JPS58170729A - ヒドロキシカルコン類の合成法 - Google Patents
ヒドロキシカルコン類の合成法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はヒドロキシカルコンおよびその誘導体の合成法
に関する。
に関する。
ヒドロキシカルコンおよびその誘導体は、胃腸潰瘍や腫
瘍の治療薬、消炎剤、および種々の医薬。
瘍の治療薬、消炎剤、および種々の医薬。
農薬などの合成中間体として、その重要性が最近とみに
増している。
増している。
すでに、アルカリの存在下にフェノールとハロホルムと
を反応させてヒドロキシベンズアルデヒドを合成し、こ
れをアセトフェノンおよびその誘導体と反応させてヒド
ロキシカルコンおよヒソノ誘導体を合成する方法は公知
であった。また、アルカリの存在下にヒドロキシベンズ
アルデヒドを四ハロゲン化炭素と反応させてヒドロキシ
ホルミル安息香酸を合成し、これをアセトフェノンおよ
びその誘導体と反応させて、カルボキシル基を有するヒ
ドロキシカルコン四導体を合成する方法も公知であった
。しかしながら、後述の比較例に見られるように、上述
の方法で合成を実施すると。
を反応させてヒドロキシベンズアルデヒドを合成し、こ
れをアセトフェノンおよびその誘導体と反応させてヒド
ロキシカルコンおよヒソノ誘導体を合成する方法は公知
であった。また、アルカリの存在下にヒドロキシベンズ
アルデヒドを四ハロゲン化炭素と反応させてヒドロキシ
ホルミル安息香酸を合成し、これをアセトフェノンおよ
びその誘導体と反応させて、カルボキシル基を有するヒ
ドロキシカルコン四導体を合成する方法も公知であった
。しかしながら、後述の比較例に見られるように、上述
の方法で合成を実施すると。
目的物の収率は非常に小さく、シかも多量の副生成物が
副生ずる。
副生ずる。
本発明は、上記の反応系にシクロデキストリンを添加す
ることKより、目的生成物であるヒドロである。
ることKより、目的生成物であるヒドロである。
すなわち1本発明者らは、フェノールと水酸化ナトリウ
ムまたは水酸化カリウムの水溶液にシクロデキストリン
を加え、溶解せしめた後に、ハロホルムおよびアセトフ
ェノンまたはその誘導体を順次加えるか、あるいはハロ
ホルム、四ハロゲン化炭素およびアセトフェノンまたは
その誘導体を順次加えることによジヒドロキシカルコン
およびその誘導体を高収率、高選択性で合成するととに
成功した。本発明における目的物であるヒドロキシカル
コンまたはその誘導体の収率および選択率はいずれもほ
ぼ1001である。
ムまたは水酸化カリウムの水溶液にシクロデキストリン
を加え、溶解せしめた後に、ハロホルムおよびアセトフ
ェノンまたはその誘導体を順次加えるか、あるいはハロ
ホルム、四ハロゲン化炭素およびアセトフェノンまたは
その誘導体を順次加えることによジヒドロキシカルコン
およびその誘導体を高収率、高選択性で合成するととに
成功した。本発明における目的物であるヒドロキシカル
コンまたはその誘導体の収率および選択率はいずれもほ
ぼ1001である。
明細書に記載するアセトフェノンの誘導体とは。
たとえばヒドロキシアセトフェノン、メチルアセトフェ
ノン、ニトロアセトフェノン、カルボキシアセトフェノ
ン、スルホアセトフェノン、カルボキシアルコキシアセ
トフェノンおよびスルホアルコキシアセトフェノンなど
である。
ノン、ニトロアセトフェノン、カルボキシアセトフェノ
ン、スルホアセトフェノン、カルボキシアルコキシアセ
トフェノンおよびスルホアルコキシアセトフェノンなど
である。
本発明においては9反応試薬の添加順序が、生成するヒ
ドロキシカルコンおよびその誘導体の構造に重要な影響
をも九らす。すなわち、*施例1に見られるように、シ
クロデキストリンを含むフェノールのアルカリ水溶液に
、ハロホルム、アセトフェノンオたはその誘導体をこの
順序に加えて反応せしめると、4−ヒドロキシカルコン
またはその誘導体がほぼ100チの選択率で得られる。
ドロキシカルコンおよびその誘導体の構造に重要な影響
をも九らす。すなわち、*施例1に見られるように、シ
クロデキストリンを含むフェノールのアルカリ水溶液に
、ハロホルム、アセトフェノンオたはその誘導体をこの
順序に加えて反応せしめると、4−ヒドロキシカルコン
またはその誘導体がほぼ100チの選択率で得られる。
実施例2に見られるように、シクロデキストリンを含む
フェノールのアルカリ水溶液に、ハロホルム。
フェノールのアルカリ水溶液に、ハロホルム。
四ハロゲン化炭素、アセトフェノンまたはその誘導体を
この順序に加えて反応せしめると、4−ヒドロキシ−3
−カルボキシカルコンまたはその誘導体がほぼ1001
sの選択率で得られる。また実施例3に見られるように
、シクロデキストリンを含むフェノールのアルカリ水溶
液に、四ハロゲン化炭素、アセトフェノンまたはその誘
導体をこの順序に加えて反応せしめると、2−ヒドロキ
シ−5−カルボキシカルコンまたはその誘導体が、はぼ
100−の選択率で得られる。ただし1反応試薬の添加
の際には、それ以前に加えた異種の反応試薬と7エノー
ルあるいはそれに由来する反応中間体との反応の反応率
が50〜1009G、好ましくは95〜100嗟である
ことが1本発明の実施には望ましい。
この順序に加えて反応せしめると、4−ヒドロキシ−3
−カルボキシカルコンまたはその誘導体がほぼ1001
sの選択率で得られる。また実施例3に見られるように
、シクロデキストリンを含むフェノールのアルカリ水溶
液に、四ハロゲン化炭素、アセトフェノンまたはその誘
導体をこの順序に加えて反応せしめると、2−ヒドロキ
シ−5−カルボキシカルコンまたはその誘導体が、はぼ
100−の選択率で得られる。ただし1反応試薬の添加
の際には、それ以前に加えた異種の反応試薬と7エノー
ルあるいはそれに由来する反応中間体との反応の反応率
が50〜1009G、好ましくは95〜100嗟である
ことが1本発明の実施には望ましい。
シクロデキストリンとしては、g−シクロデキストリン
とβ−シクロデキストリンのいずれも用いることができ
る。シクロデキストリンの添加量としては、はぼ100
gIに近い選択率でヒドロキシカルコンまたはその誘導
体を得るためには2反応系中に存在するハロホルム、四
ハロゲン化炭素およびアセトフェノンt−#−はその誘
導体に対するモル比でα5以上が望ましいが、これ以下
の量のシクロデキストリン使用量でもヒドロキシカルコ
ンまたはその誘導体の生成の選択性の向上は達成される
。
とβ−シクロデキストリンのいずれも用いることができ
る。シクロデキストリンの添加量としては、はぼ100
gIに近い選択率でヒドロキシカルコンまたはその誘導
体を得るためには2反応系中に存在するハロホルム、四
ハロゲン化炭素およびアセトフェノンt−#−はその誘
導体に対するモル比でα5以上が望ましいが、これ以下
の量のシクロデキストリン使用量でもヒドロキシカルコ
ンまたはその誘導体の生成の選択性の向上は達成される
。
本発明における水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウ
ムの水溶液の濃度は0.1〜50重量−1好ましくは5
〜20−である。
ムの水溶液の濃度は0.1〜50重量−1好ましくは5
〜20−である。
シクロデキストリンは反応中に変化せず2反応後そのま
ま再使用が可能である。反応後9反応系を酸性にすると
溶解度の減少の丸めにシクロデキストリンが沈澱する。
ま再使用が可能である。反応後9反応系を酸性にすると
溶解度の減少の丸めにシクロデキストリンが沈澱する。
この清便な方法でシクロデキストリンの8割以上は回収
され1回収されたシクロデキストリンは完全に再使用に
九える。
され1回収されたシクロデキストリンは完全に再使用に
九える。
つぎに本発明を具体的に実施例をあげて説明するが、こ
れにより本発明を制限するものではない。
れにより本発明を制限するものではない。
実施例1
1.01i (10,6ミリモル)のフェノール(東京
化成工業株式会社製、特級試薬)と14.9(Z1ミl
Jモル)のβ−シクロデキストリン(半井化学薬品株式
会社製2%級試薬)を80w1lの1〇−水酸化ナトリ
ウム水溶液に溶かした。ここに1.517 (1&7ミ
リモル)のクロロホルム(東京化成工業株式会社製、4
I!級試薬)を滴下しつつ1反応液を磁気かくはん機を
用いてかくはんし、70℃で10時間反応せしめた。次
に反応液を氷で十分に冷却した後に、 1.3 N
(10,8にリモル)のアセトフェノン(東京化成株式
会社製1%級試薬)を徐々に加え。
化成工業株式会社製、特級試薬)と14.9(Z1ミl
Jモル)のβ−シクロデキストリン(半井化学薬品株式
会社製2%級試薬)を80w1lの1〇−水酸化ナトリ
ウム水溶液に溶かした。ここに1.517 (1&7ミ
リモル)のクロロホルム(東京化成工業株式会社製、4
I!級試薬)を滴下しつつ1反応液を磁気かくはん機を
用いてかくはんし、70℃で10時間反応せしめた。次
に反応液を氷で十分に冷却した後に、 1.3 N
(10,8にリモル)のアセトフェノン(東京化成株式
会社製1%級試薬)を徐々に加え。
室温で10時間反応せしめた。その後9反応液を塩酸で
酸性にした後、50dのエーテルで3回抽出し、エーテ
ル層を水洗した後に乾燥し、zolIの生成物を得た。
酸性にした後、50dのエーテルで3回抽出し、エーテ
ル層を水洗した後に乾燥し、zolIの生成物を得た。
大倉理化学研究所製、701m、ガスクロマトグラフ(
充填剤、ガスクロ工業株式会社製。
充填剤、ガスクロ工業株式会社製。
ユニボー)IF;カラム長y2fi;カラム温度120
℃;キャリヤーガス、ヘリウム)で分析した結果、生成
物はすべて4−ヒドロキシカルコンであった。すなわち
、目的物の収率は96モル一であり1選択率は100−
であった。
℃;キャリヤーガス、ヘリウム)で分析した結果、生成
物はすべて4−ヒドロキシカルコンであった。すなわち
、目的物の収率は96モル一であり1選択率は100−
であった。
実施例2
1.5g(125,9ミリモル)のフェノールと0.9
9(O,SO<リモル)のp−シクロデキストリンを8
0H1の2〇−水酸化ナトリウム水溶液に溶かし。
9(O,SO<リモル)のp−シクロデキストリンを8
0H1の2〇−水酸化ナトリウム水溶液に溶かし。
この中に0.016+(0,16<!jモル)の銅粉を
加え九。
加え九。
ここに94 (20,0<リモル)の四塩化炭素(東京
化成工業株式会社製、特級試葺)を滴下しつつ。
化成工業株式会社製、特級試葺)を滴下しつつ。
反応液を磁気かくはん機を用いてかくはんし、69℃で
10時間反応せしめ丸。次に、2aJ(24(1リモル
)のクロロホルムを徐々に滴下しつつ9反応液を磁気か
くはん機を用いてかくはんし、60℃で10時間反応せ
しめた。次に1反応液を氷で十分に冷却し死後に、2.
1(16,2ミリ岨ル)の4−ヒドロキシアセトフェノ
ン(東京化成株式会社製、4I級試薬)を徐々に加え、
室温で10時間反応せしめ九。その後1反応液を塩酸で
酸性にしたII、 50′ILlのエーテルで3回抽
出し、エーテル層を水洗した後に乾燥し、16gの生成
物を得た。
10時間反応せしめ丸。次に、2aJ(24(1リモル
)のクロロホルムを徐々に滴下しつつ9反応液を磁気か
くはん機を用いてかくはんし、60℃で10時間反応せ
しめた。次に1反応液を氷で十分に冷却し死後に、2.
1(16,2ミリ岨ル)の4−ヒドロキシアセトフェノ
ン(東京化成株式会社製、4I級試薬)を徐々に加え、
室温で10時間反応せしめ九。その後1反応液を塩酸で
酸性にしたII、 50′ILlのエーテルで3回抽
出し、エーテル層を水洗した後に乾燥し、16gの生成
物を得た。
生成物の赤外吸収スペクトルを日本分光株式会社製IR
4型分光光度計により、また”H−NMRスペクトルを
日本電子株式会社製PS−100型高分解能スペクトロ
メータにより測定した結果、生成物の赤外吸収および”
H−NMRスペクトルは。
4型分光光度計により、また”H−NMRスペクトルを
日本電子株式会社製PS−100型高分解能スペクトロ
メータにより測定した結果、生成物の赤外吸収および”
H−NMRスペクトルは。
いずれも2.4−ジヒドロキシ−5−カルボキシカルコ
ンの標準サンプルのスペクトルと一致した。
ンの標準サンプルのスペクトルと一致した。
すなわち、目的物の収率は87モルチであシ1選択率は
100−であった。
100−であった。
実施例3
Ll (1s、eンリモル)のフェノールと0.9g(
O,SOミリモル)のβ−シクロデキストリンを80a
jの2〇−水酸化ナトリウム水溶液に溶かし。
O,SOミリモル)のβ−シクロデキストリンを80a
jの2〇−水酸化ナトリウム水溶液に溶かし。
この中に0.01N(α16きリモル)の銅粉を加えた
。ここに2iu(240(リモル)のクロロホルムを滴
下しつつ2反応液を磁気かくはん機を用いてかくはんし
、60℃で10時間反応せしめた。次に2” (20,
0ミ’)モル)の四塩化炭素を徐々に滴下しつつ9反応
液を磁気かくはん機を用いてかくはんし、60℃で10
時間反応せしめた。次に9反応液を氷で十分に冷却した
後に、 12II(16,2< IJモル)の4−ヒ
ドロキシアセトフェノン(東京化成株式会社製、49級
試薬)を徐々に加え、iii温で10時間反応せしめた
。その後2反応液を塩酸で一酸性にした後、50−のエ
ーテルで3回抽出し。
。ここに2iu(240(リモル)のクロロホルムを滴
下しつつ2反応液を磁気かくはん機を用いてかくはんし
、60℃で10時間反応せしめた。次に2” (20,
0ミ’)モル)の四塩化炭素を徐々に滴下しつつ9反応
液を磁気かくはん機を用いてかくはんし、60℃で10
時間反応せしめた。次に9反応液を氷で十分に冷却した
後に、 12II(16,2< IJモル)の4−ヒ
ドロキシアセトフェノン(東京化成株式会社製、49級
試薬)を徐々に加え、iii温で10時間反応せしめた
。その後2反応液を塩酸で一酸性にした後、50−のエ
ーテルで3回抽出し。
エーテル層を水洗した後に乾燥し、&7gの生成物を得
た。生成物の赤外吸収およびH−NMRスペクトルは、
いずれも4.4′−ヒドロキシ−3−カルボキシカルコ
ンの標準サンプルのスペクトルと一致した。すなわち、
目的物の収率は91モル嗟であり1選択率は100Is
でありた。
た。生成物の赤外吸収およびH−NMRスペクトルは、
いずれも4.4′−ヒドロキシ−3−カルボキシカルコ
ンの標準サンプルのスペクトルと一致した。すなわち、
目的物の収率は91モル嗟であり1選択率は100Is
でありた。
比較例1
2.4.9のβ−シクロデキストリンを使用しない点以
外は、実施例1と同様の操作を行ない、14jの生成物
を得た。大倉理化学研究所製、701型ガスクロマトグ
ラフ(充填剤、ガスクロ工業株式会社製、ユニポートH
P:カラム長、2累;カラムlit 140℃;キャリ
ヤーガス、ヘリウム)で分析した結果、生成物は4−ヒ
ドロキシカルコン、2−ヒドロキシカルコン、4−ヒド
ロキシベンズアルデヒドおよび2−ヒドロキシベンズア
ルデヒドの混合物であった。目的物の収率は10モル−
でToや9選択率は16チであった。
外は、実施例1と同様の操作を行ない、14jの生成物
を得た。大倉理化学研究所製、701型ガスクロマトグ
ラフ(充填剤、ガスクロ工業株式会社製、ユニポートH
P:カラム長、2累;カラムlit 140℃;キャリ
ヤーガス、ヘリウム)で分析した結果、生成物は4−ヒ
ドロキシカルコン、2−ヒドロキシカルコン、4−ヒド
ロキシベンズアルデヒドおよび2−ヒドロキシベンズア
ルデヒドの混合物であった。目的物の収率は10モル−
でToや9選択率は16チであった。
比較例2
α9p(0,80ミリモル)の−一シクロデキストリン
を使用しない点以外は、実施例2と同様の操作を行ない
、α3gの生成物を得た。生成物の”H−NMRスペク
トルには、カルコン類に帰属されるビニルプロトンのシ
グナルは検出されなかった。すなわち、目的物の収率は
0チであった。
を使用しない点以外は、実施例2と同様の操作を行ない
、α3gの生成物を得た。生成物の”H−NMRスペク
トルには、カルコン類に帰属されるビニルプロトンのシ
グナルは検出されなかった。すなわち、目的物の収率は
0チであった。
比較例3
0.9g(0,80℃リモル)の−一シクロデキストリ
ンを使用しない点以外は、集麹例3と同様の操作を行な
い、0.2gの生成物を得た。生成物の1H−NMRス
ペクトルには、カルコン類に帰属されるビニルプロトン
のシグナルは検出されなかった。
ンを使用しない点以外は、集麹例3と同様の操作を行な
い、0.2gの生成物を得た。生成物の1H−NMRス
ペクトルには、カルコン類に帰属されるビニルプロトン
のシグナルは検出されなかった。
すなわち、目的物の収率は〇−であった。
特許出願人 平井英史
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 水酸化す) IJウムを九は水酸化カリウムの存在下に
、フェノールに対してハロホルムおよびアセトフェノン
またはその誘導体を順次反応させるか。 あるいはハロホルム、四ハロゲン化炭素、およびアセト
フェノンまたはその誘導体を順次反応させるにあたり、
シクロデキストリンを触媒として用いることによりヒド
ロキシカルコンおよびその誘導体を高選択的に製造する
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57051072A JPS58170729A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | ヒドロキシカルコン類の合成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57051072A JPS58170729A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | ヒドロキシカルコン類の合成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58170729A true JPS58170729A (ja) | 1983-10-07 |
| JPH0136815B2 JPH0136815B2 (ja) | 1989-08-02 |
Family
ID=12876600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57051072A Granted JPS58170729A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | ヒドロキシカルコン類の合成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58170729A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1985003701A1 (fr) * | 1984-02-14 | 1985-08-29 | Hidefumi Hirai | PROCEDE DE PREPARATION DE DERIVES DE PHENOL p-SUBSTITUE |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57051072A patent/JPS58170729A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| DIE MARKROMOLEKULARE CHEMIE RAPID DOMMUNICATIONS=1981 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1985003701A1 (fr) * | 1984-02-14 | 1985-08-29 | Hidefumi Hirai | PROCEDE DE PREPARATION DE DERIVES DE PHENOL p-SUBSTITUE |
| US4663478A (en) * | 1984-02-14 | 1987-05-05 | Hidefuni Hirai | Process for producing a para-substituted phenol derivative |
| EP0173748B1 (en) * | 1984-02-14 | 1990-01-03 | HIRAI, Hidefumi | Process for producing substituted unsaturated six-membered ring compounds from phenol derivatives |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0136815B2 (ja) | 1989-08-02 |
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