JPS5833833A - 半導体装置の電極形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発−は半導体上への金属の蒸着に関するものであっ
て４１に酸化膜との接着強度の弱い金属の蒸着に適する
。

ｐｔ（白金）とＳｉ（シリコン）半導体との合金（白金
シリサイド）によって形成させるシ曹ットキーバリアダ
イオードを含む半導体集積回路（ＩＣ）の配線の形成に
あたりては配線の主体となるＡＪ（アルミニウム）のシ
曹ソトキーバリア領域の半導体基体への拡散の防止を考
慮に入れる必要があるうこのため酸化膜（Ｓｉｎ、）を
一部で覆った基体表面にあらかじめバリアーメタルとし
てＭｏ（モリブデン）又はＴ　１−Ｗ（チタン・タング
ステン）を蒸着し、その後ＡＪを蒸着するが、ＭＯＪＰ
７１等のバリアメタルは酸化膜との接着性がわるいため
、ＡＪが二層配線構造の場合、一層目の配線における接
着強度の不足は問題にならないが、一層配線構造では十
分に保護膜によって覆われていないボンディングバット
部分がはがれを生じ易いことが欠点とし【指摘されてい
た。

このための対策として蒸着した酸化膜との接着強度の弱
い金属（ＭＯ−？Ｔ１）を部分的にエツチングした後保
護膜を形成し、保暖膜と酸化膜との接着力を用いて金属
のはがれを防ぐようＫしていた。

しかし上記した対策によりても酸化膜との接着強度の弱
い金属を保−膜で十分に覆えない場合、！１１１にポン
ディングパッドに用いた場合は保護ＷＸＫよる接着力が
不足しはがれが生じ易いという欠点をさけられなかりた
。

本発明は上記した点ｋかんがみてなされたものでありて
、その目的とするところは酸化膜との接着強度が弱い金
属に、保−膜のない場合でも十分な接着強度を与える電
極形成技術の提供にある。

本ｌ！嘴の構成を篩単にいうと、牛導体上に蒸着したポ
リシリコンと、その上に蒸着した金属とでシダサイドを
形成させることであって、シリサイドと酸化瞑り接着強
度が強いため、はがれが生じないようにするものである
。

白金シリサイドによって形成させるシ冒ットキーバリア
ーダイオードを含むＩＣの配線のためのＡＪとバリアー
メタルのＭｏの蒸着を行うため次のようにする。

＃Ｉ１図〜第３図において、７はＩＣの基体となる８１
層、１はシ冒ットキーバリアをつくるＰｔ−８ｉ（白金
シリサイド）層、２は選択的に表面に形成した酸化膜（
ｓｉｏ、）である。

まず白金シリサイド（１）、酸化膜（２）上にポリシリ
コン（３）を蒸着する（第１図）。このポリシリコン（
３）上にＭ　ｏ　（４）とＡ　Ｊ　（５１を連続蒸着す
る（第２図）。

その後約４００Ｃの熱処理でポリシリコン（３）とＭ。

（４）の間でシリサイド（５）を形成させる（第３図）
。

これによりポリシリコンとＭＯの相互拡散によるＭｏ８
ｉ、を形成し、酸化膜とＭｏ８ｉ、の接着強度が強いた
め、配線層の接着強度が増加する。

上記例の他に酸化膜上に、酸化膜との接着強度が弱く、
シリサイドを形成することが可能な全ての（例えばＴ　
ｌ　−Ｗ等）蒸着に用いることが出来る。

以上実施例で述べた本発明の蒸着法によれば、酸化膜と
の接着強度が弱い金属を十分な接着強度で酸化膜上Ｋ１
８着が可能となり前記目的を達成できる。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するものであって、−第１図〜第３
図蒸着工鵬を順次示す断面図である。 （１）・・・白金シリサイド、（２）・・・酸化膜、（
３）　・・・ポリシリコ／、（４）−Ｍ　ｏ　、（５）
−Ａ　Ｊ、（６）−ＭｏＳｉ、　、（カ・・・シリコン
基板。 代理人　弁理士　　薄　１）利　１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １１１画の一部に半導体酸化膜な有する半導体基板上に
   上記半導体酸化膜と接着性のわるい第１の金属を介して
   第２の金属を形成するＫあたって、初めに多結晶半導体
   を蒸着し、この上に第１の金属を形成して多結晶と第１
   の金属との合金をつくる熱ｌＩ＆１１を施すことを４１
   黴とする半導体装置の電極形成法。 λ　上記第１の金属は第２の金属の半導体基板への拡散
   を防ぐためのバリアメタルである特許請求の範囲第１項
   に記載の半導体装置の電極形成法。 ３、上記半導体基板の金属形成面にはあらかじめシ冒ッ
   トキーパリアをつくる金属半導体合金層を形威し【ある
   特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の半導体装置の
   電極形成法。