JPS5815537B2 - 化学的蝕刻方法 - Google Patents
化学的蝕刻方法Info
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- JPS5815537B2 JPS5815537B2 JP55090927A JP9092780A JPS5815537B2 JP S5815537 B2 JPS5815537 B2 JP S5815537B2 JP 55090927 A JP55090927 A JP 55090927A JP 9092780 A JP9092780 A JP 9092780A JP S5815537 B2 JPS5815537 B2 JP S5815537B2
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- mask layer
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は例えば印刷配線に適する化学的蝕刻方法に関
し、特に被蝕刻体における導体の占有率の高いものを得
ようとするものである。
し、特に被蝕刻体における導体の占有率の高いものを得
ようとするものである。
従来の印刷配線においては例えば第１図に示すように絶
縁基板１１上に導体層１２が全面に形成されており、そ
の導体層１２上に目的とするパターンに、対エツチング
層、いわゆるレジスト層１３を形成する。
縁基板１１上に導体層１２が全面に形成されており、そ
の導体層１２上に目的とするパターンに、対エツチング
層、いわゆるレジスト層１３を形成する。
そのレジスト層１３の形成は例えばスクリーン印刷や写
真技術によって行なわれる。
真技術によって行なわれる。
その後そのレジスト層１３をマスクとして導体層１２を
化学的にエツチングしていた。
化学的にエツチングしていた。
この場合、第２図に示すようにレジスト層１３にマスク
されてない部分の導体層１２がその板面に対して直角方
向、第２図のＹ方向にエツチングされるのみならず、そ
の板面に沿う方向、第２図においてＸ方向においてもエ
ツチングされる。
されてない部分の導体層１２がその板面に対して直角方
向、第２図のＹ方向にエツチングされるのみならず、そ
の板面に沿う方向、第２図においてＸ方向においてもエ
ツチングされる。
この板面に沿う方向のエツチングはいわゆるサイドエツ
チングと呼ばれており、このサイドエツチングの速度は
板面と直角な方向、図においてＹ方向のエツチング速度
とはｇ同じ速度であって、エツチングされた導体層１２
の側面は断面が円弧状の凹曲面となる。
チングと呼ばれており、このサイドエツチングの速度は
板面と直角な方向、図においてＹ方向のエツチング速度
とはｇ同じ速度であって、エツチングされた導体層１２
の側面は断面が円弧状の凹曲面となる。
本来はレジスト層１３のそのパターンの縁の部分より導
体層に対して直角にエツチングされることが望ましく、
図に示すサイドエツチング部分１５は好ましくない。
体層に対して直角にエツチングされることが望ましく、
図に示すサイドエツチング部分１５は好ましくない。
このようなサイドエツチング部分１５が存在すると、エ
ツチングにより形成された導体層パターン１６の幅を狭
くすることが困難になり、微細なパターンでしかも高密
度に導体層パターン１６を形成することが困難となる。
ツチングにより形成された導体層パターン１６の幅を狭
くすることが困難になり、微細なパターンでしかも高密
度に導体層パターン１６を形成することが困難となる。
この発明の目的は微細なパターンを高密度に形成するこ
とを可能とする化学的蝕刻方法を提供することにある。
とを可能とする化学的蝕刻方法を提供することにある。
この発明によれば被蝕刻体に所定のパターンで耐エツチ
ングのマスク層を形成し、そのマスク層をマスクとして
被蝕刻体に対して化学的エツチングを施す。
ングのマスク層を形成し、そのマスク層をマスクとして
被蝕刻体に対して化学的エツチングを施す。
その化学的エツチングを施すことによって発生したサイ
ドエツチング面に対して酬エツチングの耐蝕層を形成し
、その後再び上記マスク層及び耐蝕層をマスクとして被
蝕刻体に対してエツチングを行なう。
ドエツチング面に対して酬エツチングの耐蝕層を形成し
、その後再び上記マスク層及び耐蝕層をマスクとして被
蝕刻体に対してエツチングを行なう。
必要に応じてこのような工程を繰返す。
このようにすることにより一挙にエツチング処理するこ
となく、その成る程度エツチングした俊にサイドエツチ
ング部分に耐蝕層を形成することによってサイドエツチ
ング部分が大きくされることが防止され、微細な高密度
のパターンをも形成することが可能となる。
となく、その成る程度エツチングした俊にサイドエツチ
ング部分に耐蝕層を形成することによってサイドエツチ
ング部分が大きくされることが防止され、微細な高密度
のパターンをも形成することが可能となる。
ところで先のサイドエツチング面に耐蝕層を形成するに
は被蝕刻体のマスク層と接する部分に光が到達しないよ
うにし、サイドエツチング部分、マスク層を含み全体に
ポジタイプのフォトレジスト層を形成し、その後露光し
た際にサイドエツチングされた部分が先のマスク層の陰
となることを利用して、前記ポジタイプのフォトレジス
トを残してサイドエツチング面に耐蝕層を形成する。
は被蝕刻体のマスク層と接する部分に光が到達しないよ
うにし、サイドエツチング部分、マスク層を含み全体に
ポジタイプのフォトレジスト層を形成し、その後露光し
た際にサイドエツチングされた部分が先のマスク層の陰
となることを利用して、前記ポジタイプのフォトレジス
トを残してサイドエツチング面に耐蝕層を形成する。
尚一般にマスク層はフォトレジストで形成され、光透過
性であることが多く、そのような場合マスクとしての作
用がなくなるため、ポジタイプのフォトレジストの露光
の際に光学的なマスクとしての作用させるためにマスク
層に対して予め光を遮断するような処理を施してお（こ
とができる。
性であることが多く、そのような場合マスクとしての作
用がなくなるため、ポジタイプのフォトレジストの露光
の際に光学的なマスクとしての作用させるためにマスク
層に対して予め光を遮断するような処理を施してお（こ
とができる。
次にこの発明による化学的蝕刻方法の実施例を説明しよ
う。
う。
先ず第１図に示したと同様に例えば絶縁基板１１上にそ
の全面に形成されている導体層を被蝕刻体として、その
被蝕刻体１２上に耐エツチング性のマスク層１３を所定
のパターンとして形成する。
の全面に形成されている導体層を被蝕刻体として、その
被蝕刻体１２上に耐エツチング性のマスク層１３を所定
のパターンとして形成する。
このマスク層は例えばコダック社のＫＭＥＲｌいわゆる
コダックマイクロエツチレジストであり、これはゴム系
のネガタイプの感光性樹脂で光が当るとその当った部分
が硬化する。
コダックマイクロエツチレジストであり、これはゴム系
のネガタイプの感光性樹脂で光が当るとその当った部分
が硬化する。
このレジストは一般に光透過性である。
このようなレジストによってマスク層１３が所定のパタ
ーンに形成され、その厚味は例えば５μとされる。
ーンに形成され、その厚味は例えば５μとされる。
導体層１２の厚さは例えば３０μである。
マスク層１３をマスクとして導体層１２にエツチングを
施し、そのエツチングの深さを例えば導体層１２の厚さ
の半分程度まで行なう。
施し、そのエツチングの深さを例えば導体層１２の厚さ
の半分程度まで行なう。
その状態を第３図に示ス。
このエツチングによりサイドエツチング部１７が形成さ
れる。
れる。
このサイドエツチング部１７のサイドエツチング面に対
して耐蝕層を形成する。
して耐蝕層を形成する。
この耐蝕層の形成のために被蝕刻体１２のマスク層１３
と接する部分に光が達するのを防止する光阻止手段が施
される。
と接する部分に光が達するのを防止する光阻止手段が施
される。
例えばマスク層１３に光遮断層を形成する。
光遮断層としてはカーボン微粒子のような光吸収粒子を
吸着させる。
吸着させる。
第４図に示すように容器２３にフォトレジストにおける
現像液又はパラフィン系炭化水素等にカーボンブラック
を分散させた液体２４を入れ、その液体２４に第１図に
示したようにマスク層１３を形成した試料２５を入れて
その容器２３の下より超音波振動子２６により超音波を
容器２３に入射させ、つまり液体２４内に入射させる。
現像液又はパラフィン系炭化水素等にカーボンブラック
を分散させた液体２４を入れ、その液体２４に第１図に
示したようにマスク層１３を形成した試料２５を入れて
その容器２３の下より超音波振動子２６により超音波を
容器２３に入射させ、つまり液体２４内に入射させる。
これはいわゆる超音波バスであり、その液体としてカー
ボンブラックが分散した現像液やパラフィン系炭化水素
液を用い超音波をその液体内に入射させるとカーボンブ
ラックはその塊りが微粒子に分散され、その微粒子が層
としてマスク層１３０表面に均一に吸着する。
ボンブラックが分散した現像液やパラフィン系炭化水素
液を用い超音波をその液体内に入射させるとカーボンブ
ラックはその塊りが微粒子に分散され、その微粒子が層
としてマスク層１３０表面に均一に吸着する。
このようにしてカーボン粒子が各部、特にマスク層１３
に対して多数回衝突し、カーボン粒子が一列の層として
吸着する。
に対して多数回衝突し、カーボン粒子が一列の層として
吸着する。
マスク層１３を形成し、そのゴム系レジストのマスク層
１３が現像によりまだ膨潤している状態で前記超音波バ
ス内に入れるとカーボン粒子の吸着がよい。
１３が現像によりまだ膨潤している状態で前記超音波バ
ス内に入れるとカーボン粒子の吸着がよい。
超音波をかけないでカードブラックが分散された液内に
マスク層１３を平に浸漬しただけではカーボン粒子はマ
スク層１３に均一に着くことなく、固まって付いたり、
又剥れ易い状態となる。
マスク層１３を平に浸漬しただけではカーボン粒子はマ
スク層１３に均一に着くことなく、固まって付いたり、
又剥れ易い状態となる。
カーボンブラックとしては０．５μ以下の小さい粒子の
ものが好ましい。
ものが好ましい。
カーボンブラックを例えばハケでマスク層１３に付着す
ることも考えられるが、その場合はマスク層１３を傷付
けるおそれがある。
ることも考えられるが、その場合はマスク層１３を傷付
けるおそれがある。
超音波バスを用いるカーボンブラックの付着は例えば３
０秒程度行なえば十分均一なカーボンブラックの層が得
られる。
０秒程度行なえば十分均一なカーボンブラックの層が得
られる。
以上のようにして第５図に示ずように光吸収微粒子層２
０をマスク層１３」−に付着した後、第３図に示［７た
ようにエツチングを施して例えば導体層１２をその厚味
の半分程度までエツチングする３その後ポジタイプのフ
ォトレジスト層２７を第６図に示すように導体層１２、
マスク層１３、サイドエツチング部分１７に対しても付
着する。
０をマスク層１３」−に付着した後、第３図に示［７た
ようにエツチングを施して例えば導体層１２をその厚味
の半分程度までエツチングする３その後ポジタイプのフ
ォトレジスト層２７を第６図に示すように導体層１２、
マスク層１３、サイドエツチング部分１７に対しても付
着する。
次に基板１１に対して垂直に半行光を照射してフォトレ
ジスト層２７を露光し、光が照射された部分のみを現像
により溶かし去り、第７図に示すようにサイドエツチン
グ部分１７の導体層１２０面、つまりサイドエツチング
面２１及びマスク層１３の導体層側の面のみにフォトレ
ジスト層２７による耐蝕層１８が形成される。
ジスト層２７を露光し、光が照射された部分のみを現像
により溶かし去り、第７図に示すようにサイドエツチン
グ部分１７の導体層１２０面、つまりサイドエツチング
面２１及びマスク層１３の導体層側の面のみにフォトレ
ジスト層２７による耐蝕層１８が形成される。
以下前述と同様に耐蝕層１８が形成されたものについて
マスク層１３及び耐蝕層１８をマスクとして古び導体層
１２に対するエツチングを施して例えば第８図に示すよ
うに目的の導体パターン２２を得る。
マスク層１３及び耐蝕層１８をマスクとして古び導体層
１２に対するエツチングを施して例えば第８図に示すよ
うに目的の導体パターン２２を得る。
更に必要に応じて第９図に示すようにその導体パターン
２２の表面に絶縁層２８を形成してもよい。
２２の表面に絶縁層２８を形成してもよい。
光吸収粒子としてはカーボンの微粒子の外に銀の微粒イ
や硫化水銀や硫化クロウム等を用いることもできる。
や硫化水銀や硫化クロウム等を用いることもできる。
このように皿回に分けてエツチングを行なし・最初のエ
ツチングの際に耐蝕層１８を１杉成することによりサイ
ドエツチングの深さ、つまりマスク層１３０面に沿う方
向のサイドエツチングの長さは第２図に示した場合の約
半分となり、導体パターン２２０幅は第２図に示した場
合のものよりも幅の広いものが得られる。
ツチングの際に耐蝕層１８を１杉成することによりサイ
ドエツチングの深さ、つまりマスク層１３０面に沿う方
向のサイドエツチングの長さは第２図に示した場合の約
半分となり、導体パターン２２０幅は第２図に示した場
合のものよりも幅の広いものが得られる。
このように光吸収微粒子の層２０をマスク層１３の表面
に形成した後エツチングし、その後ポジタイプのフォト
レジスト したが、ポジタイプのレジスト層２７のサイドエツチン
グ部分に光が照射されないようにするためにはこのよう
な光像粒子を吸着させる代わりに、マスク層１３に対し
て染料、つまり赤色、黒色等の親油性の染料などを層内
に拡散させてもよい。
に形成した後エツチングし、その後ポジタイプのフォト
レジスト したが、ポジタイプのレジスト層２７のサイドエツチン
グ部分に光が照射されないようにするためにはこのよう
な光像粒子を吸着させる代わりに、マスク層１３に対し
て染料、つまり赤色、黒色等の親油性の染料などを層内
に拡散させてもよい。
この拡散は例えばパラフィン系炭化水素、ベンゼン系炭
化水素などにポジタイプフォトレジスタ層２７の感光波
長の光を吸収する染料を混合し、その液内にマスク層１
３を形成した試料を浸漬して、例えば２時間程度以上入
れておいてマスク層１３に染料を分散させる。
化水素などにポジタイプフォトレジスタ層２７の感光波
長の光を吸収する染料を混合し、その液内にマスク層１
３を形成した試料を浸漬して、例えば２時間程度以上入
れておいてマスク層１３に染料を分散させる。
その後の処理はカーボンブラックの吸着について先に述
べた場合と同様に行なうことができる。
べた場合と同様に行なうことができる。
或いは第１０図に示すように導体層１２の表面に溶剤に
可溶性の黒色又は短かい波長の光を吸収する塗料、例え
ばカーボンブラックその他色などの顔料を含むアクリル
系塗料或いはビニール系塗料等の吸光層２９を形成し、
その上にフォトレジスト層３１を形成する。
可溶性の黒色又は短かい波長の光を吸収する塗料、例え
ばカーボンブラックその他色などの顔料を含むアクリル
系塗料或いはビニール系塗料等の吸光層２９を形成し、
その上にフォトレジスト層３１を形成する。
この）第１・レジスト層３１に対して選択的に露光して
第１図に示したようなマスク層１３を形成し、その際に
レジスト層３１が剥されて現われた吸光層２９を溶剤に
より除去し、次にエツチング処理して第３図に示した状
態に導体層１２の一部をエツチングする。
第１図に示したようなマスク層１３を形成し、その際に
レジスト層３１が剥されて現われた吸光層２９を溶剤に
より除去し、次にエツチング処理して第３図に示した状
態に導体層１２の一部をエツチングする。
その後は先に述べたようにポジタイプのフォトレジスト
層２７を形成して耐蝕層を形成し、更に再びエツチング
することは先の例と同様である。
層２７を形成して耐蝕層を形成し、更に再びエツチング
することは先の例と同様である。
尚この場合第１のエツチングにおいてサイドエツチング
がなされた際にマスク層１３の裏面の吸光層２９はマス
ク層に吸着されたまＮでエツチング液により剥れないも
のが用いられる。
がなされた際にマスク層１３の裏面の吸光層２９はマス
ク層に吸着されたまＮでエツチング液により剥れないも
のが用いられる。
従って第６図、第７図について示したような処理を行な
うことができる。
うことができる。
更に耐蝕層１８の形成としては例えば第３図に示したよ
うに第１のエツチングを行なった後にポジタイプのレジ
スト層２７を第８図に示すように形成する。
うに第１のエツチングを行なった後にポジタイプのレジ
スト層２７を第８図に示すように形成する。
その場合ポジタイプのフ第１・レジスト層２７としては
第１のマスク層１３における光吸収波長において感光性
をもつものを使用する。
第１のマスク層１３における光吸収波長において感光性
をもつものを使用する。
このようにすればこのマスク層１３の陰となった部分に
おいてはポジタイプのレジスト層２７は感光されないた
めそれを現像して第７図に示したように耐蝕層１８が得
られる。
おいてはポジタイプのレジスト層２７は感光されないた
めそれを現像して第７図に示したように耐蝕層１８が得
られる。
第１０図について示したように光遮断層２９を塗料で形
成したが、その代りに被蝕刻体である導体層１２に対す
るエツチング液に対しては腐蝕されない金属層を用いる
こともできる。
成したが、その代りに被蝕刻体である導体層１２に対す
るエツチング液に対しては腐蝕されない金属層を用いる
こともできる。
即ち第１０図において光遮断層２９として例えばアルミ
ニウムを用い導体層１２として銅を使用し、この導体層
１２上にアルミニウム層２９を、光を遮断するに十分な
厚さ、例えば数μ以上形成し、その上にレジスト層３１
を形成し、そのレジスト層３１に対して先に述べたよう
にマスク層３を第１１図に示すように形成し、そのマス
ク層３１をマスクとして水酸化ナトリウム、塩酸などの
エツチング液によりアルミニウム層２９を第１２図に示
すようにエツチングし、その後硝酸やＦｅ（ＮＯ３）ｓ
などのエツチング液により導体層１２をその厚味の中
程迄エツチングする（第１３図）。
ニウムを用い導体層１２として銅を使用し、この導体層
１２上にアルミニウム層２９を、光を遮断するに十分な
厚さ、例えば数μ以上形成し、その上にレジスト層３１
を形成し、そのレジスト層３１に対して先に述べたよう
にマスク層３を第１１図に示すように形成し、そのマス
ク層３１をマスクとして水酸化ナトリウム、塩酸などの
エツチング液によりアルミニウム層２９を第１２図に示
すようにエツチングし、その後硝酸やＦｅ（ＮＯ３）ｓ
などのエツチング液により導体層１２をその厚味の中
程迄エツチングする（第１３図）。
次に第６図について述べたようにポジタイプのレジスト
層２７を形成して露光する。
層２７を形成して露光する。
その際にアルミニウノ、層２９は導体層１２をエツチン
グする際にエツチングされないためサイドエツチング部
分１７におし・てアルミニウム層２９が残っており、そ
のサイドエツチング部分のアルミニウム層により光が遮
断されるため前述と同様にして耐蝕層１８を形成する・
ユとができる。
グする際にエツチングされないためサイドエツチング部
分１７におし・てアルミニウム層２９が残っており、そ
のサイドエツチング部分のアルミニウム層により光が遮
断されるため前述と同様にして耐蝕層１８を形成する・
ユとができる。
以上述べたようにこの発明による化学的蝕刻方法によれ
ば微細なパターンでも比較的幅の広し・導体パターンを
接近して形成することができ、しかもこの導体として比
較的厚し・ものとすることができる。
ば微細なパターンでも比較的幅の広し・導体パターンを
接近して形成することができ、しかもこの導体として比
較的厚し・ものとすることができる。
例えばマスク層１３０幅を８０μとしマスク層１３０間
隔、つまりエツチングされる部分の幅を２０μとし、即
ち０．１ ｍｍのピッチで導体パターンを形成する場合
、その導体層１２の厚味として３０μ程度のものを先の
例のように２回に分けてエツチング処理することにより
、従来−回のみでエツチンク′形成した場合に比べてそ
の導体パターン２２の抵抗値を１／２程度にすることが
できた。
隔、つまりエツチングされる部分の幅を２０μとし、即
ち０．１ ｍｍのピッチで導体パターンを形成する場合
、その導体層１２の厚味として３０μ程度のものを先の
例のように２回に分けてエツチング処理することにより
、従来−回のみでエツチンク′形成した場合に比べてそ
の導体パターン２２の抵抗値を１／２程度にすることが
できた。
しかもマスク合せは１回でよく微細なパターンでも高精
度に形成できる。
度に形成できる。
サイドエツチング部分にポジタイプフォトレジスト層を
密着よく形成することができ、この点からも微細なパタ
ーンを厚く形成することができる。
密着よく形成することができ、この点からも微細なパタ
ーンを厚く形成することができる。
第１図及び第２図は従来の化学的蝕刻法を説明するため
の断面図、第３図はこの発明において最初のエツチング
をした状態を示す断面図、第４図はマスク層に光吸収微
粒子を付着させるための超音波バスを示す図、第５図は
光吸収層を形成した状態を示す断面図、第６図はサイド
エツチング部分を含めてポジタイプのフォトレジスト層
を形成した断面図、第７図はポジタイプのフォトレジス
ト層によって耐蝕層を形成した例を示す断面図、第８図
は第７図に対して２回目のエツチング処理を施した状態
を示す断面図、第９図は絶縁層をコーティングした状態
を示す断面図、第１０図は光遮断層を形成した状態を示
す断面図、第１１〜１３図は光遮断層を形成した場合に
おける化学的蝕刻法の工程をそれぞれ順次示す断面図で
ある。 １１：絶縁基板、１２：被蝕刻体としての導体層、１３
：耐エツチングのマスク層、１７：サイドエツチング部
分、１８：耐蝕層、２８：絶縁層、２９：光遮断層。
の断面図、第３図はこの発明において最初のエツチング
をした状態を示す断面図、第４図はマスク層に光吸収微
粒子を付着させるための超音波バスを示す図、第５図は
光吸収層を形成した状態を示す断面図、第６図はサイド
エツチング部分を含めてポジタイプのフォトレジスト層
を形成した断面図、第７図はポジタイプのフォトレジス
ト層によって耐蝕層を形成した例を示す断面図、第８図
は第７図に対して２回目のエツチング処理を施した状態
を示す断面図、第９図は絶縁層をコーティングした状態
を示す断面図、第１０図は光遮断層を形成した状態を示
す断面図、第１１〜１３図は光遮断層を形成した場合に
おける化学的蝕刻法の工程をそれぞれ順次示す断面図で
ある。 １１：絶縁基板、１２：被蝕刻体としての導体層、１３
：耐エツチングのマスク層、１７：サイドエツチング部
分、１８：耐蝕層、２８：絶縁層、２９：光遮断層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被蝕刻体に所定パターンの耐エツチングマスク層を
形成する工程と、そのマスク層をマスクとして上記被蝕
刻体に対し化学的蝕刻を施す工程と上記被蝕刻体のマス
ク層と接する部分に光が達するのを防止する光遮断工程
及び上記化学的蝕刻の後にポジタイプのフォトレジスト
層を形成し、露光、現像して上記被蝕刻体に対しサイド
エツチングされた面にポジタイプのフォトレジスト層を
残して耐エツチングの耐蝕層を形成する工程と、その後
上記マスク層及び耐蝕層をマスクとして上記被蝕刻体に
対し再び化学的蝕刻を施す工程とを具備する化学的蝕刻
方法。 ２ 上記光遮断工程はマスク層の表面に光に吸収微粒子
層を形成する工程である特許請求の範囲第１項記載の化
学的蝕刻法。 ３ 上記光遮断工程はマスク層に染料を拡散する工程で
ある特許請求の範囲第１項記載の化学的蝕刻法。 ４ 上記光遮断工程は前記被蝕刻体とマスク層との間に
光遮断層を形成する工程と、その後において前記マスク
層を形成してそのマスク層にマスクされて前記光遮断層
を除去する工程とよりなる特許請求の範囲第１項記載の
化学的蝕刻法。 ５ 前記光遮断層は光を吸収する黒色、染料を含む層で
あることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の化学
的蝕刻法。 ６ 前記光遮断層は導体層であって被蝕刻体に対するエ
ツチングに対しては耐蝕性の材料であることを特徴とす
る特許請求の範囲第４項記載の化学的蝕刻法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55090927A JPS5815537B2 (ja) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | 化学的蝕刻方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55090927A JPS5815537B2 (ja) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | 化学的蝕刻方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5716169A JPS5716169A (en) | 1982-01-27 |
| JPS5815537B2 true JPS5815537B2 (ja) | 1983-03-26 |
Family
ID=14012060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55090927A Expired JPS5815537B2 (ja) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | 化学的蝕刻方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815537B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58204176A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-28 | Kangiyou Denki Kiki Kk | 化学的蝕刻方法 |
| JPS59127897A (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-23 | 富士ゼロックス株式会社 | 厚膜パタ−ンの形成方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5341625B2 (ja) * | 1972-06-01 | 1978-11-06 | ||
| JPS5222339B2 (ja) * | 1972-06-01 | 1977-06-16 | ||
| JPS5037374A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-08 | ||
| JPS5377848A (en) * | 1976-12-21 | 1978-07-10 | Showa Denko Kk | Etching method that prevent side etch |
-
1980
- 1980-07-02 JP JP55090927A patent/JPS5815537B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5716169A (en) | 1982-01-27 |
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