JPS5820720A - ＹｂＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＹｂＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS5820720A JPS5820720A JP11833181A JP11833181A JPS5820720A JP S5820720 A JPS5820720 A JP S5820720A JP 11833181 A JP11833181 A JP 11833181A JP 11833181 A JP11833181 A JP 11833181A JP S5820720 A JPS5820720 A JP S5820720A
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Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規化合物であるＹｂＧａＺｎＯ−で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびそのＩｌｌ
性法関する。
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびそのＩｌｌ
性法関する。
、礪米、ＹＦａ、Ｏ，で示される六方晶系の層状構造を
育する化合−は、本出願人らによって合成され、その存
在が既に知られている。仁の化合物は、Ｙ”Ｆｅ３＋轡
１＋Ｏ４−で示されるように、鉄の２浦イオンと３価イ
オンは、５配位の酸素イオンによって圃ま、れ―イツト
リウム（Ｙ）は、ａｆｆｉ位の酸素イオンをその周わり
に持っている化合物であり、磁性をもっている。・ 本発明は、前−記、Ｙ″＋Ｆｅ”十Ｆｅｓ＋０と化合物
’ノｙ”の代わりに、Ｔｈ１、Ｆｅｓ十諷代わりにＺｎ
”＋を、即今の代わりにＧａ”十を置きかえた新規な化
合物°頓よびその製造法を提供するにある。
育する化合−は、本出願人らによって合成され、その存
在が既に知られている。仁の化合物は、Ｙ”Ｆｅ３＋轡
１＋Ｏ４−で示されるように、鉄の２浦イオンと３価イ
オンは、５配位の酸素イオンによって圃ま、れ―イツト
リウム（Ｙ）は、ａｆｆｉ位の酸素イオンをその周わり
に持っている化合物であり、磁性をもっている。・ 本発明は、前−記、Ｙ″＋Ｆｅ”十Ｆｅｓ＋０と化合物
’ノｙ”の代わりに、Ｔｈ１、Ｆｅｓ十諷代わりにＺｎ
”＋を、即今の代わりにＧａ”十を置きかえた新規な化
合物°頓よびその製造法を提供するにある。
本発明のＹｂＧａＺｎＯ，で示される化合物は、この化
か神中、イッテルビウムはＴｈ１イオン、ガリウムはＧ
ａ”、亜鉛はＺｄ”＋とじて存在しており、Ｙｂ”Ｇａ
１Ｚｎ″＋Ｏととして表わすことができる。この結晶は
、第１図に示すように六方晶１−状溝造を持っている。
か神中、イッテルビウムはＴｈ１イオン、ガリウムはＧ
ａ”、亜鉛はＺｄ”＋とじて存在しており、Ｙｂ”Ｇａ
１Ｚｎ″＋Ｏととして表わすことができる。この結晶は
、第１図に示すように六方晶１−状溝造を持っている。
過大の丸は酸素、甲丸はイッテルビウム、最小の黒丸は
ガリウムと亜鉛を示している。ガリウ“ムと亜鉛は、ラ
レダムに分布している。亜鉛の２洒イオンとガリウムの
３１ｊｉイオンは、５！ｉ！位の酸素イオンによって囲
まれている。結晶学的には同一の位置を占めている。ま
たＹｂは６配位の酸素をその周わりに持っている。陰イ
オンである酸素は緻密構造をとっている。ｓ、ｔおよび
Ｕは単位格を内に於ける位置を示す。
ガリウムと亜鉛を示している。ガリウ“ムと亜鉛は、ラ
レダムに分布している。亜鉛の２洒イオンとガリウムの
３１ｊｉイオンは、５！ｉ！位の酸素イオンによって囲
まれている。結晶学的には同一の位置を占めている。ま
たＹｂは６配位の酸素をその周わりに持っている。陰イ
オンである酸素は緻密構造をとっている。ｓ、ｔおよび
Ｕは単位格を内に於ける位置を示す。
この結晶の面指数（ｈｋｌ）、面間隔（ｄ（Ａ））〔面
は実測、面は計算値を・、示す。〕、Ｘ−線に対ｒる相
対反射強度、Ｉ （９６）は第１表のとおりである。
は実測、面は計算値を・、示す。〕、Ｘ−線に対ｒる相
対反射強度、Ｉ （９６）は第１表のとおりである。
第 １ 表
ＹｂＧａＺｎ０ｉ
空間群はＲｌｍであり、その晶癖は板状晶であり、格子
定数は次のとお、りである。
定数は次のとお、りである。
ａｏ ＝ ３．４１５３±ｏ、ｏ ｏ ｏ ｓ （Ａ
）−ｃｏ ｚ ２５．０９３±ｏ、ｏ ０７ （Ｘ
）この化合物は、半導体材料および触媒として有用なも
のである。
）−ｃｏ ｚ ２５．０９３±ｏ、ｏ ０７ （Ｘ
）この化合物は、半導体材料および触媒として有用なも
のである。
この化合物は、次の方法によって製造し得られる。
金属イッテルビウム（Ｔｈ）あるいは酸化イッテルビウ
ム（Ｙｂ、Ｏ，）もしくは、加熱されることによって酸
化イッテルビウム（ｙｂ、α）に分解される化合物と金
属ガリウム、あるいは酸化ガリウム（ＧａｓＯｌ）もし
くは、加熱されることにより酸化ガリウム（ＧａｌＯａ
）に分解される化合物と亜鉛あるいは酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）もしくは加熱されることにより分解されて酸化亜鉛
（ＺｎＯ）を生ずる化合物とを、イッテルビウム、ガリ
ウム、亜鉛の割合が原子比で１対１対１になるように混
合して、１２００℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲
気、あるいはガリウムおよび亜鉛が各々３価イオン状態
、２ＩｉＩｉｉイオン状態より還元されない程度の還元
雰囲気のもヒで加熱することによって製造することが出
来る。
ム（Ｙｂ、Ｏ，）もしくは、加熱されることによって酸
化イッテルビウム（ｙｂ、α）に分解される化合物と金
属ガリウム、あるいは酸化ガリウム（ＧａｓＯｌ）もし
くは、加熱されることにより酸化ガリウム（ＧａｌＯａ
）に分解される化合物と亜鉛あるいは酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）もしくは加熱されることにより分解されて酸化亜鉛
（ＺｎＯ）を生ずる化合物とを、イッテルビウム、ガリ
ウム、亜鉛の割合が原子比で１対１対１になるように混
合して、１２００℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲
気、あるいはガリウムおよび亜鉛が各々３価イオン状態
、２ＩｉＩｉｉイオン状態より還元されない程度の還元
雰囲気のもヒで加熱することによって製造することが出
来る。
本発明に用いる出発物質は、市販のものをそのまま使用
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいさい程よく、特に１０μ
慣以下であることが好ましい。
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいさい程よく、特に１０μ
慣以下であることが好ましい。
また半導体材料、触媒として用いる場合には不純情の混
入をきらうので、出発原料物質は純度が高いほど好まし
い。この原料をそのまま、あるいはアルコール類もしく
はアセトンと共に充分に混合する。
入をきらうので、出発原料物質は純度が高いほど好まし
い。この原料をそのまま、あるいはアルコール類もしく
はアセトンと共に充分に混合する。
これらの混合調合は、イッテルビウム、ガリウム、亜鉛
の割合が原子比として１対１対１の割合である。この調
合をはずすと目的とする化合物を得ることは出来ない。
の割合が原子比として１対１対１の割合である。この調
合をはずすと目的とする化合物を得ることは出来ない。
この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もしくはガ
リウムおよび亜鉛が３価イオン状態および２１ｉＩイオ
ン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気のもとで、
１２００℃以上の温度で加熱する。加熱時間は、１日も
しくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約は
ない。反応路Ｔ後は、０℃に急冷するかあるいは大気中
に急激にひきだせばよい。得られたＴｈＧａＺｎＯ。
リウムおよび亜鉛が３価イオン状態および２１ｉＩイオ
ン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気のもとで、
１２００℃以上の温度で加熱する。加熱時間は、１日も
しくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約は
ない。反応路Ｔ後は、０℃に急冷するかあるいは大気中
に急激にひきだせばよい。得られたＴｈＧａＺｎＯ。
化合物は、無色を示し、粉末ｘ４！回折法によって結晶
構造を有ｒることがわかった。その結晶構造は、既に本
出頭人が得たＹＦｅ、Ｏ，と同型であることがわかった
。出発混合試料と反応生成物の試料重量を精密に秤量し
、得られた試料の化学量論数を決定した。
構造を有ｒることがわかった。その結晶構造は、既に本
出頭人が得たＹＦｅ、Ｏ，と同型であることがわかった
。出発混合試料と反応生成物の試料重量を精密に秤量し
、得られた試料の化学量論数を決定した。
実施例
純度９９．９！４以上のイッテルビウム酸化物（Ｔｈρ
魯）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ、
Ｏ，）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末
を、モル比で１対１対２の割合に秤量し、浮鉢内でエチ
ルアルコールを加えて充分に混合し、平均粒径数ＰＷ＆
の微粉末を得た。該混合物を白金ルツボ内にみたして、
１３００℃に設定された箱型のシリコニット炉内に入れ
、２日間加熱し、その後試料を炉外にとりだし、室温ま
で急速に冷却した。得られた試料はＹｂＧａＺｎＯ，で
あり、既に報告されているＹＦ６ｍＯｎと結晶学的には
、同型でめることが粉本Ｘ線回折法によって確認された
。試料重量が加Ｍｎ１ｒ後で＃Ｉ密に°秤量され、得ら
れた試料の化学量論数が決定された。第１表に得られた
試料の結晶学的性質を示した。
魯）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ、
Ｏ，）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末
を、モル比で１対１対２の割合に秤量し、浮鉢内でエチ
ルアルコールを加えて充分に混合し、平均粒径数ＰＷ＆
の微粉末を得た。該混合物を白金ルツボ内にみたして、
１３００℃に設定された箱型のシリコニット炉内に入れ
、２日間加熱し、その後試料を炉外にとりだし、室温ま
で急速に冷却した。得られた試料はＹｂＧａＺｎＯ，で
あり、既に報告されているＹＦ６ｍＯｎと結晶学的には
、同型でめることが粉本Ｘ線回折法によって確認された
。試料重量が加Ｍｎ１ｒ後で＃Ｉ密に°秤量され、得ら
れた試料の化学量論数が決定された。第１表に得られた
試料の結晶学的性質を示した。
図面は、本発明のＹｂＧａＺｎＯ，結晶の図である。最
大の丸は酸素、甲丸はイッテルビウム、最小黒丸はガリ
ウムと亜鉛を示す。 特許出頭式 科学技術庁無機材質研究所長＋’ｒ” 書
大の丸は酸素、甲丸はイッテルビウム、最小黒丸はガリ
ウムと亜鉛を示す。 特許出頭式 科学技術庁無機材質研究所長＋’ｒ” 書
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ｉ ＹｂＧａＺｎＯ，で示される六方晶系の層状構
造を有する化合物。 （２） 金属イッテルビウム（Ｔｈ）あるい１さ酸化イ
ッテルビウム（Ｔｈ、Ｏ，）もしくは、加熱されること
により酸化イッテルビウム（Ｔｈ、０． ）に分解され
る化合物と、金属ガリウム（Ｇａ）あるいは酸化ガリウ
ム（Ｇａ、Ｏ，）もしくは、加熱されるととＫより酸化
ガリウム（Ｇａ−〇、） ゛に分解される化合物と
、亜鉛−（Ｚｎ）、あるいは酸化亜鉛（ＺｎＯ）もしく
は、崩御されることにより分解されに酸化亜鉛（ＺｎＯ
）を生ずる。 化合物とを、イッテルビウム、ガリウム、亜 。 鉛の割合が原子比で１対１対１になるように混合して、
１２００℃以上の温度で大気中、酸化性雰囲気あるいは
ガリウムおよび亜鉛が各々３ ｒＭイオ；ン状ｊｌｌ、
２ｉｄｌｉイオン状態より還元されない程度の還元雰囲
気のもとで加熱することを特徴とするＹｂＧａＺｎＯ，
で水側れる六方晶系の層状構造を有する化合物の製造法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11833181A JPS606895B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＹｂＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11833181A JPS606895B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＹｂＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820720A true JPS5820720A (ja) | 1983-02-07 |
| JPS606895B2 JPS606895B2 (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=14734010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11833181A Expired JPS606895B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＹｂＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606895B2 (ja) |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP11833181A patent/JPS606895B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS606895B2 (ja) | 1985-02-21 |
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