JPS5828732B2 - ハンドウタイソウチ ノ セイゾウホウホウ - Google Patents
ハンドウタイソウチ ノ セイゾウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5828732B2 JPS5828732B2 JP50140536A JP14053675A JPS5828732B2 JP S5828732 B2 JPS5828732 B2 JP S5828732B2 JP 50140536 A JP50140536 A JP 50140536A JP 14053675 A JP14053675 A JP 14053675A JP S5828732 B2 JPS5828732 B2 JP S5828732B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon layer
- porous silicon
- nitride film
- layer
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は選択的多孔質シリコン層の生成におけるマスク
としての窒化硅素膜の除去方法に関するものである。
としての窒化硅素膜の除去方法に関するものである。
シリコン基体を電解質溶液たとえば弗化水素酸を主成分
とする溶液に浸漬し、陽極処理を施こすとシリコン基体
主表面に多孔状のシリコン層いわゆる多孔質シリコン層
が生威される。
とする溶液に浸漬し、陽極処理を施こすとシリコン基体
主表面に多孔状のシリコン層いわゆる多孔質シリコン層
が生威される。
上記多孔質シリコン層はシリコン単結晶に比べ熱酸化速
度が極めて速く、かつ低速度での熱酸化も可能であるの
で、低温度短時間の熱酸化で厚い酸化硅素膜を得ること
ができ、ＩＣの素子間絶縁分離への応用が試みられてい
る。
度が極めて速く、かつ低速度での熱酸化も可能であるの
で、低温度短時間の熱酸化で厚い酸化硅素膜を得ること
ができ、ＩＣの素子間絶縁分離への応用が試みられてい
る。
多孔質シリコン層をＩＣの素子間絶縁分離へ応用する際
、シリコン基体主表面に多孔質シリコン層を選択的に生
威しなければならない。
、シリコン基体主表面に多孔質シリコン層を選択的に生
威しなければならない。
従来、選択的に多孔質シリコン層を生成するには第１図
に示す方法が行なわれている。
に示す方法が行なわれている。
第１図ａは、ｐ形シリコン基体１の主表面２にｎ形シリ
コンエピタキシャル層３を形威し、さらにｎ形シリコン
エピタキシャル層３の表面４に耐弗酸性膜として窒化硅
素膜５をＳｉＨ４とＮＨ３の熱分解反応により被着し、
所望の領域６に窓を開けて、上記基体１を電解質溶液た
とえば弗化水素酸を主成分とする溶液に浸漬し陽極処理
により選択的に多孔質シリコン層７を生成したものであ
る。
コンエピタキシャル層３を形威し、さらにｎ形シリコン
エピタキシャル層３の表面４に耐弗酸性膜として窒化硅
素膜５をＳｉＨ４とＮＨ３の熱分解反応により被着し、
所望の領域６に窓を開けて、上記基体１を電解質溶液た
とえば弗化水素酸を主成分とする溶液に浸漬し陽極処理
により選択的に多孔質シリコン層７を生成したものであ
る。
第１図すはａにおけるたとえばｎ形シリコンエピタキシ
ャル層３を形成後、エピタキシャル層３と逆導電形を有
する不純物層を熱拡散法あるいはイオン注入法により形
威し、陽極処理により選択的に多孔質シリコン層８を生
成したものである。
ャル層３を形成後、エピタキシャル層３と逆導電形を有
する不純物層を熱拡散法あるいはイオン注入法により形
威し、陽極処理により選択的に多孔質シリコン層８を生
成したものである。
第１図Ｃはｄにおけるエピタキシャル層３と逆導電形を
有する不純物層を形成後、さらにエピタキシャル層３お
よびこの不純物層の表面４に耐弗酸性膜として窒化硅素
膜５をＳｉＨ２とＮＨ３の熱分解反応により被着し、所
望の領域６に窓を開けて、陽極処理により選択的に多孔
質シリコン層９を生成したものである。
有する不純物層を形成後、さらにエピタキシャル層３お
よびこの不純物層の表面４に耐弗酸性膜として窒化硅素
膜５をＳｉＨ２とＮＨ３の熱分解反応により被着し、所
望の領域６に窓を開けて、陽極処理により選択的に多孔
質シリコン層９を生成したものである。
第１図すに示す方法は、多孔質シリコン層８を生成する
際ｎ形シリコンエピタキシャル層３０表面にも陽極反応
膜が生成されるので、選択的に多孔質シリコン層を生成
する場合型としてａあるいはＣの方法が用いられている
。
際ｎ形シリコンエピタキシャル層３０表面にも陽極反応
膜が生成されるので、選択的に多孔質シリコン層を生成
する場合型としてａあるいはＣの方法が用いられている
。
その際、耐電解質溶液性膜としては窒化硅素膜５が主と
して使用されている。
して使用されている。
かかる方法により選択的に多孔質シリコン層７，９を生
成すると生成後において窒化硅素膜５を除去せねばなら
ない。
成すると生成後において窒化硅素膜５を除去せねばなら
ない。
従来窒化硅素膜の除去は一般的に熱リン酸が使われてい
る。
る。
ところが、多孔質シリコン層は化学的に非常に活性であ
る為、空気中で変質し一部熱リン酸に可溶となる。
る為、空気中で変質し一部熱リン酸に可溶となる。
従って窒化硅素膜を熱リン酸に浸漬すると多孔質シリコ
ン層の一部あるいは全部が溶解し除去されてしまってい
た。
ン層の一部あるいは全部が溶解し除去されてしまってい
た。
たとえば１７０℃の熱リン酸に浸漬した場合、１分間で
多孔質シリコン層は全部除去されてしまう。
多孔質シリコン層は全部除去されてしまう。
また多孔質シリコン層を熱酸化して酸化硅素膜に変質後
、熱リン酸で窒化硅素膜を除去する場合でも、低温度短
時間の熱酸化では前述の場合と同様に酸化された多孔質
シリコン層の一部あるいは全部が溶解し除去されてしま
っていた。
、熱リン酸で窒化硅素膜を除去する場合でも、低温度短
時間の熱酸化では前述の場合と同様に酸化された多孔質
シリコン層の一部あるいは全部が溶解し除去されてしま
っていた。
たとえば８００℃で６０分間水蒸気雰囲気中で熱酸化さ
れた多孔質シリコン層は１７０℃の熱リン酸に浸漬した
場合、５分間で全部除去されてしまう。
れた多孔質シリコン層は１７０℃の熱リン酸に浸漬した
場合、５分間で全部除去されてしまう。
高温度長時間の熱酸化では熱リン酸による酸化された多
孔質シリコン層の溶解はほとんどなくなり、窒化硅素膜
の除去は可能であるが、低温度短時間で厚い酸化硅素膜
となり得る多孔質シリコン層の特徴が失なわれるので好
ましくない。
孔質シリコン層の溶解はほとんどなくなり、窒化硅素膜
の除去は可能であるが、低温度短時間で厚い酸化硅素膜
となり得る多孔質シリコン層の特徴が失なわれるので好
ましくない。
以上述べたように、窒化硅素膜をマスクとした選択的多
孔質シリコンの生成においては、多孔質シリコン生成後
に窒化硅素膜を除去するのは困難であり、また高温度長
時間の熱酸化により多孔質シリコン層を酸化硅素膜に変
質した後、熱リン酸により窒化硅素膜を除去することは
可能であるが、多孔質シリコン層の低温度短時間の熱酸
化で厚い酸化硅素膜となり得るという特徴が失なわれて
しまう。
孔質シリコンの生成においては、多孔質シリコン生成後
に窒化硅素膜を除去するのは困難であり、また高温度長
時間の熱酸化により多孔質シリコン層を酸化硅素膜に変
質した後、熱リン酸により窒化硅素膜を除去することは
可能であるが、多孔質シリコン層の低温度短時間の熱酸
化で厚い酸化硅素膜となり得るという特徴が失なわれて
しまう。
本発明は多孔質シリコン層の低温度短時間の熱酸化によ
り、厚い酸化硅素膜となり得るという特徴を損なうこと
なく、また、多孔質シリコン層の二部あるいは全部を溶
解することなく選択的多孔質シリコン層生戊におけるマ
スクとしての窒化硅素膜を除去する方法を提供するもの
であり、以下本発明を説明する。
り、厚い酸化硅素膜となり得るという特徴を損なうこと
なく、また、多孔質シリコン層の二部あるいは全部を溶
解することなく選択的多孔質シリコン層生戊におけるマ
スクとしての窒化硅素膜を除去する方法を提供するもの
であり、以下本発明を説明する。
選択的に多孔質シリコン層を生成するために、主表面に
窒化硅素膜を選択的に被着せしめてなるシリコン基体を
電解質溶液たとえば弗化水素酸を主成分とした溶液に浸
漬Ｌ、陽極処理により選択的に多孔質シリコン層を生成
し、両電極を短絡後ひき続き上記溶液に浸漬したままで
、窒化硅素膜を除去する。
窒化硅素膜を選択的に被着せしめてなるシリコン基体を
電解質溶液たとえば弗化水素酸を主成分とした溶液に浸
漬Ｌ、陽極処理により選択的に多孔質シリコン層を生成
し、両電極を短絡後ひき続き上記溶液に浸漬したままで
、窒化硅素膜を除去する。
以上の方法によると上記溶液に浸漬した状態のままで窒
化硅素膜を除去できるので、多孔質シリコン層が空気中
で変質することはなく、多孔質シリコン層が上記溶液と
反応して溶解し除去されることはないことが判明した。
化硅素膜を除去できるので、多孔質シリコン層が空気中
で変質することはなく、多孔質シリコン層が上記溶液と
反応して溶解し除去されることはないことが判明した。
また陽極処理後、多孔質シリコン層に対して不活性雰囲
気中で適当な処理をした後、たとえばＮ２気体雰囲気中
に放置後、電解質溶液たとえば弗化水素酸を主成分とす
る溶液に浸漬し窒化硅素膜を除去した場合も、多孔質シ
リコン層がＮ２気体雰囲気中で変質することはなく、多
孔質シリコン層が溶解あるいは除去されないことが明ら
かとなった。
気中で適当な処理をした後、たとえばＮ２気体雰囲気中
に放置後、電解質溶液たとえば弗化水素酸を主成分とす
る溶液に浸漬し窒化硅素膜を除去した場合も、多孔質シ
リコン層がＮ２気体雰囲気中で変質することはなく、多
孔質シリコン層が溶解あるいは除去されないことが明ら
かとなった。
以下本発明の一実施例を第２図に従って説明する。
第２図ａに示すようにｐ形１Ω−欝のシリコン基体１１
の主表面にＳ ｉＨ４とＨ２との熱分解反応によりｎ形
シリコン層１２を成長させ、さらに１２０表面にＳｉＨ
４とＮＨ３との熱分解反応により、窒化硅素膜１３を２
ｏｏｏＡ被着し、所望の領域１４に窓を開ける。
の主表面にＳ ｉＨ４とＨ２との熱分解反応によりｎ形
シリコン層１２を成長させ、さらに１２０表面にＳｉＨ
４とＮＨ３との熱分解反応により、窒化硅素膜１３を２
ｏｏｏＡ被着し、所望の領域１４に窓を開ける。
次に同図すに示すように熱拡散性によりｎ形シリコン層
１２にｐ形不純物であるボロンを拡散し、ｐ形シリコン
層１５を形成する。
１２にｐ形不純物であるボロンを拡散し、ｐ形シリコン
層１５を形成する。
次に同図Ｃに示すように上記基体１１を４９％弗化水素
酸水溶液に浸漬し、陽極処理を施こしてｐ形シリコン層
１５のみに選択的に多孔質シリコン層１６を生成する。
酸水溶液に浸漬し、陽極処理を施こしてｐ形シリコン層
１５のみに選択的に多孔質シリコン層１６を生成する。
その後引き続き上記溶液に５０分間浸漬したまま陽極処
理に用いた両電極を短絡したのち窒化硅素膜１３を除去
する。
理に用いた両電極を短絡したのち窒化硅素膜１３を除去
する。
以上の結果、多孔質シリコン層に変質することなく窒化
硅素膜を除去することができた。
硅素膜を除去することができた。
第３図は窒化硅素膜の４９％弗化水素酸水溶液に対する
除去速度を示している。
除去速度を示している。
従って、この図より明らかなごとく窒化硅素膜２０００
人に対しては５０分間浸漬することによって窒化硅素膜
を除去できる。
人に対しては５０分間浸漬することによって窒化硅素膜
を除去できる。
また、本発明では、陽極処理に用いた電極を短絡して窒
化膜を除去するため、イオン化された電解質および中間
生成物の残存によりシリコン基体側に正の電位が生じて
も、この正の電位をなくすることができ、多孔質シリコ
ン層が電解質溶液中に溶解することを防止することがで
きる。
化膜を除去するため、イオン化された電解質および中間
生成物の残存によりシリコン基体側に正の電位が生じて
も、この正の電位をなくすることができ、多孔質シリコ
ン層が電解質溶液中に溶解することを防止することがで
きる。
以上述べたように、本発明の方法によると多孔質シリコ
ン層の低温度短時間の熱酸化により、厚い酸化硅素膜と
なり得るという特徴を損なうことな（、また、多孔質シ
リコン層の一部あるいは全部を溶解することなく選択的
多孔質シリコン層生成におけるマスクとしての窒化硅素
膜を除去することが可能である。
ン層の低温度短時間の熱酸化により、厚い酸化硅素膜と
なり得るという特徴を損なうことな（、また、多孔質シ
リコン層の一部あるいは全部を溶解することなく選択的
多孔質シリコン層生成におけるマスクとしての窒化硅素
膜を除去することが可能である。
第１図ａ、ｂ、ｃは従来における選択的多孔質シリコン
層の生成方法の説明図、第２図ａ −ｃは本発明の一実
施例にかかる選択的多孔質シリコン層の生成工程図、第
３図は４９％弗化水素酸水溶液での窒化硅素膜の除去速
度を示す図である。 １１・・・・・・ｐ形シリコン基体、１２・・・・・・
ｎ形シリコン層、１３・・・・・・窒化硅素膜、１４・
・・・・・所望の領域、１５・・・・・・ｐ形シリコン
層、１６・・・・・・多孔質シリコン層。
層の生成方法の説明図、第２図ａ −ｃは本発明の一実
施例にかかる選択的多孔質シリコン層の生成工程図、第
３図は４９％弗化水素酸水溶液での窒化硅素膜の除去速
度を示す図である。 １１・・・・・・ｐ形シリコン基体、１２・・・・・・
ｎ形シリコン層、１３・・・・・・窒化硅素膜、１４・
・・・・・所望の領域、１５・・・・・・ｐ形シリコン
層、１６・・・・・・多孔質シリコン層。
Claims (1)
- １ シリコン基体表面に窒化硅素膜を選択的に被着し、
上記基体を電解質溶液に浸漬して陽極処理により選択的
に多孔質シリコン層を生威し、この多孔質シリコン層生
成後、上記陽極処理に用いた両電極を短絡し、ひき続き
上記電解質溶液に浸漬して上記基体表面に浸漬している
上記窒化硅素膜を除去することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50140536A JPS5828732B2 (ja) | 1975-11-21 | 1975-11-21 | ハンドウタイソウチ ノ セイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50140536A JPS5828732B2 (ja) | 1975-11-21 | 1975-11-21 | ハンドウタイソウチ ノ セイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5264278A JPS5264278A (en) | 1977-05-27 |
| JPS5828732B2 true JPS5828732B2 (ja) | 1983-06-17 |
Family
ID=15270943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50140536A Expired JPS5828732B2 (ja) | 1975-11-21 | 1975-11-21 | ハンドウタイソウチ ノ セイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5828732B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045672U (ja) * | 1983-09-07 | 1985-03-30 | 東京瓦斯株式会社 | フレキシブル管の切り先圧平用治具 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5212547B2 (ja) * | 1973-12-18 | 1977-04-07 |
-
1975
- 1975-11-21 JP JP50140536A patent/JPS5828732B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045672U (ja) * | 1983-09-07 | 1985-03-30 | 東京瓦斯株式会社 | フレキシブル管の切り先圧平用治具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5264278A (en) | 1977-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2615390B2 (ja) | 炭化シリコン電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS62216224A (ja) | タングステンの選択成長方法 | |
| US3806371A (en) | Method of making complementary monolithic insulated gate field effect transistors having low threshold voltage and low leakage current | |
| US3751314A (en) | Silicon semiconductor device processing | |
| US3541676A (en) | Method of forming field-effect transistors utilizing doped insulators as activator source | |
| JPS5828732B2 (ja) | ハンドウタイソウチ ノ セイゾウホウホウ | |
| JPS6151416B2 (ja) | ||
| JP2005311302A (ja) | 酸化膜の形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 | |
| JPS5812340A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5823931B2 (ja) | ハンドウタイキバンジヨウノ ハクソウエツチングホウ | |
| JPS62293728A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6326541B2 (ja) | ||
| JP3261444B2 (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0628259B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| ES349369A1 (es) | Un metodo para tratar una cara de un cuerpo semiconductor. | |
| JPS6118348B2 (ja) | ||
| JPH11214386A (ja) | 半導体及び半導体基板表面の絶縁膜の形成方法 | |
| JPS5834930B2 (ja) | カクサンヨウフジユンブツガンユウサンカブツマク ノ ジヨキヨホウホウ | |
| JPS5931848B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0232537A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6250974B2 (ja) | ||
| JPH0516177B2 (ja) | ||
| JPS6279625A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01232744A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62266834A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 |