JPH02109208A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH02109208A JPH02109208A JP63263727A JP26372788A JPH02109208A JP H02109208 A JPH02109208 A JP H02109208A JP 63263727 A JP63263727 A JP 63263727A JP 26372788 A JP26372788 A JP 26372788A JP H02109208 A JPH02109208 A JP H02109208A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- substrate
- film
- indium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子機器の端末入力装置である透明タッチパ
ネルや表示装置である液晶表示素子、Ｅ１５パネルなど
の透明＠極に使用するための透明導電膜の製造方法に関
する。
ネルや表示装置である液晶表示素子、Ｅ１５パネルなど
の透明＠極に使用するための透明導電膜の製造方法に関
する。
従来の技術
従来、この種の透明導電膜は、スズトープ酸化インジウ
ム（ＩＴＯ）薄膜であり、製造方法として次のような方
法がある。
ム（ＩＴＯ）薄膜であり、製造方法として次のような方
法がある。
（ｉ） インジウムやスズの金属もしくは酸化物をタ
ーゲット、蒸発源とするスパッタ法、真空蒸着法によっ
て基板上に透明導電膜を形成させる。
ーゲット、蒸発源とするスパッタ法、真空蒸着法によっ
て基板上に透明導電膜を形成させる。
（ｉｉ） あらかじめ予熱した基板上に、インジウム
やスズの塩化物、硝酸塩などの無機塩やアルキルスズな
どの有機金属化合物を溶剤に溶解した溶液を吹きつけて
、熱分解および酸化を起こさせ、基板上に透明導電膜を
形成させる。
やスズの塩化物、硝酸塩などの無機塩やアルキルスズな
どの有機金属化合物を溶剤に溶解した溶液を吹きつけて
、熱分解および酸化を起こさせ、基板上に透明導電膜を
形成させる。
ＧｉＤ 基板上に、インジウムやスズの有機酸塩アル
コキシド、アセチルアセ１〜ネートなどの金属−酸素結
合を有する金属有機化合物、またはインジウムやスズの
硝酸塩１塩化物などの無ａ塩を有機溶剤に溶解した溶液
を塗布した後、加熱して熱分解および酸化を起こさせ、
基板表面に透明導電膜を形成させる。
コキシド、アセチルアセ１〜ネートなどの金属−酸素結
合を有する金属有機化合物、またはインジウムやスズの
硝酸塩１塩化物などの無ａ塩を有機溶剤に溶解した溶液
を塗布した後、加熱して熱分解および酸化を起こさせ、
基板表面に透明導電膜を形成させる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記の従来の方法には、次のような問題
があった。
があった。
すなわち中の方法では、真空系の設備を用いるなめ大面
積の形成が難しく、バッチ生産となり生産性か悪く、設
備費が高額であり、膜形成時にパターンニングができず
、パターン形成にはエツチングなどの危険な薬品を扱う
工程を経なければならない。（１１）の方法では、均一
・な膜を大面積に形成できず、かつ安定した特性の膜が
得られず、やはり、パターン形成にはエツチングなどの
工程を経なければならない。最近は類似の方法として、
ＣＭＤ（ケミカルミストデポジション）法が注目されて
いるか末なＭ発Ｓ附である。これに対して、ＧｉＤの方
法では上記の（ｉ） 、 （ｉｉ）の方法に比べてパタ
ーンニングかある程度可能であり大面積も形成できるが
、金属有機酸塩などに含まれるがさ高い有機部分が焼成
時に分解し、炭酸ガスおよび水として抜けていくので多
孔質な膜となり、種々の気体の脱着かおこりやすく膜の
抵抗値が不安定であったり、基材との密着性が悪い。
積の形成が難しく、バッチ生産となり生産性か悪く、設
備費が高額であり、膜形成時にパターンニングができず
、パターン形成にはエツチングなどの危険な薬品を扱う
工程を経なければならない。（１１）の方法では、均一
・な膜を大面積に形成できず、かつ安定した特性の膜が
得られず、やはり、パターン形成にはエツチングなどの
工程を経なければならない。最近は類似の方法として、
ＣＭＤ（ケミカルミストデポジション）法が注目されて
いるか末なＭ発Ｓ附である。これに対して、ＧｉＤの方
法では上記の（ｉ） 、 （ｉｉ）の方法に比べてパタ
ーンニングかある程度可能であり大面積も形成できるが
、金属有機酸塩などに含まれるがさ高い有機部分が焼成
時に分解し、炭酸ガスおよび水として抜けていくので多
孔質な膜となり、種々の気体の脱着かおこりやすく膜の
抵抗値が不安定であったり、基材との密着性が悪い。
本発明は上記の問題、特にツｉＤの方法で認められる問
題を解決するもので、抵抗の変化が少なく、かつ基板と
の密着性の良い透明導電膜を得ることかできる透明導電
膜の製造方法を提供することを１ｊ的とするものである
。
題を解決するもので、抵抗の変化が少なく、かつ基板と
の密着性の良い透明導電膜を得ることかできる透明導電
膜の製造方法を提供することを１ｊ的とするものである
。
課題を解決するための手段
一、ｉｌＬ記の課題を解決するために本発明の透明導電
膜の製造方法は、原材料のインジウム化合物とスを基板
−１乙に塗布し、酸素か５体積％以上存在する雰囲気中
で焼成するものである。
膜の製造方法は、原材料のインジウム化合物とスを基板
−１乙に塗布し、酸素か５体積％以上存在する雰囲気中
で焼成するものである。
これは」−記ＧｉＤの方法と類（ｉスしているが、（ｉ
ｔＤの方法で用いるインジウムやスズの有機酸塩やアル
：１キシド１アセデルアセトネートなどの化合物は、固
体状の化合物が多く、溶剤に溶解しなければならないた
め、溶剤の乾燥時、あるいは熱分解時の溶剤や有ｍ酸塩
などの有機化合物や有機基部分の飛散消失によって多孔
質な膜となり、膜の安定性か悪くなるのに対し、本発明
の方法では、インジウム化合物、スズ化合物が液状であ
るので、溶剤を加えなくて良いこと、また熱分解の際も
熱分解が起こるまで液状物であることの理由がら、多孔
質な膜となりにくく、結果的に抵抗変化が少なく、良質
の膜が得られるしのと考えられる。
ｔＤの方法で用いるインジウムやスズの有機酸塩やアル
：１キシド１アセデルアセトネートなどの化合物は、固
体状の化合物が多く、溶剤に溶解しなければならないた
め、溶剤の乾燥時、あるいは熱分解時の溶剤や有ｍ酸塩
などの有機化合物や有機基部分の飛散消失によって多孔
質な膜となり、膜の安定性か悪くなるのに対し、本発明
の方法では、インジウム化合物、スズ化合物が液状であ
るので、溶剤を加えなくて良いこと、また熱分解の際も
熱分解が起こるまで液状物であることの理由がら、多孔
質な膜となりにくく、結果的に抵抗変化が少なく、良質
の膜が得られるしのと考えられる。
作用
］−記の構成において、用いるインジウムメルカプチド
とスズメルカプチドが室温で液状であることにより溶剤
を用いることなく塗布液とすることができ、かつ焼成の
際熱分解が起こるまで液状を保っているので、焼成によ
り得られた膜が多孔質とはならず、抵抗の変化が少なく
、基板との密着性の良好な透明導電膜を形成することが
できる。
とスズメルカプチドが室温で液状であることにより溶剤
を用いることなく塗布液とすることができ、かつ焼成の
際熱分解が起こるまで液状を保っているので、焼成によ
り得られた膜が多孔質とはならず、抵抗の変化が少なく
、基板との密着性の良好な透明導電膜を形成することが
できる。
実施例
実施例１
インジウム化合物として、インジウム トリｔ、−ドデ
シルメルカプチド（化学式Ｉｎ−（−３−ｔＣｌ２Ｆ＋
２５）３）と、スズ化合物と１．て、スズジｔ−ドデシ
ルメルカプチド（化学式Ｓｎ＋５ｔ−Ｃ１２Ｈ２５）２
）とを９７／３の重量比で混合した塗布液をスピンナー
でポウケイ酸ガラスを用いたガラス基板上に均一に塗布
し、このガラス基板を窒素ガスと酸素ガスとを９５１５
の体積比に制御した雰囲気の焼成炉中にて、５５０℃で
１時間焼成して、透明導電膜を形成したガラス基板を得
た。
シルメルカプチド（化学式Ｉｎ−（−３−ｔＣｌ２Ｆ＋
２５）３）と、スズ化合物と１．て、スズジｔ−ドデシ
ルメルカプチド（化学式Ｓｎ＋５ｔ−Ｃ１２Ｈ２５）２
）とを９７／３の重量比で混合した塗布液をスピンナー
でポウケイ酸ガラスを用いたガラス基板上に均一に塗布
し、このガラス基板を窒素ガスと酸素ガスとを９５１５
の体積比に制御した雰囲気の焼成炉中にて、５５０℃で
１時間焼成して、透明導電膜を形成したガラス基板を得
た。
製造した前記透明導電膜付カラス基板は、シート抵抗値
８００Ω／口＜Ｓ厚２０００人）であり、耐熱く７０℃
）、耐湿（６０℃９５％）試験用の各環境槽中に５００
時間放置しても初期に対する抵抗変化率は１．２倍以下
であった。
８００Ω／口＜Ｓ厚２０００人）であり、耐熱く７０℃
）、耐湿（６０℃９５％）試験用の各環境槽中に５００
時間放置しても初期に対する抵抗変化率は１．２倍以下
であった。
実施例２〜４
インジウムメルカプチドおよびスズメルカプチドの種類
の異なるものを用いて、上記実施例１と同様の条件でカ
ラス基板上に透明導電膜を形成し、シート抵抗値と抵抗
変化率を測定した。その組成と測定結果を実施例１も含
めて第１表に示しな。
の異なるものを用いて、上記実施例１と同様の条件でカ
ラス基板上に透明導電膜を形成し、シート抵抗値と抵抗
変化率を測定した。その組成と測定結果を実施例１も含
めて第１表に示しな。
比較例
オクチル酸インジウムと安息香酸スズのキシレン溶液を
用いて、カラス基板上に製膜し、実施例１と同筆件で焼
成して透明導電膜を形成し、同様に抵抗値および抵抗変
化率を測定した。その結果を第１表に示す。
用いて、カラス基板上に製膜し、実施例１と同筆件で焼
成して透明導電膜を形成し、同様に抵抗値および抵抗変
化率を測定した。その結果を第１表に示す。
〈以下余白〉
第１表の記載から明らかなように、各実施例とも得られ
た透明導電膜は、比較例のものに比べてシート抵抗値か
低く、しかも高温度条件下に長時間放置しても抵抗変化
率は１．２〜１．３倍程度と小さく比較例の５倍に比べ
てはるかにすぐれていた。
た透明導電膜は、比較例のものに比べてシート抵抗値か
低く、しかも高温度条件下に長時間放置しても抵抗変化
率は１．２〜１．３倍程度と小さく比較例の５倍に比べ
てはるかにすぐれていた。
発明の効果
液を、基板りに塗布し、酸素が５体積％以上存在する雰
囲気中で焼成するものであり、高温、高湿条件下に長時
間放置しても抵抗変化か少なく、基板との密着性の良い
透明導電膜を得ることかできるという格別の効果を有す
る。
囲気中で焼成するものであり、高温、高湿条件下に長時
間放置しても抵抗変化か少なく、基板との密着性の良い
透明導電膜を得ることかできるという格別の効果を有す
る。
代理人 森 本 義 弘
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、化学式▲数式、化学式、表等があります▼（Ｒ＿１
〜Ｒ＿３：有機 基）で表わされる液状のインジウムメルカプチドと、化
学式▲数式、化学式、表等があります▼（Ｒ＿４、Ｒ＿
５：有 機基）または▲数式、化学式、表等があります▼（Ｒ＿
６〜Ｒ＿９：有 機基）で表わされる液状のスズメルカプチドとを混合し
てなる塗布液を、基板上に塗布し、酸素が５体積％以上
存在する雰囲気中で焼成することを特徴とする透明導電
膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63263727A JPH02109208A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63263727A JPH02109208A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02109208A true JPH02109208A (ja) | 1990-04-20 |
Family
ID=17393464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63263727A Pending JPH02109208A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02109208A (ja) |
-
1988
- 1988-10-18 JP JP63263727A patent/JPH02109208A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3944684A (en) | Process for depositing transparent, electrically conductive tin containing oxide coatings on a substrate | |
| JPS63184210A (ja) | 透明導電体の製造方法 | |
| JPS6236046A (ja) | 酸化錫膜の形成方法 | |
| JPH02109208A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JP2530027B2 (ja) | 液状被覆剤組成物 | |
| JPH0530001B2 (ja) | ||
| JPS5923403B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JP3352772B2 (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
| JPS6027130B2 (ja) | 透明導電膜作成用溶液の製造方法 | |
| JP3457349B2 (ja) | 化学気相析出法による成膜用組成物 | |
| JPS59198606A (ja) | 透明導電膜形成用組成物 | |
| JP3664422B2 (ja) | 塗布液およびこれを用いた金属酸化物薄膜作成方法 | |
| JPH0233075B2 (ja) | ||
| JPS63257121A (ja) | 導電性被膜の形成方法 | |
| JPH08253318A (ja) | 透明導電材の形成方法 | |
| JPS5930723A (ja) | 透明錫酸化膜の製造法 | |
| JPH01318044A (ja) | ルテニウムレジネートの製造方法 | |
| JPH0528450B2 (ja) | ||
| JPS642669B2 (ja) | ||
| JPH11167827A (ja) | 透明導電性酸化物膜の形成方法 | |
| JPH1179744A (ja) | 導電性薄膜形成用溶液組成物および導電性薄膜形成方法 | |
| JPH01187713A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JPH08339723A (ja) | 透明導電膜形成用組成物の製造方法 | |
| JP2702713B2 (ja) | 卑金属薄膜の製造方法 | |
| JPH0433213A (ja) | 透明導電性膜の形成方法 |