JPS58178543A - 電子回路用基体の製造方法 - Google Patents
電子回路用基体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58178543A JPS58178543A JP57062097A JP6209782A JPS58178543A JP S58178543 A JPS58178543 A JP S58178543A JP 57062097 A JP57062097 A JP 57062097A JP 6209782 A JP6209782 A JP 6209782A JP S58178543 A JPS58178543 A JP S58178543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic circuit
- pattern
- leads
- piece
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/481—Leadframes for devices being provided for in groups H10D8/00 - H10D48/00
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は絶縁体から成る電子回路用基体の製造方法に関
し、特に基体上にアイソレートパターンを具え、さらに
外部引出用金属リードを具備する電子回路用基体の電解
メッキ方法に関するものである。
し、特に基体上にアイソレートパターンを具え、さらに
外部引出用金属リードを具備する電子回路用基体の電解
メッキ方法に関するものである。
従来電子回路用基体でアイソレートパターン讐具えたも
のにメッキ１に施す方法としては前記リードの外端を支
持して枠組みとするリードフレームをメッキ用電極に接
続せしめ、このリードとアイソレートパターンとに銅の
細線等を接触するように巻きあげてアイソレートパター
ンの導通をとりリードフレームと基体に施されたメタフ
ィズ部にニッケルメッキしさらに金メッキを施す方法が
用いられた。しかし細線をまく作業は非能率であり不安
定な面もあり、煩雑であった。特にこの巻きあげた細線
と金属リードとの接点はメッキさねないでピンホール状
となって残ったり、極端な場合にはリードを構成する金
属がむき出した状態となり、肉眼で見える程度のｍ＃と
なりたり、また細線の巻き方によってはリード或はアイ
ソレートパターンに細線が充分接触しない場合もあり、
メツキネ良を生じ歩留の低下を招く不具合があった。
のにメッキ１に施す方法としては前記リードの外端を支
持して枠組みとするリードフレームをメッキ用電極に接
続せしめ、このリードとアイソレートパターンとに銅の
細線等を接触するように巻きあげてアイソレートパター
ンの導通をとりリードフレームと基体に施されたメタフ
ィズ部にニッケルメッキしさらに金メッキを施す方法が
用いられた。しかし細線をまく作業は非能率であり不安
定な面もあり、煩雑であった。特にこの巻きあげた細線
と金属リードとの接点はメッキさねないでピンホール状
となって残ったり、極端な場合にはリードを構成する金
属がむき出した状態となり、肉眼で見える程度のｍ＃と
なりたり、また細線の巻き方によってはリード或はアイ
ソレートパターンに細線が充分接触しない場合もあり、
メツキネ良を生じ歩留の低下を招く不具合があった。
さらにピンホール等を原因として発生する金属リードの
応力腐食割れの現課があり、そのためメッキ作業を２度
に分けて所定のメッキ厚みの中途で且 一＼メッキ作業を中断し、洗滌作業を行い乾燥させて後
導通用細Ｍをはづし、接触場所を変えて細線の巻き直し
を行い、再度メッキを施して初回のピンホール部をメッ
キ被覆するようにして所Ｗメッキ厚を得て後軸ｋａをは
ずすというような煩雑なメッキ作業を行う始末であった
。
応力腐食割れの現課があり、そのためメッキ作業を２度
に分けて所定のメッキ厚みの中途で且 一＼メッキ作業を中断し、洗滌作業を行い乾燥させて後
導通用細Ｍをはづし、接触場所を変えて細線の巻き直し
を行い、再度メッキを施して初回のピンホール部をメッ
キ被覆するようにして所Ｗメッキ厚を得て後軸ｋａをは
ずすというような煩雑なメッキ作業を行う始末であった
。
本発明は上記の現状に鑑み煩雑な作業を大巾に省略する
能率的且つ確実なメッキ作業の方法を提供するものであ
る。
能率的且つ確実なメッキ作業の方法を提供するものであ
る。
本発明はアイソレートパターンを具えた電子回路用基体
にリードをろう付は後ニッケルメッキまたは金メッキを
施す有効な方法を提供するものであり、以下図面にもと
づいて実施例を詳説する。
にリードをろう付は後ニッケルメッキまたは金メッキを
施す有効な方法を提供するものであり、以下図面にもと
づいて実施例を詳説する。
第１図は超高周波トランジスター用パッケージの製品の
平面図であり、第２図はそのＡ−Ａ線断面図である。第
１図に示すようにリード８は一端を基体ｌにろう付けさ
れる。！８図は本発明の製造法の一段階での伏頗の斜視
図であって、第４図はその要部の拡大図である。生テー
プにスクリーン印刷法により所望のメタライズパターン
を印刷しデー１ｍｍ法にＸり積層焼結し、各基体ｌに切
断分離した後その上面にｔｉｌｔ第２図に示すようにＮ
１メッキ等で形成されたアイソレートパターン６′ｌｔ
具え、リード部２とこれを支持するリードフレーム４を
一体とした枠体を該リード部２の基端で前記のごとく基
体１にろう付けする。５はリードフレーム４に並設され
たダミーリード片である。今リードフレーム４の一つの
枠辺９を隅に近い切断点ｌＯで切断して片持ちの状態に
形成する。その先端部１４は逆Ｖ字状の形状をなし、尖
った凸部をもつ形状に成形する。上記の片持ち状から第
４図に示すようにその本体をループ状などに曲成して断
片１１を形成し、その先端部１４が一旦アイソレートパ
ターン６０面より下方の位置をとるよう強制してこの位
置への復元性を該断片１１に与えてから前記先端部１４
ｔアイソレートパターン６の上面部に接触させる。この
操作により金＃Ａ素材から成る枠辺９の断片１１はその
先端部１４で弾力的にアイソレートパターンに接触する
ことができる。このｌ：Ｅ接状ｇＶｉ安定的で確実であ
る。切断点１０の位ｇｔは断片１１が充分上記の曲成と
接触を可能とする長さをもつ工うえらぶこととする。
平面図であり、第２図はそのＡ−Ａ線断面図である。第
１図に示すようにリード８は一端を基体ｌにろう付けさ
れる。！８図は本発明の製造法の一段階での伏頗の斜視
図であって、第４図はその要部の拡大図である。生テー
プにスクリーン印刷法により所望のメタライズパターン
を印刷しデー１ｍｍ法にＸり積層焼結し、各基体ｌに切
断分離した後その上面にｔｉｌｔ第２図に示すようにＮ
１メッキ等で形成されたアイソレートパターン６′ｌｔ
具え、リード部２とこれを支持するリードフレーム４を
一体とした枠体を該リード部２の基端で前記のごとく基
体１にろう付けする。５はリードフレーム４に並設され
たダミーリード片である。今リードフレーム４の一つの
枠辺９を隅に近い切断点ｌＯで切断して片持ちの状態に
形成する。その先端部１４は逆Ｖ字状の形状をなし、尖
った凸部をもつ形状に成形する。上記の片持ち状から第
４図に示すようにその本体をループ状などに曲成して断
片１１を形成し、その先端部１４が一旦アイソレートパ
ターン６０面より下方の位置をとるよう強制してこの位
置への復元性を該断片１１に与えてから前記先端部１４
ｔアイソレートパターン６の上面部に接触させる。この
操作により金＃Ａ素材から成る枠辺９の断片１１はその
先端部１４で弾力的にアイソレートパターンに接触する
ことができる。このｌ：Ｅ接状ｇＶｉ安定的で確実であ
る。切断点１０の位ｇｔは断片１１が充分上記の曲成と
接触を可能とする長さをもつ工うえらぶこととする。
このような曲成加工と圧接加工を施したリードフレーム
４はその一辺に設けた係１Ｅ部１２の透孔１８によって
電解メッキ用フック（図示せず）等の電極に吊下接続し
て電解を行うことができる。第６図は別の実施例を示す
もので、リードフレーム４の外方に付設したダミーリー
ド片５はアイソレートパターン１６の幅より広幅の金属
片から成り、ダミーリード片５の先端部５を逆Ｗ字状に
成形加工して凸部を尖端状とする。このダミーリード片
５１曲成して前記実施例と仝様にしてバネ性を与えてア
イソレートパターン１６の上面部に接触させる。第７図
に示すようにこの先端部１５ｔｉアイソレートパターン
１６’を跨ぐように接触させることが好ましい。このと
き第６図に示すようにアインレートパターン１６０幅が
基体１の上面の幅より狭い場合でも先端部１５の逆Ｗ字
状の尖った中央凸出部がアイソレートパターンの上面部
に圧接して導通ｔとることができる。先端部の形状は逆
Ｗ字状のほか鱈歯状に成形加工することによって同様の
効果を発揮することかで負る。このようにして導通のた
めの加工処理を施した電子回路用基体の素材は前実施例
と仝様にリードフレームの係止部によって電解メッキ用
ラックに取り付けられ、メッキ処理を行い所望の製品と
する。
４はその一辺に設けた係１Ｅ部１２の透孔１８によって
電解メッキ用フック（図示せず）等の電極に吊下接続し
て電解を行うことができる。第６図は別の実施例を示す
もので、リードフレーム４の外方に付設したダミーリー
ド片５はアイソレートパターン１６の幅より広幅の金属
片から成り、ダミーリード片５の先端部５を逆Ｗ字状に
成形加工して凸部を尖端状とする。このダミーリード片
５１曲成して前記実施例と仝様にしてバネ性を与えてア
イソレートパターン１６の上面部に接触させる。第７図
に示すようにこの先端部１５ｔｉアイソレートパターン
１６’を跨ぐように接触させることが好ましい。このと
き第６図に示すようにアインレートパターン１６０幅が
基体１の上面の幅より狭い場合でも先端部１５の逆Ｗ字
状の尖った中央凸出部がアイソレートパターンの上面部
に圧接して導通ｔとることができる。先端部の形状は逆
Ｗ字状のほか鱈歯状に成形加工することによって同様の
効果を発揮することかで負る。このようにして導通のた
めの加工処理を施した電子回路用基体の素材は前実施例
と仝様にリードフレームの係止部によって電解メッキ用
ラックに取り付けられ、メッキ処理を行い所望の製品と
する。
叙上の構成により基体にろう付けされているリード部に
は何等電極の接触なしにメッキが可能であり、応力腐食
割れの原因であるピンホール會完全に除去し得るもので
ある。さらに金属素材のバネ性を利用した抑圧接触であ
るため電解メッキ中に接触部が移動したり離脱し′ｆＣ
，すするおそれなく特に幅広の片による外嵌的接触の圧
接では一層安定した確実な接触状態が保持される。リー
ド部には従来方法におけるごときピンホールは見られな
かった。またこの際もしアイソレートパターントの接触
部にピンホールが発生しても該パターンＶ（ＭｔＨされ
るシーリングやキャップ等により隠蔽されるため不都合
はない。リードフレームにメッキ作業終了後リード部端
で切断除去されるのでリードフレームの使用による不都
合な問題は何等生じない。
は何等電極の接触なしにメッキが可能であり、応力腐食
割れの原因であるピンホール會完全に除去し得るもので
ある。さらに金属素材のバネ性を利用した抑圧接触であ
るため電解メッキ中に接触部が移動したり離脱し′ｆＣ
，すするおそれなく特に幅広の片による外嵌的接触の圧
接では一層安定した確実な接触状態が保持される。リー
ド部には従来方法におけるごときピンホールは見られな
かった。またこの際もしアイソレートパターントの接触
部にピンホールが発生しても該パターンＶ（ＭｔＨされ
るシーリングやキャップ等により隠蔽されるため不都合
はない。リードフレームにメッキ作業終了後リード部端
で切断除去されるのでリードフレームの使用による不都
合な問題は何等生じない。
第１図は本発明の方法に工っで得らｎた超亮周波トフン
ジスタパッケージの平面図、第２図は第１図Ａ−Ａ線断
面図、第３図は本発明の方法の一実施例を示すリードフ
レームの枠辺断面を基体のアイソレートパターンに弾接
した状態の斜視図、第４図はその要部の拡大図、第５図
は別の実施例管示すリードフレームの斜視図、第６図は
そのダミーリード片を用いた導通状態の斜視図、第７図
はその要部の拡大図である。 ｌ・・・基体 ２・・・リード部 ８・・・リード ４
・・・リードフレーム ５・・・ダミーリード片 ６，
１６・・・アイソレートパターン ９・・・枠片 １１
・・・断片１４．１５・・・先端部 第３図 竿 ５ｒ″１ 第６図 第７図
ジスタパッケージの平面図、第２図は第１図Ａ−Ａ線断
面図、第３図は本発明の方法の一実施例を示すリードフ
レームの枠辺断面を基体のアイソレートパターンに弾接
した状態の斜視図、第４図はその要部の拡大図、第５図
は別の実施例管示すリードフレームの斜視図、第６図は
そのダミーリード片を用いた導通状態の斜視図、第７図
はその要部の拡大図である。 ｌ・・・基体 ２・・・リード部 ８・・・リード ４
・・・リードフレーム ５・・・ダミーリード片 ６，
１６・・・アイソレートパターン ９・・・枠片 １１
・・・断片１４．１５・・・先端部 第３図 竿 ５ｒ″１ 第６図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ０）アイソレートパターン金具え且つ外部引出し用金属
＋７ ＝、ａ；−をろう付けされた電子回路基体の製
造法であって、ｍ記す−ドの他端を支持するフレームの
任意の一辺をえらんで片持状に形成した断片か或は前記
フレームに対し一体に付設したダミーリード片のいずれ
かの片の先端部を前記アイソレートパターンに対し弾力
的ＶＣ接触するようその片を曲成して電解メッキを行う
ことを特徴とする電子回路用基体の製造方法。 （２） 前記弾力的に接触する片の先端部を逆Ｖ字状
に成形加工することを特徴とする特許請求の範囲＠１項
記載の電子回路用基体の製造方法１、（８） 前記弾
力的に接触する片の先端部を逆Ｗ字状或は鋸歯状に成形
加工することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
電子回路用基体の製造方法。 （４） 前記弾力的に接触する片の幅を前記アイソレ
ートパターンの幅より広幅としたことを特徴とする特許
請求の範囲ｖｇ１項乃至第８項いずｊか記載の電子回路
用基体の製造方法。 （６） 前記金属フレームの断片又はダミーリード片
を充分に折り曲げその状轢への復元時のバネ性を利用し
て前記アイソレートパターンに圧接させることを特徴と
する特許請求の範囲第１項乃至４ＥＪいずれか記載の電
子回路用基体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57062097A JPS58178543A (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 電子回路用基体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57062097A JPS58178543A (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 電子回路用基体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58178543A true JPS58178543A (ja) | 1983-10-19 |
| JPS641059B2 JPS641059B2 (ja) | 1989-01-10 |
Family
ID=13190202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57062097A Granted JPS58178543A (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 電子回路用基体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58178543A (ja) |
-
1982
- 1982-04-13 JP JP57062097A patent/JPS58178543A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS641059B2 (ja) | 1989-01-10 |
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