JPS606894B2 - ＴｍＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＴｍＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS606894B2 JPS606894B2 JP11833081A JP11833081A JPS606894B2 JP S606894 B2 JPS606894 B2 JP S606894B2 JP 11833081 A JP11833081 A JP 11833081A JP 11833081 A JP11833081 A JP 11833081A JP S606894 B2 JPS606894 B2 JP S606894B2
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
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- ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N thulium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tm+3].[Tm+3] ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 2
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
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- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規化合物であるＴｍＧａＺｎ０４で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
従来、ＹＦｅ２０４で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物は、本出願人らによって合成され、その存在
が既に知られている。
する化合物は、本出願人らによって合成され、その存在
が既に知られている。
この化合物は、Ｙ３十Ｆｅ２Ｆｅ３十０４２‐で示され
るように、鉄の２価イオンと３価イオンは、５配位の酸
素イオンによって囲まれ、イットリウム（Ｙ）は、６配
位の酸素イオンをその周わりに持っている化合物であり
、磁性をもっている。本発明は、前記、Ｙ３十Ｆｅ２十
ＦｅＸ３十０４２‐化合物のＹ３十の代わりに、Ｔｍ３
十、Ｆｅ２十の代わりにＺｎ２十を、（Ｆｅ３十の代わ
りにＧａ３十を）置きかえた新規な化合物およびその製
造法を提供するにある。
るように、鉄の２価イオンと３価イオンは、５配位の酸
素イオンによって囲まれ、イットリウム（Ｙ）は、６配
位の酸素イオンをその周わりに持っている化合物であり
、磁性をもっている。本発明は、前記、Ｙ３十Ｆｅ２十
ＦｅＸ３十０４２‐化合物のＹ３十の代わりに、Ｔｍ３
十、Ｆｅ２十の代わりにＺｎ２十を、（Ｆｅ３十の代わ
りにＧａ３十を）置きかえた新規な化合物およびその製
造法を提供するにある。
本発明のＴｍＧａＺｎ０４で示される化合物は、この化
合物中、ツリウムはＴｍ３十イオン、ガリウムはＧａ３
十亜鉛はＺ〆十として存在しており、Ｔｍ２十Ｇａ３十
Ｚセ十０４２−として表わすことができる。この結晶は
、第１図に示すように六方晶層状構造を持っている。最
大の丸は酸素、中丸はツリウム最小の黒丸はガリウムと
亜鉛を示している。ガリウムと亜鉛は、ランダムに分布
している。亜鉛の２価イオンとガリウムの３価イオンは
、５配位の酸素イオンによって囲まれている。結晶学的
には同一の位置を占めている。また、ツリウムは６配位
の酸素をその周わりに持っている。陰イオンである酸素
は繊密構造をとっている。ｓ，ｔおよびｕは単位格子内
に於ける位置を示す。この結晶の面指数（ｈｋｌ）、面
間隔（ｄ（Ａ））、〔ｄ。
合物中、ツリウムはＴｍ３十イオン、ガリウムはＧａ３
十亜鉛はＺ〆十として存在しており、Ｔｍ２十Ｇａ３十
Ｚセ十０４２−として表わすことができる。この結晶は
、第１図に示すように六方晶層状構造を持っている。最
大の丸は酸素、中丸はツリウム最小の黒丸はガリウムと
亜鉛を示している。ガリウムと亜鉛は、ランダムに分布
している。亜鉛の２価イオンとガリウムの３価イオンは
、５配位の酸素イオンによって囲まれている。結晶学的
には同一の位置を占めている。また、ツリウムは６配位
の酸素をその周わりに持っている。陰イオンである酸素
は繊密構造をとっている。ｓ，ｔおよびｕは単位格子内
に於ける位置を示す。この結晶の面指数（ｈｋｌ）、面
間隔（ｄ（Ａ））、〔ｄ。
は実測、ｄｃは計算値を示す。〕、×−線に対する相対
反射強度、１（％）は第１表のとおりである。第１表 空間群はＲ亨ｍであり、その晶癖は板状晶であり、格子
定数は次のとおりである。
反射強度、１（％）は第１表のとおりである。第１表 空間群はＲ亨ｍであり、その晶癖は板状晶であり、格子
定数は次のとおりである。
ａ。
＝３．４３００ ±０．０００４ （Ａ）
ｃ。＝２５．０６６ ±０．００６ （
Ａ）この化合は、半導体材料および触媒として有用なも
のである。この化合物は、次の方法によって製造し得ら
れる。
ｃ。＝２５．０６６ ±０．００６ （
Ａ）この化合は、半導体材料および触媒として有用なも
のである。この化合物は、次の方法によって製造し得ら
れる。
金属ツリウム（Ｔｍ）あるいは酸化ツリウム（Ｔｍ２０
３）もしくは、加熱されることによって酸化ツリウム（
Ｔｍ２０３）に分解される化合物と金属ガリウム、ある
いは酸化ガリウム（Ｇａ２０３）もしくは、加熱される
ことにより酸化ガリウム（Ｇａ２０３）に分解される化
合物と亜鉛あるいは酸化亜鉛（Ｚｎ○）もしくは加熱さ
れるることにより分解されて酸化亜鉛（Ｚｎ○）を生ず
る化合物とを、ツリウム、ガリウム、亜鉛の割合が原子
比で１対１対１になるように混合して、１３００午０以
上の温度で、大気中、酸化雰囲気、あるいはガリウムお
よび亜鉛が各々３価イオン状態、２価イオン状態より還
元されない程度の還元雰囲気のもとで加熱することによ
って製造することが出来る。
３）もしくは、加熱されることによって酸化ツリウム（
Ｔｍ２０３）に分解される化合物と金属ガリウム、ある
いは酸化ガリウム（Ｇａ２０３）もしくは、加熱される
ことにより酸化ガリウム（Ｇａ２０３）に分解される化
合物と亜鉛あるいは酸化亜鉛（Ｚｎ○）もしくは加熱さ
れるることにより分解されて酸化亜鉛（Ｚｎ○）を生ず
る化合物とを、ツリウム、ガリウム、亜鉛の割合が原子
比で１対１対１になるように混合して、１３００午０以
上の温度で、大気中、酸化雰囲気、あるいはガリウムお
よび亜鉛が各々３価イオン状態、２価イオン状態より還
元されない程度の還元雰囲気のもとで加熱することによ
って製造することが出来る。
本発明に用いる出発物質は、市販のものをそのまま使用
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいさい程よく、特に１０ム
ｍ以下であることが好ましい。
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいさい程よく、特に１０ム
ｍ以下であることが好ましい。
また、半導体材料として用いる場合には不純物の混入を
きらうので、出発原料物質は純度が高いほど好ましい。
きらうので、出発原料物質は純度が高いほど好ましい。
この原料をそのまま、あるいはアルコール類もしくはア
セトンと共に充分に混合する。これらの混合割合は、ツ
リウム、ガリウム、亜鉛の割合が原子比として１対１対
１の割合である。
セトンと共に充分に混合する。これらの混合割合は、ツ
リウム、ガリウム、亜鉛の割合が原子比として１対１対
１の割合である。
この割合をはずすと目的とする化合物を得ることは出来
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くは、ガリウムおよび、亜鉛が３価イオン状態および２
価イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気のも
とで、１３００００以上の温度で加熱する。加熱時間は
、１日もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度に
は制約はない。反応終了後は、０℃に急冷するかあるい
は大気中に急激にひきだせばよい。得られたＴｍＧａＺ
ｎ０４化合物は、無色を示し、粉末Ｘ線回折法によって
結晶構造を有することがわかった。その結晶構造は、既
に本出願人が得たＹＦｅ２０４と同型であることがわか
った。出発混合試料と反応生成物の試料重量を精密に秤
量し、得られた試料の化学量論数を決定した。実施例 純度９９．９％以上のツリウム酸化物（Ｔｍ２０３）粉
末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ２０３）
粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（Ｚｎ○）粉末を、モ
ル比で１対１対２の割合に秤量し、乳鉢内でエチルアル
コールを加えて充分に混合し、平均粒径数ぶれの微粉末
を得た。
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くは、ガリウムおよび、亜鉛が３価イオン状態および２
価イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気のも
とで、１３００００以上の温度で加熱する。加熱時間は
、１日もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度に
は制約はない。反応終了後は、０℃に急冷するかあるい
は大気中に急激にひきだせばよい。得られたＴｍＧａＺ
ｎ０４化合物は、無色を示し、粉末Ｘ線回折法によって
結晶構造を有することがわかった。その結晶構造は、既
に本出願人が得たＹＦｅ２０４と同型であることがわか
った。出発混合試料と反応生成物の試料重量を精密に秤
量し、得られた試料の化学量論数を決定した。実施例 純度９９．９％以上のツリウム酸化物（Ｔｍ２０３）粉
末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ２０３）
粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（Ｚｎ○）粉末を、モ
ル比で１対１対２の割合に秤量し、乳鉢内でエチルアル
コールを加えて充分に混合し、平均粒径数ぶれの微粉末
を得た。
該混合物を白金ルルッボ内にみたして、１５５０ｏｏに
設定された箱型のシリコニット炉内に入れ、２日間加熱
し、その後試料を炉外にとり出し、室温まで急速に冷却
した。得られた試料はＴｍＧａＺｎ０４であり、既に報
告されているＹＦｅ２０４結晶学的には、同型であるこ
とが粉末Ｘ線回折法によって確認された。試料重量が加
熱前後で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数が
決定された。第１表に得られた試料の結晶学的性質を示
した。
設定された箱型のシリコニット炉内に入れ、２日間加熱
し、その後試料を炉外にとり出し、室温まで急速に冷却
した。得られた試料はＴｍＧａＺｎ０４であり、既に報
告されているＹＦｅ２０４結晶学的には、同型であるこ
とが粉末Ｘ線回折法によって確認された。試料重量が加
熱前後で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数が
決定された。第１表に得られた試料の結晶学的性質を示
した。
図面は、本発明のＴｍＧａＺｎ０４結晶の図であ。
最大の丸は酸素、中丸は、ツリウム、最小黒丸は亜鉛と
カリウムを示す。孫ハ辺
カリウムを示す。孫ハ辺
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＴｍＧａＺｎＯ＿４で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属ツリウム（Ｔｍ）あるいは酸化ツリウム（Ｔｍ
＿２Ｏ＿３）もしくは、加熱されることにより酸化ツリ
ウム（Ｔｍ＿２Ｏ＿３）に分解される化合物と、金属ガ
リウム（Ｇａ）あるいは酸化ガリウム、（Ｇａ＿２Ｏ＿
３）もしくは、加熱されることにより酸化ガリウム（Ｇ
ａ＿２Ｏ＿３）に分解される化合物と、亜鉛（Ｚｎ）あ
るいは酸化亜鉛（ＺｎＯ）もしくは加熱されることによ
り分解されて酸化亜鉛（ＺｎＯ）を生ずる化合物とをツ
リウム、ガリウム、亜鉛の割合が原子比で１対１対１に
なるように混合して、１３００℃以上の温度で大気中、
酸化性雰囲気あるいはガリウムおよび亜鉛が各々３価イ
オン状態、２価イオン状態より還元されない程度の還元
雰囲気のもとで加熱することを特徴とするＴｍＧａＺｎ
Ｏ＿４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11833081A JPS606894B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＴｍＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11833081A JPS606894B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＴｍＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820719A JPS5820719A (ja) | 1983-02-07 |
| JPS606894B2 true JPS606894B2 (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=14733989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11833081A Expired JPS606894B2 (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | ＴｍＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606894B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10115482A1 (de) * | 2001-03-29 | 2002-10-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Lotzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung desselben |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP11833081A patent/JPS606894B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5820719A (ja) | 1983-02-07 |
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