JPS58144366A - ３，３′−ジアミノジフエニルスルホンの製造方法 - Google Patents
３，３′−ジアミノジフエニルスルホンの製造方法Info
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- JPS58144366A JPS58144366A JP57023516A JP2351682A JPS58144366A JP S58144366 A JPS58144366 A JP S58144366A JP 57023516 A JP57023516 A JP 57023516A JP 2351682 A JP2351682 A JP 2351682A JP S58144366 A JPS58144366 A JP S58144366A
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- dinitro
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、５．′５’−ジアミノジフェニルスルホンの
新規な製造方法に関する。さらに詳しくは、一般式（１
） ％式％ （式中、Ｘ、Ｙは同一もしくは異なるハロゲン原子を示
す）で表わされるジフェニルスルホン化合物を還元触媒
および脱ハロゲン化水素剤の存在下に接触還元、脱ハロ
ゲン化させることを特徴とする３、３′−ジアミノジフ
ェニルスルホンの製造方法に関する。
新規な製造方法に関する。さらに詳しくは、一般式（１
） ％式％ （式中、Ｘ、Ｙは同一もしくは異なるハロゲン原子を示
す）で表わされるジフェニルスルホン化合物を還元触媒
および脱ハロゲン化水素剤の存在下に接触還元、脱ハロ
ゲン化させることを特徴とする３、３′−ジアミノジフ
ェニルスルホンの製造方法に関する。
３．３′−ジアミノジフェニルスルホンは、耐熱性高分
子単量体、康医薬および染料中間体等に有用であり、特
に耐熱性ポリアミド、ポリイミド樹脂の原料となる重要
な物質である。
子単量体、康医薬および染料中間体等に有用であり、特
に耐熱性ポリアミド、ポリイミド樹脂の原料となる重要
な物質である。
３．３′−ジアミノジフェニルスルホンは、従来、６．
５′−ジニトロジフェニルスルホンを還元して製造する
方法が公知である（ Ｎ、Ｐ、 □Ｊｋ、ｔｔら。
５′−ジニトロジフェニルスルホンを還元して製造する
方法が公知である（ Ｎ、Ｐ、 □Ｊｋ、ｔｔら。
＄、 ｍａＡ−ＬｒＩｎｅｉＯムヘ、 ４ｊ（１） １
５５ （１９７６）、王６１ら、特開昭５６−２５１５
０号、Ｎ、 Ｒ，Ａ、ｙンα■ａら。
５５ （１９７６）、王６１ら、特開昭５６−２５１５
０号、Ｎ、 Ｒ，Ａ、ｙンα■ａら。
５ｙｒＪ、ムａＬｉ Ｑｔｎｒｒｕ、ｎＬＧａｉＬｙｎ
ｉ、 ６４０ （１９８１）、ＫｔｓＬａｌ、、ｅｋら
、 ０．）４ｃＪ、１５Ｂ、４６９ ： ＯムＡ４−６
ム、、Ｌ４１６９５５Ｋ（１９７６） ）。
ｉ、 ６４０ （１９８１）、ＫｔｓＬａｌ、、ｅｋら
、 ０．）４ｃＪ、１５Ｂ、４６９ ： ＯムＡ４−６
ム、、Ｌ４１６９５５Ｋ（１９７６） ）。
この方法では、原料となる６、３′−ジニトロジフェニ
ルスルホンはジフェニルスルホンヲｒｊＬ俊にヨｊ）ニ
トロ化して製造する方法（０，Ａ、 Ｂａ４ＪＪ−ｚ４
ら、Ｊ。
ルスルホンはジフェニルスルホンヲｒｊＬ俊にヨｊ）ニ
トロ化して製造する方法（０，Ａ、 Ｂａ４ＪＪ−ｚ４
ら、Ｊ。
Ｑ４．ｙ、ＱＪｍ、、４ ２６２（１９５９）、Ｊ、Ｌ
αａａｚＬｚ 、 Ｂｚ方。
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Ｓａｃ、 ＱｌＬ篇、 、 ５５１４５６−５０（１９
２４） ：ＯＪ−ｃｍ。
２４） ：ＯＪ−ｃｍ。
ｈｌｒＡ１４．１−９９８０ ）か、ジフェニルスルフ
ィドを発煙硝酸により、酸化と同時にニトロ化して製造
する方法〔ＢｃＬｆｄ６（ｊ、ｅｃ、ｃａら、 ｃ）ａ
、＞） ＯＪ諌、ＩムＪ 。
ィドを発煙硝酸により、酸化と同時にニトロ化して製造
する方法〔ＢｃＬｆｄ６（ｊ、ｅｃ、ｃａら、 ｃ）ａ
、＞） ＯＪ諌、ＩムＪ 。
７６ １１３ １９（１９４６）；０Ｊ−ａｙａ、ＡＡ
ａｆｖ、、４０７１５５（１９４６））がある。
ａｆｖ、、４０７１５５（１９４６））がある。
また、ベンゼンを無水硫酸の存在下でニトロ化した場合
の副生物として単離している方法〔Ｗ。
の副生物として単離している方法〔Ｗ。
Ａｌａｍａ ら Ｂ；、Ｊ、ＷｔｌｉＡｅｎｒ
ｔｚ、） Ｊαｄ−Ｔ４（、Ｊ、、 １ ３
５７−６６（１９６４）；び捉、Ａ存、！ム、、７３
３４９６２九（１９７０））があり、さらには、ニトロ
ベンゼンをスルホン化シてｍ−ニトロベンゼンスルホン
酸ヲ製造する際の副生物として単離している方法〔ＮＱ
２Ｗ＋：、ｎｔ＋１＋、−ら、Ｔａ、 ＫｌｖＬｎ、
ＫＬ颯ＴｃＡＬｐｗ１．、 ｉ ７ ｆ３−９（ｉ ９
６９ ） ； ヒ外、ＡＡＡム、、υ５４９６２ｙｔ（
１９７０）〕が知られている。
ｔｚ、） Ｊαｄ−Ｔ４（、Ｊ、、 １ ３
５７−６６（１９６４）；び捉、Ａ存、！ム、、７３
３４９６２九（１９７０））があり、さらには、ニトロ
ベンゼンをスルホン化シてｍ−ニトロベンゼンスルホン
酸ヲ製造する際の副生物として単離している方法〔ＮＱ
２Ｗ＋：、ｎｔ＋１＋、−ら、Ｔａ、 ＫｌｖＬｎ、
ＫＬ颯ＴｃＡＬｐｗ１．、 ｉ ７ ｆ３−９（ｉ ９
６９ ） ； ヒ外、ＡＡＡム、、υ５４９６２ｙｔ（
１９７０）〕が知られている。
しかしながら、３．６′−ジニトロジフェニルスルホン
をジフェニルスルホン化合物にジフェニルスルフィドか
ら製造する方法では、ニトロ化により得られる反応生成
物が異性体等を含む混合物であるために、５．５’−ジ
ニトロジフェニルスルホンを単離するためには多量の溶
剤を使用し、再結晶精製を繰り返し行なわなければなら
ない。
をジフェニルスルホン化合物にジフェニルスルフィドか
ら製造する方法では、ニトロ化により得られる反応生成
物が異性体等を含む混合物であるために、５．５’−ジ
ニトロジフェニルスルホンを単離するためには多量の溶
剤を使用し、再結晶精製を繰り返し行なわなければなら
ない。
このため、収率は大巾に低下し、また、精製に用いた溶
剤の回収および残渣の処理、ニトロ化に使用した多量の
廃酸の処理等の煩雑な工程を必要とする等の欠点がある
。
剤の回収および残渣の処理、ニトロ化に使用した多量の
廃酸の処理等の煩雑な工程を必要とする等の欠点がある
。
一方、無水硫酸中でのベンゼンのニトロ化ならびにニト
ロベンゼンのスルホン化により、副生物としてろ、３′
−ジニトロジフェニルスルホンヲ得ル場合、収率は低く
、かつそれ自身が主目的として製造されていないために
、供給に問題があり、さらに、需要の増大に対して必要
量の確保ができないという欠点がある。
ロベンゼンのスルホン化により、副生物としてろ、３′
−ジニトロジフェニルスルホンヲ得ル場合、収率は低く
、かつそれ自身が主目的として製造されていないために
、供給に問題があり、さらに、需要の増大に対して必要
量の確保ができないという欠点がある。
本発明者らは、上記のような欠点のない５．３’−ジア
ミノジフェニルスルホンの製造方法につ、１て鋭意検討
した。
ミノジフェニルスルホンの製造方法につ、１て鋭意検討
した。
ソノ結果、 ４．４’−ジハロゲノジフェニルスルホン
のニトロ化によって容易に製造出来る３、６′−ジニト
ロ−４，４’ −ジハロゲノジフェニルスルホ々原料と
し、これを還元触媒および脱ノ・アミン化水素剤の存在
下で接触還元、脱ノ・アミン化させることにより、高収
率で６，６′−ジアミノジフェニルスルホンを製造しう
ろことを見出し、本発明の方法を完成した。
のニトロ化によって容易に製造出来る３、６′−ジニト
ロ−４，４’ −ジハロゲノジフェニルスルホ々原料と
し、これを還元触媒および脱ノ・アミン化水素剤の存在
下で接触還元、脱ノ・アミン化させることにより、高収
率で６，６′−ジアミノジフェニルスルホンを製造しう
ろことを見出し、本発明の方法を完成した。
即ち、一般式（１）
％式％
（式中、Ｘ、Ｙは同一もしくは異なる）・アミン原子を
示す）で表わされるジフェニルスルホン化合物を還元触
媒および脱ノ・アミン化水素剤の存在下に、接触還元、
脱／’％ロゲ／化させることによって６．５′−ジアミ
ノジフェニルスルホンを製造スる方法である。
示す）で表わされるジフェニルスルホン化合物を還元触
媒および脱ノ・アミン化水素剤の存在下に、接触還元、
脱／’％ロゲ／化させることによって６．５′−ジアミ
ノジフェニルスルホンを製造スる方法である。
本発明の方法で使用するロ、６′−ジニトロー４．４７
−シハロゲノジーフエニルスルホ／は、４．４’−ジノ
１０ケノジフエニルスルホンをニトロ化すると選択的に
３−１６′−位にニトロ基が導入され旨収率で製造でき
ることは公知である。
−シハロゲノジーフエニルスルホ／は、４．４’−ジノ
１０ケノジフエニルスルホンをニトロ化すると選択的に
３−１６′−位にニトロ基が導入され旨収率で製造でき
ることは公知である。
例エバ、４．４′−ジクロロジフェニルスルホンを混酸
によってニトロ化すると３，６′−ジニトロ−４，４′
−ジクロロジフェニルスルホンが、９０〜９７チの収率
で得られる〔竹谷ら、特開昭５２−１４７４４号、Ｗ、
Ｆ、 Ｈａ４．ｔ、ら、 Ｊ、Ｏ＋ｇ、０Ｌｅｒｒ
Ｌ、、 ４７３５Ｂ（１９６２））。
によってニトロ化すると３，６′−ジニトロ−４，４′
−ジクロロジフェニルスルホンが、９０〜９７チの収率
で得られる〔竹谷ら、特開昭５２−１４７４４号、Ｗ、
Ｆ、 Ｈａ４．ｔ、ら、 Ｊ、Ｏ＋ｇ、０Ｌｅｒｒ
Ｌ、、 ４７３５Ｂ（１９６２））。
一方、５．３’−ジニトロー４．４′−ジノ・ロゲノジ
フェニルスルホンの還元反応は公知であるが、；！元生
成物はいずれも３，６′−ジアミノ−４，４′−ジ／％
ロケノシフェニルスルホンである〔Ｂｄ−にら、Ｚｌ。
フェニルスルホンの還元反応は公知であるが、；！元生
成物はいずれも３，６′−ジアミノ−４，４′−ジ／％
ロケノシフェニルスルホンである〔Ｂｄ−にら、Ｚｌ。
Ｐルル社、ＫＪＬ處、（Ｌ侃罎トｄ）４５ ２７０４−
１０（１９７２） ； （ｊム、 ＡＡａム、、７８
８３９６２ｚ（１９７３）、〜Ｖ、Ｆ。
１０（１９７２） ； （ｊム、 ＡＡａム、、７８
８３９６２ｚ（１９７３）、〜Ｖ、Ｆ。
Ｈａａ、ｔら、 Ｊ、 ０４．ｇ、 ０ＬａｒＬ、、
２７ ３３Ｂ（１９６２） ）。
２７ ３３Ｂ（１９６２） ）。
しかるに、６，３′−ジニトロ−４，４′−ジハロゲノ
ジフェニルスルホンから６．５′−ジアミノジフェニル
スルホンを製造することおよび６，６′−ジニトロ−４
，４’−ジハロゲノジフェニルスルホンの還元において
、ニトロ基のアミノ基への還元とともに脱ハロゲン化さ
せる方法については全く知られておらず、本願発明は３
，３′−ジアミノジフェニルスルホンを工業的に製造し
うる新規な方法である。
ジフェニルスルホンから６．５′−ジアミノジフェニル
スルホンを製造することおよび６，６′−ジニトロ−４
，４’−ジハロゲノジフェニルスルホンの還元において
、ニトロ基のアミノ基への還元とともに脱ハロゲン化さ
せる方法については全く知られておらず、本願発明は３
，３′−ジアミノジフェニルスルホンを工業的に製造し
うる新規な方法である。
本発明の方法に使用する原料は、前記一般式（１）で表
わされる６、３′−ジニトロ−４，４′−ジハロゲノジ
フェニルスルホンであって、一般式（１）においてＸ、
Ｙが示すハロゲン原子は塩素、弗素、沃素、臭素のいず
れのものも用いられる。
わされる６、３′−ジニトロ−４，４′−ジハロゲノジ
フェニルスルホンであって、一般式（１）においてＸ、
Ｙが示すハロゲン原子は塩素、弗素、沃素、臭素のいず
れのものも用いられる。
例えば、３．３’−ジニトロ−４，４′−ジクロロジフ
ェニルスルホン、ろ、３’−ジニトロ−４，４’−シク
ロモジフェニルスルホン、ろ、６′−ジニトロ−４，４
′−シフルオロジフエニルスルホン、３．３’−ジニト
ロ−４，４’−ショートジフェニルスルホン、３．３’
−ジニトロ−４−クロロ−４’ −ブロモジフェニルス
ルホン、６，３′−ジニトロ−４−クロロ−４′−ヨー
ドジフェニルスルホン等があげられる。なかでも、ハロ
ゲンが塩素原子であるものが工業的に有利に使用される
。
ェニルスルホン、ろ、３’−ジニトロ−４，４’−シク
ロモジフェニルスルホン、ろ、６′−ジニトロ−４，４
′−シフルオロジフエニルスルホン、３．３’−ジニト
ロ−４，４’−ショートジフェニルスルホン、３．３’
−ジニトロ−４−クロロ−４’ −ブロモジフェニルス
ルホン、６，３′−ジニトロ−４−クロロ−４′−ヨー
ドジフェニルスルホン等があげられる。なかでも、ハロ
ゲンが塩素原子であるものが工業的に有利に使用される
。
木尾明の方法で使用される還元触媒としては、一般に接
触還元に使用されている金属触媒、例えハ、ニッケル、
パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、コバルト、
銅等を使用することができる。
触還元に使用されている金属触媒、例えハ、ニッケル、
パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、コバルト、
銅等を使用することができる。
工業的にはパラジウム触媒を使用するのが好ましい。こ
れらの触媒は、金属の状態でも使用することができるが
、通常はカーボン、硫酸バリウム、シリカゲル、アルミ
ナ等の担体表面に付着させて用いたり、また、ニッケル
、コバルト、銅等はラネー触媒としても用いられる。触
媒の使用量は、原料の３．６′−ジニトロ−４，４′−
ジハロゲノジフェニルスルホンに対して、金属として０
０１〜１０車量チの範囲であり、通常、金属の状態で使
用する場合は２〜８重量％、担体に付着させた場合では
０．１〜５重量％の範囲である。
れらの触媒は、金属の状態でも使用することができるが
、通常はカーボン、硫酸バリウム、シリカゲル、アルミ
ナ等の担体表面に付着させて用いたり、また、ニッケル
、コバルト、銅等はラネー触媒としても用いられる。触
媒の使用量は、原料の３．６′−ジニトロ−４，４′−
ジハロゲノジフェニルスルホンに対して、金属として０
０１〜１０車量チの範囲であり、通常、金属の状態で使
用する場合は２〜８重量％、担体に付着させた場合では
０．１〜５重量％の範囲である。
本発明の方法に使用される脱ハロゲン化水素剤としては
、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸化物、水酸
化物、炭酸塩、重炭嘴塩、あるいはアンモニアまたは通
常の有機アミン類等である。
、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸化物、水酸
化物、炭酸塩、重炭嘴塩、あるいはアンモニアまたは通
常の有機アミン類等である。
例えば、炭酸カルシウム、水酸化ナトリウム１．１文化
マグネシウム、重炭酸アンモン、酸化カルシウム、水酸
化リチウム、水酸化バリウム、炭酸カリウム、水酸化カ
リウム、アンモニア、トリエチルアミン、トリーｎ−ブ
チルアミン、トリエタノールアミン、ピリジンおよびＮ
−メチルモルホリン等があげられる。これら脱ハロゲン
化水素剤は必要により２種以上を混合してもよい。脱ハ
ロゲン化水素剤の使用量は、原料の３，６′−ジニトロ
−４，４′−ジハロゲノジフェニルスルホンに対シて通
常０．５〜５倍モル、好ましくは２〜３倍モル使用する
。
マグネシウム、重炭酸アンモン、酸化カルシウム、水酸
化リチウム、水酸化バリウム、炭酸カリウム、水酸化カ
リウム、アンモニア、トリエチルアミン、トリーｎ−ブ
チルアミン、トリエタノールアミン、ピリジンおよびＮ
−メチルモルホリン等があげられる。これら脱ハロゲン
化水素剤は必要により２種以上を混合してもよい。脱ハ
ロゲン化水素剤の使用量は、原料の３，６′−ジニトロ
−４，４′−ジハロゲノジフェニルスルホンに対シて通
常０．５〜５倍モル、好ましくは２〜３倍モル使用する
。
本発明の方法は、通常、反応溶媒を使用する。
反応溶媒としては、反応に不活性なものであれば時に限
定されるものでな（、例えば、メタノール、エタ／−ル
、イングロビルアルコール等ノアルコール類、°エチレ
ングリコール、フロピレンゲリコール等のグリコール類
、エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチル
セロンルブ等のニー゛チル類、ヘキサン、シクロヘキサ
ン等の脂肪族炭化水素鵠、べ／ゼン、トルエン、キシレ
ン等の芳香１次炭化水素類、酢Ｉ峻エチル、酢酸ブチル
等のエステル類、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩
化炭素、１，２−ジクロロエタン、１．１．２− トリ
クロロエタン、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化
水素類およびＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等が使用できる。なお、水と混和しない反
応溶媒を使用した際に、反応のイモ行が遅い場合は四級
アンモニウム塩、四級ホスホニウム塩のような一般に使
用されている相間移動触媒を加えることによって速める
ことができる。
定されるものでな（、例えば、メタノール、エタ／−ル
、イングロビルアルコール等ノアルコール類、°エチレ
ングリコール、フロピレンゲリコール等のグリコール類
、エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチル
セロンルブ等のニー゛チル類、ヘキサン、シクロヘキサ
ン等の脂肪族炭化水素鵠、べ／ゼン、トルエン、キシレ
ン等の芳香１次炭化水素類、酢Ｉ峻エチル、酢酸ブチル
等のエステル類、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩
化炭素、１，２−ジクロロエタン、１．１．２− トリ
クロロエタン、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化
水素類およびＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等が使用できる。なお、水と混和しない反
応溶媒を使用した際に、反応のイモ行が遅い場合は四級
アンモニウム塩、四級ホスホニウム塩のような一般に使
用されている相間移動触媒を加えることによって速める
ことができる。
溶媒の使用量は、原料の３，３′−ジニトロ−４，４′
−シハロゲノジフエニルスルホンナ懸濁させるかあるい
は完全に溶解させるに足る量で十分であり特に限定され
ないが、通常、原料に対して０．５〜１０重量倍で十分
である。
−シハロゲノジフエニルスルホンナ懸濁させるかあるい
は完全に溶解させるに足る量で十分であり特に限定され
ないが、通常、原料に対して０．５〜１０重量倍で十分
である。
反応温度は、特に限定はない。一般的には２０〜２００
°Ｃの範囲、特に２０〜１００°Ｃが好まし℃）。
°Ｃの範囲、特に２０〜１００°Ｃが好まし℃）。
また、反応圧力は、通常、営団〜５Ｑｋｑ／ｃ＝４−。
程度である。
本発明の方法の一般的な実施態様として、■ろ、６′−
ジニトロ−４，４′−ジハロゲノジフェニルスルホンを
溶媒に溶解または懸濁した状態下に、還元触媒を添加し
、ついで攪拌下、所定の温度で水素を導入してニトロ基
の還元を行なわしめた後脱ハロゲン化水素剤を加え、引
き続き脱ハロゲン化反応を行なうか、■還元触媒の添加
時に脱ハロゲン化水素剤を加え、ついで攪拌下、所定の
温度で水素を導入してニトロ基の還元と脱ノ・アミン化
反応を同時に行なう等の方法があげられる。
ジニトロ−４，４′−ジハロゲノジフェニルスルホンを
溶媒に溶解または懸濁した状態下に、還元触媒を添加し
、ついで攪拌下、所定の温度で水素を導入してニトロ基
の還元を行なわしめた後脱ハロゲン化水素剤を加え、引
き続き脱ハロゲン化反応を行なうか、■還元触媒の添加
時に脱ハロゲン化水素剤を加え、ついで攪拌下、所定の
温度で水素を導入してニトロ基の還元と脱ノ・アミン化
反応を同時に行なう等の方法があげられる。
いずれの場合も反応は円滑に進行し、目的物のろ、ろｌ
−ジアミノジフェニルスルホンが製造できる。
−ジアミノジフェニルスルホンが製造できる。
しかしながら、原料である６、６′−ジニトロ−４，４
′−ジハロゲノジフェニルスルホンの４位のノ１０ゲン
原子は求核性を有するために、条件によっては脱ハロゲ
ン化水素剤との副反応を起し、目的物の収率〜を低下さ
せる場合があるので、■の方法が好ましい。
′−ジハロゲノジフェニルスルホンの４位のノ１０ゲン
原子は求核性を有するために、条件によっては脱ハロゲ
ン化水素剤との副反応を起し、目的物の収率〜を低下さ
せる場合があるので、■の方法が好ましい。
反応の進行は理補量の水素吸収凌によるか、あるいは薄
層クロマトグラフィーにより追弥することができる。
層クロマトグラフィーにより追弥することができる。
上記の方法によって得られた反応液を熱口ヵ、または抽
出等によって触媒および無機塩を除いたのち、必要に応
じて濃縮を行ないろ、６′−ジアミノジフェニルスルホ
ンを結晶として析出させる。または触媒および無機塩を
除いた反応液に塩化水素ガスヲ吹キ込ミ、３．６′−ジ
アミノジフェニルスルホンの塩酸塩として単離すること
も出来る。
出等によって触媒および無機塩を除いたのち、必要に応
じて濃縮を行ないろ、６′−ジアミノジフェニルスルホ
ンを結晶として析出させる。または触媒および無機塩を
除いた反応液に塩化水素ガスヲ吹キ込ミ、３．６′−ジ
アミノジフェニルスルホンの塩酸塩として単離すること
も出来る。
本発明の方法は、６．３′−ジアミノジフェニルスルホ
ンな高収率で安価に製造しうる方法であり、従来法にと
もなう廃棄物による環境汚染の問題もなく、また、単離
した製品の純度も高く、煩雑な精製工程を必要としない
等、工業的な製造方法として好適である。
ンな高収率で安価に製造しうる方法であり、従来法にと
もなう廃棄物による環境汚染の問題もなく、また、単離
した製品の純度も高く、煩雑な精製工程を必要としない
等、工業的な製造方法として好適である。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。
実施例１
温度計、攪拌器を備えたガラス製密閉容器に、３、！ｌ
’ｌジートロー４，４′−ジクロロジフェニルスルホン
１１５，９（０，３モル）、５％パラジウム／活性炭
触媒（日本エンゲルハルト社）８．５．！／およびジオ
キサン５００ｍ１を装入し、温度７０〜８０°Ｃにおい
て、かきまぜながら水素を導入すると約１０時間で４０
１（１，７９モル）の水素を吸収した。次に、６０係水
酸化ナトリウム水溶液８０ｇ（０６モル）を加えて、ひ
きつづき、温度７０〜８０°Ｃでかきまぜながら水素を
導入しつづけると５時間で１４．５６ （０，／）５モ
ル）吸収した。
’ｌジートロー４，４′−ジクロロジフェニルスルホン
１１５，９（０，３モル）、５％パラジウム／活性炭
触媒（日本エンゲルハルト社）８．５．！／およびジオ
キサン５００ｍ１を装入し、温度７０〜８０°Ｃにおい
て、かきまぜながら水素を導入すると約１０時間で４０
１（１，７９モル）の水素を吸収した。次に、６０係水
酸化ナトリウム水溶液８０ｇ（０６モル）を加えて、ひ
きつづき、温度７０〜８０°Ｃでかきまぜながら水素を
導入しつづけると５時間で１４．５６ （０，／）５モ
ル）吸収した。
同温度で、反応溶液を濾過して触媒を除去し、放冷スる
と６，６′−ジアミノジフェニルスルホンが淡褐色の結
晶として析出した。結晶をｒ別、５０係ジオキサン水溶
液３０ｍ／で洗浄後乾燥した。
と６，６′−ジアミノジフェニルスルホンが淡褐色の結
晶として析出した。結晶をｒ別、５０係ジオキサン水溶
液３０ｍ／で洗浄後乾燥した。
収量６６Ｉ（収率８９チ） 融点１７０〜１７２°Ｃエ
タノールから再結晶して倣？ｆｆ１ｅプリズム結晶の純
品を得た。融点１７２５〜１７ろ００元素分析 ＣＨＮ Ｓ 弓十Ｆ！−１直（９ｇ１５Ｂ、０ ４．９
１ １３１ ２．９ホ１１定値（ｅＥ）５Ｂ、３ ４
，８ １１，３ １２．５実施例２〜９ 原料の３．３′−ジニトロ−４，４′−ジハロゲノジフ
ェニルスルホンの種類、触媒の種類と使用量、溶媒の種
類と使用量、脱ハロゲン化水素剤のＡ４ ；：Ｉｉと使
用量、反応温度および圧力を表−１のように変えたほか
は実施例１と同様に反応を行ない目的物を得た。
タノールから再結晶して倣？ｆｆ１ｅプリズム結晶の純
品を得た。融点１７２５〜１７ろ００元素分析 ＣＨＮ Ｓ 弓十Ｆ！−１直（９ｇ１５Ｂ、０ ４．９
１ １３１ ２．９ホ１１定値（ｅＥ）５Ｂ、３ ４
，８ １１，３ １２．５実施例２〜９ 原料の３．３′−ジニトロ−４，４′−ジハロゲノジフ
ェニルスルホンの種類、触媒の種類と使用量、溶媒の種
類と使用量、脱ハロゲン化水素剤のＡ４ ；：Ｉｉと使
用量、反応温度および圧力を表−１のように変えたほか
は実施例１と同様に反応を行ない目的物を得た。
結果を表−１に示した。
実施例１０
温度計、攪拌器を備えたガラス製密閉容器にｓ、 ５’
−シ＝ ） ｏ −４，４’−ジクロロジフェニルスル
ホン５ ｓ ｇ （ｏ、 ｉモル）、ハラジウムブラッ
ク触媒１ｇおよびベンゼン２００ｍ１を装入し、温度６
５〜７０°Ｃにおいて、かきまぜながら水素を導入する
と、約９時間で１３１（０，５８モル）の水素を吸収し
た。
−シ＝ ） ｏ −４，４’−ジクロロジフェニルスル
ホン５ ｓ ｇ （ｏ、 ｉモル）、ハラジウムブラッ
ク触媒１ｇおよびベンゼン２００ｍ１を装入し、温度６
５〜７０°Ｃにおいて、かきまぜながら水素を導入する
と、約９時間で１３１（０，５８モル）の水素を吸収し
た。
次に、６０％水酸化ナトリウム水溶１４０１０３モル）
およびトリオクチルメチルアンモニウムクロリド９０チ
水溶り、（東京化成試薬）２ｇを加えて、ひきつづき温
度６５〜７０°Ｃで、かきまぜながら水素を導入し、約
７時間で５４（０，２２モル）の水素を吸収した。同温
度で反応溶液をｔ′Ｊ過し、触媒等を除去したのち、Ｐ
Ｍを分液して有機層を得た。有機層を硫酸マグネシウム
で脱水したのち、乾燥塩化水素ガスを飽和するまで吹き
こんだところ、白色沈澱が析出した。沈澱を１別、ベン
ゼン３０Ｔｎｌで洗浄してろ、６′−ジアミノジフェニ
ルスルホ／塩酸塩を得た。収量２５．５．９（収率８０
係） １０％含水イソプロパツールより再結晶して白色針状結
晶の純品を得た。融点２６２〜２６４°００元素分析 ＯＩＩ Ｎ Ｓ Ｃ４ 計算値（慢 ４４．８ ４．４ Ｂ、７ １０
，０ ２２．１測定値（９１；ｌ ４４．９ ４
．６ ８，７ １０．１ ２２．２実、横倒１１ ３．３’−ジニトロ−＜、 ４’ −ジクロロジフェニ
ルスルホン３８ ｇ（０，１モル）、ｒｌ化マグネシウ
ム６ｇ（０，１５モル）、５係パラジウム／アルミナ触
媒２ｇおよび１，２−ジクロロエタンｓａａｍｌをオー
トクレーブに装入する。５０〜６５°Ｃの温度中１ジ囲
において、かきまぜながら水素を導入して、圧力を常時
１０ ｋ’ｊ ／ Ｃ１−Ｇに保ちつつ１０時間反応を
行なった。反応終了後、反応混合物を７０°Ｃに昇温し
、熱１過して触媒等を除去した。放冷することにより３
，３′−ジアミノジフェニルスルホンが淡褐色の結晶と
して析出した。結晶を１別、１２−ジクロロエタン１０
ｍｇで洗浄後、乾燥した。
およびトリオクチルメチルアンモニウムクロリド９０チ
水溶り、（東京化成試薬）２ｇを加えて、ひきつづき温
度６５〜７０°Ｃで、かきまぜながら水素を導入し、約
７時間で５４（０，２２モル）の水素を吸収した。同温
度で反応溶液をｔ′Ｊ過し、触媒等を除去したのち、Ｐ
Ｍを分液して有機層を得た。有機層を硫酸マグネシウム
で脱水したのち、乾燥塩化水素ガスを飽和するまで吹き
こんだところ、白色沈澱が析出した。沈澱を１別、ベン
ゼン３０Ｔｎｌで洗浄してろ、６′−ジアミノジフェニ
ルスルホ／塩酸塩を得た。収量２５．５．９（収率８０
係） １０％含水イソプロパツールより再結晶して白色針状結
晶の純品を得た。融点２６２〜２６４°００元素分析 ＯＩＩ Ｎ Ｓ Ｃ４ 計算値（慢 ４４．８ ４．４ Ｂ、７ １０
，０ ２２．１測定値（９１；ｌ ４４．９ ４
．６ ８，７ １０．１ ２２．２実、横倒１１ ３．３’−ジニトロ−＜、 ４’ −ジクロロジフェニ
ルスルホン３８ ｇ（０，１モル）、ｒｌ化マグネシウ
ム６ｇ（０，１５モル）、５係パラジウム／アルミナ触
媒２ｇおよび１，２−ジクロロエタンｓａａｍｌをオー
トクレーブに装入する。５０〜６５°Ｃの温度中１ジ囲
において、かきまぜながら水素を導入して、圧力を常時
１０ ｋ’ｊ ／ Ｃ１−Ｇに保ちつつ１０時間反応を
行なった。反応終了後、反応混合物を７０°Ｃに昇温し
、熱１過して触媒等を除去した。放冷することにより３
，３′−ジアミノジフェニルスルホンが淡褐色の結晶と
して析出した。結晶を１別、１２−ジクロロエタン１０
ｍｇで洗浄後、乾燥した。
収量１６ｇ（収率６４．５チ）
融点１７１〜１７２°Ｃ
特許出願人 三井東圧化学株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）一般式（１） （式中、ｘ、ｙは同一もしくは異なるハロゲン原子ケ示
す）で表わされるジフェニルスルホン化合物を還元触媒
および脱ハロゲン化水素剤の存在下に接触還元、脱ハロ
ゲン化させることを特徴とする６、３′−ジアミノジフ
ェニルスルホンの製造方法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57023516A JPS58144366A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | ３，３′−ジアミノジフエニルスルホンの製造方法 |
| GB08304332A GB2118542B (en) | 1982-02-18 | 1983-02-16 | Process for preparing of 3,3'-diamino diphenylsulfones |
| AU11452/83A AU553454B2 (en) | 1982-02-18 | 1983-02-16 | Preparation of 3,3:-diaminodiphenyl sulfones |
| KR1019830000634A KR870001156B1 (ko) | 1982-02-18 | 1983-02-17 | 3,3'-디아미노 디페닐술폰의 제조방법 |
| CA000421816A CA1193283A (en) | 1982-02-18 | 1983-02-17 | Process for preparing 3,3'-diamino diphenysulfones diphenylsulfones |
| IN194/CAL/83A IN156483B (ja) | 1982-02-18 | 1983-02-17 | |
| FR8302683A FR2521556B1 (fr) | 1982-02-18 | 1983-02-18 | Procede de preparation de 3, 3'-diamino-diphenylsulfones |
| DE19833305654 DE3305654A1 (de) | 1982-02-18 | 1983-02-18 | Verfahren zur herstellung von 3,3'-diaminodiphenylsulfonen |
| IT19647/83A IT1193677B (it) | 1982-02-18 | 1983-02-18 | Processo per preparare 3,3'-diammino-difenilsolfoni |
| US06/466,498 US4482742A (en) | 1982-02-18 | 1983-04-12 | Process for preparing of 3,3'-diamino diphenylsulfones |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57023516A JPS58144366A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | ３，３′−ジアミノジフエニルスルホンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58144366A true JPS58144366A (ja) | 1983-08-27 |
| JPH0345060B2 JPH0345060B2 (ja) | 1991-07-09 |
Family
ID=12112608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57023516A Granted JPS58144366A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | ３，３′−ジアミノジフエニルスルホンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58144366A (ja) |
-
1982
- 1982-02-18 JP JP57023516A patent/JPS58144366A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0345060B2 (ja) | 1991-07-09 |
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