JPS5824444Y2 - 超音波ボンデイング装置 - Google Patents
超音波ボンデイング装置Info
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- JPS5824444Y2 JPS5824444Y2 JP1978090082U JP9008278U JPS5824444Y2 JP S5824444 Y2 JPS5824444 Y2 JP S5824444Y2 JP 1978090082 U JP1978090082 U JP 1978090082U JP 9008278 U JP9008278 U JP 9008278U JP S5824444 Y2 JPS5824444 Y2 JP S5824444Y2
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- JP
- Japan
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- bonding
- semiconductor element
- wire
- container
- ultrasonic bonding
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- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/685—Shapes or dispositions thereof comprising multiple insulating layers
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07521—Aligning
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、半導体素子電極と、容器内部リードとを細線
で電気的及び機械的に接続する超音波ボンダのボンディ
ング装置に関するものである。
で電気的及び機械的に接続する超音波ボンダのボンディ
ング装置に関するものである。
従来、超音波ボンダを用いてボンディングする場合、半
導体素子を収納する容器の種類によりボンディング方向
が異っていた。
導体素子を収納する容器の種類によりボンディング方向
が異っていた。
つまり、半導体素子に最初ボンディングをして、しかる
後、容器の内部リード側にボンディングするのが第1の
方法。
後、容器の内部リード側にボンディングするのが第1の
方法。
第2の方法は、容器の内部リード側に最初ポンチ゛イン
グをして、しかる後、半導体素子の電極にボンディング
する方法である。
グをして、しかる後、半導体素子の電極にボンディング
する方法である。
第1の方法を正打ち、第2の方法は逆打ちという通称を
もっている。
もっている。
普通は正打ち方法を用いてポンチ゛イングを行なうので
あるが、第1図に示す如く、セラミック型のケースの場
合、半導体素子1−3にまずボンディングをして、容器
の内部リードにボンディングツール1−1でポンチ゛イ
ングする場合、ワイヤ1−2がセラミックケースの側壁
1−4に当たり、それによりワイヤ切れが生しボンディ
ングできなくなる。
あるが、第1図に示す如く、セラミック型のケースの場
合、半導体素子1−3にまずボンディングをして、容器
の内部リードにボンディングツール1−1でポンチ゛イ
ングする場合、ワイヤ1−2がセラミックケースの側壁
1−4に当たり、それによりワイヤ切れが生しボンディ
ングできなくなる。
そこで、現在ではこのような場合第2図に示すように逆
打ボンディングを行なう。
打ボンディングを行なう。
まず、第1に容器の内部リードにボンディングをして、
それから後、半導体素子2−3の内部電極にボンディン
グする。
それから後、半導体素子2−3の内部電極にボンディン
グする。
そうすることによって、容器の側壁2−4にワイヤ2−
2が当たることなくボンディングできる。
2が当たることなくボンディングできる。
ところが逆打ちした場合、ボンディングによって作られ
たポンチ゛イングワイヤループの形が、正打ちの如くル
ープが作られず半導体素子の周辺にワイヤが触れ、その
ワイヤに接続されている電極が、半導体素子の周辺と短
絡することになり、半導体素子の機能が全くなくなって
しまう。
たポンチ゛イングワイヤループの形が、正打ちの如くル
ープが作られず半導体素子の周辺にワイヤが触れ、その
ワイヤに接続されている電極が、半導体素子の周辺と短
絡することになり、半導体素子の機能が全くなくなって
しまう。
(第1図と第2図でループの形が違う)現在では、ボン
ディング後ワイヤのループを修正するのが普通である。
ディング後ワイヤのループを修正するのが普通である。
しかしながらこのワイヤループ修正に要する工数は多大
なものであった。
なものであった。
本考案は、上記の如くワイヤループ修正に要する工数を
皆無にするボンディング装置を提供するものである。
皆無にするボンディング装置を提供するものである。
本考案は半導体素子電極と容器内部リードとを金属細線
で電気的に接続する超音波ボンディングにおいて、半導
体素子の拡大と共にボンディング方向が逆打ちになった
ポンチ゛イング作業にワイヤ修正を自動的に行なうこと
を特徴とする。
で電気的に接続する超音波ボンディングにおいて、半導
体素子の拡大と共にボンディング方向が逆打ちになった
ポンチ゛イング作業にワイヤ修正を自動的に行なうこと
を特徴とする。
本考案を実施例を第3図を用いて説明する。
逆打ちボンディングを行なう作業過程は従来通りである
。
。
まず容器内部電極にツール3−1でボンディングを行な
う。
う。
それから後、半導体素子3−3の電極にボンディングす
るため、ツール3−1を移動さす。
るため、ツール3−1を移動さす。
その時、本考案による円筒形キャピラリ3−4の一端を
ビニール管3−5を媒介させて真空ポンプで引くことに
よりワイヤループ3−2を図の如く自動的に修正する。
ビニール管3−5を媒介させて真空ポンプで引くことに
よりワイヤループ3−2を図の如く自動的に修正する。
そしてボンディング修了後のワイヤループの形状からワ
イヤが半導体素子3−3の周辺に接触するこがないのは
明らかである。
イヤが半導体素子3−3の周辺に接触するこがないのは
明らかである。
以上詳細に説明した如く本考案によれば、逆打ちボンデ
ィング作業中に、ワイヤループの修正を自動的に行ない
、そのためワイヤと半導体素子周辺が接触することがな
いので、信頼性が高い半導体装置を提供し、しかも、ボ
ンディング時間の短縮につながる。
ィング作業中に、ワイヤループの修正を自動的に行ない
、そのためワイヤと半導体素子周辺が接触することがな
いので、信頼性が高い半導体装置を提供し、しかも、ボ
ンディング時間の短縮につながる。
第1図は第1に半導体素子電極にポンチ゛イングしてそ
れから後容器の内部電極にボンディングする従来技術を
示した概略断面図であり、第2図は容器の内部電極から
、半導体素子電極にポンチ゛イングする従来技術を示す
概略断面図である。 第3図は本考案の一実施例を示す概略断面図であり、自
動的にボンディングワイヤループが修正されることを示
している。 尚、図において、1−1.2−1.3−1・・・・・・
ポンチ゛イング用ツール、1−2.2−2.3−2・・
・・・・ポンチ゛イング用ワイヤ、1−3.2−3.3
−3・・・・・・半導体素子、1−4.2−4.3−4
・・・・・・容器側壁、3−4・・・・・・本考案を実
施するための円筒形キャピラリ、3−5・・・・・・真
空にするためのビニール管である。
れから後容器の内部電極にボンディングする従来技術を
示した概略断面図であり、第2図は容器の内部電極から
、半導体素子電極にポンチ゛イングする従来技術を示す
概略断面図である。 第3図は本考案の一実施例を示す概略断面図であり、自
動的にボンディングワイヤループが修正されることを示
している。 尚、図において、1−1.2−1.3−1・・・・・・
ポンチ゛イング用ツール、1−2.2−2.3−2・・
・・・・ポンチ゛イング用ワイヤ、1−3.2−3.3
−3・・・・・・半導体素子、1−4.2−4.3−4
・・・・・・容器側壁、3−4・・・・・・本考案を実
施するための円筒形キャピラリ、3−5・・・・・・真
空にするためのビニール管である。
Claims (1)
- 半導体素子の電極と容器の内部リードとを超音波ボンデ
ィングする超音波ボンディング装置において、前記ボン
ディング用のツールの近傍に、該ツールと常に一体とな
って運動する真空チャックを有することを特徴とする超
音波ポンチ゛イング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978090082U JPS5824444Y2 (ja) | 1978-06-29 | 1978-06-29 | 超音波ボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978090082U JPS5824444Y2 (ja) | 1978-06-29 | 1978-06-29 | 超音波ボンデイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS557369U JPS557369U (ja) | 1980-01-18 |
| JPS5824444Y2 true JPS5824444Y2 (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=29018085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978090082U Expired JPS5824444Y2 (ja) | 1978-06-29 | 1978-06-29 | 超音波ボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5824444Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-06-29 JP JP1978090082U patent/JPS5824444Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS557369U (ja) | 1980-01-18 |
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