JPS58182632A - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents
ポジ型感光性樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS58182632A JPS58182632A JP6575982A JP6575982A JPS58182632A JP S58182632 A JPS58182632 A JP S58182632A JP 6575982 A JP6575982 A JP 6575982A JP 6575982 A JP6575982 A JP 6575982A JP S58182632 A JPS58182632 A JP S58182632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- naphthoquinonediazide
- photosensitive composition
- alkali
- resin composition
- photosensitive resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 23
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 16
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 10
- -1 2,4-dihydroxyphenylbutylketone Chemical compound 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L sodium carbonate Substances [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- HBARZTQMNQVQKH-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(2,4-dihydroxyphenyl)propan-2-one Chemical compound OC1=C(C=CC(=C1)O)CC(=O)CC1=C(C=C(C=C1)O)O HBARZTQMNQVQKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- PCNMALATRPXTKX-UHFFFAOYSA-N 1,4-dimethylcyclohexa-2,4-dien-1-ol Chemical compound CC1=CCC(C)(O)C=C1 PCNMALATRPXTKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 2-butylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1O GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMNKTRSOROOSPP-UHFFFAOYSA-N 3-Ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=CC(O)=C1 HMNKTRSOROOSPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 4-ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=C(O)C=C1 HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARWCZKJISXFBGI-UHFFFAOYSA-N (3,4-dihydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound C1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 ARWCZKJISXFBGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEPPVOUBHWNCAW-FNORWQNLSA-N (E)-4-oxonon-2-enal Chemical compound CCCCCC(=O)\C=C\C=O SEPPVOUBHWNCAW-FNORWQNLSA-N 0.000 description 1
- JEFSTMHERNSDBC-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylcyclohexa-2,4-dien-1-ol Chemical compound CC1=CC=CCC1(C)O JEFSTMHERNSDBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKDYFLLPTFYBQS-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydroxy-1,3-bis(2-hydroxyphenyl)-1,3-diphenylpropan-2-one Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C(O)(C=1C(=CC=CC=1)O)C1=CC=CC=C1 IKDYFLLPTFYBQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPVRKFOKCKORDP-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylcyclohexa-2,4-dien-1-ol Chemical compound CC1=CC(C)(O)CC=C1 QPVRKFOKCKORDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGAHDXUDNUGQKX-UHFFFAOYSA-N 1,5-bis(3,4-dihydroxyphenyl)pentan-3-one Chemical compound C1=C(O)C(O)=CC=C1CCC(=O)CCC1=CC=C(O)C(O)=C1 HGAHDXUDNUGQKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLBBBYLDTDJMNU-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4-dihydroxyphenyl)propan-1-one Chemical compound CCC(=O)C1=CC=C(O)C=C1O LLBBBYLDTDJMNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTVUDFBYBPMGMR-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-2-propylhydrazine Chemical compound CCCNNCC MTVUDFBYBPMGMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCQUAMAQHHEXGD-UHFFFAOYSA-N 3',4'-dihydroxyacetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 UCQUAMAQHHEXGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQSXUKPGWMJYBT-UHFFFAOYSA-N 3-butylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=CC(O)=C1 MQSXUKPGWMJYBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYYZDBDROVLTJU-UHFFFAOYSA-N 4-n-Butylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=C(O)C=C1 CYYZDBDROVLTJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLBZPESJRQGYMB-UHFFFAOYSA-N 4-one Natural products O1C(C(=O)CC)CC(C)C11C2(C)CCC(C3(C)C(C(C)(CO)C(OC4C(C(O)C(O)C(COC5C(C(O)C(O)CO5)OC5C(C(OC6C(C(O)C(O)C(CO)O6)O)C(O)C(CO)O5)OC5C(C(O)C(O)C(C)O5)O)O4)O)CC3)CC3)=C3C2(C)CC1 LLBZPESJRQGYMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- LFVLUOAHQIVABZ-UHFFFAOYSA-N Iodofenphos Chemical compound COP(=S)(OC)OC1=CC(Cl)=C(I)C=C1Cl LFVLUOAHQIVABZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4-ol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=CC=C1 YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZFVLHQDIIJLJG-UHFFFAOYSA-N chloromethylsilane Chemical compound [SiH3]CCl AZFVLHQDIIJLJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- 239000012972 dimethylethanolamine Substances 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- CCGKOQOJPYTBIH-UHFFFAOYSA-N ethenone Chemical compound C=C=O CCGKOQOJPYTBIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylethanamine Chemical compound CCN(C)CC GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポジ型感光性樹脂組成物に関する。
きらに詳述すれば、アルカリ可溶性ノボラック樹脂を素
材とした高い感度を有する、集積回路作製のだめのホト
レジストとして好適なポジ型感光性樹脂組成物に関する
。
材とした高い感度を有する、集積回路作製のだめのホト
レジストとして好適なポジ型感光性樹脂組成物に関する
。
巣核回路を作製するだめのレジストの主流は、3m化イ
ンフレンゴムにビスアジド化合物を添化したネガ型ホト
レジストであるが、解像力に限界があるため、集積回路
の集積度が年を追って関〈なっている現在、このネガ型
しジス□トでは今後の集積(ロ)路の作製に充分対応で
きない状況にこある。これに対して解g1度の優れたポ
ジ型ホトレジストは、集積回路の微細化に十分対応でき
るレジストであると考えることができる。
ンフレンゴムにビスアジド化合物を添化したネガ型ホト
レジストであるが、解像力に限界があるため、集積回路
の集積度が年を追って関〈なっている現在、このネガ型
しジス□トでは今後の集積(ロ)路の作製に充分対応で
きない状況にこある。これに対して解g1度の優れたポ
ジ型ホトレジストは、集積回路の微細化に十分対応でき
るレジストであると考えることができる。
現在、集積回路作製のために使用されているポジ型ホト
レジストの大部分は、ノボラック樹脂に1.2−キノン
ジアジド化合物を添加したものである。このポジ型ホト
レジストは、素材か縮合重合法で作るノボラック樹脂で
あるために、性能りのバラツキが大きく、分子蓋が比較
的低いにもかかわらず軟化温度が高いため、レジストフ
ィルムが脆く、さらに、l、2−キノンジアジド化合物
を多蓋に添加せざるを得ないため、環化ゴム系ネガ型ホ
トレジストより低感度である。かかる欠点をもつにも拘
らず集積回路を製造する工程に使用されている理由1ま
、解像度が極めて優れているからである。
レジストの大部分は、ノボラック樹脂に1.2−キノン
ジアジド化合物を添加したものである。このポジ型ホト
レジストは、素材か縮合重合法で作るノボラック樹脂で
あるために、性能りのバラツキが大きく、分子蓋が比較
的低いにもかかわらず軟化温度が高いため、レジストフ
ィルムが脆く、さらに、l、2−キノンジアジド化合物
を多蓋に添加せざるを得ないため、環化ゴム系ネガ型ホ
トレジストより低感度である。かかる欠点をもつにも拘
らず集積回路を製造する工程に使用されている理由1ま
、解像度が極めて優れているからである。
ホジ型ホトレジストを特徴つける物質はl。
2−キノンジアジド化合物である。1.2−キノンジア
ジド化合物は有機溶媒にのみ溶解し2、アルカリ水溶液
には溶解しないが、1式のように紫外線照射を受けると
ケテンを経てインテンカルボン酸となり、アルカリ水溶
液にL極めて溶解しやすくなる。つまり、紫外線の照射
によってクリディカルに疎水性から親水性へと変化し7
、現像液として゛fルカリ性氷水溶液使用するために境
像中にパターン寸法の変化が少なく、萬い解像性を示す
のである。
ジド化合物は有機溶媒にのみ溶解し2、アルカリ水溶液
には溶解しないが、1式のように紫外線照射を受けると
ケテンを経てインテンカルボン酸となり、アルカリ水溶
液にL極めて溶解しやすくなる。つまり、紫外線の照射
によってクリディカルに疎水性から親水性へと変化し7
、現像液として゛fルカリ性氷水溶液使用するために境
像中にパターン寸法の変化が少なく、萬い解像性を示す
のである。
RRR
また集積回路の集積度を上けるだめの露光方式は現在主
流となっている密着露光方式から縮少投影露光方式に変
ろうとしている。縮少投影露光方式はマスクパターンを
一括して露光するのではなく、ステップワイズ[lI光
するため、ps偉度を上けうる手段としては優れている
が、生産性が低下する。この生産性を回復するためには
、縮少投影露光装置自身の改善もあるが、使用するポジ
型ホトレジストの感度を高くすること本重要なポイント
となる。現在市販されているノボラック樹脂系ポジ型ホ
トレジストは前記のように感度が低く蜂、感度の改良が
急務であった。
流となっている密着露光方式から縮少投影露光方式に変
ろうとしている。縮少投影露光方式はマスクパターンを
一括して露光するのではなく、ステップワイズ[lI光
するため、ps偉度を上けうる手段としては優れている
が、生産性が低下する。この生産性を回復するためには
、縮少投影露光装置自身の改善もあるが、使用するポジ
型ホトレジストの感度を高くすること本重要なポイント
となる。現在市販されているノボラック樹脂系ポジ型ホ
トレジストは前記のように感度が低く蜂、感度の改良が
急務であった。
本発明者らはノボラック樹脂系ポジ型ホトレジストの感
度の改良について鋭意研究の結果、アルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂と、一般式0式% (式中、R,およびR8は同一ま7IC#i異なりアル
キル基、フェニル基、アラルキル基であり、R4゜へお
よびR3は同一または異なり1.2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホニル基、1.2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホニル&、l。
度の改良について鋭意研究の結果、アルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂と、一般式0式% (式中、R,およびR8は同一ま7IC#i異なりアル
キル基、フェニル基、アラルキル基であり、R4゜へお
よびR3は同一または異なり1.2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホニル基、1.2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホニル&、l。
2−ベンゾキノンジアジド−4−スルボニル基である)
で示される1、2−キノンジアジド化合物とを含み、該
1.2一キノンジアジド化合物の割合が(1)/(1)
= 1/9〜9/1(モル比)であることを特徴とする
ポジ型感光性樹脂組成物(以)感光性竺成物と記す)は
感度が著しく向上していることを知荒し、本発明に到達
した。
で示される1、2−キノンジアジド化合物とを含み、該
1.2一キノンジアジド化合物の割合が(1)/(1)
= 1/9〜9/1(モル比)であることを特徴とする
ポジ型感光性樹脂組成物(以)感光性竺成物と記す)は
感度が著しく向上していることを知荒し、本発明に到達
した。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明で使用する1、2−キノンジアジド化合物(1)
また1i(illは、2,4−ジヒドロキシフェニルメ
チルケトン、2,4−ジヒドロキシフェニルエチルケト
ン、2,4−ジヒドロキシフェニルブチルケトン、2.
4−ジヒドロキシフェニル−n−へキシルケトン、3,
4−ジヒドロキシフ上ニルメチルケトン、3,4−ジヒ
ドロキシフェニルエチルケトン、8,4−ジヒドロキシ
フェニルブチルケトン、3,4−ジヒドロキシフェニル
−〇−へキシルケトン、2.4−7ヒドロキシベンゾフ
エノン、3.4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,4
−ジヒドロキシフェニルベンジルケトン、8.4−ジヒ
ドロキシフェニルベンジルケトン等の一般式 (式中、R6はアルキル基、フェニル基、アラルキノジ
基である)で示されるジヒドロキど化合物のヒドロキシ
基の1つまたは2つに、1.2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホニルクロリド、l、2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホニルクロリド、1.2−ベンゾキノン
ジアジド−4−スルホニルクロリド等を、好ましくは1
.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリド
をアルカリ触媒存在下で縮合させることによって得るこ
とができる。
また1i(illは、2,4−ジヒドロキシフェニルメ
チルケトン、2,4−ジヒドロキシフェニルエチルケト
ン、2,4−ジヒドロキシフェニルブチルケトン、2.
4−ジヒドロキシフェニル−n−へキシルケトン、3,
4−ジヒドロキシフ上ニルメチルケトン、3,4−ジヒ
ドロキシフェニルエチルケトン、8,4−ジヒドロキシ
フェニルブチルケトン、3,4−ジヒドロキシフェニル
−〇−へキシルケトン、2.4−7ヒドロキシベンゾフ
エノン、3.4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,4
−ジヒドロキシフェニルベンジルケトン、8.4−ジヒ
ドロキシフェニルベンジルケトン等の一般式 (式中、R6はアルキル基、フェニル基、アラルキノジ
基である)で示されるジヒドロキど化合物のヒドロキシ
基の1つまたは2つに、1.2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホニルクロリド、l、2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホニルクロリド、1.2−ベンゾキノン
ジアジド−4−スルホニルクロリド等を、好ましくは1
.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリド
をアルカリ触媒存在下で縮合させることによって得るこ
とができる。
アルカリ触媒としては水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウ
ム等の無機アルカリや、ジエチルアミン、トリエチルア
ミン等のアミン類が主に使用される。
ム等の無機アルカリや、ジエチルアミン、トリエチルア
ミン等のアミン類が主に使用される。
1.2−キノンジアジド化合物(1)と(1)の使用割
合は(1)/(it)= 1/9〜9/1(モル比)で
あり、好ましくは(II/(II>−2/8〜7/8(
モル比)である。(1)/(if)の割合が1/9未満
であると、(U)の割合が増加することによって感光性
組成物の紫外線照射後のアルカリ溶解性が大巾に低1し
、本発明が目的とする高感度の感光性組成物を得ること
ができない。また(1)/(It)の割合が971を超
えると、1゜2−キノンジアジド化合物にフェノール性
水酸基を多量に残すことになるので、感光性組成物へ与
えるアルカリ不溶化の寄与が減少シフ、現像後にパター
ンが痩せる原因をつくる。
合は(1)/(it)= 1/9〜9/1(モル比)で
あり、好ましくは(II/(II>−2/8〜7/8(
モル比)である。(1)/(if)の割合が1/9未満
であると、(U)の割合が増加することによって感光性
組成物の紫外線照射後のアルカリ溶解性が大巾に低1し
、本発明が目的とする高感度の感光性組成物を得ること
ができない。また(1)/(It)の割合が971を超
えると、1゜2−キノンジアジド化合物にフェノール性
水酸基を多量に残すことになるので、感光性組成物へ与
えるアルカリ不溶化の寄与が減少シフ、現像後にパター
ンが痩せる原因をつくる。
これら1.2−キノンジアジド化合物(1)および(I
I)の使用量はアルカリ可溶性ノボラック樹脂100重
量部に対して5〜100重量部が好ましく、特に好まし
くは10〜50重量部である。5重量部未満では感光性
組成物が紫外線照射によってクリティカルに疎水性から
親水性へ変わることが困難であるため、十分に現像でき
ない欠点を持″)。また100重量部を超えると、短時
間の紫外線照射では加えた1、2−キノンジアジド化合
物の総てを分解することはできず、そのま5残存するこ
とになるので、感光性組成物の感度が1゛分に向上し彦
い。
I)の使用量はアルカリ可溶性ノボラック樹脂100重
量部に対して5〜100重量部が好ましく、特に好まし
くは10〜50重量部である。5重量部未満では感光性
組成物が紫外線照射によってクリティカルに疎水性から
親水性へ変わることが困難であるため、十分に現像でき
ない欠点を持″)。また100重量部を超えると、短時
間の紫外線照射では加えた1、2−キノンジアジド化合
物の総てを分解することはできず、そのま5残存するこ
とになるので、感光性組成物の感度が1゛分に向上し彦
い。
本発明で用いるアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、フェ
ノール類とアルデヒド類とを好ましくはフェノール@1
モルに対してアルデヒド類を0.7〜1モルの割合で酸
触媒下で付加縮合[7て作られる。フェノール類として
はフェノール、0−クレゾール、m−クレゾール、p−
クレゾール、0−エチルフェノール、m−エチルフェノ
ール、p−エチルフェノール、O−ブチルフェノール、
m−ブチルフェノール、p−ブチルフェノール、2.3
−キシレノール、2.4キシレノール、2.5−キシレ
ノール、2,6−キシ17ノール、3.4−キシレノー
ル、3.6−キシレノール、p〜フェニルフェノール等
ヲ挙げることができる。これらのフェノール類はアルカ
リ溶解性を考慮しつつ、1種ま・たu、2種以上混合し
て使用できる。ま−た、アルデヒド類としてはホルムア
ルデヒド、パラホルム−アルデヒド、フルノラール等を
例示することができる。
ノール類とアルデヒド類とを好ましくはフェノール@1
モルに対してアルデヒド類を0.7〜1モルの割合で酸
触媒下で付加縮合[7て作られる。フェノール類として
はフェノール、0−クレゾール、m−クレゾール、p−
クレゾール、0−エチルフェノール、m−エチルフェノ
ール、p−エチルフェノール、O−ブチルフェノール、
m−ブチルフェノール、p−ブチルフェノール、2.3
−キシレノール、2.4キシレノール、2.5−キシレ
ノール、2,6−キシ17ノール、3.4−キシレノー
ル、3.6−キシレノール、p〜フェニルフェノール等
ヲ挙げることができる。これらのフェノール類はアルカ
リ溶解性を考慮しつつ、1種ま・たu、2種以上混合し
て使用できる。ま−た、アルデヒド類としてはホルムア
ルデヒド、パラホルム−アルデヒド、フルノラール等を
例示することができる。
酸触媒には塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、ギ酸、修酸、
酢酸等の有機酸が使用される。
酢酸等の有機酸が使用される。
本発明の感光性組成物は、上記アルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂と1,2−キノンジアジド化合物(1)および(
If)を溶解する溶媒に溶かして作るが、例えば溶媒と
して、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ンクリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエー
テル類、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソル
ブアセテートなどのセロソルブエステル類、トルエン、
キシレンなどの芳香族炭化水素類、メチノ1エチルケト
ン、シクロヘキサノン轡ケトン類、m−酸エチル、酢酸
ブチルなどのエステル類を挙けることができる。これら
溶媒は構成要素の溶解度の他に、基板圧感光性組成物を
塗布した後の溶媒蒸発速度、塗布膜の表面形状に与える
影響を考慮して、数種類混合して使用することもできる
。
ク樹脂と1,2−キノンジアジド化合物(1)および(
If)を溶解する溶媒に溶かして作るが、例えば溶媒と
して、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ンクリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエー
テル類、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソル
ブアセテートなどのセロソルブエステル類、トルエン、
キシレンなどの芳香族炭化水素類、メチノ1エチルケト
ン、シクロヘキサノン轡ケトン類、m−酸エチル、酢酸
ブチルなどのエステル類を挙けることができる。これら
溶媒は構成要素の溶解度の他に、基板圧感光性組成物を
塗布した後の溶媒蒸発速度、塗布膜の表面形状に与える
影響を考慮して、数種類混合して使用することもできる
。
さらに必l!に応じて、この感光性組成物に保存安定剤
や色素、顔料などを添加することも加能である。
や色素、顔料などを添加することも加能である。
また、シリコン酸化膜などの被塗布基板との接着力を向
上させるため、ヘキサメチルジシラザンやクロロメチル
シランなどを予じめ被塗布基板に塗布することもできる
。
上させるため、ヘキサメチルジシラザンやクロロメチル
シランなどを予じめ被塗布基板に塗布することもできる
。
本発明の感光性組成物の現倫液には、水酸化ナトリウム
、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、り゛ギ酸ナトリウ
ム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水などの無機ア
ルカリ類、エチルアミノ、n−プロピルアミンなどの第
一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン
などの第三アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチ
ルアミンなどの第三アミン類、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム塩
などアルカリ類の水溶液、ビロール、ピペリジン、11
8−ジアザビシクロ(5,4,0)−7−ウエンデセン
、1,5−ジアザビシクロ(4,8,0)−5−ノチン
などの環状アミン類の水溶液が使用され、金属を含有す
る現像液の使用が問題となる集積回路作製時には、第四
級アンモニウム塩や環状アミンの水溶液を使用するのが
好ましい。また上記アルカリ類の水溶液にメタノール、
エタノールのようなアルコール類などの水溶性有機溶媒
や界面活性剤を適当量添加した水lI液を現像液に使用
すること本できる。
、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、り゛ギ酸ナトリウ
ム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水などの無機ア
ルカリ類、エチルアミノ、n−プロピルアミンなどの第
一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン
などの第三アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチ
ルアミンなどの第三アミン類、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム塩
などアルカリ類の水溶液、ビロール、ピペリジン、11
8−ジアザビシクロ(5,4,0)−7−ウエンデセン
、1,5−ジアザビシクロ(4,8,0)−5−ノチン
などの環状アミン類の水溶液が使用され、金属を含有す
る現像液の使用が問題となる集積回路作製時には、第四
級アンモニウム塩や環状アミンの水溶液を使用するのが
好ましい。また上記アルカリ類の水溶液にメタノール、
エタノールのようなアルコール類などの水溶性有機溶媒
や界面活性剤を適当量添加した水lI液を現像液に使用
すること本できる。
本発明の感光性組成物は、集積回路作製用として特に有
用であるばかりでなく、マスク作製用としても有用であ
る。
用であるばかりでなく、マスク作製用としても有用であ
る。
次に実施例をあけて本発明をさらに具体的に説明するが
、本発明はこれらの実施例によってイll11ら制約さ
れるものではない。
、本発明はこれらの実施例によってイll11ら制約さ
れるものではない。
実施例 l
内容積600−の三つロセパラブルフラスコにフェノー
ル30y、p−クレゾール70タヲ仕込んだ後、a重量
鳴ホルマリン水溶液66−1蓚酸0.04ノを添加した
。攪拌しながら、セパラブルフラスコを油浴に浸して反
応温度を100℃にコントロールし、10時間反応させ
ることによりノボラック樹脂を合成した。反応後、30
111HPに減圧和して水を除去し、さらに内温をia
o℃に上げて未反応物を除去した。次いで溶融したアル
カリ可溶性ノボラック樹脂を室温に戻して回収した。
ル30y、p−クレゾール70タヲ仕込んだ後、a重量
鳴ホルマリン水溶液66−1蓚酸0.04ノを添加した
。攪拌しながら、セパラブルフラスコを油浴に浸して反
応温度を100℃にコントロールし、10時間反応させ
ることによりノボラック樹脂を合成した。反応後、30
111HPに減圧和して水を除去し、さらに内温をia
o℃に上げて未反応物を除去した。次いで溶融したアル
カリ可溶性ノボラック樹脂を室温に戻して回収した。
遮光下において内容積500−の三つロセバラブルフラ
スコに2.4−ジヒドロキシフェニルメチルケトン10
F、1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルク
ローリド23P1ジオキサン130−を仕込み溶解した
。攪拌しながらトリエチルアミン9Fを徐々に添加し、
室温で2時間反応した。反応終了後、内容物を多量の1
重量係塩酸水にあけて沈澱【7た生成物を回収した。生
成物を40℃、15時間加熱真空乾燥した。
スコに2.4−ジヒドロキシフェニルメチルケトン10
F、1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルク
ローリド23P1ジオキサン130−を仕込み溶解した
。攪拌しながらトリエチルアミン9Fを徐々に添加し、
室温で2時間反応した。反応終了後、内容物を多量の1
重量係塩酸水にあけて沈澱【7た生成物を回収した。生
成物を40℃、15時間加熱真空乾燥した。
乾燥生成物を液体クロマトグラムで測定しタトこ7)、
2.4−ジヒドロキシフェニルメチルケトン−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸モノエステル(
1)(!:2,4−ジヒドロキシフェニルメチルケトン
−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジx
スf ル(u)013合ti(1)/(It)=4,
975.1 (モル比)であった。(このものを感光剤
Aと略記する)アルカリ可溶性ノボラック樹脂20!、
感光剤A5Fを75 Fのエチルセロソルブアセテート
に溶解し、孔径0,2tur+のミリポアフィルタ−■
でろ過して感光性組成物の溶液を作製した。
2.4−ジヒドロキシフェニルメチルケトン−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸モノエステル(
1)(!:2,4−ジヒドロキシフェニルメチルケトン
−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジx
スf ル(u)013合ti(1)/(It)=4,
975.1 (モル比)であった。(このものを感光剤
Aと略記する)アルカリ可溶性ノボラック樹脂20!、
感光剤A5Fを75 Fのエチルセロソルブアセテート
に溶解し、孔径0,2tur+のミリポアフィルタ−■
でろ過して感光性組成物の溶液を作製した。
シリコン酸化膜ウェハー上にスピンナーで感光性組成物
の溶液を塗布したのち、(資)℃、6分間オーブン中で
ブレベークして1Itn厚の感光性組成物膜を得た。凸
版印刷(株)製テストパターンマスクをウェハーに密着
し、6mJA−IIの紫外線を照射し、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド2.4重量係水溶液で20℃、
fi1秒間埃像したところ、線中1.0/Jmのパター
ンを解偉できた。照射した紫外線の積算光量が6mJ/
cliと照射エネルギーが非常に小さく、それだけ感光
性組成物が高感度であることがゎかつ友。
の溶液を塗布したのち、(資)℃、6分間オーブン中で
ブレベークして1Itn厚の感光性組成物膜を得た。凸
版印刷(株)製テストパターンマスクをウェハーに密着
し、6mJA−IIの紫外線を照射し、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド2.4重量係水溶液で20℃、
fi1秒間埃像したところ、線中1.0/Jmのパター
ンを解偉できた。照射した紫外線の積算光量が6mJ/
cliと照射エネルギーが非常に小さく、それだけ感光
性組成物が高感度であることがゎかつ友。
比較例 l
遮光下において内容積500−の三つロセパラブルフラ
スコに2,4−ジヒドロキシフェニルメチルケトン10
pX l、2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル
クロリド85.85F 。
スコに2,4−ジヒドロキシフェニルメチルケトン10
pX l、2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル
クロリド85.85F 。
ジオキサン240−を仕込み溶解した。攪拌しながらト
リエチルアミン15タヲ徐々に加え、室温で2時間反応
した。回収して得九2,4−ジヒドロキシフェニルメチ
ルケトン−1゜2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸ジエステル(II) 59 %実施例1で合成した
アルカリ可溶性ノボラック樹脂20jlを75yのエチ
ルセロソルブアセテートに溶解し、孔径0.2μn]の
ミリポアフィルタ−でろ過して感光性組成物の溶液を作
製した。実施例1と全く同様に感光性組成物を評価した
ところ、線巾1.0μmのパターンを解偉するためKF
i、紫外線照射エネルギーを25mJ/−としなければ
ならず、低感度であることが認められた。
リエチルアミン15タヲ徐々に加え、室温で2時間反応
した。回収して得九2,4−ジヒドロキシフェニルメチ
ルケトン−1゜2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸ジエステル(II) 59 %実施例1で合成した
アルカリ可溶性ノボラック樹脂20jlを75yのエチ
ルセロソルブアセテートに溶解し、孔径0.2μn]の
ミリポアフィルタ−でろ過して感光性組成物の溶液を作
製した。実施例1と全く同様に感光性組成物を評価した
ところ、線巾1.0μmのパターンを解偉するためKF
i、紫外線照射エネルギーを25mJ/−としなければ
ならず、低感度であることが認められた。
実施例 2
遮光下において内容積500−の三つ口、−ヒバラブル
フラスコに、3.4−ジヒドロキシベンゾフェノン10
F、1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルク
ロリド21.8f 1 ジオキサン1601ntを仕込
み、十分攪拌して溶解し、トリエチルアミン9Fを徐々
に加え室温で2時間反応した。反応終了後、内゛8物を
多量の1重量%塩酸水にあけて生成物を回収した。乾燥
後の生成物について液体クロマトグラムを測定したとこ
ろ、8.4−ジヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸モノエステル(1
)ト8゜4−ジヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエステル(1)
の割合は(1)/(11)=8,476.6 (モル比
)であった。(このものを感光剤Bと略記する。)フェ
ノール30Fおよびp−クレゾール70 Pの代りVc
m−クレゾール759!、p−クレゾール25りを使用
した他は実施例1と全く同様にしてアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂を作製し7た。このアルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂と感光剤Bから実施例1と全く同IIK感光性組
成物の溶液を調製し、感光性組成物の評価を行なったと
ころ、線巾1.0/a1のパターンを再現するた、めK
N’する紫外線の照射エネルギーは8.9mJ/cdで
あ少、感光性組成物の感度は非常に高いものであった。
フラスコに、3.4−ジヒドロキシベンゾフェノン10
F、1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルク
ロリド21.8f 1 ジオキサン1601ntを仕込
み、十分攪拌して溶解し、トリエチルアミン9Fを徐々
に加え室温で2時間反応した。反応終了後、内゛8物を
多量の1重量%塩酸水にあけて生成物を回収した。乾燥
後の生成物について液体クロマトグラムを測定したとこ
ろ、8.4−ジヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸モノエステル(1
)ト8゜4−ジヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエステル(1)
の割合は(1)/(11)=8,476.6 (モル比
)であった。(このものを感光剤Bと略記する。)フェ
ノール30Fおよびp−クレゾール70 Pの代りVc
m−クレゾール759!、p−クレゾール25りを使用
した他は実施例1と全く同様にしてアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂を作製し7た。このアルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂と感光剤Bから実施例1と全く同IIK感光性組
成物の溶液を調製し、感光性組成物の評価を行なったと
ころ、線巾1.0/a1のパターンを再現するた、めK
N’する紫外線の照射エネルギーは8.9mJ/cdで
あ少、感光性組成物の感度は非常に高いものであった。
比較例 2
遮光下において内容積500 wtの三つロセバラプル
フラスコに8.4−ジヒドロキシベンゾフェノン15F
、1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロ
!J ト4.7 f、 ジオキサン200dを仕込み十
分攪拌して溶解し、トリx f A、アミン21を徐々
に加えて室温で2時間反応した。内容物を多量の1重量
嗟塩酸水/メタノール混合溶媒に入れ、生成物を回収し
た。乾燥後の生成物の液体クロマトグラムH18,4−
ジヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸モノエステル(1)と8.4−
ジヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸ジエステル(it)の割合が(
13/(u)二〇、510.5 (モル比)であること
を示した。(このものを感光剤Cと略記する。)実施例
2で使用したアルカリ可溶性ノボラック樹脂と感光剤C
から実施例1と全く四様にして感光性組成物の溶液を調
製し、感光性組成物の評価を行ったところ、線巾1.0
IInのパターンを再現するための紫外線照射エネルギ
ーは6mJ、−であったが、本来1.0姐あるべきパタ
ーンが0.6ttnとなっておりパターンが痩せる現象
が観察された。
フラスコに8.4−ジヒドロキシベンゾフェノン15F
、1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロ
!J ト4.7 f、 ジオキサン200dを仕込み十
分攪拌して溶解し、トリx f A、アミン21を徐々
に加えて室温で2時間反応した。内容物を多量の1重量
嗟塩酸水/メタノール混合溶媒に入れ、生成物を回収し
た。乾燥後の生成物の液体クロマトグラムH18,4−
ジヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸モノエステル(1)と8.4−
ジヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸ジエステル(it)の割合が(
13/(u)二〇、510.5 (モル比)であること
を示した。(このものを感光剤Cと略記する。)実施例
2で使用したアルカリ可溶性ノボラック樹脂と感光剤C
から実施例1と全く四様にして感光性組成物の溶液を調
製し、感光性組成物の評価を行ったところ、線巾1.0
IInのパターンを再現するための紫外線照射エネルギ
ーは6mJ、−であったが、本来1.0姐あるべきパタ
ーンが0.6ttnとなっておりパターンが痩せる現象
が観察された。
Claims (1)
- (式中、R1およびR3は同一または異なりアルキル基
、フェニル基、アラルキル基であり、R2゜也およびR
3は四−または異なり1.2−ナフトキノンジアジド−
4−スルホニル基、l、2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホニル基、R2−ベンゾキノン−4−スルホニル
基である)で示される1、2−キノンジアジド化合物と
を含み、該1,2一キノンジアジド化合物の割合が(l
Hil)=1/9〜9/l(モル比)であることを特徴
とするポジ型感光性樹脂組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6575982A JPS58182632A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| US06/484,312 US4499171A (en) | 1982-04-20 | 1983-04-12 | Positive type photosensitive resin composition with at least two o-quinone diazides |
| DE8383302258T DE3381834D1 (de) | 1982-04-20 | 1983-04-20 | Zusammensetzung von photoempfindlichem harz des positivtyps. |
| EP83302258A EP0092444B1 (en) | 1982-04-20 | 1983-04-20 | Positive type photosensitive resin composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6575982A JPS58182632A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58182632A true JPS58182632A (ja) | 1983-10-25 |
| JPH0148532B2 JPH0148532B2 (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=13296273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6575982A Granted JPS58182632A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58182632A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60158440A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPS60164740A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JPS60189739A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JPS62102243A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-12 | ヘキスト・セラニ−ズ・コ−ポレイシヨン | フオトレジストの製法 |
| JPS63161449A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | 高コントラストなフオトレジスト組成物 |
| JPH02110462A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-04-23 | Mitsubishi Kasei Corp | ポジ型フォトレジスト |
| JPH02306245A (ja) * | 1990-05-01 | 1990-12-19 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JPH06148879A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-05-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| JPH06214384A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-08-05 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルの製造方法 |
| JP2009211065A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトレジスト組成物及びこれを用いたアレイ基板の製造方法 |
-
1982
- 1982-04-20 JP JP6575982A patent/JPS58182632A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60158440A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPS60164740A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JPS60189739A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JPS62102243A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-12 | ヘキスト・セラニ−ズ・コ−ポレイシヨン | フオトレジストの製法 |
| JPS63161449A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | 高コントラストなフオトレジスト組成物 |
| JPH02110462A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-04-23 | Mitsubishi Kasei Corp | ポジ型フォトレジスト |
| JPH02306245A (ja) * | 1990-05-01 | 1990-12-19 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JPH06148879A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-05-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| JPH06214384A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-08-05 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルの製造方法 |
| JP2009211065A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトレジスト組成物及びこれを用いたアレイ基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0148532B2 (ja) | 1989-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4499171A (en) | Positive type photosensitive resin composition with at least two o-quinone diazides | |
| JP2552891B2 (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
| KR0137776B1 (ko) | 감방사선성 수지 조성물 | |
| JPH0654381B2 (ja) | 集積回路作製用ポジ型レジスト | |
| JP2568827B2 (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
| JPS60176034A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JPS62153950A (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH0654386B2 (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH0148532B2 (ja) | ||
| JPH0251499B2 (ja) | ||
| JPS59165053A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| TW200307013A (en) | Novolak resin mixtures and photosensitive compositions comprising the same | |
| JP2555620B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH0778157B2 (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物の製造方法 | |
| JPH0768435B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP3784095B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JPH0588466B2 (ja) | ||
| JP2787943B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JP2569650B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH0654385B2 (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH04260B2 (ja) | ||
| JPS63113451A (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物 | |
| JP2985400B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JPS62229138A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
| JPH04274242A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 |