JPS58197702A - 電圧非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造方法Info
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- JPS58197702A JPS58197702A JP57080726A JP8072682A JPS58197702A JP S58197702 A JPS58197702 A JP S58197702A JP 57080726 A JP57080726 A JP 57080726A JP 8072682 A JP8072682 A JP 8072682A JP S58197702 A JPS58197702 A JP S58197702A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本１１明＆ｔＩｉＩＩ化墓鉛を主成分とする鉤結体の胱
紬過−において最後まで自浄を一つ不純物を混入した電
圧非直線抵抗体の製造方法に関する・近年ＩＣ，）ツン
ジスタ、サイリスタなどの牛榔体嵩子および亭４体＃Ｉ
Ａ＃ｂとそのめ廟の急速な妬展にと％ない計測−１ｉｎ
ｉｔｔｔ、朧伽機嬢および電力している。しかし他方で
はこのような進展にと１ないこれらのＷｔ−やその部品
の一電庄、耐す−ジおよび耐ノイス性馳は十分といえな
い０このためこれらの一一中廊品を＾霊″＆す−シやノ
イズから５ＩＩＩすること中ＩｇｉｌＩｂ電圧を安電化
することがきわめて１贅なＳａＷになっている。これら
のｗＩ墓のためにすぐれた電圧非直線抵抗体として鹸化
墓船系バリスタが關Ｊｉされている。バリスタの電圧電
流特性は一般につ「の関係 Ｉ冨（ｖ／Ｃ）“ で表水される・ここでｖｋｉバリスタに印加されている
電圧であ夛■はバリスタを流れる電流である◎またＣは
与えられた電流を概したときの電圧に対応する定款であ
る・ここではバリスタ特性をＣと−で表わすかわ少に１
ｍムにおける立上参電圧Ｖｌ鳳ムと―で表わす仁ととす
る。−は非直−ｍ敞でｇ”ｍｌｕオームの決−にしたが
う１１辿の抵抗体でありαが大きいはと非直産性がすぐ
れているといえる・曽配瞭化龜鉛系バリスタはＶ １
ｍＡの値の各−０１のがｍ嚢もれているｅ翫鮎体厚賂１
ａｍにおける立上シミ庄をＶｌ廓とするとおおよそＶｌ
／■−２２Ｖ、 ４０Ｖ、 １００Ｖ、 ２００Ｖの４
麺−のバリスタがｌ１ｉｉｉＩ！１されている。これら
のＶｌ／ｍを１つ皺化墓船糸バリスタにおいてＶｌ／園
は腕紬体内の瞭化臘船を主成分とする結晶粒の大Ｓ石に
よって決まる。低いＶｌ／■を慢るために社ｋＢ＆粒を
大きく成長させることが、また高いＶｌ／ｍを侮るため
には結晶粒の成員を小さく抑えることが必要となる。し
かしこれらのＶｌ／ｍを１ち、かつ高い非直Ｉｓ係撒α
と高い儒−性を有する焼結体を侮るためには結１粒の一
備が原子価ｌｌ１ＩＩｉ１などの一体屓応釣手法による
ことから□それぞれ組成と説結条件を大輪に変えなけれ
けならない・また一定のＶｌ／■を１つ焼結体で広い電
圧軸回のバリスタを製造すると焼結体の厚さを極端に鯵
くするか逆に―端に廖くしなければならず１１１１ｊｋ
条粁がｍｉｋで麹ａｉｍｓとなルしかも価格が高くなる
欠点がめった。
紬過−において最後まで自浄を一つ不純物を混入した電
圧非直線抵抗体の製造方法に関する・近年ＩＣ，）ツン
ジスタ、サイリスタなどの牛榔体嵩子および亭４体＃Ｉ
Ａ＃ｂとそのめ廟の急速な妬展にと％ない計測−１ｉｎ
ｉｔｔｔ、朧伽機嬢および電力している。しかし他方で
はこのような進展にと１ないこれらのＷｔ−やその部品
の一電庄、耐す−ジおよび耐ノイス性馳は十分といえな
い０このためこれらの一一中廊品を＾霊″＆す−シやノ
イズから５ＩＩＩすること中ＩｇｉｌＩｂ電圧を安電化
することがきわめて１贅なＳａＷになっている。これら
のｗＩ墓のためにすぐれた電圧非直線抵抗体として鹸化
墓船系バリスタが關Ｊｉされている。バリスタの電圧電
流特性は一般につ「の関係 Ｉ冨（ｖ／Ｃ）“ で表水される・ここでｖｋｉバリスタに印加されている
電圧であ夛■はバリスタを流れる電流である◎またＣは
与えられた電流を概したときの電圧に対応する定款であ
る・ここではバリスタ特性をＣと−で表わすかわ少に１
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る。−は非直−ｍ敞でｇ”ｍｌｕオームの決−にしたが
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れているといえる・曽配瞭化龜鉛系バリスタはＶ １
ｍＡの値の各−０１のがｍ嚢もれているｅ翫鮎体厚賂１
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／■−２２Ｖ、 ４０Ｖ、 １００Ｖ、 ２００Ｖの４
麺−のバリスタがｌ１ｉｉｉＩ！１されている。これら
のＶｌ／ｍを１つ皺化墓船糸バリスタにおいてＶｌ／園
は腕紬体内の瞭化臘船を主成分とする結晶粒の大Ｓ石に
よって決まる。低いＶｌ／■を慢るために社ｋＢ＆粒を
大きく成長させることが、また高いＶｌ／ｍを侮るため
には結晶粒の成員を小さく抑えることが必要となる。し
かしこれらのＶｌ／ｍを１ち、かつ高い非直Ｉｓ係撒α
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備が原子価ｌｌ１ＩＩｉ１などの一体屓応釣手法による
ことから□それぞれ組成と説結条件を大輪に変えなけれ
けならない・また一定のＶｌ／■を１つ焼結体で広い電
圧軸回のバリスタを製造すると焼結体の厚さを極端に鯵
くするか逆に―端に廖くしなければならず１１１１ｊｋ
条粁がｍｉｋで麹ａｉｍｓとなルしかも価格が高くなる
欠点がめった。
本Ｊ１例は上記のような欠点を＃ｒＲｆるために鹸化麺
船を主成分とする焼結体の睨！Ｉ！ｉ過娠で讃化慮船結
晶粒界に最１に１＆で自形を保つホウ化物からなる不純
−を混入して結ｊ６１Ｉ＆ｔＪｌの参勤を抑細し結晶粒
ｌｌ１１．飯を抑−することによルー−条件で烏い非直
−係数αと＾い伽拳性を看し広い電庄軸腸の任意のＶｌ
／蒙を１つ電圧神＃Ｌｉ１１１抵抗体の一愈方法を提供
せんとするものである。
船を主成分とする焼結体の睨！Ｉ！ｉ過娠で讃化慮船結
晶粒界に最１に１＆で自形を保つホウ化物からなる不純
−を混入して結ｊ６１Ｉ＆ｔＪｌの参勤を抑細し結晶粒
ｌｌ１１．飯を抑−することによルー−条件で烏い非直
−係数αと＾い伽拳性を看し広い電庄軸腸の任意のＶｌ
／蒙を１つ電圧神＃Ｌｉ１１１抵抗体の一愈方法を提供
せんとするものである。
以下本発明の一実一−につき図−を募跪しながら説嘴す
る。すなわち鍛化益船を主成分としてこれにＭｇＯＭｇ
Ｏ５Ｂ１．８に＋ｓＯｓ、ＣｏＯ，ＭｍＯ。
る。すなわち鍛化益船を主成分としてこれにＭｇＯＭｇ
Ｏ５Ｂ１．８に＋ｓＯｓ、ＣｏＯ，ＭｍＯ。
Ｃｒ５Ｏｓａ？＠５Ｏｓａ′ム１ｍ’ｓ 、８１０ｍ
、ＴｔＯｍ １８ｍＯｍ−ＣｉｉＯ−１ａＯ＃Ｃａ０ｅ
ＮｉＯ＊ＰｂＯ＊ＢｍＯｓ ｌＭｏ５ｓ ｍ Ｌ１ｓＯ
＊ ＶｓＯｍ ＊ Ｚｒ０ｍ ａ Ｉｎｎ’ｓ １ＷＯ
３。
、ＴｔＯｍ １８ｍＯｍ−ＣｉｉＯ−１ａＯ＃Ｃａ０ｅ
ＮｉＯ＊ＰｂＯ＊ＢｍＯｓ ｌＭｏ５ｓ ｍ Ｌ１ｓＯ
＊ ＶｓＯｍ ＊ Ｚｒ０ｍ ａ Ｉｎｎ’ｓ １ＷＯ
３。
ＴａｍＯｉａ８ｒＯａＧａｍＯｓ＃Ｇｏｏｓ などの
他の曹属鹸化物を数ｗａｉｔ添加し、かつ貌結過程て酸
化墓船結晶粒界にＩＩｋｌｌまて自形を保つＺｒＢａＷ
ＢａＴ１１處、Ｍｏ１１．Ｔａｍ、ＮｂＢま＊ｄＶＢａ
などのホウ化物からなる不純物を混入する。顔不純
ＩＩＩＩ＆ｌｉ箕紬体１♂中の不純物粒子の舗鈑が１０
１〜２ Ｘ １０’個の軸回で混入しこれらを十分に混
合して１５蒙−Ｘ １ａｓｔ の寸法の円板麺に成麺し
１０００〜１４１Ｓ０℃の空気申高溢で負結した。表１
にＶ ｌ ７ｍ ｘ２２Ｖ、４０Ｖ、１００Ｖ、２００
Ｖの本発明の実ｉ＊ｗ（４）（ＩＩ（６）によるバリス
タの組成と鋺鯖一度につい１上配のような不純物を一切
混入しない従来の１考−との比較をボす。
他の曹属鹸化物を数ｗａｉｔ添加し、かつ貌結過程て酸
化墓船結晶粒界にＩＩｋｌｌまて自形を保つＺｒＢａＷ
ＢａＴ１１處、Ｍｏ１１．Ｔａｍ、ＮｂＢま＊ｄＶＢａ
などのホウ化物からなる不純物を混入する。顔不純
ＩＩＩＩ＆ｌｉ箕紬体１♂中の不純物粒子の舗鈑が１０
１〜２ Ｘ １０’個の軸回で混入しこれらを十分に混
合して１５蒙−Ｘ １ａｓｔ の寸法の円板麺に成麺し
１０００〜１４１Ｓ０℃の空気申高溢で負結した。表１
にＶ ｌ ７ｍ ｘ２２Ｖ、４０Ｖ、１００Ｖ、２００
Ｖの本発明の実ｉ＊ｗ（４）（ＩＩ（６）によるバリス
タの組成と鋺鯖一度につい１上配のような不純物を一切
混入しない従来の１考−との比較をボす。
Ｉｌｌから―らかなようにＺｒ１．ＷＢ、ＴＡＢ富。
Ｍｏ１．Ｔａ１．Ｎｋ＋１ｉ１１＊はＶｌｎなどのｔ’
Ｆ化物からなる不純物は最ａｔで自形を保って異物とし
て存在するため、上記の不純物の親犬臘を変えてもバリ
スタとしての組成／１ｉ変わらず一定であｐ、かつ絢結
ｍ度−一定である。したがって実旙例（４）ω〕（Ｑ
ｋｉ Ｉｌｌ城や製造条件を全＜ｗ更することなく単に
上記の不純物を５１１ｗ１体１伽３申の不純物粒子の個
数が１０５〜２ＸｌＯ″′個の鵬−で親犬するだけで任
意の立上）電圧のバリスタをきわめて簡単に製造する結
性が悪くｍ−条件での睨紬が不Ｑｌ能になる。つぎに簡
１図に不純物の混入蓋を変えたときの２菖０結晶粒子の
平均粒径の変化、３１２図に不純物の混入量を変えたと
きのＶｌ／■の変化を示す。これによれば不純物の混入
量、すなわち不純物の存在率によってｚｎＯ結晶粒子の
成長を抑制しＶｌ／ｓｍを任意に制御できることがわか
る。第３図に表１の１考例と実１ｉｈ＠（４）とのＶｌ
／ｓｍに対応すゐ非１ｆ線係緻ｇの比較、Ｊ８４図に電
流波形が８×２０μｓ で１０００ムのｌＩｒ１１電流
を１０−印加し＊ト５ＯＶｌ／■に対応するＶｌｎムの
変化率の比較を不す。
Ｆ化物からなる不純物は最ａｔで自形を保って異物とし
て存在するため、上記の不純物の親犬臘を変えてもバリ
スタとしての組成／１ｉ変わらず一定であｐ、かつ絢結
ｍ度−一定である。したがって実旙例（４）ω〕（Ｑ
ｋｉ Ｉｌｌ城や製造条件を全＜ｗ更することなく単に
上記の不純物を５１１ｗ１体１伽３申の不純物粒子の個
数が１０５〜２ＸｌＯ″′個の鵬−で親犬するだけで任
意の立上）電圧のバリスタをきわめて簡単に製造する結
性が悪くｍ−条件での睨紬が不Ｑｌ能になる。つぎに簡
１図に不純物の混入蓋を変えたときの２菖０結晶粒子の
平均粒径の変化、３１２図に不純物の混入量を変えたと
きのＶｌ／■の変化を示す。これによれば不純物の混入
量、すなわち不純物の存在率によってｚｎＯ結晶粒子の
成長を抑制しＶｌ／ｓｍを任意に制御できることがわか
る。第３図に表１の１考例と実１ｉｈ＠（４）とのＶｌ
／ｓｍに対応すゐ非１ｆ線係緻ｇの比較、Ｊ８４図に電
流波形が８×２０μｓ で１０００ムのｌＩｒ１１電流
を１０−印加し＊ト５ＯＶｌ／■に対応するＶｌｎムの
変化率の比較を不す。
これによれｄ実施例（４）は組成および製造条件を羨え
ないで単に不純物の混入蓋を変えるだけで番考例と−じ
特性の慢られることがわかる。
ないで単に不純物の混入蓋を変えるだけで番考例と−じ
特性の慢られることがわかる。
以上靜述したように本発倒によれば瞭化駕船を主成分と
する焼結体の鋺鯖−翰で醗化血船結晶粒界に最後まで目
形を一つＺ ｒ Ｂ ａ Ｗ Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｂ ｓ
−ＭｏＢ、Ｔａ１１．Ｎｂ１ＬｔたｔｔＶＢｍなどの
ホウ化物か・ｂなる不純物を親犬して結晶粒界の参ｗＪ
を抑−し結晶粒成長をｕｍすることにより同一条件て広
い電圧ＩＩＩＡＩＩの任意のｖ１／腸をもつ電圧非ｔＬ
騙抵抗体の製造方決を提供する仁とができる。
する焼結体の鋺鯖−翰で醗化血船結晶粒界に最後まで目
形を一つＺ ｒ Ｂ ａ Ｗ Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｂ ｓ
−ＭｏＢ、Ｔａ１１．Ｎｂ１ＬｔたｔｔＶＢｍなどの
ホウ化物か・ｂなる不純物を親犬して結晶粒界の参ｗＪ
を抑−し結晶粒成長をｕｍすることにより同一条件て広
い電圧ＩＩＩＡＩＩの任意のｖ１／腸をもつ電圧非ｔＬ
騙抵抗体の製造方決を提供する仁とができる。
Ｊｌｌ−は不純物の混入量を変えたときのＺｏ。
結晶粒子の平均粒径の変化を示す曲ｌ！１図、第２図は
不純物の混入量を変ええと亀のＶｌ／■の変化を示す−
ａｉａａ、ｕｓ図はＶｌ／−に対応する非直縁係数−の
比較を示す１１１ｍ−１第４−は衝撃電流を印加したと
龜のＶｌ／ｓａ＆：対応するＶｉａムの変化串の比較を
暮す曲Ｉｌ園であるＯ ＊＊ 出 鵬 人 ！ルコン電子株式金社
不純物の混入量を変ええと亀のＶｌ／■の変化を示す−
ａｉａａ、ｕｓ図はＶｌ／−に対応する非直縁係数−の
比較を示す１１１ｍ−１第４−は衝撃電流を印加したと
龜のＶｌ／ｓａ＆：対応するＶｉａムの変化串の比較を
暮す曲Ｉｌ園であるＯ ＊＊ 出 鵬 人 ！ルコン電子株式金社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （υ鍛化腫船を主成分とする腕赫体の腕緬過注で毅化墓
鉛結晶粒算に最Ｉｌまで自形を一つホウ化物からなる不
純物を混入して鋺紬することを４１１数とす為電圧非直
線抵抗体の１１１ｊｉ方法・（４本つ化物がＺ ｒ Ｂ
ａ Ｗ ｌ ａＴｉ Ｂ ｍ ｍ Ｍ ０１ ＃↑ａ
Ｂ。 ＮｂＢｔ史ｋｉｖ皐震であることを特徴とする特許−求
Ｏ軸ＩＩ ＩＩ （１３項記貌の電圧非ｓ［ｌＩ批抗体
の麹造方法。 （３）不純物の混入量が鋺紬体１ （ＩＩ’中の不純物
粒子の４１１１１１が１０’−２ＸｌＯ’傭であること
を特徴とする特許■求の職履第（１）ａｔたは篇（２）
積配飄の電圧非直線抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57080726A JPS58197702A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57080726A JPS58197702A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197702A true JPS58197702A (ja) | 1983-11-17 |
| JPH0128487B2 JPH0128487B2 (ja) | 1989-06-02 |
Family
ID=13726365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57080726A Granted JPS58197702A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197702A (ja) |
-
1982
- 1982-05-12 JP JP57080726A patent/JPS58197702A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0128487B2 (ja) | 1989-06-02 |
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