JPS58199548A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS58199548A JPS58199548A JP57081441A JP8144182A JPS58199548A JP S58199548 A JPS58199548 A JP S58199548A JP 57081441 A JP57081441 A JP 57081441A JP 8144182 A JP8144182 A JP 8144182A JP S58199548 A JPS58199548 A JP S58199548A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tab
- resin
- lead frame
- package
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレジンモールド型パッケージを有する半導体装
置に使用するリードフレームに関するものである。
置に使用するリードフレームに関するものである。
一般に、この種の半導体装置の製造に用いられるリード
フレームは、第１図に示すように、そりリードフレーム
１のほぼ中央部に半導体ペレット３を取り付けるための
タブ２を有し、ペレット取付後に該半導体ペレット３の
ポンディングパッドをリードフレーム１のインナーリー
ド部４とワイヤ５でボンディング接続し、アウターリー
ド部（外部リード端子）６に導通させている。その後、
リードフレーム１のタブ２、インナーリード部４および
半導体ペビット３等はレジンモールド型パッケージ７で
封止される。
フレームは、第１図に示すように、そりリードフレーム
１のほぼ中央部に半導体ペレット３を取り付けるための
タブ２を有し、ペレット取付後に該半導体ペレット３の
ポンディングパッドをリードフレーム１のインナーリー
ド部４とワイヤ５でボンディング接続し、アウターリー
ド部（外部リード端子）６に導通させている。その後、
リードフレーム１のタブ２、インナーリード部４および
半導体ペビット３等はレジンモールド型パッケージ７で
封止される。
このようなレジンモールド型パッケージ７を有する半導
体装置、特に大容量ＭＯＳメモリの如き半導体装置では
、タブ２０寸法、とりわけ長手方向すなわちタブ吊り用
リード８の方向への寸法Ｊ（第２図）がかなり長いもの
となる。したがって、。
体装置、特に大容量ＭＯＳメモリの如き半導体装置では
、タブ２０寸法、とりわけ長手方向すなわちタブ吊り用
リード８の方向への寸法Ｊ（第２図）がかなり長いもの
となる。したがって、。
このリードフレームを用いた半導体装置の場合において
は、レジンモールド型パッケージ７に対シて温度ストレ
スが繰返し加わった場合、リードフレーム１のタブ２の
材料たとえば４２アロイとパッケージ７のレジンとの間
の熱膨張差圧起因して、該タブ２の端部で歪応力が最大
となり、第１図に示すようにレジンクラック９が発生す
るおそれがある。このようなレジンクラック９の発生原
因は、タブ２とパッケージ７との界面の接着強度が弱い
ため、タブ２とパッケージ７との熱膨張差による歪応力
に耐えられず、特にタブ２の端部でその傾向が顕著にな
ることにあると考えら５れる。
は、レジンモールド型パッケージ７に対シて温度ストレ
スが繰返し加わった場合、リードフレーム１のタブ２の
材料たとえば４２アロイとパッケージ７のレジンとの間
の熱膨張差圧起因して、該タブ２の端部で歪応力が最大
となり、第１図に示すようにレジンクラック９が発生す
るおそれがある。このようなレジンクラック９の発生原
因は、タブ２とパッケージ７との界面の接着強度が弱い
ため、タブ２とパッケージ７との熱膨張差による歪応力
に耐えられず、特にタブ２の端部でその傾向が顕著にな
ることにあると考えら５れる。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、耐温
度ストレス性を向上させ、レジンクラックの発生を防止
することのできるリードフレームを提供することにある
。
度ストレス性を向上させ、レジンクラックの発生を防止
することのできるリードフレームを提供することにある
。
この目的を達成するため、本発明は、リードフレームの
タブの裏面を凹凸形状に形成し、タブとレジンとの接着
強度を増大させることを特徴とするものである。
タブの裏面を凹凸形状に形成し、タブとレジンとの接着
強度を増大させることを特徴とするものである。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって詳細に説
明する。
明する。
第３図（Ａｌと（均はそれぞれ本発明によるリードフレ
ームの一実施例を示すタブの部分裏面図と正面図である
。
ームの一実施例を示すタブの部分裏面図と正面図である
。
この実施例においては、リードフレームのタブ２の裏面
には、該タブ２の長手方向に対して横断方向に溝１０Ａ
が形成され、タブ２の裏面は第３図（Ｂｌから明らかな
ように凹凸面状になっている。
には、該タブ２の長手方向に対して横断方向に溝１０Ａ
が形成され、タブ２の裏面は第３図（Ｂｌから明らかな
ように凹凸面状になっている。
これらの溝１０Ａは、このリードフレームを第１図に示
す如くレジンモールドしたときにレジンモールド型パッ
ケージ７のレジンとタブ２との界面の接着強度を大きく
し、耐温度ストレス性を向上させるために形成されたも
のである。
す如くレジンモールドしたときにレジンモールド型パッ
ケージ７のレジンとタブ２との界面の接着強度を大きく
し、耐温度ストレス性を向上させるために形成されたも
のである。
すなわち、本実施例によれば、リードフレーム１のタブ
２がレジンモールド型パッケージ７内に封入された時、
パッケージ７のレジンがタブ２の溝１０Ａの中に入り込
むので、レジンとタブ２との接着面積が大きくなり、レ
ジンの硬化後にはパッケージ７のレジンとタブ２の溝１
０Ａとが互いに強固に結合し合い、レジンとタブ２との
接着強度は大巾に増大する。
２がレジンモールド型パッケージ７内に封入された時、
パッケージ７のレジンがタブ２の溝１０Ａの中に入り込
むので、レジンとタブ２との接着面積が大きくなり、レ
ジンの硬化後にはパッケージ７のレジンとタブ２の溝１
０Ａとが互いに強固に結合し合い、レジンとタブ２との
接着強度は大巾に増大する。
その結果、半導体装置がレジン刺止後に繰返し温度スト
レスを受けても、タブ２の端部におけるパッケージ７の
レジンクラックの発生は防止されるので、品質向上によ
り信頼性が向上する。
レスを受けても、タブ２の端部におけるパッケージ７の
レジンクラックの発生は防止されるので、品質向上によ
り信頼性が向上する。
第４図（Ａｌと（Ｂ）はそれぞれ本発明によるリードフ
レームの他の１つの実施例を示すタブの部分裏面図とそ
の正面図である。
レームの他の１つの実施例を示すタブの部分裏面図とそ
の正面図である。
本実施例の場合、リードフレー間のタブ２の農、１１１
″１１ 面には、第３図におけるタブ２の横断方向への溝１０Ａ
の他に、該タブ２の長手方向への溝１０Ｂが互いＫｉｌ
交するよう形成されている。
″１１ 面には、第３図におけるタブ２の横断方向への溝１０Ａ
の他に、該タブ２の長手方向への溝１０Ｂが互いＫｉｌ
交するよう形成されている。
したがって、本実施例では、溝１０ＡとＩＯＢとの存在
により、タブ２とレジンとの接着面積はさらに増大し、
タブ２とパッケージ７のレジンとの接着強度は非常に大
きくなる。
により、タブ２とレジンとの接着面積はさらに増大し、
タブ２とパッケージ７のレジンとの接着強度は非常に大
きくなる。
その結果、タブ２とパッケージ７のレジンとの熱膨張差
による歪応力が加わっても、タブ２め端部におけるパッ
ケージ７にレジンクラックが発生することは防止される
。
による歪応力が加わっても、タブ２め端部におけるパッ
ケージ７にレジンクラックが発生することは防止される
。
なお、溝１０Ａ、ＩＯＢの如き角形断面の溝以外に、ギ
ザギザ状（鋸歯状）の溝による凹凸面をタブ２の裏面に
形成してもよく、また溝ではなくて穴や突起で凹凸面を
形成すること等も可能である。
ザギザ状（鋸歯状）の溝による凹凸面をタブ２の裏面に
形成してもよく、また溝ではなくて穴や突起で凹凸面を
形成すること等も可能である。
以上説明したように、本発明によれば、リードフレーム
のタブとパッケージのレジンとの接着強度を増大させ、
耐温度ストレス性を向上させることができ、パッケージ
のレジンクランクの発生を防止することが可能となる。
のタブとパッケージのレジンとの接着強度を増大させ、
耐温度ストレス性を向上させることができ、パッケージ
のレジンクランクの発生を防止することが可能となる。
第１図は本発明を適用できるレジンモールド型半導体装
置の断面図、 第２図は従来のリードフレームのタブの部分平面図、 第３１！９（Ａｌと（Ｂｌはそれぞれ本発明によるリー
ドフレームの一実施例のタブの部分真面図とその正面図
、 第４図（Ａ）と（Ｂｌはそれぞれ本発明の他の１つの実
施例におけるタブの部分裏面図とその正面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・タブ、３・・・半導
体ペレット、４・・・インナーリード都、５・・・ワイ
ヤ、６・・・アウターリード部、７・・・Ｃジンモール
ド型パッケージ、８・・・タブ吊り用リード、９・・・
レジンクラック、ＩＯＡ、ＩＯＢ・・・溝。
置の断面図、 第２図は従来のリードフレームのタブの部分平面図、 第３１！９（Ａｌと（Ｂｌはそれぞれ本発明によるリー
ドフレームの一実施例のタブの部分真面図とその正面図
、 第４図（Ａ）と（Ｂｌはそれぞれ本発明の他の１つの実
施例におけるタブの部分裏面図とその正面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・タブ、３・・・半導
体ペレット、４・・・インナーリード都、５・・・ワイ
ヤ、６・・・アウターリード部、７・・・Ｃジンモール
ド型パッケージ、８・・・タブ吊り用リード、９・・・
レジンクラック、ＩＯＡ、ＩＯＢ・・・溝。
Claims (1)
- レジンモールド酒パッケージを有する半導体装置に用り
るリードフレームにおいて、タブの裏面を凹凸形状に形
成したことを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57081441A JPS58199548A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57081441A JPS58199548A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58199548A true JPS58199548A (ja) | 1983-11-19 |
Family
ID=13746477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57081441A Pending JPS58199548A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58199548A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60133736A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS60186044A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-09-21 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | 集積回路装置 |
| JPS6280342U (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-22 | ||
| JPH01251748A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
| EP0771029A3 (en) * | 1995-10-24 | 1997-07-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, and method of manufacturing the same |
-
1982
- 1982-05-17 JP JP57081441A patent/JPS58199548A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186044A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-09-21 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | 集積回路装置 |
| JPS60133736A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS6280342U (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-22 | ||
| JPH01251748A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
| EP0771029A3 (en) * | 1995-10-24 | 1997-07-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, and method of manufacturing the same |
| US5864174A (en) * | 1995-10-24 | 1999-01-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a die pad structure for preventing cracks in a molding resin |
| US6177725B1 (en) | 1995-10-24 | 2001-01-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small-sized semiconductor and method of manufacturing the same |
| US6459145B1 (en) | 1995-10-24 | 2002-10-01 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, and improved small-sized semiconductor |
| US6569755B2 (en) | 1995-10-24 | 2003-05-27 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small sized semiconductor and method of manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5468993A (en) | Semiconductor device with polygonal shaped die pad | |
| TWI250632B (en) | Ground-enhancing semiconductor package and lead frame | |
| US4791472A (en) | Lead frame and semiconductor device using the same | |
| US4278991A (en) | IC Package with heat sink and minimal cross-sectional area | |
| JPS58199548A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| KR100382966B1 (ko) | 얇은 플레이트를 갖는 리드-온-칩형의 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JPS58199547A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JP2003243598A (ja) | 半導体装置及びその半導体装置の製造方法 | |
| US5990544A (en) | Lead frame and a semiconductor device having the same | |
| JPS63213362A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2589520B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPS634354B2 (ja) | ||
| JPH03105950A (ja) | 半導体集積回路のパッケージ | |
| JPH06196609A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置 | |
| JPS6227548B2 (ja) | ||
| JP3545584B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2595908B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59191363A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01181450A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR940008336B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| KR100531420B1 (ko) | 반도체 패키지 제조 공정용 페이스트 | |
| JPH04165661A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS59134862A (ja) | リ−ドフレ−ム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH0426215B2 (ja) | ||
| JPH07130782A (ja) | ヒートシンク付きパッケージ型半導体装置の製造方法 |