜、６　＋　１６・・・・・・金属
陽極酸化層；　７・・・・、・・半導体装置、８・・・
・・・リード線、９・・・・・・プラスチック樹脂、１
（１１０’・・・・・・水分、１７・・・・・・金属酸
化−である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. パッジベージ、ン１１［ｔ−開孔し、金構電極部を露出
    させたポンディングパッド構造の半導体装置に於て、咳
    ５パ、シベーシ、ン膜及びボンディングリード線に覆わ
    牡ていない電極部金属の上ＩＩを該電極部金属の酸化物
    に置換させる事により、＃ポンディングパッド部に電極
    形成金属層が露出していない事ｔ−特徴とする半導体装
    置。
JP57025415A 1982-02-18 1982-02-18 半導体装置 Pending JPS58142533A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57025415A JPS58142533A (ja) 1982-02-18 1982-02-18 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57025415A JPS58142533A (ja) 1982-02-18 1982-02-18 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58142533A true JPS58142533A (ja) 1983-08-24

Family

ID=12165304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57025415A Pending JPS58142533A (ja) 1982-02-18 1982-02-18 半導体装置

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Country Link
JP (1) JPS58142533A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5565378A (en) * 1992-02-17 1996-10-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Process of passivating a semiconductor device bonding pad by immersion in O2 or O3 solution

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5565378A (en) * 1992-02-17 1996-10-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Process of passivating a semiconductor device bonding pad by immersion in O2 or O3 solution

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