JPS5821360A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5821360A JPS5821360A JP56119483A JP11948381A JPS5821360A JP S5821360 A JPS5821360 A JP S5821360A JP 56119483 A JP56119483 A JP 56119483A JP 11948381 A JP11948381 A JP 11948381A JP S5821360 A JPS5821360 A JP S5821360A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- semiconductor devices
- semiconductor
- spacer
- electrode body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にリードレス
タイプのダイオードの製造方法に関する。
タイプのダイオードの製造方法に関する。
ダイオードの一例を第１図より説明すると、１は半導体
素子で、一対のスラグリード２．２で挾持され、ガラス
スリーブ３に挿通され、ガラススリーブ３の両端部とス
ラグ２ａ、２＆とを気密封着して構成されている。
素子で、一対のスラグリード２．２で挾持され、ガラス
スリーブ３に挿通され、ガラススリーブ３の両端部とス
ラグ２ａ、２＆とを気密封着して構成されている。
このダイオードは第２図に示すように、上面に開口しガ
ラススリーブ３を収容するスリーブ収容孔４＆とスリー
ブ収容孔４ａの底面に開口するリード挿通孔４ｂを複数
穿設したカーボン製の下治具４と、下治具４のスリーブ
収容孔４ａに対応して、下面に開口するリード挿通孔５
ａを穿設したカーボン製の上治具５とを用い、下治具４
のスリーブ収容孔４ａにガラススリーブ３を収容し、さ
らにガラススリーブ３内にスラグリード２、半導体素子
１、スラグリード２を順次収容し、上治具５を載置して
、加熱炉に供給し封着一体化して製造さｎる。
ラススリーブ３を収容するスリーブ収容孔４＆とスリー
ブ収容孔４ａの底面に開口するリード挿通孔４ｂを複数
穿設したカーボン製の下治具４と、下治具４のスリーブ
収容孔４ａに対応して、下面に開口するリード挿通孔５
ａを穿設したカーボン製の上治具５とを用い、下治具４
のスリーブ収容孔４ａにガラススリーブ３を収容し、さ
らにガラススリーブ３内にスラグリード２、半導体素子
１、スラグリード２を順次収容し、上治具５を載置して
、加熱炉に供給し封着一体化して製造さｎる。
ところで、電子、装置は製造コストの低減化、信頼性の
向上のため、自動化が推進され、混成集積回路装置等で
はリードレスタイプの電子部品が要求される。
向上のため、自動化が推進され、混成集積回路装置等で
はリードレスタイプの電子部品が要求される。
そのため第３図に示すようにリードレスのスラグ２ａ、
２ｍで半導体素子ｌを挾持しガラススリーブ３で封着し
たダイオードを用いることができるが、第２図に示した
治具の、リード挿麺孔４ｂ 。
２ｍで半導体素子ｌを挾持しガラススリーブ３で封着し
たダイオードを用いることができるが、第２図に示した
治具の、リード挿麺孔４ｂ 。
５ａを除いた治具を用いる点では変りがなく、リードが
ないことにより治具内ｆスラグ２ａを収容した時に斜め
に入ったり、立った状態で入るためＩＪ１！造が煩雑に
なるという問題があった。
ないことにより治具内ｆスラグ２ａを収容した時に斜め
に入ったり、立った状態で入るためＩＪ１！造が煩雑に
なるという問題があった。
本発明はＬ記問題点に鑑み提案されたもので、≠産性が
良好なリードレスタイプのダイオードの１−遣方法を提
供する。
良好なリードレスタイプのダイオードの１−遣方法を提
供する。
以下本発明を第４図乃至第１０図より説明する。
第４図は半導体装置構成体を示すもので、図において、
６は両面に電極（図示せず）を形成した半導体素子、７
．７は一対の電極板ｌｉｔ極体）で、半導体素子６の電
極と密層し′電気的に接続し、半導体装置構成体８を形
成している。ここで密着とはロウ付けあるいは圧着を含
む。第５図乃至第７図は本発明の第１実施例を示すもの
で、先ず、第５図に示すように半導体装置構成体８を複
数個、半導体素子６の電極面と平行な電極板７の面をス
ペーサ９を介して密着させ一直線上に配列し、両端部に
保護板１０を当てて押圧する。次に第６図に示すように
一直線上に配列した複数の半導体装置構成体８ａ〜８ｎ
をエポキシ樹脂等の外装材液に浸漬して、外装部１１を
形成する。外装部１１は樹脂液に浸漬後一連の半導体装
置構成体８ａ〜８ｎを回転させることにより成形できる
。次に第７図に示すように外装部１１を硬化させて債、
保護板１０を除去し、スペーサ９部分より分離し各半導
体装置構成体８ａ、８ｂ、・・・・・・８ｎにそれぞれ
外装部１１！牛形成した半導体装置１２に分割する。
６は両面に電極（図示せず）を形成した半導体素子、７
．７は一対の電極板ｌｉｔ極体）で、半導体素子６の電
極と密層し′電気的に接続し、半導体装置構成体８を形
成している。ここで密着とはロウ付けあるいは圧着を含
む。第５図乃至第７図は本発明の第１実施例を示すもの
で、先ず、第５図に示すように半導体装置構成体８を複
数個、半導体素子６の電極面と平行な電極板７の面をス
ペーサ９を介して密着させ一直線上に配列し、両端部に
保護板１０を当てて押圧する。次に第６図に示すように
一直線上に配列した複数の半導体装置構成体８ａ〜８ｎ
をエポキシ樹脂等の外装材液に浸漬して、外装部１１を
形成する。外装部１１は樹脂液に浸漬後一連の半導体装
置構成体８ａ〜８ｎを回転させることにより成形できる
。次に第７図に示すように外装部１１を硬化させて債、
保護板１０を除去し、スペーサ９部分より分離し各半導
体装置構成体８ａ、８ｂ、・・・・・・８ｎにそれぞれ
外装部１１！牛形成した半導体装置１２に分割する。
こｎにより、複数個の半導体装置１２が一括し−ｃｇｉ
−ｃ’き、煩雑な作業をともなうカーボン製の治具が不
要となり、製造が容易となる。
−ｃ’き、煩雑な作業をともなうカーボン製の治具が不
要となり、製造が容易となる。
また第８図乃至第１０図は本発明の第２の実施例を示す
もので、先ず第８図に示すように半導体装置構成体８を
懐数個、電極板（電極体）７の側面をスペーサ９を介し
て密着させ一直線上に配列し、両端部に保護板１ｏを当
てて押圧する。次に第９図に示すように一直線上に配列
した複数の半導体装置構成体８ａ〜８ｎをエポキシ樹脂
等の外装材液に浸漬して、外装部１１を形成する。次に
外装部１１を硬化させて後、保護板１ｏを除去し、スペ
ーサ９部分より分離して第１０図に示すように各半導体
装置構成体８ａ〜８ｎにそｎぞれ外装部１１を形成した
半導体装置１３に分割する。
もので、先ず第８図に示すように半導体装置構成体８を
懐数個、電極板（電極体）７の側面をスペーサ９を介し
て密着させ一直線上に配列し、両端部に保護板１ｏを当
てて押圧する。次に第９図に示すように一直線上に配列
した複数の半導体装置構成体８ａ〜８ｎをエポキシ樹脂
等の外装材液に浸漬して、外装部１１を形成する。次に
外装部１１を硬化させて後、保護板１ｏを除去し、スペ
ーサ９部分より分離して第１０図に示すように各半導体
装置構成体８ａ〜８ｎにそｎぞれ外装部１１を形成した
半導体装置１３に分割する。
この半導体装置１３は２ｇ＝の電極板７を同一平面に露
呈させることができる。
呈させることができる。
尚、上記実施例において、外装部１１は樹脂材だけでな
く、ガラスを用いることができ、一層にき、こｎらを組
合せてもよい。またスペーサ９、保護板１０は外装材に
対して接着性の劣る材料が望ましく、例えばエポキシ樹
脂等では塩化ビニル等、ガラスに対してはアルミニウム
等を用いることができ、電極体？［対して粘着性のある
ものを用いることにより半導体装置構成体８ａ〜８ｎの
一体化を容易にできる。またスペーサ９、保護板１０と
して弾性を有し厚いものを用い、電極体７をくい込ませ
るように圧着したり、第１１図に示すように電極体７を
収容する四部１４又は孔を形成することにより第１２図
に示すように電極体７の露呈面を外装部１１よ、り突出
させることができ、こｎを利用して極性表示もできる。
く、ガラスを用いることができ、一層にき、こｎらを組
合せてもよい。またスペーサ９、保護板１０は外装材に
対して接着性の劣る材料が望ましく、例えばエポキシ樹
脂等では塩化ビニル等、ガラスに対してはアルミニウム
等を用いることができ、電極体？［対して粘着性のある
ものを用いることにより半導体装置構成体８ａ〜８ｎの
一体化を容易にできる。またスペーサ９、保護板１０と
して弾性を有し厚いものを用い、電極体７をくい込ませ
るように圧着したり、第１１図に示すように電極体７を
収容する四部１４又は孔を形成することにより第１２図
に示すように電極体７の露呈面を外装部１１よ、り突出
させることができ、こｎを利用して極性表示もできる。
また電極体７は第１．３図に示すように側壁をテーパ面
１５としたり、第１４図に示すように側壁に段部１６あ
るいは凹溝を形成したり、第１５図に示すように透孔１
７あるいは切欠きを形成することにより、外装部１１の
剥離を防止でき、耐湿性の良好な半導体装置を製造でき
る。また個々の半導体装置１２゜１３に分割する際にス
ペーサ９が露呈するように外装部１１を切削することに
より分割を容易にすることができる。またスペーサ９は
必ずしも必要ではなく、電極体７の密着性が保た扛るの
であ扛ば直接的に密着させてもよいし、あるいは電極体
７に予め剥離可能な樹脂被膜を形成しておくことにより
スペーサ９を省くことができる。また半導体装置構成体
８を複数、粘着テープや、接着材により基板上に接着す
ｎば保護板１０なしで配列できる。
１５としたり、第１４図に示すように側壁に段部１６あ
るいは凹溝を形成したり、第１５図に示すように透孔１
７あるいは切欠きを形成することにより、外装部１１の
剥離を防止でき、耐湿性の良好な半導体装置を製造でき
る。また個々の半導体装置１２゜１３に分割する際にス
ペーサ９が露呈するように外装部１１を切削することに
より分割を容易にすることができる。またスペーサ９は
必ずしも必要ではなく、電極体７の密着性が保た扛るの
であ扛ば直接的に密着させてもよいし、あるいは電極体
７に予め剥離可能な樹脂被膜を形成しておくことにより
スペーサ９を省くことができる。また半導体装置構成体
８を複数、粘着テープや、接着材により基板上に接着す
ｎば保護板１０なしで配列できる。
また電極体７の形状は平板状たけでなく棒状のものを用
い放熱性を良好にできるし、また例えば第１６図に示す
ように一方の電極体７′を断面り字状に形成することに
より、電極を両面、に露呈させると共に同一平面に露呈
させた半導体装置を製造でき、第１７図に示すように電
極面積が広く、半田付は性の良好な半導体装置を製造で
きる。
い放熱性を良好にできるし、また例えば第１６図に示す
ように一方の電極体７′を断面り字状に形成することに
より、電極を両面、に露呈させると共に同一平面に露呈
させた半導体装置を製造でき、第１７図に示すように電
極面積が広く、半田付は性の良好な半導体装置を製造で
きる。
、以上のように本発明によれば、煩雑な作業をともなう
カーボン製の治具が不要となり、浸漬法等の簡単な作業
で複数の半導体装置を一括して製造することができる。
カーボン製の治具が不要となり、浸漬法等の簡単な作業
で複数の半導体装置を一括して製造することができる。
第１図はガラス封止ダイオードの一例を示す側断面図、
第２図は第１図ダイオードの製造に用い、るカーボン製
油具の側断面図、第３図６はリードレスダイオードの一
例を示す鋸断ｒｆＩ図、第４図は本発明による半導体装
置の構成体を示す側面図、第５図及び第６図は本発明の
第１の実施例を示す側面図及び、側断面図、第７図は第
１の実施例により製造された半導体装置の側断面図、第
８図及び第９図は本発明の第２の実施例を示す側面図及
び側断面図、第１０図は第２の実施例により製造された
半導体装置の側断面図、第１１図はスペーサ９の変杉例
を示す側断面図、第１２図は第１１図スペーサ９を用い
て製造された半導体装置の側断面図、第１３図乃至第１
７図はそれぞれ変形された電極体を有する半導体装置の
側断面図である。 ６・・・・・・半導体素子、 ７・・・・・電極体、 ８・・・・・・半導体装置構成体、 １１・・・・・外装部、 １２．１３・・・・・半導体装置。 第１１記
第２図は第１図ダイオードの製造に用い、るカーボン製
油具の側断面図、第３図６はリードレスダイオードの一
例を示す鋸断ｒｆＩ図、第４図は本発明による半導体装
置の構成体を示す側面図、第５図及び第６図は本発明の
第１の実施例を示す側面図及び、側断面図、第７図は第
１の実施例により製造された半導体装置の側断面図、第
８図及び第９図は本発明の第２の実施例を示す側面図及
び側断面図、第１０図は第２の実施例により製造された
半導体装置の側断面図、第１１図はスペーサ９の変杉例
を示す側断面図、第１２図は第１１図スペーサ９を用い
て製造された半導体装置の側断面図、第１３図乃至第１
７図はそれぞれ変形された電極体を有する半導体装置の
側断面図である。 ６・・・・・・半導体素子、 ７・・・・・電極体、 ８・・・・・・半導体装置構成体、 １１・・・・・外装部、 １２．１３・・・・・半導体装置。 第１１記
Claims (1)
- 一対の電極体で半導体素子を挾持した半導体装置構成体
の複数を、隣接部分に外装材が被着しないように配列し
て、半導体素子を含む要部を外装し１その後、個々の半
導体装置に分割することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56119483A JPS5821360A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56119483A JPS5821360A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821360A true JPS5821360A (ja) | 1983-02-08 |
| JPH0249022B2 JPH0249022B2 (ja) | 1990-10-26 |
Family
ID=14762395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56119483A Granted JPS5821360A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821360A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62178539U (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-12 | ||
| US7199455B2 (en) | 2002-07-02 | 2007-04-03 | Nec Electronics Corporation | Molded resin semiconductor device having exposed semiconductor chip electrodes |
-
1981
- 1981-07-29 JP JP56119483A patent/JPS5821360A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62178539U (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-12 | ||
| US7199455B2 (en) | 2002-07-02 | 2007-04-03 | Nec Electronics Corporation | Molded resin semiconductor device having exposed semiconductor chip electrodes |
| US7534661B2 (en) | 2002-07-02 | 2009-05-19 | Nec Electronics Corporation | Method of forming molded resin semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0249022B2 (ja) | 1990-10-26 |
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