JPS58179023A - アナログスイツチ装置及びこれを用いたサンプルホ−ルド装置 - Google Patents
アナログスイツチ装置及びこれを用いたサンプルホ−ルド装置Info
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- JPS58179023A JPS58179023A JP57062041A JP6204182A JPS58179023A JP S58179023 A JPS58179023 A JP S58179023A JP 57062041 A JP57062041 A JP 57062041A JP 6204182 A JP6204182 A JP 6204182A JP S58179023 A JPS58179023 A JP S58179023A
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- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 10
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
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- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアナログスイッチ装置に関し、特にサンプルホ
ールド回路のサンプリングスイッチに用いるアナログス
イッチ装置に関する。
ールド回路のサンプリングスイッチに用いるアナログス
イッチ装置に関する。
サンプルホールド回路におけるサンプリングのためのア
ナログスイッチは、一般にFET (電界効果トランジ
スタ)素子が用いられるが、標準のバイポーラ集積回路
プロセスによれば、当該FETの製造のために余分の工
程が必要となり歩留りの低下やコスト増を招来して好ま
しくない。またPETの非導通制御のためには、ゲート
をソースよりも負にバイアスする電源が必要となり回路
が複雑化する欠点がある。
ナログスイッチは、一般にFET (電界効果トランジ
スタ)素子が用いられるが、標準のバイポーラ集積回路
プロセスによれば、当該FETの製造のために余分の工
程が必要となり歩留りの低下やコスト増を招来して好ま
しくない。またPETの非導通制御のためには、ゲート
をソースよりも負にバイアスする電源が必要となり回路
が複雑化する欠点がある。
本発明は、集積回路化に適しかつ高速動作が可能なサン
プリング用スイッチに用いて好適なアナログスイッチ装
置を提供することを目的としている○ 本発明によるアナログスイッチ装置は、スイッチング信
号により制御される差動スイッチ回路と、この差動スイ
ッチングの1対の第1及び第2の出力端に夫々電流を供
給するための第1及び第2の電流源と、第1の出力端と
信号入力端及び信号出力端との間において第1の電流源
出力に対し夫々順方向となるように設けられた1方向性
の第1及び第2の電流路と、第2の出力端と信号入力端
及び信号出力端との間において第2の電流源出力に対し
夫々逆方向となるように設けられた1方向性の第3及び
第4の電流路とを含むことを特徴とする○ かかるアナログスイッチ装置をサンプルホールド回路に
用いる場合には、当該信号入力端に被サンプリング信号
を低インピーダンスにて印加し、信号出力端にホールド
用コンデンサを付加するようにして、差動スイッチ回路
をサンプリングパルスによりコントロールするようにし
てなるものである。
プリング用スイッチに用いて好適なアナログスイッチ装
置を提供することを目的としている○ 本発明によるアナログスイッチ装置は、スイッチング信
号により制御される差動スイッチ回路と、この差動スイ
ッチングの1対の第1及び第2の出力端に夫々電流を供
給するための第1及び第2の電流源と、第1の出力端と
信号入力端及び信号出力端との間において第1の電流源
出力に対し夫々順方向となるように設けられた1方向性
の第1及び第2の電流路と、第2の出力端と信号入力端
及び信号出力端との間において第2の電流源出力に対し
夫々逆方向となるように設けられた1方向性の第3及び
第4の電流路とを含むことを特徴とする○ かかるアナログスイッチ装置をサンプルホールド回路に
用いる場合には、当該信号入力端に被サンプリング信号
を低インピーダンスにて印加し、信号出力端にホールド
用コンデンサを付加するようにして、差動スイッチ回路
をサンプリングパルスによりコントロールするようにし
てなるものである。
以下に本発明につき図面により説明する。
第1図は、本発明によるアナログスイッチ装置をサンプ
ルホールド回路に用いた場合の例を示している。被サン
プリング信号源1は低出力インピーダンスを有し、当該
信号INはスイッチ装置の信号入力端Aへ印加される。
ルホールド回路に用いた場合の例を示している。被サン
プリング信号源1は低出力インピーダンスを有し、当該
信号INはスイッチ装置の信号入力端Aへ印加される。
スイッチ装置の信号出力端Bと接地点との間にはホール
ドコンデンサ2が設けられており、このコンデンサ2に
よるホールド出力は高人力インピーダンスを有する出力
バノファ3を介してサンプルホールド出力OUTトなる
。
ドコンデンサ2が設けられており、このコンデンサ2に
よるホールド出力は高人力インピーダンスを有する出力
バノファ3を介してサンプルホールド出力OUTトなる
。
アナログスイッチ装置は、トランジスタ4,5及び電流
源6からなる電流切換型の差動スイッチ回路を有してお
り、1対の第1及び第2のコレクタ出力端C及びDには
、夫々これら各出力端C及びDに電流を供給するための
第1及び第2の電流源7及び8が設けられている。これ
ら電流源7及び8の電流値I、及びI2と差動スイッチ
回路の電流源6の電流値■。との間には、 Io−L + I2 ・・・(1)なる関係が
あるように各電流値が選定されている。
源6からなる電流切換型の差動スイッチ回路を有してお
り、1対の第1及び第2のコレクタ出力端C及びDには
、夫々これら各出力端C及びDに電流を供給するための
第1及び第2の電流源7及び8が設けられている。これ
ら電流源7及び8の電流値I、及びI2と差動スイッチ
回路の電流源6の電流値■。との間には、 Io−L + I2 ・・・(1)なる関係が
あるように各電流値が選定されている。
差動スイッチ回路の第1の出力端Cと信号入力端A及び
信号出力端Bとの各間には、第1及び第2の電流路9及
び10が夫々設けられており、これら両型流路9及び1
0は共に第1の電流源7の出力電流に対し順方向となる
ような一方向性素子からなる。また、第2の出力端■)
と信号入力端A及び信号出力端Bとの各間には、第3及
び第4の電流路11及び12が夫々設けられており、こ
れら両型流路11及び12は共に第2の電流源8の出力
電流に対し逆方向となるような一方向性素子からなる。
信号出力端Bとの各間には、第1及び第2の電流路9及
び10が夫々設けられており、これら両型流路9及び1
0は共に第1の電流源7の出力電流に対し順方向となる
ような一方向性素子からなる。また、第2の出力端■)
と信号入力端A及び信号出力端Bとの各間には、第3及
び第4の電流路11及び12が夫々設けられており、こ
れら両型流路11及び12は共に第2の電流源8の出力
電流に対し逆方向となるような一方向性素子からなる。
これら第1乃至第4の電流路9〜12の各の順方向性イ
ンピーダンスはすべて等しく設定されており、例えばル
個(nは自然数の1つ)のダイオードの直列接続構成と
される。
ンピーダンスはすべて等しく設定されており、例えばル
個(nは自然数の1つ)のダイオードの直列接続構成と
される。
ここで、差動スイッチ回路のトランジスタ4のペースに
は基準バイアスが、トランジスタ5のペースにはサンプ
リングパルスが夫々印加されているものとする。このサ
ンプリングパルスが高レベルの時、トランジスタ5がオ
ンとなり、トランジスタ4がオフとなる。この時、トラ
ンジスタ5には第2の電流源8の電流■2が流入するが
、(1)式の関係から(IO−I2)なる電流をトラン
ジスタ5は更に吸入し得る状態にある。従って、第3及
び第4の電流路のいずれか順バイアスされて(・る電流
路からL記(IO12)なる電流が流入する。一方、ト
ランジスタ4はオフであるから、第1の電流掠7の電流
■1は、第1及び第2の電流路の(・ずれか順バイアス
されている電流路へ流入することになる0 いま、信号入力端Aの電位VAが信号出力端Bの電位V
Bより大なる場合、第2の電流路10と第3の電流路1
1が順バイアス状態となり、他の電流路9と12とは逆
バイアス状態となる。その結果、信号源1側から(IO
I2)なる電流が電流路11を介してトランジスタ5へ
流入し、電流源7の電流■、が電流路10を介して信号
出力端のコンデンサ2へ流入し、ホールドコンデンサ2
を充電する。この時信号源1から電流(IOI2)が引
き抜かれるが、信号源の出力インピーダンスは小である
ために入力信号INの変動は無視し得る。コンデンサ2
の充電が進行して、 VA + V、 = VB + V、o−(2)となる
。ここに、V、 、 V、oは第1及び第2の電流路9
及び10の順方向電圧降下である。かかる状態では、す
べての電流路に流れている電流はII/2であって平衡
状態となる。電流路を構成するダイオードがすべて同一
特性であればV9−V+Oであるから(2)式より、V
A−VBとなり、入力信号電位■Aがコンデンサ2にサ
ンプリングされたことになる。
は基準バイアスが、トランジスタ5のペースにはサンプ
リングパルスが夫々印加されているものとする。このサ
ンプリングパルスが高レベルの時、トランジスタ5がオ
ンとなり、トランジスタ4がオフとなる。この時、トラ
ンジスタ5には第2の電流源8の電流■2が流入するが
、(1)式の関係から(IO−I2)なる電流をトラン
ジスタ5は更に吸入し得る状態にある。従って、第3及
び第4の電流路のいずれか順バイアスされて(・る電流
路からL記(IO12)なる電流が流入する。一方、ト
ランジスタ4はオフであるから、第1の電流掠7の電流
■1は、第1及び第2の電流路の(・ずれか順バイアス
されている電流路へ流入することになる0 いま、信号入力端Aの電位VAが信号出力端Bの電位V
Bより大なる場合、第2の電流路10と第3の電流路1
1が順バイアス状態となり、他の電流路9と12とは逆
バイアス状態となる。その結果、信号源1側から(IO
I2)なる電流が電流路11を介してトランジスタ5へ
流入し、電流源7の電流■、が電流路10を介して信号
出力端のコンデンサ2へ流入し、ホールドコンデンサ2
を充電する。この時信号源1から電流(IOI2)が引
き抜かれるが、信号源の出力インピーダンスは小である
ために入力信号INの変動は無視し得る。コンデンサ2
の充電が進行して、 VA + V、 = VB + V、o−(2)となる
。ここに、V、 、 V、oは第1及び第2の電流路9
及び10の順方向電圧降下である。かかる状態では、す
べての電流路に流れている電流はII/2であって平衡
状態となる。電流路を構成するダイオードがすべて同一
特性であればV9−V+Oであるから(2)式より、V
A−VBとなり、入力信号電位■Aがコンデンサ2にサ
ンプリングされたことになる。
−VhりVtIの場合、には、第1及び第4の電流路9
及び12が順バイアスとなり、第2及び第3の電流路が
逆バイアスとなる。その結果、信号源lへ第1の電流源
7の電流11が第1の電流路9を介して流入し、コンデ
ンサ2から第4の電流路12を介して電流(IoL)が
トランジスタ5へ流入する。コンデンサ2の放電により
、コンデンサ端子電圧VBが低下して同じく上記(2)
式を満足する平衡状態になると、vA=VBとなり、入
力信号■Aがコンデンサ2にサンプリングされたことに
なる。
及び12が順バイアスとなり、第2及び第3の電流路が
逆バイアスとなる。その結果、信号源lへ第1の電流源
7の電流11が第1の電流路9を介して流入し、コンデ
ンサ2から第4の電流路12を介して電流(IoL)が
トランジスタ5へ流入する。コンデンサ2の放電により
、コンデンサ端子電圧VBが低下して同じく上記(2)
式を満足する平衡状態になると、vA=VBとなり、入
力信号■Aがコンデンサ2にサンプリングされたことに
なる。
サンプリング時間なT(秒)とし、入力信号の最大ピー
ク対ピーク値をVINMとすると、サンプリング期間内
にコンデンサ2は充放電されて上記の平衡状態に達する
必要があるから、 VrNM/T<C/ (IOI2 ) −C/It
−(3)なる関係が成立する必要がある。ここに、
Cはコンデンサ2の容量である。
ク対ピーク値をVINMとすると、サンプリング期間内
にコンデンサ2は充放電されて上記の平衡状態に達する
必要があるから、 VrNM/T<C/ (IOI2 ) −C/It
−(3)なる関係が成立する必要がある。ここに、
Cはコンデンサ2の容量である。
次に、サンフリングパルスカ低レベルのボールド期間で
は、トランジスタ4がオンとなりトランジスタ5がオフ
となる。従って、第1の出力端Cからはトランジスタ4
により(IO−I、)なる電流が引き抜かれようとし、
また、第2の出力端りがらは電流■2が流出しようとす
る。しかし、すべての電流路9〜12は、これら電流に
対しては逆方向となるように接続されているために、ト
ランジスタ4と第2の電流源8の出方トランジスタ(図
示せず)とは飽和状態となる。よって、第1及び第2の
出力端C及びDの各電位VC1VDは夫々回路の最低及
び最高電位側へ引かれ、すべての電流路は逆バイアスさ
れる。従って、信号源とボールドコンデンサとは完全に
分離され、出カパッファ3の入力インピーダンスが十分
大であれば、ホールドコンデンサ2に蓄積された電荷は
そのまま残留してホールド動作がなされる。
は、トランジスタ4がオンとなりトランジスタ5がオフ
となる。従って、第1の出力端Cからはトランジスタ4
により(IO−I、)なる電流が引き抜かれようとし、
また、第2の出力端りがらは電流■2が流出しようとす
る。しかし、すべての電流路9〜12は、これら電流に
対しては逆方向となるように接続されているために、ト
ランジスタ4と第2の電流源8の出方トランジスタ(図
示せず)とは飽和状態となる。よって、第1及び第2の
出力端C及びDの各電位VC1VDは夫々回路の最低及
び最高電位側へ引かれ、すべての電流路は逆バイアスさ
れる。従って、信号源とボールドコンデンサとは完全に
分離され、出カパッファ3の入力インピーダンスが十分
大であれば、ホールドコンデンサ2に蓄積された電荷は
そのまま残留してホールド動作がなされる。
これら各電流路9〜12を構成する一方向性ダイオード
は半導体基板内におけるPN接合をもって構成されるこ
とから、これ等ダイオードに寄生する容量と抵抗とが存
在することになる。第2図は、第1図の回路の電流路1
1及び12を例えば1個のダイオードD、 、 D2に
て構成した場合の例を示している。ダイオードD、とD
2のカソード接続点にはリークによる寄生抵抗R6及び
対サブストレート間寄生容量C1が存在し、また、ダイ
矛−ドD、 、 D、の各々には、接合容量Ct、 C
,が、逆方向リーク電流には寄生抵抗R2,R,3が夫
々存在する。従って、ダイオードD、 、 D2のカソ
ード接続点にバイアスがなくても、ダイオードD、のア
ノードに印加される信号のピーク対ピーク値がその順方
向電圧より大であれば整流回路として作用しホールドコ
ンデンサ2に信号を伝達する。よって、入力信号の最大
ピーク対ピーク値が電流路の順方向電圧降下よりも小と
なるように、各電流路のダイオードの個数ルを選定する
必要がある。
は半導体基板内におけるPN接合をもって構成されるこ
とから、これ等ダイオードに寄生する容量と抵抗とが存
在することになる。第2図は、第1図の回路の電流路1
1及び12を例えば1個のダイオードD、 、 D2に
て構成した場合の例を示している。ダイオードD、とD
2のカソード接続点にはリークによる寄生抵抗R6及び
対サブストレート間寄生容量C1が存在し、また、ダイ
矛−ドD、 、 D、の各々には、接合容量Ct、 C
,が、逆方向リーク電流には寄生抵抗R2,R,3が夫
々存在する。従って、ダイオードD、 、 D2のカソ
ード接続点にバイアスがなくても、ダイオードD、のア
ノードに印加される信号のピーク対ピーク値がその順方
向電圧より大であれば整流回路として作用しホールドコ
ンデンサ2に信号を伝達する。よって、入力信号の最大
ピーク対ピーク値が電流路の順方向電圧降下よりも小と
なるように、各電流路のダイオードの個数ルを選定する
必要がある。
また、ダイオードの接合容量とホールドコンデンサとに
より容量分割回路が形成されて、入力信号がホールドコ
ンデンサへ洩れるが、ダイオードの個数ルを増大するこ
とにより接合容量が直列接続となり小となるから、容量
分割による信号リークも小となる。
より容量分割回路が形成されて、入力信号がホールドコ
ンデンサへ洩れるが、ダイオードの個数ルを増大するこ
とにより接合容量が直列接続となり小となるから、容量
分割による信号リークも小となる。
第3図は第1図の回路の具体例を示す図であり、第1図
と同等部分は同一符号により示されている。
と同等部分は同一符号により示されている。
差動スイッチ回路の電流源6はトランジスタQ1と抵抗
R4とからなり、第1及び第2の電流源7及び8は、夫
々トランジスタQ1、抵抗R,及びトランジスタQ3、
抵抗R6からなる。第1乃至第4の電流路9〜12の各
々は2個の直列接続されたダイオードからなっている。
R4とからなり、第1及び第2の電流源7及び8は、夫
々トランジスタQ1、抵抗R,及びトランジスタQ3、
抵抗R6からなる。第1乃至第4の電流路9〜12の各
々は2個の直列接続されたダイオードからなっている。
また出力バッファ3は、トランジスタQ4γQ6、抵抗
R,、R8よりなっている。
R,、R8よりなっている。
低出力インピーダンスの入力信号#1は、トランジスタ
Q7 + Q8 、抵抗R,o、 R6及びカップリン
グコンデンサC3をもって示されており、被サンプリン
グ信号が入力INとなる。尚、E1〜E4は各トランジ
スタのペースバイアスを示している。
Q7 + Q8 、抵抗R,o、 R6及びカップリン
グコンデンサC3をもって示されており、被サンプリン
グ信号が入力INとなる。尚、E1〜E4は各トランジ
スタのペースバイアスを示している。
第4図は第1図の回路の更に他の具体例であり、第3図
と同等部分は同一符号により示されており、その説明は
省略する。差動スイッチ回路の差動トランジスタ4,5
に夫々カスケードトランジスタQ、 、 Q、。を夫々
設は両トランジスタQo y Q+oのペースにバイア
スE、を印加する構成とし、差動トランジスタの飽和防
止を図り高速動作をなすようにしている。
と同等部分は同一符号により示されており、その説明は
省略する。差動スイッチ回路の差動トランジスタ4,5
に夫々カスケードトランジスタQ、 、 Q、。を夫々
設は両トランジスタQo y Q+oのペースにバイア
スE、を印加する構成とし、差動トランジスタの飽和防
止を図り高速動作をなすようにしている。
同様に、電流源7.8の各トランジスタQ、 、 Q。
ニモカスケードトランジスタCI r Q+tを接続し
これらトランジスタQll F Q10のペースにバイ
アスE。
これらトランジスタQll F Q10のペースにバイ
アスE。
を印加して電流源トランジスタの飽和防止がなされてい
る。
る。
紙上のように、本発明によればバイポーラ集積回路プロ
セスに適したアナログスイッチ装置及びサンプルホール
ド装置が得られ、応答速度は、ダイオードや差動スイッ
チ回路の速度により決定され、数1ooKHzの信号の
サンプリングも可能となり高速サンプルホールド回路と
なり得る。
セスに適したアナログスイッチ装置及びサンプルホール
ド装置が得られ、応答速度は、ダイオードや差動スイッ
チ回路の速度により決定され、数1ooKHzの信号の
サンプリングも可能となり高速サンプルホールド回路と
なり得る。
第1図は本発明の実施例の回路図、第2図は第主要部分
の符号の説明 2・・・ホールドコンデンサ 4.5・・・差動スイッチトランジスタ6〜8・・・電
流源 9〜12・・・電流路 出願人 パイオニア株式会社 代理人 弁理士 藤村元 彦
の符号の説明 2・・・ホールドコンデンサ 4.5・・・差動スイッチトランジスタ6〜8・・・電
流源 9〜12・・・電流路 出願人 パイオニア株式会社 代理人 弁理士 藤村元 彦
Claims (5)
- (1)スイッチング信号により制御される差動スイッチ
回路と、前記差動スイッチ回路の1対の第1及び第2の
出力端に夫々電流を供給する第1及び第2の電流源と、
前記第1の出力端と信号入力端及び信号出力端との間に
おいて前記第1の電流源出力に対し夫々順方向となるよ
うに設けられた1方向性の第1及び第2の電流路と、前
記第2の出力端と信号入力端及び信号出力端との間にお
いて前記第2の電流源出力に対し夫々逆方向となるよう
に設けられた1方向性の第3及び第4の電流路とを含む
ことを特徴とするアナログスイッチ装置0 - (2)サンプリング信号により制御される差動スイッチ
回路と、前記差動スイッチ回路の1対の第1及び第2の
出力端に夫々電流を供給する第1及び第2の電流路と、
ホールドコンデンサと、前記第1の出力端と被サンプリ
ング信号入力端及び前記ホールドコンデンサとの間にお
いて前記第1の電流源出力に対し夫々順方向となるよう
に設けられた1方向性の第1及び第2の電流路と、前記
第2の出力端と被サンプリング信号入力端及び前記ホー
ルドコンデンサとの間において前記第2の電流源出力に
対し夫々逆方向となるように設けられた1方向性の第3
及び第4の電流路とを含むことを特徴とするサンプルホ
ールド装置。 - (3)前記第1乃至第4の電流路の各々は、n個(nは
自然数)の直列接続されたダイオードからなることを特
徴とする特許請求の範囲第2項記載の装置。 - (4)前記第1乃至第4の電流路の各々の順方向電圧降
下は、被サンプリング信号のピーク対ピーク値よりも犬
となるようにされていることを特徴とする特許請求の範
囲第3項記載の装置。 - (5)前記第1及び第2の電流源の出力電流和は、前記
差動スイッチ回路の電流源電流と等しく選定されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項\乃至第3項記
載のいずれかの装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57062041A JPS58179023A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | アナログスイツチ装置及びこれを用いたサンプルホ−ルド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57062041A JPS58179023A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | アナログスイツチ装置及びこれを用いたサンプルホ−ルド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58179023A true JPS58179023A (ja) | 1983-10-20 |
Family
ID=13188679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57062041A Pending JPS58179023A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | アナログスイツチ装置及びこれを用いたサンプルホ−ルド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58179023A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6378400U (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-24 | ||
| JPH02156500A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Yokogawa Electric Corp | トラック・ホールド回路 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5093070A (ja) * | 1973-12-17 | 1975-07-24 | ||
| JPS54148358A (en) * | 1978-05-12 | 1979-11-20 | Toshiba Corp | Diode gate circuit |
-
1982
- 1982-04-14 JP JP57062041A patent/JPS58179023A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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