JPS5814873B2 - 透明導電膜の製造方法

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【発明の詳細な説明】本発明は透明導電膜の製造方法に関するものであり一般
式Ｓｎ（ＯＲ）２なる有機スズアルコラートの分解によ
って透明導電膜を形成することを特徴とするものである
。

本発明の目的は基板上に塗布焼付け法によって安定な低
抵抗透明導電膜を得ることにある。

従来から透明導電膜の製造方法としてはＣＶＤ法，スパ
ツク法，真空蒸着法，スプレー法等が検・討されてきた
が、それぞれ表１のような欠点を有していた。

本発明はかかる欠点を解決するため（こ生まれたもので
ある。

以下本発明を詳細に説明する。本発明に用いるスズソー
スＳｎ（ＯＲ）２及びアンチモンソースＳｂ（ＯＲ）３
，Ｓｂ（ＯＲ）４はよく知られた次のような方法によ
って合成される。

このような金属アルコラートは水又は熱ζこよって容易
に分解しそれぞれの金属酸化物とアルコールを生成する
。

本発明の基本となる化学プロセスは、Ｓｎ（ＯＲ）２＋
２Ｈ２０−Ｓｎｏ２＋２ＲＯＨ↑である。

ここでＲは直鎖又は側鎖のアルキル基であり炭素数１〜
２０程度が一般的である。

通常は１〜８が用いられる。

Ｓｎ（ＯＲ）ｚは単独で又は適当な溶媒に溶かして用い
られる。

溶媒としてはヘキ→ノーン等の炭化水素，トリエタン，
ダイフロン等のハロゲン化アルキル，酢酸メチル等のエ
ステル類，アセトン等のケトン類，メタノール等のアル
コール類が用いられるがこれらは混合して用いても良い
。

又Ｓｂ（ＯＲ）３又はＳｂ（ＯＲ）５はスズ透明電極の
抵抗を下げる目的でＳｎ（ＯＲ）２に対して０．０１ｗ
ｔ係〜２０ｗｔ％の範囲で用いられるが、１ｗｔ％
前後で極少の抵抗値を示す。

これらの金属アルコラートは前記適当な溶媒で稀釈後、
基板を浸漬又は基板にスピンナ一等で塗布し１００〜１
５０℃で乾燥しさらに４００〜６００゜Ｃの空気雰囲気
中で、３０秒〜１０分間焼成される。

基板としてはガラス，セラミック，金属等が用いられる
。

このようにして基板上に形成された透明電極は液晶等の
ディスプレイ，光学測定装置，ヒーター等に用いられる
。

又これらを腕時計などに用いる。以下実施例に従って本
発明を詳細に説明する。

実施例ＩＳｎ（ＯＣ４Ｈｇ）２１０ｗｔ％のクロｏホル
ム溶液によく洗浄したソーダガラスを浸漬し１５ｃｒｎ
／ｚπの等速で引き上げ後、１５０℃で１０分間乾燥
後、５００゜Ｃのマツフル炉中で５分間焼成した。

冷却後抵抗測定したところ１０Ωぼの比抵抗であった。

実施例２Ｓｎ（ＯＣ４Ｈｇ）２１０ｗｔ％ｔＳｂ
（ＯＣ４Ｈ９）３？ｗｔ％のクロロホルム溶液
によく洗浄したホウ酸系ガラスを浸漬した後、スピンナ
ーで振り切り後１５０℃で１０分間乾燥後、５００℃の
マツフル炉中で７分間焼成した。

冷却後抵抗測定したところ１０−１Ωαの比抵抗であっ
た。

実施例３Ｓｎ（ＯＣ４Ｈｇ）２１−Ｏｗｔ％，Ｓｂ
（ＯＣ８Ｉ−｛ｘ）５１ｗｔ％のダイフロン溶液
によく洗浄したソーダガラスを浸漬後、１５Ｃｎ′Ｌ７
ｍ’ｎの等速で引き上げ後、１２０゜Ｃで３０分間乾燥
した。

その後ＭＩＡＸ５００℃に設定されたベルト炉中を通過
後抵抗測定したところ１０−１Ω儒のオーダーの比抵抗
がコンスタンに出た。

実施例１〜３の膜厚を測定したところ３００〜６００人
で、無機系ＳｎＣＺ２，ＳｎＣ４等から
生成したものより均一性に優れていた。

また密着性は良好でピンセット等の引っかきによっても
何の傷とならなかった。

以上実施例に従って説明したが、このような２個の有機
スズアルコラ−１〜を主成分とする透明導電膜製造方法
の確立によって、基板の形状を問わず、大量生産可能で
、コストも安い透明導電膜が安定的に得られるようにな
った。

２価の有機スズアルコラ・一トは４価の有機スズアルコ
ラートより得られた透明導電膜より低比抵抗のものが安
定して得られた。