JPS58204567A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS58204567A JPS58204567A JP57088481A JP8848182A JPS58204567A JP S58204567 A JPS58204567 A JP S58204567A JP 57088481 A JP57088481 A JP 57088481A JP 8848182 A JP8848182 A JP 8848182A JP S58204567 A JPS58204567 A JP S58204567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- electrode
- nitride
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
- H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本充明ｅよ、特に千尋本映直のＷ、＋１Ｊ＋再念に関す
るものである。
るものである。
ｒ楠１ｄ精就半峙体表！、神にバイポーン・トフンジス
タ、、・イオード守の゛酸極にはｓ ｆｊＴ熱、土、エ
レクトロマイグレーシｖｘ ：／ ｔａｉｒｔ）： ＊
：、ｂ４腐亥婢すが安水ちれる。この為、例えはＴｆ
−１’ｔ−ＡｕＪ造の電１夕η・採用さ君てい＾。ここ
で Ｉｔ＋ ｉ層？、Ｌ８ｉＵ２膜等の次叩詠禮Ｉ良と
ｃノ密盾性及び７リコン中へのＰｔの侵入にＩ−１する
一一幼釆のためのものであり、ＰｔＪ＊ＩはＡｕと１゛
五との合金化會防ぐ嘩壁幼釆のための％ので必９、また
隻層はは流の畳体として及び外部回路との結線の為のも
のである。
タ、、・イオード守の゛酸極にはｓ ｆｊＴ熱、土、エ
レクトロマイグレーシｖｘ ：／ ｔａｉｒｔ）： ＊
：、ｂ４腐亥婢すが安水ちれる。この為、例えはＴｆ
−１’ｔ−ＡｕＪ造の電１夕η・採用さ君てい＾。ここ
で Ｉｔ＋ ｉ層？、Ｌ８ｉＵ２膜等の次叩詠禮Ｉ良と
ｃノ密盾性及び７リコン中へのＰｔの侵入にＩ−１する
一一幼釆のためのものであり、ＰｔＪ＊ＩはＡｕと１゛
五との合金化會防ぐ嘩壁幼釆のための％ので必９、また
隻層はは流の畳体として及び外部回路との結線の為のも
のである。
しかし、ｋ面抹鋤膜で必シ、同温を技化雰囲気中で容易
に形成されるＳｉＵ２ｉｉｍと１１膜との密着性はＡｊ
に仄いて−ｌ！ｉｉいとだれてｌＶ）るが、菓子のＩｄ
／１周＆化）こ伴ない、引出し［陰部の１ｍ債が小さく
なるＱこつれ、該引出し冗５ｋ ＝ｈＳに２いて金線等
により接αしたｕ（ｊ、５ｉＱ２膜とＴｉ膜との外面で
剥れる場合が多く、装置組立て時に問題でめった。
に形成されるＳｉＵ２ｉｉｍと１１膜との密着性はＡｊ
に仄いて−ｌ！ｉｉいとだれてｌＶ）るが、菓子のＩｄ
／１周＆化）こ伴ない、引出し［陰部の１ｍ債が小さく
なるＱこつれ、該引出し冗５ｋ ＝ｈＳに２いて金線等
により接αしたｕ（ｊ、５ｉＱ２膜とＴｉ膜との外面で
剥れる場合が多く、装置組立て時に問題でめった。
上記欠点を見服するン島、引出し′電極部下部にＴｉ膜
との密層性に凝扛たシリコン家化膜全彰成し、′ｌ′ｉ
膜と下地床護膜とのぞ着強度を−めることが従来耐なわ
九てきた。しかし、この方法は、従来に比べて督肩価度
が非富に同上する一方、次のような問題？有す≦。、１
つ、よ、シリコン呈化膜の存在Ｑこよシ生ずる段贋１１
．での配諌抵仇の増大や断〃という＋に１題であり、素
子の信櫃性１歩留？低下させる原因となっている。１１
こ、シリコン窒化膜成長からシリコン窒化膜加工までの
工程増加、成長装−１加工装置等設誦瑠設の問題等、生
煮上におけるａａｋ的負相が大きいことである。
との密層性に凝扛たシリコン家化膜全彰成し、′ｌ′ｉ
膜と下地床護膜とのぞ着強度を−めることが従来耐なわ
九てきた。しかし、この方法は、従来に比べて督肩価度
が非富に同上する一方、次のような問題？有す≦。、１
つ、よ、シリコン呈化膜の存在Ｑこよシ生ずる段贋１１
．での配諌抵仇の増大や断〃という＋に１題であり、素
子の信櫃性１歩留？低下させる原因となっている。１１
こ、シリコン窒化膜成長からシリコン窒化膜加工までの
工程増加、成長装−１加工装置等設誦瑠設の問題等、生
煮上におけるａａｋ的負相が大きいことである。
不発明の目的は、シリコン窒化膜お形成する必１
妻が無く、形成がｒ４易なＳｉ□′０２膜と缶盾性の良
い多鳩膜嵯極による引出し′−極を肩する半導体装置を
提供するものである。
い多鳩膜嵯極による引出し′−極を肩する半導体装置を
提供するものである。
不発明による半導体装置は、その電極１．イｌＪλとし
て半導体譲板上の衣面保０腓でめる５ｉ（Ｊｚ膜上に、
’ｌ’ ｉ 等の城移金属の瀘化物層を肩することを特
徴とし、このＴｉ等の遷移金属の窒化物ｊ−によってそ
の上に形成された引出し′…：極と下地５Ｌ０２１４１
との闇でｊ虫い着着強度を得るものでのる。
て半導体譲板上の衣面保０腓でめる５ｉ（Ｊｚ膜上に、
’ｌ’ ｉ 等の城移金属の瀘化物層を肩することを特
徴とし、このＴｉ等の遷移金属の窒化物ｊ−によってそ
の上に形成された引出し′…：極と下地５Ｌ０２１４１
との闇でｊ虫い着着強度を得るものでのる。
以下、本元明ｒメｊ面を影照しでより詳に山にミーする
。
。
従来の向えに：外部嫉視Ｊ４１引出し′−極ｂ１５を肩
する尚周波バイポーラ・トランジスタの外観図を第１図
−ａに、′またその断面図を第１図−ｂに示す。
する尚周波バイポーラ・トランジスタの外観図を第１図
−ａに、′またその断面図を第１図−ｂに示す。
匠米、１゛目懺との市虐江奮指′す為、第１図−ａにｎ
くずように、５ｉ０２膜１上にシリコン窒化膜〕ｗｉＩ
２會電極４から引出さｔた外片９接続用引出し電極部３
の下に形成する。このシリコン窒化’ＡＫＩ曽２は５０
０〜１ｏｏｏｉの厚さで必ジ、成長は気相成長又はプラ
ズマ反応法等により形成し、その後、光食刻法により第
１図−ａに示す詠に、外部ゴ脱萩用引出し重畳ｇｉｓ
３のト部以外のシリコン窒化膜全エツチング除去する。
くずように、５ｉ０２膜１上にシリコン窒化膜〕ｗｉＩ
２會電極４から引出さｔた外片９接続用引出し電極部３
の下に形成する。このシリコン窒化’ＡＫＩ曽２は５０
０〜１ｏｏｏｉの厚さで必ジ、成長は気相成長又はプラ
ズマ反応法等により形成し、その後、光食刻法により第
１図−ａに示す詠に、外部ゴ脱萩用引出し重畳ｇｉｓ
３のト部以外のシリコン窒化膜全エツチング除去する。
また、第１図−ｂの一１面図において、シリコン基板５
上に５ｉｎ２膜１．さらに外部接続用引出し電極ド６１
Ｓにはシリコン窒化膜層２全形成し、その上に、Ｔ ｉ
１ｍ ６ 、 Ｐ ｔ ７輪７およびＡｕ１ｍ８全ｌ
Ｉイ成していわゆるＴｉ−４’ｔ−Ａｕ多鳩は極を形成
する。
上に５ｉｎ２膜１．さらに外部接続用引出し電極ド６１
Ｓにはシリコン窒化膜層２全形成し、その上に、Ｔ ｉ
１ｍ ６ 、 Ｐ ｔ ７輪７およびＡｕ１ｍ８全ｌ
Ｉイ成していわゆるＴｉ−４’ｔ−Ａｕ多鳩は極を形成
する。
一方、第２図−ａ、ｂには、本発明ｒ適用した回線リト
ランジスタの外α図及び」面図を示している。
ランジスタの外α図及び」面図を示している。
；Ａ２図−ａでは、従来第１図−ａにおいて見られたシ
リコン窒化膜層２は形成されておらず、形状が率ＡＪ）
！化されている。また第２図−ｂはその断［ＩＩ］凶を
示し、シリコン端板５上に５ｉ０２［１を形成し、その
上に外部接α用゛−極都會も含めてＴｉの窒化物層９
、 Ｐｔ ４７ 、 Ａｕ層８を形成した状態全示す。
リコン窒化膜層２は形成されておらず、形状が率ＡＪ）
！化されている。また第２図−ｂはその断［ＩＩ］凶を
示し、シリコン端板５上に５ｉ０２［１を形成し、その
上に外部接α用゛−極都會も含めてＴｉの窒化物層９
、 Ｐｔ ４７ 、 Ａｕ層８を形成した状態全示す。
ｑ＋ ｔの窒化物層９は、低圧のＮ２とＡｒの混合ガス
、例えば屁合比１：５中でＴｉを１００〜１００ＯＡ程
度反応性スバ、タリングすることによりｊ１ン成される
。Ｐ ｔ ｊ曽７は、その上にスバ、タリング又は蒸着
によシ形代し、またＡｕ／彊８はｐ１様に薫蒸又はメッ
キ法により形成する。その後、フォトレジスト’４にマ
スクとしてイオンミリング法咎によりｔ便部以外の層を
舊択的に除去することにより、Ｔｉｉの窒化物層９−１
’を盾７−Ａｕ層８捕造の引出し′慝極形成倉行なう。
、例えば屁合比１：５中でＴｉを１００〜１００ＯＡ程
度反応性スバ、タリングすることによりｊ１ン成される
。Ｐ ｔ ｊ曽７は、その上にスバ、タリング又は蒸着
によシ形代し、またＡｕ／彊８はｐ１様に薫蒸又はメッ
キ法により形成する。その後、フォトレジスト’４にマ
スクとしてイオンミリング法咎によりｔ便部以外の層を
舊択的に除去することにより、Ｔｉｉの窒化物層９−１
’を盾７−Ａｕ層８捕造の引出し′慝極形成倉行なう。
尚、１０はコレクタ唄域としてのシリコン基板５に形成
されたベース頭載でろシ、このベース画成１０ｉＣはエ
ミッタ唄域１１が形成されている。ベース領域１０およ
びエミッタ鎖酸］１の電極形成部には、それぞれν１；
えはＰｔＳｉ （白金シリサイド）１２が）Ｚ ｆｙ５
Ｌ、されている。
されたベース頭載でろシ、このベース画成１０ｉＣはエ
ミッタ唄域１１が形成されている。ベース領域１０およ
びエミッタ鎖酸］１の電極形成部には、それぞれν１；
えはＰｔＳｉ （白金シリサイド）１２が）Ｚ ｆｙ５
Ｌ、されている。
このようＩｔＣ，本発明による構造は、よ、！ｌｌｌ単
純化されている為にシリコン窒化膜成長〜カロエまでの
工栓が不安であり、かつ、シリコン窒化膜層の存在によ
り生ずる収差都での配線抵抗の増大等という問題も解消
され、より信頼度が高くカ・・つ女仙Ｊな素子を伶るこ
とが出来る。
純化されている為にシリコン窒化膜成長〜カロエまでの
工栓が不安であり、かつ、シリコン窒化膜層の存在によ
り生ずる収差都での配線抵抗の増大等という問題も解消
され、より信頼度が高くカ・・つ女仙Ｊな素子を伶るこ
とが出来る。
なお、ここでＬ高周波バイポーラトランジスタについて
睨四！１．たが、ダイオード、電界効果トランジスタ及
びそれらの素子を含むモノリシ、り集積ｌ！２回路につ
いても同様に本発明が実現可能であることは白うまでも
ない。また１゛ｉの窒化ニ吻９のかわ９に、Ｗ、Ｍｏ、
Ｃｒ等の遷移金属の窒化ｗＪを用いても同様の効果がル
ｊ侍される。
睨四！１．たが、ダイオード、電界効果トランジスタ及
びそれらの素子を含むモノリシ、り集積ｌ！２回路につ
いても同様に本発明が実現可能であることは白うまでも
ない。また１゛ｉの窒化ニ吻９のかわ９に、Ｗ、Ｍｏ、
Ｃｒ等の遷移金属の窒化ｗＪを用いても同様の効果がル
ｊ侍される。
弔１図−ａｉよ促米構造の索子を下す外−図、第１凶−
ｂは従来間道の屯健全示す断面図、第２図−ａｌよ不％
門の一笑ｈ１呻０の素子を示す外観図、第２図−すは本
発明の電入）＋’ｌし１１の亀惨全乃くす断面図である
。 Ｊ・・・・５Ｉ（Ｊ２にシー４．４・・・・電１１・文
、７・・・・・ｐｔ層、２・・・・・・シリコンｉ＝＋
ｔ（ｔｊＭ、 ５・・・・・・シリコン基板（コレクタ
領域）、８・・・・・・ＡｕＮ１Ｉ、３・・・・・・外
部接続用引出し’ｒｔｊ ＊ ｒｉｂｓ ｓ ６・・・
・・ＴｉＪ曽、９・・・・Ｔｉの窒化物層、１０・・・
・・ペース領域、１１・・・・・・エミッタ領域、１２
・・・・・）’ｔＳｉ層。 ｙｒ 図−ｂ
ｂは従来間道の屯健全示す断面図、第２図−ａｌよ不％
門の一笑ｈ１呻０の素子を示す外観図、第２図−すは本
発明の電入）＋’ｌし１１の亀惨全乃くす断面図である
。 Ｊ・・・・５Ｉ（Ｊ２にシー４．４・・・・電１１・文
、７・・・・・ｐｔ層、２・・・・・・シリコンｉ＝＋
ｔ（ｔｊＭ、 ５・・・・・・シリコン基板（コレクタ
領域）、８・・・・・・ＡｕＮ１Ｉ、３・・・・・・外
部接続用引出し’ｒｔｊ ＊ ｒｉｂｓ ｓ ６・・・
・・ＴｉＪ曽、９・・・・Ｔｉの窒化物層、１０・・・
・・ペース領域、１１・・・・・・エミッタ領域、１２
・・・・・）’ｔＳｉ層。 ｙｒ 図−ｂ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）シリコン量体に形成された素子境域から導出され
てｉｔｌ ６ｅシリコン基体上のシリコンは化膜上に姑
在する電懐τ乍する半２！４体装置において、前記−極
のｄｌ（記シリコンば化膜との羨漸、１１５分は、Ａｌ
ｆ記電極電極ＩＩ記シリコンば化膜との密着性を向上さ
せるために還移金属の窒化物で構成されていること全有
機とする半導体装置。 ｆ２） ｎｔ１記膚移金−の強化物は、アタン、モリ
ブデン、タングステンおよびクロムの中から選ばれた金
層の■化物でりること忙轡ばとする→許祠求の戦囲５ｆ
Ｊ１項記載の半導体装置。 （３） ｓＩ前記鉦極層は、１１１記遜移金属の窒化物
としてチメン窒化４勿を羽し、ｄらにＣ−の上に形成さ
れた日令１−とこの白金に接触する金層とゼする多１１
１１慣造でめること全特幀とする譬許ｍｌ求の範囲一１
狽−〇載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57088481A JPS58204567A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57088481A JPS58204567A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58204567A true JPS58204567A (ja) | 1983-11-29 |
Family
ID=13943981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57088481A Pending JPS58204567A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58204567A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507430A (ja) * | 1973-05-18 | 1975-01-25 |
-
1982
- 1982-05-25 JP JP57088481A patent/JPS58204567A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507430A (ja) * | 1973-05-18 | 1975-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101355068B (zh) | 用于衬垫下esd和衬垫下有源区接合的接合垫叠层 | |
| JPS6410648A (en) | Method of multilayer metallization for integrated circuit | |
| JPH0191438A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58204567A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02253628A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3111466B2 (ja) | メッキ配線層を備えた半導体装置の製造方法 | |
| JPH0354828A (ja) | 半導体装置の複合導電層、複合導電層を用いたキャパシタおよび複合導電層の穴開け方法 | |
| JPH03274732A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH05343401A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61283145A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06204171A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6132572A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63299250A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0897214A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63127550A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06267935A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62287645A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS5844730A (ja) | 半導体装置の電極・配線 | |
| JPH02199827A (ja) | 配線形成方法 | |
| JPH0349229A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03209823A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS5828857A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61150350A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6047479A (ja) | トンネル型ジヨセフソン接合の構造ならびに製法 | |
| JPS62123769A (ja) | 半導体装置 |