JPS58149042A - ポジ型感光性組成物 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は、新規なポジ型感光性組成物1.さらに詳しく
いえばキノンジアジド基含有化合物と特殊な増感剤との
新規な組合せを感光性成分として含有する高感度ポジ型
感光性組成物に関するものである。
いえばキノンジアジド基含有化合物と特殊な増感剤との
新規な組合せを感光性成分として含有する高感度ポジ型
感光性組成物に関するものである。
従来、キノンジアジド基含有化合物にボンフィルムマス
クを介して紫外線照射すると、弱アルカリ性水溶液に可
溶なインテンカルボン酸に変わることが知られており、
この性質を利用してキノン/アジド基含有1ヒ合物がポ
ジ型感光性材料に広く用いられている。
クを介して紫外線照射すると、弱アルカリ性水溶液に可
溶なインテンカルボン酸に変わることが知られており、
この性質を利用してキノン/アジド基含有1ヒ合物がポ
ジ型感光性材料に広く用いられている。
キノンジアジド基含有化合物は、通常鼓膜形相のフェノ
ール樹脂などと混合して用いられることが多く、また直
接フェノール樹脂をキノンジアシド基含有化合物のスル
ホン酸エステルとして化学的に結合させたものも用いら
れている。
ール樹脂などと混合して用いられることが多く、また直
接フェノール樹脂をキノンジアシド基含有化合物のスル
ホン酸エステルとして化学的に結合させたものも用いら
れている。
このように、キノンジアシド基含有化合物は被膜形成物
質と組み合わせてボン型感光性材料として広く使用され
ているが、紫外線の比較的長い照射時間を必要とするた
め、その感光性の向上が大きな課題となっている。特に
、近年LSI、超LSIなどの半導体テバイス及び感光
性印刷版の製造において、その画像形成工程(ホトIJ
ソゲラフイー)の紫外線照射時間の短縮、すなわちポジ
型感光性材料の感光性の増感が強く要求されるようにな
シ、大巾な改善が望まれている。
質と組み合わせてボン型感光性材料として広く使用され
ているが、紫外線の比較的長い照射時間を必要とするた
め、その感光性の向上が大きな課題となっている。特に
、近年LSI、超LSIなどの半導体テバイス及び感光
性印刷版の製造において、その画像形成工程(ホトIJ
ソゲラフイー)の紫外線照射時間の短縮、すなわちポジ
型感光性材料の感光性の増感が強く要求されるようにな
シ、大巾な改善が望まれている。
このような課題に対し、キノンジアシド基含有化合物自
体について、あるいはこれと組み合わされる各種樹脂の
選択など、多くの改良研究が行われているが、まだ満足
すべき感度を得るには至っていない。
体について、あるいはこれと組み合わされる各種樹脂の
選択など、多くの改良研究が行われているが、まだ満足
すべき感度を得るには至っていない。
本発明者らは、キノンジアジド基含有化合物の感度を上
昇きせる有効な増感剤を開発することを目的として、鋭
意研究の結果、ある種の含窒素複素環化合物を用いるこ
とによりその目的を達成しうろことを見出し、本発明を
なすに至った。
昇きせる有効な増感剤を開発することを目的として、鋭
意研究の結果、ある種の含窒素複素環化合物を用いるこ
とによりその目的を達成しうろことを見出し、本発明を
なすに至った。
すなわち、本発明は、(イ)キノンジアジド基含有化合
物と、(ロ)ピロリドン、オキシインドール、イ、1
ミダゾリド′・ <″′イミパゾリ″・
イミタ゛′。
物と、(ロ)ピロリドン、オキシインドール、イ、1
ミダゾリド′・ <″′イミパゾリ″・
イミタ゛′。
リジンチオン、オキサゾリドン、ベンゾキサシリノン、
イソインドリノン、チオインドール、ピラゾロン、イサ
チン、コハク酸イミド、チアゾリジンジオン、ロダニン
、オキサゾリジンジオン、°グルタルイミド、ピペリド
ン及びそれらの誘導体の中から選ばれた少なくとも1種
の組合せを感光性成分として含有することを特徴とする
ポジ型感光性組成物を提供するものである。
イソインドリノン、チオインドール、ピラゾロン、イサ
チン、コハク酸イミド、チアゾリジンジオン、ロダニン
、オキサゾリジンジオン、°グルタルイミド、ピペリド
ン及びそれらの誘導体の中から選ばれた少なくとも1種
の組合せを感光性成分として含有することを特徴とする
ポジ型感光性組成物を提供するものである。
本発明の組成物の(イ)成分として用いられる化合物は
キノンジアジド基含有化合物であって、オルトベンゾキ
ノンジアジド、パラベンゾキノツジアジド、オルトナフ
トキノンジアジド、オルトアン ・トラキノンジアジ
ド − ゛訟≠及び例えばオルト
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類などのよう
なこれらの核置換誘導体が含まれ、またオルトキノンジ
アジドスルホニルクロリドと水酸基又はアミン基をもつ
化合物、例えばフェノール、p−メトキシフェノール、
ジ、メチルフェノール、ヒドロキノン、ビスフェノール
A1ナフトール、カテコールピロガロール、ピロカテコ
ール、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール
−1,3−ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を一部
残しエステル化又はエーテル化された没食子酸、アニリ
ン、シフ円ニルアミンなととの反応生成物なども包含さ
れる。
キノンジアジド基含有化合物であって、オルトベンゾキ
ノンジアジド、パラベンゾキノツジアジド、オルトナフ
トキノンジアジド、オルトアン ・トラキノンジアジ
ド − ゛訟≠及び例えばオルト
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類などのよう
なこれらの核置換誘導体が含まれ、またオルトキノンジ
アジドスルホニルクロリドと水酸基又はアミン基をもつ
化合物、例えばフェノール、p−メトキシフェノール、
ジ、メチルフェノール、ヒドロキノン、ビスフェノール
A1ナフトール、カテコールピロガロール、ピロカテコ
ール、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール
−1,3−ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を一部
残しエステル化又はエーテル化された没食子酸、アニリ
ン、シフ円ニルアミンなととの反応生成物なども包含さ
れる。
また、本発明の組成物において、上記感光性物漬(イ)
と組み合わせて用いる仲)成分は、ピロリドン、オキシ
インドール、イミダゾリトン、ベンズイミダゾリノン、
イミダゾリジンチオン、オキサゾリドン、ベンゾキサシ
リノン、イソインドリノン、チオインドール、ピラゾロ
ン、イサチン、コノ・り酸イミド、チアゾリジンジオン
、ロダニン、オキ 。
と組み合わせて用いる仲)成分は、ピロリドン、オキシ
インドール、イミダゾリトン、ベンズイミダゾリノン、
イミダゾリジンチオン、オキサゾリドン、ベンゾキサシ
リノン、イソインドリノン、チオインドール、ピラゾロ
ン、イサチン、コノ・り酸イミド、チアゾリジンジオン
、ロダニン、オキ 。
サシリジンジオン、グルタルイミド、ピペリドン及びそ
れらの誘導体が包含され、これらの化合物は、縮合環を
有するもの、低級アルキル基、ニトロ基、アミン基、ヒ
ドロキシル基、アルコキシ基、゛フェニル基及びノ・ロ
ゲンなどの置換基をもつものであってもよい。これら増
感剤(ロ)の具体的な例としては、例えば2−ピロリド
ン、5−メチル−2−ピロリドン、5−ニトロ−2−ピ
ロリドン、5−クロロ−2−ピロリドン、オキシインド
ール、3.3−ジメチル−オキシインドール、3,3−
ジメチル−オキシインドール、5−ヒドロキシオキシイ
ンドール、5−メトキシオキシインドーノペ 5−メチ
ルオキシインドール、5−エチルインドール、5−フェ
ニルオキシインドール、3−ヒドロキシ−2−インドリ
ノン、2−イミダゾリトン、3−ヒドロキシ−2−イン
ドリン、5,5−ジメチル−2−イミダゾリトン、2−
イミダゾリジンチオン、5,5−ジメチル−2−イミダ
ゾリジンチオン、5−クロロ−2−イミダゾリジンチオ
ン、2−オキサゾリドン、5−クロロメチル−2−オキ
サゾリジオン、ベンゾキサシリノン、1−イソ平ンドリ
ノン、チオインドール、5−メチルチオインドール、5
−クロロチオインドール、5−ピラゾロン、3−メチル
−2−ピラゾリン−5−オン、イサチン、5−メチルイ
サチン、コノ−り酸イミド、α、α−ジメチルーβ−メ
チルコハク酸イミド、2.4−チアゾリジンジオン、5
,5−ジメチル−2゜4−チアゾリジンジオン、ロダニ
ン、p−ジメチルアミノベンシリテンロダニン、アミノ
ロダニン、オキサゾリジンジオン、5,5−ジメチル−
2,4−オキサゾリジンジオン、515−ジエチル−2
,4−オキサシリ7ンンオン、グルタルイミド、3.3
−ジメチルグルタルイミド、3.3−ジエチルグルタル
イミド、3−フェニルグルタルイミド、ピペリドンなど
を例示することができる。
れらの誘導体が包含され、これらの化合物は、縮合環を
有するもの、低級アルキル基、ニトロ基、アミン基、ヒ
ドロキシル基、アルコキシ基、゛フェニル基及びノ・ロ
ゲンなどの置換基をもつものであってもよい。これら増
感剤(ロ)の具体的な例としては、例えば2−ピロリド
ン、5−メチル−2−ピロリドン、5−ニトロ−2−ピ
ロリドン、5−クロロ−2−ピロリドン、オキシインド
ール、3.3−ジメチル−オキシインドール、3,3−
ジメチル−オキシインドール、5−ヒドロキシオキシイ
ンドール、5−メトキシオキシインドーノペ 5−メチ
ルオキシインドール、5−エチルインドール、5−フェ
ニルオキシインドール、3−ヒドロキシ−2−インドリ
ノン、2−イミダゾリトン、3−ヒドロキシ−2−イン
ドリン、5,5−ジメチル−2−イミダゾリトン、2−
イミダゾリジンチオン、5,5−ジメチル−2−イミダ
ゾリジンチオン、5−クロロ−2−イミダゾリジンチオ
ン、2−オキサゾリドン、5−クロロメチル−2−オキ
サゾリジオン、ベンゾキサシリノン、1−イソ平ンドリ
ノン、チオインドール、5−メチルチオインドール、5
−クロロチオインドール、5−ピラゾロン、3−メチル
−2−ピラゾリン−5−オン、イサチン、5−メチルイ
サチン、コノ−り酸イミド、α、α−ジメチルーβ−メ
チルコハク酸イミド、2.4−チアゾリジンジオン、5
,5−ジメチル−2゜4−チアゾリジンジオン、ロダニ
ン、p−ジメチルアミノベンシリテンロダニン、アミノ
ロダニン、オキサゾリジンジオン、5,5−ジメチル−
2,4−オキサゾリジンジオン、515−ジエチル−2
,4−オキサシリ7ンンオン、グルタルイミド、3.3
−ジメチルグルタルイミド、3.3−ジエチルグルタル
イミド、3−フェニルグルタルイミド、ピペリドンなど
を例示することができる。
これらの←)成分は、キノンジアジド基含有化合物及び
被膜形成物質の100重量部当り0.1〜25重量部の
割合で用いることが効果的であシ、好ましい使用量は0
.5〜20重量部である。あまシ少なすざると増感効果
が得られないし、あま9多すきても使用量に見合う増感
効果が得られないので不経済である。その最適使用量は
使用する感光物質及び増感剤の組み合わせにより変動す
るが、簡単な実験により容易に決定することができる。
被膜形成物質の100重量部当り0.1〜25重量部の
割合で用いることが効果的であシ、好ましい使用量は0
.5〜20重量部である。あまシ少なすざると増感効果
が得られないし、あま9多すきても使用量に見合う増感
効果が得られないので不経済である。その最適使用量は
使用する感光物質及び増感剤の組み合わせにより変動す
るが、簡単な実験により容易に決定することができる。
不発明における被膜形成用物質としては、アルカリ可溶
性樹脂が好ましく用いられ、それらの具体的な例として
は、フェノール又はクレゾールなどとアルデヒド類から
製造されるノボラック樹脂、ポリビニルアルコール、ポ
リビニルアルキルニーチル、スチレンとアクリル酸との
共重合体、メタクリル酸とメタクリル酸アルキルエステ
ルとの共重合体、ヒドロキシスチレンの重合体、ポリビ
ニルヒドロキシベンゾエート、ポリビニルヒドロキシベ
ンサールなどを挙けることができる。
性樹脂が好ましく用いられ、それらの具体的な例として
は、フェノール又はクレゾールなどとアルデヒド類から
製造されるノボラック樹脂、ポリビニルアルコール、ポ
リビニルアルキルニーチル、スチレンとアクリル酸との
共重合体、メタクリル酸とメタクリル酸アルキルエステ
ルとの共重合体、ヒドロキシスチレンの重合体、ポリビ
ニルヒドロキシベンゾエート、ポリビニルヒドロキシベ
ンサールなどを挙けることができる。
被膜形成物質は、キノンジアジド基含有化合物の10重
量部に対して100重量部以下、好ましい使用量は55
重量部以下である。被膜形成物質があ1り多すきると得
られる画像のマスクパターン忠実性が劣り転写性が悪く
なる。キノンジアジド基含有化合物が破膜形成用として
使用されるフェノール樹脂などと化学的に結合していな
い場合には、被膜形成物質を配合して用いることが望ま
しく、そのときの被膜形成物質はキノンジアジド基含有
化合物10重量部に対して25重量部以上上記するのが
良い。それよりも少ない場合には、塗膜の均一性が悪く
解像力も落ちる。
量部に対して100重量部以下、好ましい使用量は55
重量部以下である。被膜形成物質があ1り多すきると得
られる画像のマスクパターン忠実性が劣り転写性が悪く
なる。キノンジアジド基含有化合物が破膜形成用として
使用されるフェノール樹脂などと化学的に結合していな
い場合には、被膜形成物質を配合して用いることが望ま
しく、そのときの被膜形成物質はキノンジアジド基含有
化合物10重量部に対して25重量部以上上記するのが
良い。それよりも少ない場合には、塗膜の均一性が悪く
解像力も落ちる。
本発明組成物は、適当な溶剤に前記した(1)成分のキ
ノンジアジド基含有化合物と(ロ)成分の増感剤を溶解
し、さらに前記した被膜形成用物質を溶解した溶液の形
で用いるのが有利である。
ノンジアジド基含有化合物と(ロ)成分の増感剤を溶解
し、さらに前記した被膜形成用物質を溶解した溶液の形
で用いるのが有利である。
このような溶剤の例としては、アセトン、メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン、イソアミルケトンなどのケ
トン類;エチレングリコール、エチレンクリコールモノ
アセテート、7エチレングリコール又ハシエチレングリ
コールモノアセテ−トノモノメチルエーテル、モノエナ
ルエーテル、モノプロビルエーテノペモノブチルエーテ
ル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類;
/オキサンのような環式エーテル類;及び酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類を挙げること
ができる。これらは単独で用いてもよいし、捷た2種以
上混合して用いてもよい。
ケトン、シクロヘキサノン、イソアミルケトンなどのケ
トン類;エチレングリコール、エチレンクリコールモノ
アセテート、7エチレングリコール又ハシエチレングリ
コールモノアセテ−トノモノメチルエーテル、モノエナ
ルエーテル、モノプロビルエーテノペモノブチルエーテ
ル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類;
/オキサンのような環式エーテル類;及び酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類を挙げること
ができる。これらは単独で用いてもよいし、捷た2種以
上混合して用いてもよい。
本発明のポジ型感光性組成物には、さらに相溶性のある
添加物、例えば付加的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現
像した像をより一層可視的にするための着色料などの慣
用されているものを添加含有させることができる。
添加物、例えば付加的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現
像した像をより一層可視的にするための着色料などの慣
用されているものを添加含有させることができる。
本発明の組成物の好適な使用方法について一例を示せば
、まず例えばシリコンウニ・・−のような支持体上にキ
ノンジアジド基含有化合物及び前記した増感剤を、例え
ばフェノールノボラック樹脂とともに前記したような適
当な溶剤に溶かした溶液をスピンナー等で塗布し、乾燥
して感光層を形成させる。しかる後、紫外線を発光する
光源、り11えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀
灯、アーク灯、キセノンランプなどを用い所要のマスク
パターンを介して露光するか、あるいは電子線を走査し
ながら照射する。次にこれを現像液、例えば1〜2係水
酸化ナトリウム水溶液のような弱アルカリ性水溶液に浸
せきすると、露光によって可溶化した部分が選択的に溶
解除去されマスクパターンに忠実な画像を得ることがで
きる。
、まず例えばシリコンウニ・・−のような支持体上にキ
ノンジアジド基含有化合物及び前記した増感剤を、例え
ばフェノールノボラック樹脂とともに前記したような適
当な溶剤に溶かした溶液をスピンナー等で塗布し、乾燥
して感光層を形成させる。しかる後、紫外線を発光する
光源、り11えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀
灯、アーク灯、キセノンランプなどを用い所要のマスク
パターンを介して露光するか、あるいは電子線を走査し
ながら照射する。次にこれを現像液、例えば1〜2係水
酸化ナトリウム水溶液のような弱アルカリ性水溶液に浸
せきすると、露光によって可溶化した部分が選択的に溶
解除去されマスクパターンに忠実な画像を得ることがで
きる。
本発明のポジ型感光性組成物は感光物質の感度が著しく
高められているので、従来公知の組成物よりも紫外線を
露光して画像を形成させるのに要する時間が短縮され、
作業性の向上した高い実用的価値を有する感光性材料で
ある。
高められているので、従来公知の組成物よりも紫外線を
露光して画像を形成させるのに要する時間が短縮され、
作業性の向上した高い実用的価値を有する感光性材料で
ある。
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
比較例1
エチレングリコールモノエチルエーテルアセテ−、ドア
59に没食子酸n−プロピルエステルのナフトキノン
−(1,2)−ジアジド−(2)−5−スルホン酸トリ
エステル5vとフェノールノボレツク樹脂201とを溶
解し、これをろ過して感光膜形成用感光液を調製した。
59に没食子酸n−プロピルエステルのナフトキノン
−(1,2)−ジアジド−(2)−5−スルホン酸トリ
エステル5vとフェノールノボレツク樹脂201とを溶
解し、これをろ過して感光膜形成用感光液を調製した。
この液をスピンナーを用いてアルミニウム基板上に塗布
し80〜90℃に保温されている乾燥機中に30分間入
れて乾燥し、膜厚i、oμmの感光塗膜を得た。この膜
に超高圧水銀灯露光装置(キャノン社製PLA−300
)を用い、マスクパターンを介して露光し、x、5%水
酸化ナトリウム水溶液で現像した。露光においてマスク
パターンを忠実に再現して画像を形成するに要する最小
露光時間(9下これを適性露光時間という)は5.2秒
であった。
し80〜90℃に保温されている乾燥機中に30分間入
れて乾燥し、膜厚i、oμmの感光塗膜を得た。この膜
に超高圧水銀灯露光装置(キャノン社製PLA−300
)を用い、マスクパターンを介して露光し、x、5%水
酸化ナトリウム水溶液で現像した。露光においてマスク
パターンを忠実に再現して画像を形成するに要する最小
露光時間(9下これを適性露光時間という)は5.2秒
であった。
実施例1
比較例1と同様にして感光液を調製し、この液にコハク
酸イミド2?を添加溶解後ろ過して新た1
な感光液を調製した。この感光液をスピンナーを用い
てアルミニウム基板上に塗布し80〜90℃に保温され
ている乾燥機中に30分間入れて膜厚1.0μmの感光
塗膜を得た。続いてマスクパターンを介してPLA −
300を用い同様に感光膜に露光後1.5係水酸化ナト
リウム水溶液を現像液として現像した。このポジ型感光
膜の適性露光時間は3.7秒であり、比較例1と比較す
ればコハク酸イミドが優れた増感作用を有することがわ
かる。
酸イミド2?を添加溶解後ろ過して新た1
な感光液を調製した。この感光液をスピンナーを用い
てアルミニウム基板上に塗布し80〜90℃に保温され
ている乾燥機中に30分間入れて膜厚1.0μmの感光
塗膜を得た。続いてマスクパターンを介してPLA −
300を用い同様に感光膜に露光後1.5係水酸化ナト
リウム水溶液を現像液として現像した。このポジ型感光
膜の適性露光時間は3.7秒であり、比較例1と比較す
ればコハク酸イミドが優れた増感作用を有することがわ
かる。
実施例2
実施例1におけるコハク酸イミドに代えてオキシインド
ールを増感剤として用い適性露光時間を求めたところ3
.4秒であった。この感光性組成物は比較例1に比べて
約1,5倍高い感光度を示した。
ールを増感剤として用い適性露光時間を求めたところ3
.4秒であった。この感光性組成物は比較例1に比べて
約1,5倍高い感光度を示した。
比較例2
2.3.4−トリヒドロキシベンゾフェノンのナフトキ
ノン−(1,2)−ジアジド−(2)−5−スルホン酸
ジエステル5fとm−クレゾールノボラック樹脂20y
とをエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
70fに溶解し、ろ過して感光液を調製した。この感光
液をシリコンウェハー上にスピンナーを用いて塗布し8
0〜90℃に保持すれた乾燥機の中に30分間入れて厚
さ1.4μmの感光塗膜を得た。続いて比較例1と同様
にマスクパターンを介して露光後、1.8%水酸化ナト
リウム水溶液で現像し、マスクパターンに忠実な1.0
μmを解像する画像を得た。この感光膜の適性露光時間
は3.2秒であった。
ノン−(1,2)−ジアジド−(2)−5−スルホン酸
ジエステル5fとm−クレゾールノボラック樹脂20y
とをエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
70fに溶解し、ろ過して感光液を調製した。この感光
液をシリコンウェハー上にスピンナーを用いて塗布し8
0〜90℃に保持すれた乾燥機の中に30分間入れて厚
さ1.4μmの感光塗膜を得た。続いて比較例1と同様
にマスクパターンを介して露光後、1.8%水酸化ナト
リウム水溶液で現像し、マスクパターンに忠実な1.0
μmを解像する画像を得た。この感光膜の適性露光時間
は3.2秒であった。
実施例3
比較例1と同様にして感光液を調製し、この液にイサチ
ン22を入れ溶解後、ろ過して感光液を調製した。この
感光液をスピンナーを用いてシリコンウェハー上に塗布
し、80〜90℃に保持された乾燥機中に30分間入れ
て膜厚1.4μmの感光塗膜を得た。続いて、この膜に
マスクパターンを介してPLA −300を用い露光し
た後、1.8qb水酸化ナトリウム水溶液を現像液とし
て現像した。
ン22を入れ溶解後、ろ過して感光液を調製した。この
感光液をスピンナーを用いてシリコンウェハー上に塗布
し、80〜90℃に保持された乾燥機中に30分間入れ
て膜厚1.4μmの感光塗膜を得た。続いて、この膜に
マスクパターンを介してPLA −300を用い露光し
た後、1.8qb水酸化ナトリウム水溶液を現像液とし
て現像した。
このときの適性露光時間は2.6秒であり、比較例2と
比較すると、イサチンが増感剤として有効に作用してい
ることがわかる。
比較すると、イサチンが増感剤として有効に作用してい
ることがわかる。
実施例4
実施例3のイサチンの量を22から42に増量して実施
例3と同様に操作したところ、適性露光時間は2.1秒
であった。イサチン量の増大により感光性がいっそう高
められ、増感剤として効果的に作用していることが認め
られた。
例3と同様に操作したところ、適性露光時間は2.1秒
であった。イサチン量の増大により感光性がいっそう高
められ、増感剤として効果的に作用していることが認め
られた。
実施例5
実施例3のイサチンの添加量を1.2fにして実施例3
と同様に操作したところ、適性露光時間は2.8秒であ
った。この場合にもイサチンの増感剤としての効果が充
分認められた。
と同様に操作したところ、適性露光時間は2.8秒であ
った。この場合にもイサチンの増感剤としての効果が充
分認められた。
実施例6
実施fl+ 3のイサチンに代えて5,5−ジメチル−
2,4−オキサシリ7ンジオン22を用い適性露光時間
を求めたところ1,6秒であった。この感光組成物は比
較例2のものに比べて約2倍の感光度を有する。
2,4−オキサシリ7ンジオン22を用い適性露光時間
を求めたところ1,6秒であった。この感光組成物は比
較例2のものに比べて約2倍の感光度を有する。
実施例7
実施例3のイサチンに代えて3,3−ジメチルグルタル
イミド22を用い適性露光時間を求めたところ1.6秒
であった。
イミド22を用い適性露光時間を求めたところ1.6秒
であった。
実施例8
比較例2と同様にして感光液を調製し、この感光源に、
増感剤として2−ピロリドン、2−イミダゾリトン、2
−イミダゾリジンチオン、2−オキサゾリドン、2,4
−チアゾリジンンオン、ロダニン、グルタルイミド、ベ
ンゾキサシリノンのいずれかを1.22添加し溶解後、
ろ過して感光液を調製した。そして比較例2と同様に感
光塗膜を形成し、露光および現像処理して、各増感剤を
含有してなる感光性組成物の適性露光時間は次の表に示
すとおりであった。
増感剤として2−ピロリドン、2−イミダゾリトン、2
−イミダゾリジンチオン、2−オキサゾリドン、2,4
−チアゾリジンンオン、ロダニン、グルタルイミド、ベ
ンゾキサシリノンのいずれかを1.22添加し溶解後、
ろ過して感光液を調製した。そして比較例2と同様に感
光塗膜を形成し、露光および現像処理して、各増感剤を
含有してなる感光性組成物の適性露光時間は次の表に示
すとおりであった。
Claims (1)
- 1 H)キノンジアジド基含有化合物と、(ロ)ピロ
リドン、オキフィンドール、イミダゾリトン、ベンズイ
ミダゾリノン、イミダゾリジンチオン、オキサノリトン
、ベンゾキサシリノン、イソインドリノン、チオインド
ール、ピラゾロン、イサチン、コハク酸イミド、チアゾ
リジンジオン、ロダニン、オキサゾリジンジオン、グル
タルイミド、ピペリドン及びそれらの誘導体の甲から選
ばれた少なくとも1種の組合せを感光性成分として含有
することを特徴とするポジ型感光性組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3292682A JPS58149042A (ja) | 1982-03-02 | 1982-03-02 | ポジ型感光性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3292682A JPS58149042A (ja) | 1982-03-02 | 1982-03-02 | ポジ型感光性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58149042A true JPS58149042A (ja) | 1983-09-05 |
| JPH0228139B2 JPH0228139B2 (ja) | 1990-06-21 |
Family
ID=12372508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3292682A Granted JPS58149042A (ja) | 1982-03-02 | 1982-03-02 | ポジ型感光性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58149042A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61219951A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性組成物 |
| JPH01245250A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Toshiba Corp | ポジ型レジスト組成物 |
| WO1995016722A1 (en) * | 1993-12-15 | 1995-06-22 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photocurable composition |
| EP0875787A1 (en) * | 1997-04-30 | 1998-11-04 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Method for reducing the substrate dependence of resist |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3661582A (en) * | 1970-03-23 | 1972-05-09 | Western Electric Co | Additives to positive photoresists which increase the sensitivity thereof |
| JPS5619619A (en) * | 1980-06-22 | 1981-02-24 | Fuaaiisuto Engineering Kk | Device for immersing electrolytic condenser |
-
1982
- 1982-03-02 JP JP3292682A patent/JPS58149042A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3661582A (en) * | 1970-03-23 | 1972-05-09 | Western Electric Co | Additives to positive photoresists which increase the sensitivity thereof |
| JPS5619619A (en) * | 1980-06-22 | 1981-02-24 | Fuaaiisuto Engineering Kk | Device for immersing electrolytic condenser |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO1995016722A1 (en) * | 1993-12-15 | 1995-06-22 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photocurable composition |
| EP0875787A1 (en) * | 1997-04-30 | 1998-11-04 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Method for reducing the substrate dependence of resist |
| US6303264B1 (en) | 1997-04-30 | 2001-10-16 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd | Agent for reducing the substrate dependence of resist |
| KR100592200B1 (ko) * | 1997-04-30 | 2006-06-23 | 와꼬 쥰야꾸 고교 가부시키가이샤 | 특수 기판용 레지스트 조성물의 기판 의존성 개선 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0228139B2 (ja) | 1990-06-21 |
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