JPS58172232A - 光導電性薄膜の製造方法 - Google Patents
光導電性薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS58172232A JPS58172232A JP57054049A JP5404982A JPS58172232A JP S58172232 A JPS58172232 A JP S58172232A JP 57054049 A JP57054049 A JP 57054049A JP 5404982 A JP5404982 A JP 5404982A JP S58172232 A JPS58172232 A JP S58172232A
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- JP
- Japan
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- thin film
- photoconductive
- film
- cds
- photoconductive thin
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景〕
本発明は、光導電性薄膜の製造方法に関し、さらに詳し
くは、等倍型光センサーなどの画像読取り装置に用いら
れる優れた光感度特性を有し、かつ光応答速度の速いＣ
ｄＳ光導電性薄膜の製造方法に関する。
くは、等倍型光センサーなどの画像読取り装置に用いら
れる優れた光感度特性を有し、かつ光応答速度の速いＣ
ｄＳ光導電性薄膜の製造方法に関する。
ファックシミリなどの画像読取り装置あるいは電子１真
用感光体などに使用される光導電性薄膜としては、Ｃｄ
８．ＣｄＳｅあるいはＣｄ５ｅ−Ｃｄ８積層体から構成
される薄膜が従来から知られている。しかしながら、こ
れまでの光導電性膜は、光感度特性、光応答速度、製造
コストの点で完全には満足できるものではなく、一層の
改善が強く望まれていた。たとえばＣｄＳ薄膜について
は、光感度が高いことは知られているが、光応答速度が
遅いという欠点を有していた。また、Ｃｄ５−ＣｄＳｅ
積層膜では、高感度、高光応答速度が達成できるものの
、製造コストが増大し、製造工程も複雑となる。
用感光体などに使用される光導電性薄膜としては、Ｃｄ
８．ＣｄＳｅあるいはＣｄ５ｅ−Ｃｄ８積層体から構成
される薄膜が従来から知られている。しかしながら、こ
れまでの光導電性膜は、光感度特性、光応答速度、製造
コストの点で完全には満足できるものではなく、一層の
改善が強く望まれていた。たとえばＣｄＳ薄膜について
は、光感度が高いことは知られているが、光応答速度が
遅いという欠点を有していた。また、Ｃｄ５−ＣｄＳｅ
積層膜では、高感度、高光応答速度が達成できるものの
、製造コストが増大し、製造工程も複雑となる。
本発明は、上述した欠点を一挙に解決しようとするもの
であり、特に、ファクシミリ等の光源として使用される
光に対する光感度が高く、かつ光応答速度の速い光導電
性薄膜の経済的な製造方法を提供することを目的として
いる。
であり、特に、ファクシミリ等の光源として使用される
光に対する光感度が高く、かつ光応答速度の速い光導電
性薄膜の経済的な製造方法を提供することを目的として
いる。
本発明による方５法は、上記目的の達成のために、絶縁
性基板上に、ＣｄＳ 薄膜を、１〜２０Ｐａの圧力およ
び１００〜３００℃の基板温度のスノくツタ法により、
０，５〜１０μｍの膜厚で積層し、次いでこのＣｄ８
薄膜を不活性ガス雰囲気中で３００〜６００℃の温度で
熱処理することを特徴としているＯ〔発明の詳細な説明
〕 以下、添付図面を参照して本発明の実施例について詳述
する。図面は、本発明の方法によって製造される光導電
性薄膜の等倍光センサーの断面を示すものである。
性基板上に、ＣｄＳ 薄膜を、１〜２０Ｐａの圧力およ
び１００〜３００℃の基板温度のスノくツタ法により、
０，５〜１０μｍの膜厚で積層し、次いでこのＣｄ８
薄膜を不活性ガス雰囲気中で３００〜６００℃の温度で
熱処理することを特徴としているＯ〔発明の詳細な説明
〕 以下、添付図面を参照して本発明の実施例について詳述
する。図面は、本発明の方法によって製造される光導電
性薄膜の等倍光センサーの断面を示すものである。
本発ｖ！４において、Ｃｄ８ 薄膜２はガラス、セラミ
ック等の絶縁性基板１上に、１〜２０Ｐａの圧力および
１００〜３００℃の基板温度というスノ（ツタ１］ング
条件下で、０．５〜１０μｍの膜厚で積層される。
ック等の絶縁性基板１上に、１〜２０Ｐａの圧力および
１００〜３００℃の基板温度というスノ（ツタ１］ング
条件下で、０．５〜１０μｍの膜厚で積層される。
Ｃｄ８ 薄膜２″４！：形成後、アルゴン雰囲気中にお
いて、４００〜６００℃の温度で、（資）〜υ分間熱処
理を行う。また、上記熱処理を、鋼および／または塩素
な含む雰囲気中で行うことは、光電変換特性を改良する
上で好ましい。この鋼、塩素は、活性化剤として使用さ
れるものであり、塩化鋼（ＣｕＣ１ｇ）、あるいは銅お
よび／または塩素を含むＣｄ８粉末を原料として用いる
ことが好ましい。
いて、４００〜６００℃の温度で、（資）〜υ分間熱処
理を行う。また、上記熱処理を、鋼および／または塩素
な含む雰囲気中で行うことは、光電変換特性を改良する
上で好ましい。この鋼、塩素は、活性化剤として使用さ
れるものであり、塩化鋼（ＣｕＣ１ｇ）、あるいは銅お
よび／または塩素を含むＣｄ８粉末を原料として用いる
ことが好ましい。
出願人はいかなる理論にも拘束されることを望まないが
、上記鋼、塩素の添加により光電変換特性が向上する理
由は以下の様に考えられる。
、上記鋼、塩素の添加により光電変換特性が向上する理
由は以下の様に考えられる。
すなわち、銅、塩素を含有する雰囲気で熱処理したＣｄ
５Ｉｘでは、塩素がＣｄと低融点の化合物を形成し、鋼
をＣｄＳ中に入り込みやすくするため、鋼がＣｄＳ中で
再結合中心として有効に働き、その結果、光応答の立上
がり、立下がり時間が１ｍ３以下の速い時定数をもつ光
導電性薄膜を得ることができるものと考えられる。また
、Ｃｄａ 中に入った塩素は、トラップ中心として有効
に働くので、高感度化に寄与・する。
５Ｉｘでは、塩素がＣｄと低融点の化合物を形成し、鋼
をＣｄＳ中に入り込みやすくするため、鋼がＣｄＳ中で
再結合中心として有効に働き、その結果、光応答の立上
がり、立下がり時間が１ｍ３以下の速い時定数をもつ光
導電性薄膜を得ることができるものと考えられる。また
、Ｃｄａ 中に入った塩素は、トラップ中心として有効
に働くので、高感度化に寄与・する。
以上のようにして得られた光導電性薄膜をフォトエツチ
ング法により所望の形状に形成する。エツチング剤とし
ては、クエン酸とヨウ化カリウムの混液、または塩酸と
エチルアルコールの混液が好ましく用いられる。
ング法により所望の形状に形成する。エツチング剤とし
ては、クエン酸とヨウ化カリウムの混液、または塩酸と
エチルアルコールの混液が好ましく用いられる。
その後、所望の形状の金属電極膜３を形成する。
電極材料としては、ＮｉＣｒ 、Ｎｉ 、Ｃｒ 、ＡＩ
、人ＵまたはＴ＠等の金属を単独であるいは積層して
用いることができるが、特にＮｉＣｒ−Ａｕの構成力を
好ましい。
、人ＵまたはＴ＠等の金属を単独であるいは積層して
用いることができるが、特にＮｉＣｒ−Ａｕの構成力を
好ましい。
この金属電極膜３の形成後、全面を、ガラス、酸化ケイ
素、プラスチックなどからなる絶縁性保護膜４で被覆す
る。このようにして本発明の構成による等倍光センサー
は完成する。
素、プラスチックなどからなる絶縁性保護膜４で被覆す
る。このようにして本発明の構成による等倍光センサー
は完成する。
本発明の製造方法によって製造される光導電性のＣｄＳ
薄膜は、光感度の優れたＣｄ８膜の特性と、加熱活性化
処理によって改善された光応答速度γ有している。さら
にＣｄ８−Ｃｄ８ｅ 積層膜に比べて、製造工程が簡
易であって、製造コストも大巾に低減しうる。
薄膜は、光感度の優れたＣｄ８膜の特性と、加熱活性化
処理によって改善された光応答速度γ有している。さら
にＣｄ８−Ｃｄ８ｅ 積層膜に比べて、製造工程が簡
易であって、製造コストも大巾に低減しうる。
本発明のこの光導電性薄膜は、等倍光センサー、特にフ
ァククミリ光源に対して高感度を有し、応答速度の速い
等倍光センサーとして有用であるばかりでなく、カール
ソンプロセス等の感光体としても優れたものである。
ァククミリ光源に対して高感度を有し、応答速度の速い
等倍光センサーとして有用であるばかりでなく、カール
ソンプロセス等の感光体としても優れたものである。
図面は、本発明の方法によって得られる光導電性薄膜の
等倍光センサーの断面図である。 １・・・絶縁性基板、２・・・ＣｄＳ 膜、３・・・金
属電極膜、４・・・絶縁性保護膜。 出顕人代理人 猪 股 清
等倍光センサーの断面図である。 １・・・絶縁性基板、２・・・ＣｄＳ 膜、３・・・金
属電極膜、４・・・絶縁性保護膜。 出顕人代理人 猪 股 清
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基板上に、ＣｄＳ ＷＩＨ’に：、１〜２０
Ｐａの圧力および１００〜３００ Ｃの基板温度でスパ
ッタ法により、０．５〜１０ｐｍ の膜厚で積層し、
次いでこのＣｄＳ薄膜を不活性ガス雰囲気中で３００〜
６００℃の温度で熱処理することを特徴とする光導電性
薄膜の製造方法。 ２不活性ガスとして、アルゴンを用いることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ３、ＣｄＳ 薄膜の熱処理を、銅、塩素の少なくとも−
を含む雰囲気中で行うことを特徴とする特許請求の範囲
第１項または第２項に記載の方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57054049A JPS58172232A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 光導電性薄膜の製造方法 |
| US06/759,508 US4788522A (en) | 1982-01-20 | 1985-07-26 | Image sensing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57054049A JPS58172232A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172232A true JPS58172232A (ja) | 1983-10-11 |
Family
ID=12959747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57054049A Pending JPS58172232A (ja) | 1982-01-20 | 1982-04-01 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58172232A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0198267A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサの製造方法 |
| JPH0198271A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサの製造方法 |
-
1982
- 1982-04-01 JP JP57054049A patent/JPS58172232A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0198267A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサの製造方法 |
| JPH0198271A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサの製造方法 |
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