JPS58217689A - 凹凸状情報を有する板状体の複製用金属母型の製法 - Google Patents
凹凸状情報を有する板状体の複製用金属母型の製法Info
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- JPS58217689A JPS58217689A JP9939482A JP9939482A JPS58217689A JP S58217689 A JPS58217689 A JP S58217689A JP 9939482 A JP9939482 A JP 9939482A JP 9939482 A JP9939482 A JP 9939482A JP S58217689 A JPS58217689 A JP S58217689A
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- metal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ビデオディスクや光デイスクメモリあるいは
溝あり静電容量方式ビデオディスク用スタイラスの針先
研磨器等の凹凸状情報を有する板状体の複製用金属母型
の製法に関するものである。
溝あり静電容量方式ビデオディスク用スタイラスの針先
研磨器等の凹凸状情報を有する板状体の複製用金属母型
の製法に関するものである。
これらの凹凸状情報パターンの複製は、一般の蓄音器用
レコードの製作に用いられるものとほぼ同様の技術によ
って作成できる。すなわち、蓄音器用レコードの製作に
用いられる方法は、振動切削針によってニトロセルロー
ス・ラッカー面へ音溝を切削した後、この面に、多数の
圧鋳型を製造するだめの母型となるニッケル被膜が被着
される。
レコードの製作に用いられるものとほぼ同様の技術によ
って作成できる。すなわち、蓄音器用レコードの製作に
用いられる方法は、振動切削針によってニトロセルロー
ス・ラッカー面へ音溝を切削した後、この面に、多数の
圧鋳型を製造するだめの母型となるニッケル被膜が被着
される。
上述したような凹凸状情報パターンの複製の場合は、ガ
ラス原盤上にホトリソグラフィー法により凹凸状の情報
パターンを形成し、これを可溶性樹脂あるいは紫外線硬
化性樹脂面上に転写し、該樹脂面に、多数の圧鋳型を製
造するための母型となるニッケル被膜を形成する方式が
好適である。
ラス原盤上にホトリソグラフィー法により凹凸状の情報
パターンを形成し、これを可溶性樹脂あるいは紫外線硬
化性樹脂面上に転写し、該樹脂面に、多数の圧鋳型を製
造するための母型となるニッケル被膜を形成する方式が
好適である。
上述した方式においては、通常、ニッケル被膜を被着す
るだめの前処理として、表面を適当に活性化した後、化
学的還元法により銀の薄層を形成して導電性基層ｄを作
成する。次に、基層上にニッケルを電気メッキし、適当
な厚さにニッケル層を形成した後、この構体を銀層とラ
ッカー基層との界面で分離する。この方法では、通常、
銀層表面を硬化するだめに、銀表面にニッケルおよび／
またはクロムを被着するか、あるいは銀層をエツチング
除去して硬質なニッケル面を露出させる。そのため、こ
の面は原樹脂面を完全に忠実には再現せず、原記録に若
干の劣化をきたすという欠点が生じる。そこで、上記の
欠点を除去するために、導電性基層をニッケル等の金属
の蒸着によって形成する方法が考えられる。この方法は
、パターンの凹凸が小さい場合には好適であるが、深溝
や深いビットや高い突起を有する一般の場合は、溝やピ
ントおよび突起の側面の金属膜の付着が少なくなり、電
気メツキ中に断線を生じたり、側面形状が不正確になる
という欠点がある。
るだめの前処理として、表面を適当に活性化した後、化
学的還元法により銀の薄層を形成して導電性基層ｄを作
成する。次に、基層上にニッケルを電気メッキし、適当
な厚さにニッケル層を形成した後、この構体を銀層とラ
ッカー基層との界面で分離する。この方法では、通常、
銀層表面を硬化するだめに、銀表面にニッケルおよび／
またはクロムを被着するか、あるいは銀層をエツチング
除去して硬質なニッケル面を露出させる。そのため、こ
の面は原樹脂面を完全に忠実には再現せず、原記録に若
干の劣化をきたすという欠点が生じる。そこで、上記の
欠点を除去するために、導電性基層をニッケル等の金属
の蒸着によって形成する方法が考えられる。この方法は
、パターンの凹凸が小さい場合には好適であるが、深溝
や深いビットや高い突起を有する一般の場合は、溝やピ
ントおよび突起の側面の金属膜の付着が少なくなり、電
気メツキ中に断線を生じたり、側面形状が不正確になる
という欠点がある。
本発明の目的は、上述したような従来技術の欠点をなく
し、正確に原情報パターンを転写し得ろ凹凸状情報を有
する板状体の複製用金属母型の製法を提供するにある。
し、正確に原情報パターンを転写し得ろ凹凸状情報を有
する板状体の複製用金属母型の製法を提供するにある。
本発明は、上記目的を達成するため、母型となるニッケ
ル被膜を、まず樹月旨表面を増感活性化してその表面に
活性化金属の核を形成し、次にこの活性化された表面に
は）Ｙ室温でニッケルまたはコノ（ルトを無電解メッキ
して電解メッキ用導電膜を形成し、さらにニッケル電解
メッキを行うことによって作成することを要点とするも
のである。
ル被膜を、まず樹月旨表面を増感活性化してその表面に
活性化金属の核を形成し、次にこの活性化された表面に
は）Ｙ室温でニッケルまたはコノ（ルトを無電解メッキ
して電解メッキ用導電膜を形成し、さらにニッケル電解
メッキを行うことによって作成することを要点とするも
のである。
まず、本発明の基礎となる事項を総括的に説明する。上
述した従来技術の欠点は、はぼ室温におけるニッケルま
たはコノ（ルトの無電解メッキ法によって電解メッキ用
導電性基層となすことにより解消される。このほぼ室温
におけるニッケルまたはコバルトの無電解メッキ法に関
しては、Ｒ，ＣＡ社による特公昭４９−４７６１５号公
報に記載されている手法を採用することができる。同公
報に記載のほぼ室温におけるニッケル捷たはコノ＜ルト
の無電解メッキ法は、被着体が、アルカＩＪ性媒体によ
って侵されやすい形態の合成樹脂質の正のホトレジスト
材料である場合に限定されているが、条件さえ規定すれ
ば、被着体が、負のホトレジストと見なし得る紫外線硬
化性樹脂の場合であってもまたアセチルセルロース、エ
チルセルロース、メチルセルロース、フロビルセルロー
ス、メチルセルロース等の可溶性樹脂の場合であっても
、該手法が適用可能であることを見いだした。また、ニ
ッケルまたはコバルトのほぼ室温における化学メッキ法
は、浸漬法のみならず、日本コロンビヤ社による特開昭
５０−９４９０１号公報に記載されているスプレィ法も
適用可能であった。
述した従来技術の欠点は、はぼ室温におけるニッケルま
たはコノ（ルトの無電解メッキ法によって電解メッキ用
導電性基層となすことにより解消される。このほぼ室温
におけるニッケルまたはコバルトの無電解メッキ法に関
しては、Ｒ，ＣＡ社による特公昭４９−４７６１５号公
報に記載されている手法を採用することができる。同公
報に記載のほぼ室温におけるニッケル捷たはコノ＜ルト
の無電解メッキ法は、被着体が、アルカＩＪ性媒体によ
って侵されやすい形態の合成樹脂質の正のホトレジスト
材料である場合に限定されているが、条件さえ規定すれ
ば、被着体が、負のホトレジストと見なし得る紫外線硬
化性樹脂の場合であってもまたアセチルセルロース、エ
チルセルロース、メチルセルロース、フロビルセルロー
ス、メチルセルロース等の可溶性樹脂の場合であっても
、該手法が適用可能であることを見いだした。また、ニ
ッケルまたはコバルトのほぼ室温における化学メッキ法
は、浸漬法のみならず、日本コロンビヤ社による特開昭
５０−９４９０１号公報に記載されているスプレィ法も
適用可能であった。
電解メッキ用導電性基層をニッケルまたはコノくルトの
ほぼ室温における無電解メッキ法によって形成する際に
問題となるのは、大きなメッキ応力である。例えば、Ｃ
ＢＳソニー社による特公昭５６−２６４８２号公報に記
載の実施例のごとく、無電解ニッケルメッキ′法によっ
て０．４〜０．８μ厚まで導電性基層を形成しようとす
ると、特に平坦部分において、無電解メッキ時あるいは
後段の電解メッキ時に、付着金属膜にクラック、剥離が
生じるしかし、ニッケルまたはコバルトの無電解メッキ
は、完全に金属鏡面が得られ不透明化する前段階で停め
ることにより、適用できることが判明した。
ほぼ室温における無電解メッキ法によって形成する際に
問題となるのは、大きなメッキ応力である。例えば、Ｃ
ＢＳソニー社による特公昭５６−２６４８２号公報に記
載の実施例のごとく、無電解ニッケルメッキ′法によっ
て０．４〜０．８μ厚まで導電性基層を形成しようとす
ると、特に平坦部分において、無電解メッキ時あるいは
後段の電解メッキ時に、付着金属膜にクラック、剥離が
生じるしかし、ニッケルまたはコバルトの無電解メッキ
は、完全に金属鏡面が得られ不透明化する前段階で停め
ることにより、適用できることが判明した。
すなわち、図面は、直径３（］ｃｍのアクリル基板坦体
上の紫外線硬化性樹脂面に、半径３ ｃｍの位置から半
径８．５ｃｍの位置まで、深さ５μｍ、幅２μｍの溝を
１０μｍのピンチでら旋状に刻んだパターンの陰像を転
写した基体に無電解メッキによってニッケル膜を付着さ
せた場合の、内外周間抵抗の無電解メッキ時間依存の一
例を示したものであるが、完全に金属鏡面が得られ不透
明化した抵抗域６では、無電解メッキ時あるいは次工程
の電解メッキ時に、平坦部の付着金属膜にクラックおよ
び剥離が生じた。また、抵抗域１では、後段の電解メッ
キ時に断線が生じた。従って、この場合の好適な抵抗値
は２０Ωから１にΩの範囲であったが、この値は転写し
ようとする凹凸状の情報パターンの形状によって変化す
るものであり、特定することはできない。つまり、凹凸
状の情報パターンの形状が変化しても共通していえるこ
とは、完全に金属鏡面が得られ不透明化する前段階で無
電解メッキを停めることが好ましいということである。
上の紫外線硬化性樹脂面に、半径３ ｃｍの位置から半
径８．５ｃｍの位置まで、深さ５μｍ、幅２μｍの溝を
１０μｍのピンチでら旋状に刻んだパターンの陰像を転
写した基体に無電解メッキによってニッケル膜を付着さ
せた場合の、内外周間抵抗の無電解メッキ時間依存の一
例を示したものであるが、完全に金属鏡面が得られ不透
明化した抵抗域６では、無電解メッキ時あるいは次工程
の電解メッキ時に、平坦部の付着金属膜にクラックおよ
び剥離が生じた。また、抵抗域１では、後段の電解メッ
キ時に断線が生じた。従って、この場合の好適な抵抗値
は２０Ωから１にΩの範囲であったが、この値は転写し
ようとする凹凸状の情報パターンの形状によって変化す
るものであり、特定することはできない。つまり、凹凸
状の情報パターンの形状が変化しても共通していえるこ
とは、完全に金属鏡面が得られ不透明化する前段階で無
電解メッキを停めることが好ましいということである。
このような状態の導電性基層であっても、後段の電解メ
ッキを行った後には、良好な転写面が得られる。
ッキを行った後には、良好な転写面が得られる。
以下、本発明の実施例について説明する。
〔実施例１〕
ガラス原盤に、半径３ｃｍの位置から１４ｃｍの位置ま
で、深さ５μｍ１幅２μｍの溝を１０μｍピッチでら旋
状に刻んだパターンを、大日本インキ化学社製の紫外線
硬化性樹脂ＨＤＳ−ｉを用い、アクリル基板坦体上に転
写せしめた。これを６０％ＨＮＯ３溶液に浸漬して親水
化処理を行った後、塩化スズ増感溶液への浸漬、および
塩化パラジウム活性化溶液への浸漬を行った。次に、室
温用ニッケル・ホウ木型無電解メッキ溶（浴温６０℃）
に４分間浸漬して電解メッキ用導電性基層を得だ。
で、深さ５μｍ１幅２μｍの溝を１０μｍピッチでら旋
状に刻んだパターンを、大日本インキ化学社製の紫外線
硬化性樹脂ＨＤＳ−ｉを用い、アクリル基板坦体上に転
写せしめた。これを６０％ＨＮＯ３溶液に浸漬して親水
化処理を行った後、塩化スズ増感溶液への浸漬、および
塩化パラジウム活性化溶液への浸漬を行った。次に、室
温用ニッケル・ホウ木型無電解メッキ溶（浴温６０℃）
に４分間浸漬して電解メッキ用導電性基層を得だ。
この室温用無電解メッキ浴の組成は次のとおりである。
Ｎｌ５０．６Ｈ２０８，３ｇ／１
ＮａＰ２Ｏ７，Ｈ２０１７ｇ／１
（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３０，５ｇ／１
ｐＨ（アンモニア調整） １０．３上記により得
られた導電性基層は、半透明で完全な金属鏡面とは々つ
てい々い。内外周間の抵抗は約３０Ωｆあつた。次に、
スルファミノ酸ニッケル溶で電解ニッケルメッキを行い
、ニッケルを０．２５ｍｍ被着させた。浴温は３０℃、
ｐｒＨは４．０初期電流密度は０．０３アンペア／ｄｍ
である。
られた導電性基層は、半透明で完全な金属鏡面とは々つ
てい々い。内外周間の抵抗は約３０Ωｆあつた。次に、
スルファミノ酸ニッケル溶で電解ニッケルメッキを行い
、ニッケルを０．２５ｍｍ被着させた。浴温は３０℃、
ｐｒＨは４．０初期電流密度は０．０３アンペア／ｄｍ
である。
樹脂面からニッケル面を分離し、溝形状を観察したとこ
ろ、ガラス原盤の溝形状に正確に対応する溝が得られて
いた。
ろ、ガラス原盤の溝形状に正確に対応する溝が得られて
いた。
・〔実施例２〕
ガラス基板に半径３ｃｍの位置から１４ｃｍの位置まで
情報ビットおよびガイド溝を形成した光デイスクビデオ
レコード原盤から、大日本インキ化学社製の紫外線硬化
性樹脂Ｈ８Ｄ−１を用いて、ガラス基板坦体上に情報パ
ターンを転写させた。
情報ビットおよびガイド溝を形成した光デイスクビデオ
レコード原盤から、大日本インキ化学社製の紫外線硬化
性樹脂Ｈ８Ｄ−１を用いて、ガラス基板坦体上に情報パ
ターンを転写させた。
これに、実施例１と同様に、親水化処理、増感処理、活
性化処理を行った。次に、室温用ニッケルリン型無電解
メッキ溶（浴温３０℃）に６分間浸漬して電解メッキ用
導電性基層を形成した。この室温用無電解メッキ浴の組
成は次のと、おりである。
性化処理を行った。次に、室温用ニッケルリン型無電解
メッキ溶（浴温３０℃）に６分間浸漬して電解メッキ用
導電性基層を形成した。この室温用無電解メッキ浴の組
成は次のと、おりである。
ＮＩＣ１２・６Ｈ２０７，１ｇ／ｌ
ＮａＨ２ＰＯ２，Ｈ２Ｏ３，３ｇ／１
Ｎａ４Ｐ２０７・１１０Ｈ２Ｏ１７／ｌＮ Ｈ４０Ｈ（
５８ｗｔ 、チ液） ３．５ ＣＣ／ｌ上記に
より得られた導電性基層は、半透明で完全な金属鏡面に
はなっていない。内外周間の抵抗は約８００Ωであった
。次に、実施例１と同様に、電解ニッケルメッキを行い
、樹脂面からニッケル面を分離し、情報パターン形状を
観察したところ、ガラス原盤の情報パターン形状に正確
に対応する情報パターンが得られていた。
５８ｗｔ 、チ液） ３．５ ＣＣ／ｌ上記に
より得られた導電性基層は、半透明で完全な金属鏡面に
はなっていない。内外周間の抵抗は約８００Ωであった
。次に、実施例１と同様に、電解ニッケルメッキを行い
、樹脂面からニッケル面を分離し、情報パターン形状を
観察したところ、ガラス原盤の情報パターン形状に正確
に対応する情報パターンが得られていた。
〔実施例５〕
ガラス基板に半径４ｃｍの位置から１４ｃｍの位置まで
情報ピットおよびガイド溝を形成した光デイスクメモリ
原盤に、アセチルセルロース、エチルセルロース、メチ
ルセルロース、フロビルセルロース、ブチルセルロース
の溶液を各個に塗布し、それぞれ溶剤乾燥後、大日精化
社製の紫外線硬化性樹脂Ｅ−１５を接着剤として、ガラ
ス基板坦体上に情報パターンを転写させた。これに、実
施例１と同様に、親水化処理、増感処理、活性化処理を
行った。次に、室温用無電解コバルトメッキ溶（情理３
０℃）に５分間浸漬して電解メッキ用導電性基層を形成
した。この室温用無電解メッキ浴の組成は次のとおりで
ある。
情報ピットおよびガイド溝を形成した光デイスクメモリ
原盤に、アセチルセルロース、エチルセルロース、メチ
ルセルロース、フロビルセルロース、ブチルセルロース
の溶液を各個に塗布し、それぞれ溶剤乾燥後、大日精化
社製の紫外線硬化性樹脂Ｅ−１５を接着剤として、ガラ
ス基板坦体上に情報パターンを転写させた。これに、実
施例１と同様に、親水化処理、増感処理、活性化処理を
行った。次に、室温用無電解コバルトメッキ溶（情理３
０℃）に５分間浸漬して電解メッキ用導電性基層を形成
した。この室温用無電解メッキ浴の組成は次のとおりで
ある。
Ｎａ４Ｐ２．０． 、１０Ｈ２０１２ｇ／１ＣＯ８Ｏ４
・７Ｈ２０９，１ｇ／ｌ ＮＨＯＨ（５８ｗｔ、チ液） １．３ ＣＣ／
１（ＣＨ，、）２ＮＨＢＨ，０，３ｇ／ｌ上記により得
られた導電性基層は、半透明で完全な金属鏡面にはなっ
ていない。内外周間の抵抗は約６０Ωであった。次に、
実施例１と同様に、電解メッキを行い、樹脂面からコバ
ルト面を分離し、情報パターン形状を観察したところ、
ガラス原盤の情報パターン形状に正確に対応する情報パ
ターンが得られていた。
・７Ｈ２０９，１ｇ／ｌ ＮＨＯＨ（５８ｗｔ、チ液） １．３ ＣＣ／
１（ＣＨ，、）２ＮＨＢＨ，０，３ｇ／ｌ上記により得
られた導電性基層は、半透明で完全な金属鏡面にはなっ
ていない。内外周間の抵抗は約６０Ωであった。次に、
実施例１と同様に、電解メッキを行い、樹脂面からコバ
ルト面を分離し、情報パターン形状を観察したところ、
ガラス原盤の情報パターン形状に正確に対応する情報パ
ターンが得られていた。
〔実施例４〕
実施例１と同一の被着体に対する無電解ニッケルメッキ
をスプレィ法で検討した。液温は３０℃、塗布時間は６
分間であり、液の組成は次のとおりである。
をスプレィ法で検討した。液温は３０℃、塗布時間は６
分間であり、液の組成は次のとおりである。
ニッケル液 ：Ｎ１Ｃｌ ・６Ｉ］２０５０ ｇ
／１ ＮＨＣｌ ５０ ｇ／１ 還元液 ： Ｎａ Ｂ Ｈ４１ｇ ／ １３ＮａＯ
Ｈ４ｇ／１ ｐ）Ｉ １２ 上記により得られた導電性基層は、半透明で完全な金属
鏡面にはなっていない。内外周間の抵抗は約４０Ωであ
った。次に、実施例１と同様に、電解ニッケルメッキを
行ったところ、実施例１と同様に良好であった。
／１ ＮＨＣｌ ５０ ｇ／１ 還元液 ： Ｎａ Ｂ Ｈ４１ｇ ／ １３ＮａＯ
Ｈ４ｇ／１ ｐ）Ｉ １２ 上記により得られた導電性基層は、半透明で完全な金属
鏡面にはなっていない。内外周間の抵抗は約４０Ωであ
った。次に、実施例１と同様に、電解ニッケルメッキを
行ったところ、実施例１と同様に良好であった。
実施例１と同様の検討を行い、無電解ニッケルメッキ溶
の浸漬時間を８分間にしたところ、後段のニッケルメッ
キ時に、平坦部のメッキ膜にクラック、剥離が生じた。
の浸漬時間を８分間にしたところ、後段のニッケルメッ
キ時に、平坦部のメッキ膜にクラック、剥離が生じた。
また、無電解ニッケルメッキ溶の浸漬時間を１５分間に
したところ、この時点で、平坦部のニッケル膜にクラッ
ク、剥離が生じていた。これらの電解メッキ用導電性基
層は完全な金属鏡面状態であった。
したところ、この時点で、平坦部のニッケル膜にクラッ
ク、剥離が生じていた。これらの電解メッキ用導電性基
層は完全な金属鏡面状態であった。
上述したように、本発明によれば、凹凸状情報を有する
板状体の複製用金属母型が、正確な転写パターンをもつ
ものとして安定に得ることができ次工程のために極めて
良好な金属母型を提供することができろ。
板状体の複製用金属母型が、正確な転写パターンをもつ
ものとして安定に得ることができ次工程のために極めて
良好な金属母型を提供することができろ。
図面は、本発明を実施する場合、円盤の内外周間の抵抗
値の、無電解ニッケルメッキ時間に対する依存性を示す
図表である。 代理人弁理士 中村純之助 鍬、ノミ１＃≦、２′フ″ルメ・ｙ矢ν今藺（冷） 第１頁の続き ０発 明 者 三輪広開 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所内
値の、無電解ニッケルメッキ時間に対する依存性を示す
図表である。 代理人弁理士 中村純之助 鍬、ノミ１＃≦、２′フ″ルメ・ｙ矢ν今藺（冷） 第１頁の続き ０発 明 者 三輪広開 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） ガラス等の硬質板状体の表面に形成された凹
凸状の情報パターンを紫外線硬化性樹脂または可溶性樹
脂の表面に転写せしめて形成した凹凸状情報パターンの
複製用金属母型の製法であって、前記樹脂表面を増感活
性化してその表面に活性化金属の核を形成し、次に該活
性化された表面にほぼ室温でニッケルまたはコバルトを
無電解メッキして電解メッキ用導電膜となし、さらにニ
ッケル電解メッキを行い金属体を得、該金属体を前記活
性化した表面との界面で分離して前記凹凸状情報。 パターンの負の母型を形成することを特徴とする凹凸状
情報を有する板状体の複製用金属母型の製法。 （２、特許請求の範囲第１項に記載の凹凸状情報を有す
る板状体の複製用金属母型の製法において、無電解メッ
キを完全な金属鏡面の得られる前段階で停めることを特
徴とする凹凸状情報を有する板状体の複製用金属母型の
製法。 （ロ）特許請求の範囲第１項に記載の凹凸状情報を有す
る板状体の複製用金属母型の製法において、紫外線硬化
性樹脂が炭素−炭素二重結合を有する有機材料であるこ
とを特徴とする凹凸状情報を有する板状体の複製用金属
母型の製法。 （４）特許請求の範囲第１項に記載の凹凸状情報を有す
る板状体の複製用金属母型の製法において可溶性樹脂が
セルロース系高分子物質であることを特徴とする凹凸状
情報を有する板状体の複製用金属母型の製法。 （５）特許請求の範囲第１項に記載の凹凸状情報を有す
る板状体の複製用金属母型の製法において可溶性樹脂が
、アセチルセルロース、エチルセルロース、メチルセル
ロース、プロピルセルロースおよびブチルセルロースの
うちの少なくとも１つからなる樹脂であることを特徴と
する凹凸状情報を有する板状体の複製用金属母型の製法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9939482A JPS58217689A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 凹凸状情報を有する板状体の複製用金属母型の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9939482A JPS58217689A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 凹凸状情報を有する板状体の複製用金属母型の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58217689A true JPS58217689A (ja) | 1983-12-17 |
Family
ID=14246275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9939482A Pending JPS58217689A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 凹凸状情報を有する板状体の複製用金属母型の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58217689A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8741380B2 (en) | 2003-12-26 | 2014-06-03 | Hitachi, Ltd. | Fine metal structure, process for producing the same, fine metal mold and device |
-
1982
- 1982-06-11 JP JP9939482A patent/JPS58217689A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8741380B2 (en) | 2003-12-26 | 2014-06-03 | Hitachi, Ltd. | Fine metal structure, process for producing the same, fine metal mold and device |
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