JPS58182632A - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物

Info

Publication number
JPS58182632A
JPS58182632A JP6575982A JP6575982A JPS58182632A JP S58182632 A JPS58182632 A JP S58182632A JP 6575982 A JP6575982 A JP 6575982A JP 6575982 A JP6575982 A JP 6575982A JP S58182632 A JPS58182632 A JP S58182632A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
naphthoquinonediazide
photosensitive composition
alkali
resin composition
photosensitive resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6575982A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0148532B2 (ja
Inventor
Yukihiro Hosaka
幸宏 保坂
Yoichi Kamoshita
鴨志田 洋一
Yoshiyuki Harita
榛田 善行
Toko Harada
原田 都弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
JSR Corp
Original Assignee
Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd, Japan Synthetic Rubber Co Ltd filed Critical Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP6575982A priority Critical patent/JPS58182632A/ja
Priority to US06/484,312 priority patent/US4499171A/en
Priority to DE8383302258T priority patent/DE3381834D1/de
Priority to EP83302258A priority patent/EP0092444B1/en
Publication of JPS58182632A publication Critical patent/JPS58182632A/ja
Publication of JPH0148532B2 publication Critical patent/JPH0148532B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はポジ型感光性樹脂組成物に関する。
きらに詳述すれば、アルカリ可溶性ノボラック樹脂を素
材とした高い感度を有する、集積回路作製のだめのホト
レジストとして好適なポジ型感光性樹脂組成物に関する
。
巣核回路を作製するだめのレジストの主流は、3m化イ
ンフレンゴムにビスアジド化合物を添化したネガ型ホト
レジストであるが、解像力に限界があるため、集積回路
の集積度が年を追って関〈なっている現在、このネガ型
しジス□トでは今後の集積(ロ)路の作製に充分対応で
きない状況にこある。これに対して解g1度の優れたポ
ジ型ホトレジストは、集積回路の微細化に十分対応でき
るレジストであると考えることができる。
現在、集積回路作製のために使用されているポジ型ホト
レジストの大部分は、ノボラック樹脂に1.2−キノン
ジアジド化合物を添加したものである。このポジ型ホト
レジストは、素材か縮合重合法で作るノボラック樹脂で
あるために、性能りのバラツキが大きく、分子蓋が比較
的低いにもかかわらず軟化温度が高いため、レジストフ
ィルムが脆く、さらに、l、2−キノンジアジド化合物
を多蓋に添加せざるを得ないため、環化ゴム系ネガ型ホ
トレジストより低感度である。かかる欠点をもつにも拘
らず集積回路を製造する工程に使用されている理由1ま
、解像度が極めて優れているからである。
ホジ型ホトレジストを特徴つける物質はl。
2−キノンジアジド化合物である。1.2−キノンジア
ジド化合物は有機溶媒にのみ溶解し2、アルカリ水溶液
には溶解しないが、1式のように紫外線照射を受けると
ケテンを経てインテンカルボン酸となり、アルカリ水溶
液にL極めて溶解しやすくなる。つまり、紫外線の照射
によってクリディカルに疎水性から親水性へと変化し7
、現像液として゛fルカリ性氷水溶液使用するために境
像中にパターン寸法の変化が少なく、萬い解像性を示す
のである。
RRR また集積回路の集積度を上けるだめの露光方式は現在主
流となっている密着露光方式から縮少投影露光方式に変
ろうとしている。縮少投影露光方式はマスクパターンを
一括して露光するのではなく、ステップワイズ[lI光
するため、ps偉度を上けうる手段としては優れている
が、生産性が低下する。この生産性を回復するためには
、縮少投影露光装置自身の改善もあるが、使用するポジ
型ホトレジストの感度を高くすること本重要なポイント
となる。現在市販されているノボラック樹脂系ポジ型ホ
トレジストは前記のように感度が低く蜂、感度の改良が
急務であった。
本発明者らはノボラック樹脂系ポジ型ホトレジストの感
度の改良について鋭意研究の結果、アルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂と、一般式0式% (式中、R,およびR8は同一ま7IC#i異なりアル
キル基、フェニル基、アラルキル基であり、R4゜へお
よびR3は同一または異なり1.2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホニル基、1.2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホニル&、l。
2−ベンゾキノンジアジド−4−スルボニル基である)
で示される1、2−キノンジアジド化合物とを含み、該
1.2一キノンジアジド化合物の割合が(1)/(1)
= 1/9〜9/1(モル比)であることを特徴とする
ポジ型感光性樹脂組成物(以)感光性竺成物と記す)は
感度が著しく向上していることを知荒し、本発明に到達
した。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明で使用する1、2−キノンジアジド化合物(1)
また1i(illは、2,4−ジヒドロキシフェニルメ
チルケトン、2,4−ジヒドロキシフェニルエチルケト
ン、2,4−ジヒドロキシフェニルブチルケトン、2.
4−ジヒドロキシフェニル−n−へキシルケトン、3,
4−ジヒドロキシフ上ニルメチルケトン、3,4−ジヒ
ドロキシフェニルエチルケトン、8,4−ジヒドロキシ
フェニルブチルケトン、3,4−ジヒドロキシフェニル
−〇−へキシルケトン、2.4−7ヒドロキシベンゾフ
エノン、3.4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,4
−ジヒドロキシフェニルベンジルケトン、8.4−ジヒ
ドロキシフェニルベンジルケトン等の一般式 (式中、R6はアルキル基、フェニル基、アラルキノジ
基である)で示されるジヒドロキど化合物のヒドロキシ
基の1つまたは2つに、1.2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホニルクロリド、l、2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホニルクロリド、1.2−ベンゾキノン
ジアジド−4−スルホニルクロリド等を、好ましくは1
.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリド
をアルカリ触媒存在下で縮合させることによって得るこ
とができる。
アルカリ触媒としては水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウ
ム等の無機アルカリや、ジエチルアミン、トリエチルア
ミン等のアミン類が主に使用される。
1.2−キノンジアジド化合物(1)と(1)の使用割
合は(1)/(it)= 1/9〜9/1(モル比)で
あり、好ましくは(II/(II>−2/8〜7/8(
モル比)である。(1)/(if)の割合が1/9未満
であると、(U)の割合が増加することによって感光性
組成物の紫外線照射後のアルカリ溶解性が大巾に低1し
、本発明が目的とする高感度の感光性組成物を得ること
ができない。また(1)/(It)の割合が971を超
えると、1゜2−キノンジアジド化合物にフェノール性
水酸基を多量に残すことになるので、感光性組成物へ与
えるアルカリ不溶化の寄与が減少シフ、現像後にパター
ンが痩せる原因をつくる。
これら1.2−キノンジアジド化合物(1)および(I
I)の使用量はアルカリ可溶性ノボラック樹脂100重
量部に対して5〜100重量部が好ましく、特に好まし
くは10〜50重量部である。5重量部未満では感光性
組成物が紫外線照射によってクリティカルに疎水性から
親水性へ変わることが困難であるため、十分に現像でき
ない欠点を持″)。また100重量部を超えると、短時
間の紫外線照射では加えた1、2−キノンジアジド化合
物の総てを分解することはできず、そのま5残存するこ
とになるので、感光性組成物の感度が1゛分に向上し彦
い。
本発明で用いるアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、フェ
ノール類とアルデヒド類とを好ましくはフェノール@1
モルに対してアルデヒド類を0.7〜1モルの割合で酸
触媒下で付加縮合[7て作られる。フェノール類として
はフェノール、0−クレゾール、m−クレゾール、p−
クレゾール、0−エチルフェノール、m−エチルフェノ
ール、p−エチルフェノール、O−ブチルフェノール、
m−ブチルフェノール、p−ブチルフェノール、2.3
−キシレノール、2.4キシレノール、2.5−キシレ
ノール、2,6−キシ17ノール、3.4−キシレノー
ル、3.6−キシレノール、p〜フェニルフェノール等
ヲ挙げることができる。これらのフェノール類はアルカ
リ溶解性を考慮しつつ、1種ま・たu、2種以上混合し
て使用できる。ま−た、アルデヒド類としてはホルムア
ルデヒド、パラホルム−アルデヒド、フルノラール等を
例示することができる。
酸触媒には塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、ギ酸、修酸、
酢酸等の有機酸が使用される。
本発明の感光性組成物は、上記アルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂と1,2−キノンジアジド化合物(1)および(
If)を溶解する溶媒に溶かして作るが、例えば溶媒と
して、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ンクリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエー
テル類、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソル
ブアセテートなどのセロソルブエステル類、トルエン、
キシレンなどの芳香族炭化水素類、メチノ1エチルケト
ン、シクロヘキサノン轡ケトン類、m−酸エチル、酢酸
ブチルなどのエステル類を挙けることができる。これら
溶媒は構成要素の溶解度の他に、基板圧感光性組成物を
塗布した後の溶媒蒸発速度、塗布膜の表面形状に与える
影響を考慮して、数種類混合して使用することもできる
。
さらに必l!に応じて、この感光性組成物に保存安定剤
や色素、顔料などを添加することも加能である。
また、シリコン酸化膜などの被塗布基板との接着力を向
上させるため、ヘキサメチルジシラザンやクロロメチル
シランなどを予じめ被塗布基板に塗布することもできる
。
本発明の感光性組成物の現倫液には、水酸化ナトリウム
、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、り゛ギ酸ナトリウ
ム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水などの無機ア
ルカリ類、エチルアミノ、n−プロピルアミンなどの第
一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン
などの第三アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチ
ルアミンなどの第三アミン類、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム塩
などアルカリ類の水溶液、ビロール、ピペリジン、11
8−ジアザビシクロ(5,4,0)−7−ウエンデセン
、1,5−ジアザビシクロ(4,8,0)−5−ノチン
などの環状アミン類の水溶液が使用され、金属を含有す
る現像液の使用が問題となる集積回路作製時には、第四
級アンモニウム塩や環状アミンの水溶液を使用するのが
好ましい。また上記アルカリ類の水溶液にメタノール、
エタノールのようなアルコール類などの水溶性有機溶媒
や界面活性剤を適当量添加した水lI液を現像液に使用
すること本できる。
本発明の感光性組成物は、集積回路作製用として特に有
用であるばかりでなく、マスク作製用としても有用であ
る。
次に実施例をあけて本発明をさらに具体的に説明するが
、本発明はこれらの実施例によってイll11ら制約さ
れるものではない。
実施例 l 内容積600−の三つロセパラブルフラスコにフェノー
ル30y、p−クレゾール70タヲ仕込んだ後、a重量
鳴ホルマリン水溶液66−1蓚酸0.04ノを添加した
。攪拌しながら、セパラブルフラスコを油浴に浸して反
応温度を100℃にコントロールし、10時間反応させ
ることによりノボラック樹脂を合成した。反応後、30
111HPに減圧和して水を除去し、さらに内温をia
o℃に上げて未反応物を除去した。次いで溶融したアル
カリ可溶性ノボラック樹脂を室温に戻して回収した。
遮光下において内容積500−の三つロセバラブルフラ
スコに2.4−ジヒドロキシフェニルメチルケトン10
F、1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルク
ローリド23P1ジオキサン130−を仕込み溶解した
。攪拌しながらトリエチルアミン9Fを徐々に添加し、
室温で2時間反応した。反応終了後、内容物を多量の1
重量係塩酸水にあけて沈澱【7た生成物を回収した。生
成物を40℃、15時間加熱真空乾燥した。
乾燥生成物を液体クロマトグラムで測定しタトこ7)、
2.4−ジヒドロキシフェニルメチルケトン−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸モノエステル(
1)(!:2,4−ジヒドロキシフェニルメチルケトン
−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジx
 スf ル(u)013合ti(1)/(It)=4,
975.1 (モル比)であった。(このものを感光剤
Aと略記する)アルカリ可溶性ノボラック樹脂20!、
感光剤A5Fを75 Fのエチルセロソルブアセテート
に溶解し、孔径0,2tur+のミリポアフィルタ−■
でろ過して感光性組成物の溶液を作製した。
シリコン酸化膜ウェハー上にスピンナーで感光性組成物
の溶液を塗布したのち、(資)℃、6分間オーブン中で
ブレベークして1Itn厚の感光性組成物膜を得た。凸
版印刷(株)製テストパターンマスクをウェハーに密着
し、6mJA−IIの紫外線を照射し、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド2.4重量係水溶液で20℃、
fi1秒間埃像したところ、線中1.0/Jmのパター
ンを解偉できた。照射した紫外線の積算光量が6mJ/
cliと照射エネルギーが非常に小さく、それだけ感光
性組成物が高感度であることがゎかつ友。
比較例 l 遮光下において内容積500−の三つロセパラブルフラ
スコに2,4−ジヒドロキシフェニルメチルケトン10
pX l、2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル
クロリド85.85F 。
ジオキサン240−を仕込み溶解した。攪拌しながらト
リエチルアミン15タヲ徐々に加え、室温で2時間反応
した。回収して得九2,4−ジヒドロキシフェニルメチ
ルケトン−1゜2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸ジエステル(II) 59 %実施例1で合成した
アルカリ可溶性ノボラック樹脂20jlを75yのエチ
ルセロソルブアセテートに溶解し、孔径0.2μn]の
ミリポアフィルタ−でろ過して感光性組成物の溶液を作
製した。実施例1と全く同様に感光性組成物を評価した
ところ、線巾1.0μmのパターンを解偉するためKF
i、紫外線照射エネルギーを25mJ/−としなければ
ならず、低感度であることが認められた。
実施例 2 遮光下において内容積500−の三つ口、−ヒバラブル
フラスコに、3.4−ジヒドロキシベンゾフェノン10
F、1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルク
ロリド21.8f 1 ジオキサン1601ntを仕込
み、十分攪拌して溶解し、トリエチルアミン9Fを徐々
に加え室温で2時間反応した。反応終了後、内゛8物を
多量の1重量%塩酸水にあけて生成物を回収した。乾燥
後の生成物について液体クロマトグラムを測定したとこ
ろ、8.4−ジヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸モノエステル(1
)ト8゜4−ジヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエステル(1)
の割合は(1)/(11)=8,476.6 (モル比
)であった。(このものを感光剤Bと略記する。)フェ
ノール30Fおよびp−クレゾール70 Pの代りVc
m−クレゾール759!、p−クレゾール25りを使用
した他は実施例1と全く同様にしてアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂を作製し7た。このアルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂と感光剤Bから実施例1と全く同IIK感光性組
成物の溶液を調製し、感光性組成物の評価を行なったと
ころ、線巾1.0/a1のパターンを再現するた、めK
N’する紫外線の照射エネルギーは8.9mJ/cdで
あ少、感光性組成物の感度は非常に高いものであった。
比較例 2 遮光下において内容積500 wtの三つロセバラプル
フラスコに8.4−ジヒドロキシベンゾフェノン15F
、1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロ
!J ト4.7 f、 ジオキサン200dを仕込み十
分攪拌して溶解し、トリx f A、アミン21を徐々
に加えて室温で2時間反応した。内容物を多量の1重量
嗟塩酸水/メタノール混合溶媒に入れ、生成物を回収し
た。乾燥後の生成物の液体クロマトグラムH18,4−
ジヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸モノエステル(1)と8.4−
ジヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸ジエステル(it)の割合が(
13/(u)二〇、510.5 (モル比)であること
を示した。(このものを感光剤Cと略記する。)実施例
2で使用したアルカリ可溶性ノボラック樹脂と感光剤C
から実施例1と全く四様にして感光性組成物の溶液を調
製し、感光性組成物の評価を行ったところ、線巾1.0
IInのパターンを再現するための紫外線照射エネルギ
ーは6mJ、−であったが、本来1.0姐あるべきパタ
ーンが0.6ttnとなっておりパターンが痩せる現象
が観察された。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (式中、R1およびR3は同一または異なりアルキル基
    、フェニル基、アラルキル基であり、R2゜也およびR
    3は四−または異なり1.2−ナフトキノンジアジド−
    4−スルホニル基、l、2−ナフトキノンジアジド−5
    −スルホニル基、R2−ベンゾキノン−4−スルホニル
    基である)で示される1、2−キノンジアジド化合物と
    を含み、該1,2一キノンジアジド化合物の割合が(l
    Hil)=1/9〜9/l(モル比)であることを特徴
    とするポジ型感光性樹脂組成物。
JP6575982A 1982-04-20 1982-04-20 ポジ型感光性樹脂組成物 Granted JPS58182632A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6575982A JPS58182632A (ja) 1982-04-20 1982-04-20 ポジ型感光性樹脂組成物
US06/484,312 US4499171A (en) 1982-04-20 1983-04-12 Positive type photosensitive resin composition with at least two o-quinone diazides
DE8383302258T DE3381834D1 (de) 1982-04-20 1983-04-20 Zusammensetzung von photoempfindlichem harz des positivtyps.
EP83302258A EP0092444B1 (en) 1982-04-20 1983-04-20 Positive type photosensitive resin composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6575982A JPS58182632A (ja) 1982-04-20 1982-04-20 ポジ型感光性樹脂組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58182632A true JPS58182632A (ja) 1983-10-25
JPH0148532B2 JPH0148532B2 (ja) 1989-10-19

Family

ID=13296273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6575982A Granted JPS58182632A (ja) 1982-04-20 1982-04-20 ポジ型感光性樹脂組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58182632A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60158440A (ja) * 1984-01-26 1985-08-19 Mitsubishi Chem Ind Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JPS60164740A (ja) * 1984-02-06 1985-08-27 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JPS60189739A (ja) * 1984-03-09 1985-09-27 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JPS62102243A (ja) * 1985-10-25 1987-05-12 ヘキスト・セラニ−ズ・コ−ポレイシヨン フオトレジストの製法
JPS63161449A (ja) * 1986-12-24 1988-07-05 Sumitomo Chem Co Ltd 高コントラストなフオトレジスト組成物
JPH02110462A (ja) * 1988-06-21 1990-04-23 Mitsubishi Kasei Corp ポジ型フォトレジスト
JPH02306245A (ja) * 1990-05-01 1990-12-19 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JPH06148879A (ja) * 1993-04-30 1994-05-27 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物
JPH06214384A (ja) * 1993-04-30 1994-08-05 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルの製造方法
JP2009211065A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Samsung Electronics Co Ltd フォトレジスト組成物及びこれを用いたアレイ基板の製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60158440A (ja) * 1984-01-26 1985-08-19 Mitsubishi Chem Ind Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JPS60164740A (ja) * 1984-02-06 1985-08-27 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JPS60189739A (ja) * 1984-03-09 1985-09-27 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JPS62102243A (ja) * 1985-10-25 1987-05-12 ヘキスト・セラニ−ズ・コ−ポレイシヨン フオトレジストの製法
JPS63161449A (ja) * 1986-12-24 1988-07-05 Sumitomo Chem Co Ltd 高コントラストなフオトレジスト組成物
JPH02110462A (ja) * 1988-06-21 1990-04-23 Mitsubishi Kasei Corp ポジ型フォトレジスト
JPH02306245A (ja) * 1990-05-01 1990-12-19 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JPH06148879A (ja) * 1993-04-30 1994-05-27 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物
JPH06214384A (ja) * 1993-04-30 1994-08-05 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルの製造方法
JP2009211065A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Samsung Electronics Co Ltd フォトレジスト組成物及びこれを用いたアレイ基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0148532B2 (ja) 1989-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4499171A (en) Positive type photosensitive resin composition with at least two o-quinone diazides
JP2552891B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
KR0137776B1 (ko) 감방사선성 수지 조성물
JPH0654381B2 (ja) 集積回路作製用ポジ型レジスト
JP2568827B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPS60176034A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JPS62153950A (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JPH0654386B2 (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JPH0148532B2 (ja)
JPH0251499B2 (ja)
JPS59165053A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
TW200307013A (en) Novolak resin mixtures and photosensitive compositions comprising the same
JP2555620B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH0778157B2 (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物の製造方法
JPH0768435B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3784095B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JPH0588466B2 (ja)
JP2787943B2 (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JP2569650B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH0654385B2 (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JPH04260B2 (ja)
JPS63113451A (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2985400B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPS62229138A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH04274242A (ja) 感放射線性樹脂組成物