JPS606890B2 - LuGaMgO↓4で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
LuGaMgO↓4で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS606890B2 JPS606890B2 JP9466081A JP9466081A JPS606890B2 JP S606890 B2 JPS606890 B2 JP S606890B2 JP 9466081 A JP9466081 A JP 9466081A JP 9466081 A JP9466081 A JP 9466081A JP S606890 B2 JPS606890 B2 JP S606890B2
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 16
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 8
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910003443 lutetium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 7
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolutetiooxy)lutetium Chemical compound O=[Lu]O[Lu]=O MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規化合物であるLUGaMや4で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来、YFe204で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物は、本出願人らによって合成され、その存在
が既に知られている。
する化合物は、本出願人らによって合成され、その存在
が既に知られている。
この化合物は、Y3十Fe2十Fe3十042‐で示さ
れるように、鉄の2価イオンと3価イオンは、5配位の
酸素イオンによって因まれ、イットリウム(Y)は、6
配位の酸素イオンをその周わりに持っている化合物であ
り、磁性をもっている。本発明は、前記、Y3十Fe2
十Fe3十042‐化合物のY3十の代わりにLが十、
Fe2十の代わりにMず十をFe3十の代わりにGa3
十を置きかえた新規な化合物およびその製造法を提供す
るにある。
れるように、鉄の2価イオンと3価イオンは、5配位の
酸素イオンによって因まれ、イットリウム(Y)は、6
配位の酸素イオンをその周わりに持っている化合物であ
り、磁性をもっている。本発明は、前記、Y3十Fe2
十Fe3十042‐化合物のY3十の代わりにLが十、
Fe2十の代わりにMず十をFe3十の代わりにGa3
十を置きかえた新規な化合物およびその製造法を提供す
るにある。
本発明のLUGaMg04で示される化合物は、この化
合物中、ルテチウムはLu3十イオン、ガリウムはGa
3十、マグネシウムはMg2十として存在しており、L
が十Ga3十Mず十042−として表わすことができる
。
合物中、ルテチウムはLu3十イオン、ガリウムはGa
3十、マグネシウムはMg2十として存在しており、L
が十Ga3十Mず十042−として表わすことができる
。
この結晶は、第1図に示すように六方晶層状構造を持っ
ている。最大の丸は酸素、中丸はルテチウム、最小の黒
丸はガリウムとマグネシウムを示している。○aとMg
は、ランダムに分布している。Mgの2価イオンと○a
の3価イオンは、5配位の酸素イオンによって囲まれて
いる。結晶学的には同一の位置を占めている。またLu
は6配位の酸素をその間わりに持っている。陰イオンで
ある酸素は繊密構造をとっている。s,tおよびuは単
位格子内に於ける位置を示す。この結晶の面指数(hk
l)、面間隔(d(A))〔doは実測、dcは計算値
を示す。
ている。最大の丸は酸素、中丸はルテチウム、最小の黒
丸はガリウムとマグネシウムを示している。○aとMg
は、ランダムに分布している。Mgの2価イオンと○a
の3価イオンは、5配位の酸素イオンによって囲まれて
いる。結晶学的には同一の位置を占めている。またLu
は6配位の酸素をその間わりに持っている。陰イオンで
ある酸素は繊密構造をとっている。s,tおよびuは単
位格子内に於ける位置を示す。この結晶の面指数(hk
l)、面間隔(d(A))〔doは実測、dcは計算値
を示す。
〕、X−線に対する相対反射強度、1(%)は第1表の
とおりである。LuGaMg04 第1表 空間群はR亨mであり、その晶癖は板状晶であり、格子
定数は次のとおりである。
とおりである。LuGaMg04 第1表 空間群はR亨mであり、その晶癖は板状晶であり、格子
定数は次のとおりである。
ao=3.3859 ±0.0002 (
A)Co=25.232 ±0.004
(A)この化合物は、光学材料および半導体材料など
として有用なものである。
A)Co=25.232 ±0.004
(A)この化合物は、光学材料および半導体材料など
として有用なものである。
この化合物は、次の方法によって製造し得られる。
金属ルテチウム(Lu)はあるいは酸化ルテチウム(L
u203)もしくは、加熱されることによって酸化ルテ
チウム(Lu203)に分解される化合物と金属ガリウ
ム、あるいは酸化ガリウム(Ga203)もし〈は、加
熱されることにより酸化ガリウム(Ga203)に分解
される化合物とマグネシウムあるいは酸化マグネシウム
(Mg○)もしくは、加熱されることにより分解されて
酸化マグネシウム(Mg0)を生ずる化合物とを、ルテ
チウム、ガリウム、マグネシウムの割合が原子比で1対
1対1になるように混合して、130000以上の温度
で、大気中、酸化性雰囲気、あるいはガリウムおよびマ
グネシウムが各々3価イオン状態、2価イオン状態より
還元されない程度の還元雰囲気のもとで加熱することに
よって製造することができる。
u203)もしくは、加熱されることによって酸化ルテ
チウム(Lu203)に分解される化合物と金属ガリウ
ム、あるいは酸化ガリウム(Ga203)もし〈は、加
熱されることにより酸化ガリウム(Ga203)に分解
される化合物とマグネシウムあるいは酸化マグネシウム
(Mg○)もしくは、加熱されることにより分解されて
酸化マグネシウム(Mg0)を生ずる化合物とを、ルテ
チウム、ガリウム、マグネシウムの割合が原子比で1対
1対1になるように混合して、130000以上の温度
で、大気中、酸化性雰囲気、あるいはガリウムおよびマ
グネシウムが各々3価イオン状態、2価イオン状態より
還元されない程度の還元雰囲気のもとで加熱することに
よって製造することができる。
本発明に用いる出発物質は、市販のものをそのまま使用
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいさい程よく、特に10仏
m以下であることが好ましい。
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいさい程よく、特に10仏
m以下であることが好ましい。
また光学材料、電気材料として用いる場合には不純物の
混入をきらうので、出発原料物質は純度が高いほど好ま
しい。
混入をきらうので、出発原料物質は純度が高いほど好ま
しい。
この原料をそのまま、あるいはアルコール頼もしくはア
セトンと共に充分に混合する。こられの混合割合は、ル
テチウム、ガリウム、マグネシウムの割合が原子比とし
て1対1対1の割合である。
セトンと共に充分に混合する。こられの混合割合は、ル
テチウム、ガリウム、マグネシウムの割合が原子比とし
て1対1対1の割合である。
この割合をはずすと目的とする化合物を得ることは出釆
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くはガリウムおよびマグネシウムが3価イオン状態およ
び2価イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気
のもとで130000以上の温度で加熱する。加熱時間
は、1日もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度
には制約はない。反応終了後は、0℃に急冷するかある
いは大気中に急激にひきだせばよい。得られたLuGa
M奴4化合物は、無色透明を示し、粉末X線回折法によ
って結晶構造を有することがわかった。その結晶構造は
「既に本出願人が得たYFe204と同型であることが
わかった。
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くはガリウムおよびマグネシウムが3価イオン状態およ
び2価イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気
のもとで130000以上の温度で加熱する。加熱時間
は、1日もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度
には制約はない。反応終了後は、0℃に急冷するかある
いは大気中に急激にひきだせばよい。得られたLuGa
M奴4化合物は、無色透明を示し、粉末X線回折法によ
って結晶構造を有することがわかった。その結晶構造は
「既に本出願人が得たYFe204と同型であることが
わかった。
出発混合試料と反応生成物の試料重量を精密に秤量し、
得られた試料の化学量論数を決定した。実施例 純度99.9%以上のルテチウム酸化物(Lu203)
粉末、純度99.9%以上の酸化ガリウム(Ga203
)粉末、および試薬特級の酸化マグネシウム(Mg○)
粉末を、モル比で1対1対2の割合に秤量し、乳鉢内で
エチルアルコールを加えて充分に混合し、平均粒整数〃
mの微粉末を得た。
得られた試料の化学量論数を決定した。実施例 純度99.9%以上のルテチウム酸化物(Lu203)
粉末、純度99.9%以上の酸化ガリウム(Ga203
)粉末、および試薬特級の酸化マグネシウム(Mg○)
粉末を、モル比で1対1対2の割合に秤量し、乳鉢内で
エチルアルコールを加えて充分に混合し、平均粒整数〃
mの微粉末を得た。
該混合物を白金ルッボ内にみたして、145000に設
定された箱型のシリコニット炉内に入れ、3日間加熱し
、その後試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却し
た。得られた試料はLUGaMg04であり、既に報告
されているYFe204と結晶学的には、同型であるこ
とが粉末X線回析法によって確認された。試料重量が加
熱前後で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数が
決定された。第1表に得られた試料の結晶学的性質を示
した。
定された箱型のシリコニット炉内に入れ、3日間加熱し
、その後試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却し
た。得られた試料はLUGaMg04であり、既に報告
されているYFe204と結晶学的には、同型であるこ
とが粉末X線回析法によって確認された。試料重量が加
熱前後で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数が
決定された。第1表に得られた試料の結晶学的性質を示
した。
図面は、本発明のLUGaMg04結晶の図である。
最大の丸は酸素、中丸はルテチウム、最小の黒丸はガリ
ウムとマグネシウムを示す。弟ュ図
ウムとマグネシウムを示す。弟ュ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 LuGaMgO_4で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 2 金属ルテチウム(Lu)あるいは酸化ルテチウム(
Lu_2O_3)もしくは、加熱されることにより酸化
ルテチウム(Lu_2O_3)に分解される化合物と、
金属ガリウム(Ga)あるいは酸化ガリウム(Ga_2
O_3)もしくは、加熱されることにより酸化ガリウム
(Ga_2O_3)に分解される化合物と、マグネシウ
ム(Mg)あるいは酸化マグネシウム(MgO)もしく
は、加熱されることにより分解されて酸化マグネシウム
(MgO)を生ずる化合物とを、ルテチウム、ガリウム
、マグネシウムの割合が原子比で1対1対1になるよう
に混合して、1300℃以上の温度で大気中、酸化性雰
囲気あるいはガリウムおよびマグネシウムが各々3価イ
オン状態、2価イオン状態より還元されない程度の還元
雰囲気のもとで加熱することを特徴とするLuGaMg
O_4で示される六方晶系の層状構造を有する化合物の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9466081A JPS606890B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | LuGaMgO↓4で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9466081A JPS606890B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | LuGaMgO↓4で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57209827A JPS57209827A (en) | 1982-12-23 |
| JPS606890B2 true JPS606890B2 (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=14116402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9466081A Expired JPS606890B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | LuGaMgO↓4で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606890B2 (ja) |
-
1981
- 1981-06-19 JP JP9466081A patent/JPS606890B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57209827A (en) | 1982-12-23 |
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