JPS606895B2 - ＹｂＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＹｂＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS606895B2 JPS606895B2 JP11833181A JP11833181A JPS606895B2 JP S606895 B2 JPS606895 B2 JP S606895B2 JP 11833181 A JP11833181 A JP 11833181A JP 11833181 A JP11833181 A JP 11833181A JP S606895 B2 JPS606895 B2 JP S606895B2
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Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規化合物であるＹｂＧａＺｎ０４で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造に
関する。
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造に
関する。
従来、ＹＦｅ２０４で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物は、本出願人らによって合成され、その存在
が既に知られている。
する化合物は、本出願人らによって合成され、その存在
が既に知られている。
この化合物は、Ｙ３十Ｆｅ３十Ｆｅ２十０４２十で示さ
れるように、鉄の２価イオンと３価イオンは、５配位の
酸素イオンによって囲まれ、イットリウム（Ｙ）は、６
配位の酸素イオンをその周わりに持っている化合物であ
り、磁性をもっている。本発明は、前記、Ｙ３十Ｆｅが
Ｆｅ３十０４２‐化合物のＹ３十の代わりに、Ｙｂ３十
、Ｆｅ２十の代わりにＺｎ２十を、Ｆｅ３十の代わりに
Ｇａ３十を置きかえた新規な化合物およびその製造法を
提供するにある。
れるように、鉄の２価イオンと３価イオンは、５配位の
酸素イオンによって囲まれ、イットリウム（Ｙ）は、６
配位の酸素イオンをその周わりに持っている化合物であ
り、磁性をもっている。本発明は、前記、Ｙ３十Ｆｅが
Ｆｅ３十０４２‐化合物のＹ３十の代わりに、Ｙｂ３十
、Ｆｅ２十の代わりにＺｎ２十を、Ｆｅ３十の代わりに
Ｇａ３十を置きかえた新規な化合物およびその製造法を
提供するにある。
本発明のＹｂＧａＺｎ０４で示される化合物は、この化
合物中、イッテルビウムはＹｂ３十イオン、ガリウムは
Ｇａ３十、亜鉛はＺ〆十として存在しており、Ｙが十Ｇ
ａ３寸Ｚｎ２十０４２−として表わすことができる。
合物中、イッテルビウムはＹｂ３十イオン、ガリウムは
Ｇａ３十、亜鉛はＺ〆十として存在しており、Ｙが十Ｇ
ａ３寸Ｚｎ２十０４２−として表わすことができる。
この結晶は、第１図に示すように六方晶層状構造を持っ
ている。最大の丸は酸素、中丸はイッテルビウム、最小
の黒丸はガリウムと亜鉛を示しいる。ガリウムと亜鉛は
、ランダムに分布している。亜鉛の２価イオンとガリウ
ムの３価イオンは、５配位の酸素イオンによって囲まれ
ている。結晶学的には同一の位置を占めている。またＹ
ｂは６配位の酸素をその周わりに持っている。陰イオン
である酸素は繊密構造をとっている。ｓ，ｔおよびｕは
単位格子内に於ける位置を示す。この結晶の面積数（ｈ
ｋＤ、面間隔（ｄ（Ａ））〔ｄｏは実測、ｄｃは計算値
を示す。〕、×−線に対する相対反射強度、１（％）は
第１表のとおりである。第１表 空間群はＲｉｍであり、その晶癖は板状晶であり、格子
定数は次のとおりである。
ている。最大の丸は酸素、中丸はイッテルビウム、最小
の黒丸はガリウムと亜鉛を示しいる。ガリウムと亜鉛は
、ランダムに分布している。亜鉛の２価イオンとガリウ
ムの３価イオンは、５配位の酸素イオンによって囲まれ
ている。結晶学的には同一の位置を占めている。またＹ
ｂは６配位の酸素をその周わりに持っている。陰イオン
である酸素は繊密構造をとっている。ｓ，ｔおよびｕは
単位格子内に於ける位置を示す。この結晶の面積数（ｈ
ｋＤ、面間隔（ｄ（Ａ））〔ｄｏは実測、ｄｃは計算値
を示す。〕、×−線に対する相対反射強度、１（％）は
第１表のとおりである。第１表 空間群はＲｉｍであり、その晶癖は板状晶であり、格子
定数は次のとおりである。
ａｏ＝３．４１５３±０．０００５
（Ａ）Ｃｏ＝２５．０９３±０．００７
（Ａ〉この化合物は、半導体材料および触媒として
有用なものである。
（Ａ）Ｃｏ＝２５．０９３±０．００７
（Ａ〉この化合物は、半導体材料および触媒として
有用なものである。
この化合物は、次の方法によって製造し得られる。
金属イッテルビウム（Ｙｂ）あるいは酸化イッテルビウ
ム（ＹＱ０３）もしくは「加熱されることによって酸化
イッテルビウム（ＹＱ０３）に分解される化合物と金属
ガリウム、あるいは酸化ガリウム（Ｇａ２０３）もしく
は、加熱されることにより酸化ガリウム（Ｇａ２０３）
に分解される化合物と亜鉛あるいは酸化亜鉛（Ｚｎ○）
もし〈は加熱されることにより分解されて酸化亜鉛（Ｚ
ｎ○）を生ずる化合物とを、イッテルビウム、ガリウム
、亜鉛の割合が原子比で１対１対１になるように混合し
て、１２００００以上の温度で、大気中「酸化性雰囲気
、あらいはガリウムおよび亜鉛が各々３価イオン状態、
２価イオン状態より還元されない程度の還元雰囲気のも
とで加熱することによって製造することが出来る。
ム（ＹＱ０３）もしくは「加熱されることによって酸化
イッテルビウム（ＹＱ０３）に分解される化合物と金属
ガリウム、あるいは酸化ガリウム（Ｇａ２０３）もしく
は、加熱されることにより酸化ガリウム（Ｇａ２０３）
に分解される化合物と亜鉛あるいは酸化亜鉛（Ｚｎ○）
もし〈は加熱されることにより分解されて酸化亜鉛（Ｚ
ｎ○）を生ずる化合物とを、イッテルビウム、ガリウム
、亜鉛の割合が原子比で１対１対１になるように混合し
て、１２００００以上の温度で、大気中「酸化性雰囲気
、あらいはガリウムおよび亜鉛が各々３価イオン状態、
２価イオン状態より還元されない程度の還元雰囲気のも
とで加熱することによって製造することが出来る。
本発明に用いる出発物質は、市販のものをそのまま使用
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいさい程よく、特にｌｏＡ
ｍ以下であることが好ましい。
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいさい程よく、特にｌｏＡ
ｍ以下であることが好ましい。
また半導体材料、触媒として用いる場合には不純物の混
入をきらうので、出発原料物質は純度が高いほど好まし
い。
入をきらうので、出発原料物質は純度が高いほど好まし
い。
この原料をそのまま、あるいはアルコール類もしくはア
セトンと共に充分に混合する。これらの混合割合は、イ
オテルビウム、ガリウム、亜鉛の割合が原子比として１
対１対１の割合である。
セトンと共に充分に混合する。これらの混合割合は、イ
オテルビウム、ガリウム、亜鉛の割合が原子比として１
対１対１の割合である。
この割合をはずすと目的とする化合物を得ることは出来
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くはガリウムおよび亜鉛が３価イオン状態および２価イ
オン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気のもとで
、１２００ｏｏ以上の温度で加熱する。加熱時間は、１
日もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制
約はない。反応終了後は、０℃に急冷するかあるいは大
気中に急激にひきだせばよい。得られたＹｏＧａＺｎ０
４化合物は、無色を示し、粉末Ｘ線回折法によって結晶
構造を有することがわかった。
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くはガリウムおよび亜鉛が３価イオン状態および２価イ
オン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気のもとで
、１２００ｏｏ以上の温度で加熱する。加熱時間は、１
日もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制
約はない。反応終了後は、０℃に急冷するかあるいは大
気中に急激にひきだせばよい。得られたＹｏＧａＺｎ０
４化合物は、無色を示し、粉末Ｘ線回折法によって結晶
構造を有することがわかった。
その結晶構造は、既に本出願人が得たＹＦｅ２０４と同
型であることがわかった。出発混合試料と反応生成物の
試料重量を精密に秤量し、得られた試料の化学量論数を
決定した。実施例 純度９９．９％以上のイッテルビウム酸化物（ＹＱ０３
）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ２０
３）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（Ｚｎ○）粉末を
、モル比で１対１対２の割合に秤量し、浮鉢内でエチル
アルコールを加えて充分に混合し、平均粒軽数仏凧の微
粉末を得た。
型であることがわかった。出発混合試料と反応生成物の
試料重量を精密に秤量し、得られた試料の化学量論数を
決定した。実施例 純度９９．９％以上のイッテルビウム酸化物（ＹＱ０３
）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ２０
３）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（Ｚｎ○）粉末を
、モル比で１対１対２の割合に秤量し、浮鉢内でエチル
アルコールを加えて充分に混合し、平均粒軽数仏凧の微
粉末を得た。
該混合物を白金ルッボ内にみたして、１３００００に設
定されたす箱型のシリコニット炉内に入れ、２日間加熱
し、その後試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却
した。得られた試料はＹｂＧａＺｎ０４であり、既に報
告されているＹＦｅ２０４と結晶学的には、同型である
ことが粉末Ｘ線回折法によって確認された。試料重量が
加熱前後で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数
が決定された。第１表に得られた試料の結晶学的性質を
示した。
定されたす箱型のシリコニット炉内に入れ、２日間加熱
し、その後試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却
した。得られた試料はＹｂＧａＺｎ０４であり、既に報
告されているＹＦｅ２０４と結晶学的には、同型である
ことが粉末Ｘ線回折法によって確認された。試料重量が
加熱前後で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数
が決定された。第１表に得られた試料の結晶学的性質を
示した。
図面は、本発明のＹｂＧａＺｎ０４結晶の図である。
最大の丸は酸素、中丸はイッテルビウム、最小黒丸はガ
リウムと亜鉛を示す。務ノ凶
リウムと亜鉛を示す。務ノ凶
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＹｂＧａＺｎＯ＿４で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属イツテルビウム（Ｙｂ）あるいは酸化イツテル
ビウム（Ｙｂ＿２Ｏ＿３）もしくは、加熱されることに
より酸化イツテルビウム（Ｙｂ＿２Ｏ＿３）に分解され
る化合物と、金属ガリウム（Ｇａ）あるいは酸化ガリウ
ム（Ｇａ＿２Ｏ＿３）もしくは、加熱されることにより
酸化ガリウム（Ｇａ＿２Ｏ＿３）に分解される化合物と
、亜鉛（Ｚｎ）あるいは酸化亜鉛（ＺｎＯ）もしくは、
加熱されることにより分解されて酸化亜鉛（ＺｎＯ）を
生ずる化合物とを、イツテルビウム、ガリウム、亜鉛の
割合が原子比で１対１対１になるように混合して、１２
００℃以上の温度で大気中、酸化性雰囲気あるいはガリ
ウムおよび亜鉛が各々３価イオン状態、２価イオン状態
より還元されない程度の還元雰囲気のもとで加熱するこ
とを特徴とするＹｂＧａＺｎＯ＿４で示される六方晶系
の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11833181A JPS606895B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＹｂＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11833181A JPS606895B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＹｂＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820720A JPS5820720A (ja) | 1983-02-07 |
| JPS606895B2 true JPS606895B2 (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=14734010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11833181A Expired JPS606895B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＹｂＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606895B2 (ja) |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP11833181A patent/JPS606895B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5820720A (ja) | 1983-02-07 |
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