JPS5835191A - セフアセトリルの製造方法 - Google Patents
セフアセトリルの製造方法Info
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- JPS5835191A JPS5835191A JP13396181A JP13396181A JPS5835191A JP S5835191 A JPS5835191 A JP S5835191A JP 13396181 A JP13396181 A JP 13396181A JP 13396181 A JP13396181 A JP 13396181A JP S5835191 A JPS5835191 A JP S5835191A
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- Cephalosporin Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は下記化学構造式(1)
(1)
で示される7 −(2,−シアノアセトアミド)−3−
(ヒドロキシメチル)−8−オキソ−1−5−チア−1
−アゾビシクロ(4,2,0)オクト−2−エン−2−
カルがン酸アセテート(以下、一般名セファセトリルで
示す)の製造方法に関する。
(ヒドロキシメチル)−8−オキソ−1−5−チア−1
−アゾビシクロ(4,2,0)オクト−2−エン−2−
カルがン酸アセテート(以下、一般名セファセトリルで
示す)の製造方法に関する。
セフアセドリルのナトリウム塩であるセフアセドリルナ
トリウムは黄色ブドウ球口、化膿連鎖球菌、肺炎球菌等
に基因する人間及び動物の各種の疾病の治療剤として有
用であシ、従来も下記イヒ学構造式(2) (2) C示される7−アミノセファロスポラン酸を出発原料と
して、これに第三級アミンの存在下にシアノ#酸の酸ハ
ロゲン化物、シアノ酢酸の混合酸無水物又はシアノ酢酸
と脱水縮合剤を反応させてセフアセドリル(1)t−J
&l!造することが行なわれている(%公昭46−47
47号)。
トリウムは黄色ブドウ球口、化膿連鎖球菌、肺炎球菌等
に基因する人間及び動物の各種の疾病の治療剤として有
用であシ、従来も下記イヒ学構造式(2) (2) C示される7−アミノセファロスポラン酸を出発原料と
して、これに第三級アミンの存在下にシアノ#酸の酸ハ
ロゲン化物、シアノ酢酸の混合酸無水物又はシアノ酢酸
と脱水縮合剤を反応させてセフアセドリル(1)t−J
&l!造することが行なわれている(%公昭46−47
47号)。
しかし、上記従来法は第三級アミンで7−アミノセファ
ロスポラン酸(2)を有機溶媒に可溶化し、これによシ
均−系反応としているにもかかわらず、反応速度が小さ
く、収率も低い。また、反応によシ得られるセフアセド
リル(1)は純度が低いため、クロマトグラフィー等の
手段によシ精製する必要があシ、このため後処理が繁雑
なものとなシ、特に第3級アミンの除去に問題がある。
ロスポラン酸(2)を有機溶媒に可溶化し、これによシ
均−系反応としているにもかかわらず、反応速度が小さ
く、収率も低い。また、反応によシ得られるセフアセド
リル(1)は純度が低いため、クロマトグラフィー等の
手段によシ精製する必要があシ、このため後処理が繁雑
なものとなシ、特に第3級アミンの除去に問題がある。
更に、反応にシアノ酢酸の酸/為ログン化物を用いる場
合には、酸ハロダン化物が重合を起し易い不安定な化合
物であるので、取扱い上問題がある。
合には、酸ハロダン化物が重合を起し易い不安定な化合
物であるので、取扱い上問題がある。
混合酸無水物を用いる場合には、副生成物が多量に生成
する上、反応を低温下で行なう必要がある等の問題があ
る。また、脱水縮合剤を用いる場合には収率及び後処理
に問題がある。
する上、反応を低温下で行なう必要がある等の問題があ
る。また、脱水縮合剤を用いる場合には収率及び後処理
に問題がある。
本発明者らは上記問題を解決するために種々検討してい
るうちに、7−アミノセファロスポラン酸(2)のシリ
ル誘導体と特定のシアノ酢酸のエステル誘導体とを反応
させると、第三級アミンの添加金製せずして、室温下で
迅速にセフアセドリルが高収率で得られ、副反応もはと
んど認められないことt知見し、本発明を完成したもの
である。
るうちに、7−アミノセファロスポラン酸(2)のシリ
ル誘導体と特定のシアノ酢酸のエステル誘導体とを反応
させると、第三級アミンの添加金製せずして、室温下で
迅速にセフアセドリルが高収率で得られ、副反応もはと
んど認められないことt知見し、本発明を完成したもの
である。
即ち、本発明は下記反応武人に示すように、7−7 Z
ノセファ冒スポツン酸のシリル誘導体(3)と特定のシ
アノ酢酸エステル誘導体(4)とを反応させてセフアセ
ドリルのシリル誘導体を得、次いでこれを脱シリルして
セフアセドリル(1)f:得るものである。
ノセファ冒スポツン酸のシリル誘導体(3)と特定のシ
アノ酢酸エステル誘導体(4)とを反応させてセフアセ
ドリルのシリル誘導体を得、次いでこれを脱シリルして
セフアセドリル(1)f:得るものである。
(3) (4)(1)
(式中Rはトリアルキルシリル基、Yは置換数が4以下
のハロゲン置換フェノキシ基、置換数が4以下のハロゲ
ン置換フェニルチオ基、2−ペンゾチアゾールチオ基、
2−ペンゾチアゾールオΦシ基、2−ベンゾオキサゾー
ルチオ基又は2−ベンゾオキサゾールオキシ基を示す)
以下、本発明の詳細な説明する。
のハロゲン置換フェノキシ基、置換数が4以下のハロゲ
ン置換フェニルチオ基、2−ペンゾチアゾールチオ基、
2−ペンゾチアゾールオΦシ基、2−ベンゾオキサゾー
ルチオ基又は2−ベンゾオキサゾールオキシ基を示す)
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の出発物質である7−ア建ノ噌フア四ス4ツン酸
のシリル誘導体(3)は、7−ア建ノセフアaス4ラン
酸(2)又はその有機もしくは無・機塩類に公知の方法
でシリル化剤を反応させて簡単に製造できるものである
。
のシリル誘導体(3)は、7−ア建ノセフアaス4ラン
酸(2)又はその有機もしくは無・機塩類に公知の方法
でシリル化剤を反応させて簡単に製造できるものである
。
シリル化剤としてa N、O−ビストリメチルシリルア
セドア建ド、トリメチルクロルシラン、N−トリメチル
シリルアセトアミド、ヘキサメチルジシラデン等の公知
のシリル化剤又はこれらの混合物部が好適に使用できる
。
セドア建ド、トリメチルクロルシラン、N−トリメチル
シリルアセトアミド、ヘキサメチルジシラデン等の公知
のシリル化剤又はこれらの混合物部が好適に使用できる
。
シリル化反応は、必要によ少溶媒の存在下に、7−ア々
ノセフアロス42ン酸(2)又はその塩類とシリル化剤
とを混合することによシ行なわれる。
ノセフアロス42ン酸(2)又はその塩類とシリル化剤
とを混合することによシ行なわれる。
シリル化剤の混合割合は、シリル化剤の種類によシ異な
るが、 N、0−ビストリメチルシリルアセドア考ドの
場合、7−ア省ノセフアロスポツン酸(2)又はその塩
類1モルに対し2モル以上加えることが好ましい。この
ようKして製造した7−ア建ノセフアロス4ラン酸のシ
リル誘導体(3)は常法によp単離し、もしくは単離す
ることなくそのまま本発明の出発物質として使用できる
。
るが、 N、0−ビストリメチルシリルアセドア考ドの
場合、7−ア省ノセフアロスポツン酸(2)又はその塩
類1モルに対し2モル以上加えることが好ましい。この
ようKして製造した7−ア建ノセフアロス4ラン酸のシ
リル誘導体(3)は常法によp単離し、もしくは単離す
ることなくそのまま本発明の出発物質として使用できる
。
本発明においては、まず上記方法等にょシ製造した7−
アミノセファロスポラン酸のシリル誘導体(3)にシア
ノ酢酸エステル誘導体(4)t−反応させるものである
。
アミノセファロスポラン酸のシリル誘導体(3)にシア
ノ酢酸エステル誘導体(4)t−反応させるものである
。
シアノ酢酸エステル誘導体(4)としては下記一般式
(式中Xは水素又はフッ素、塩素、臭素等のハロゲンを
示す) で示される置換数が4以下のハロダン置換フェノールと
シアノ酢酸とからなるエステル、下記一般式 (式中Xは上記と同じ自答を示す) で示される置換数が4以下のへ四グン置換チオフェノー
ルとシアノ酢酸とからなるエステル、下記化学構造式 で示される2−メルカプトベンゾチアゾールとシアノ酢
酸とからなるエステル、下記化学構造式で示される2−
ヒドロキシベンゾチアゾールとシアノ酢酸とからなるエ
ステル、下記化学構造式で示される2−メルカプトベン
ゾチアゾールとシアノ酢酸とからなるエステル、下記化
学構造式で示される2−ヒトミキシベンゾオキサゾール
とシアノ酢酸とからなるエステル等が好適に使用できる
。
示す) で示される置換数が4以下のハロダン置換フェノールと
シアノ酢酸とからなるエステル、下記一般式 (式中Xは上記と同じ自答を示す) で示される置換数が4以下のへ四グン置換チオフェノー
ルとシアノ酢酸とからなるエステル、下記化学構造式 で示される2−メルカプトベンゾチアゾールとシアノ酢
酸とからなるエステル、下記化学構造式で示される2−
ヒドロキシベンゾチアゾールとシアノ酢酸とからなるエ
ステル、下記化学構造式で示される2−メルカプトベン
ゾチアゾールとシアノ酢酸とからなるエステル、下記化
学構造式で示される2−ヒトミキシベンゾオキサゾール
とシアノ酢酸とからなるエステル等が好適に使用できる
。
反応は上記7−アミノセファロスポラン酸のシリル誘導
体(3)とシアノ酢酸エステル誘導体とt溶媒中で混合
して行なわれる。混合割合は7−ア建ノセフアロス4ラ
ン酸のシリル誘導体1モルに対して1〜3モルとするこ
とが収率、反応後の後処理等の点で好ましい。溶媒とし
てはアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン等のケトン類や塩化メチレン、り日ロホルム、四
塩化炭素、二塩化エチレン、トリクレン、パークレン等
の含ハOPン系溶媒、エチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブ
チル等のエステル類、その他アセトニトリル、ジメチル
スルフオラン等が望ましい。
体(3)とシアノ酢酸エステル誘導体とt溶媒中で混合
して行なわれる。混合割合は7−ア建ノセフアロス4ラ
ン酸のシリル誘導体1モルに対して1〜3モルとするこ
とが収率、反応後の後処理等の点で好ましい。溶媒とし
てはアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン等のケトン類や塩化メチレン、り日ロホルム、四
塩化炭素、二塩化エチレン、トリクレン、パークレン等
の含ハOPン系溶媒、エチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブ
チル等のエステル類、その他アセトニトリル、ジメチル
スルフオラン等が望ましい。
反応は室温程度の温度で行なうことが好ましく、特に低
温としなくても副反応は起きない。反応時間は通常30
分〜5時間程度とすることが好ましい。
温としなくても副反応は起きない。反応時間は通常30
分〜5時間程度とすることが好ましい。
このようにして得られたセフアセドリルのシリル誘導体
は、次いで水又はアルコール類と反応させて脱シリルを
行ない、本発明の目的化合物であるセフアセドリル(1
)に導く。アルコール類としては、 例えば’fルアル
コール、エチルアルコール。
は、次いで水又はアルコール類と反応させて脱シリルを
行ない、本発明の目的化合物であるセフアセドリル(1
)に導く。アルコール類としては、 例えば’fルアル
コール、エチルアルコール。
ノロビルアルコール、ブチルアルコール、エチレングリ
コール、プロピレングリコール、グリセリン等が使用で
きる。セフアセドリルのシリル誘導体のギ〉齢の100
倍程度以上の水又紘アルコールを添加することKよシ、
シリル基は分解除去され、セフアセドリルが得られる。
コール、プロピレングリコール、グリセリン等が使用で
きる。セフアセドリルのシリル誘導体のギ〉齢の100
倍程度以上の水又紘アルコールを添加することKよシ、
シリル基は分解除去され、セフアセドリルが得られる。
この脱シリル反応は、塩酸、硫酸、リン酸等の酸又は水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸水素二カリウ
ム等のアルカリの存在する場合には、極めて迅速に達成
される。反応温度は0〜30℃程度が好ましく、反応時
間は数分〜1時間程度である。
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸水素二カリウ
ム等のアルカリの存在する場合には、極めて迅速に達成
される。反応温度は0〜30℃程度が好ましく、反応時
間は数分〜1時間程度である。
このようにして得られたセフアセドリルは通常の方法で
単離精製することができ、また全知の方法によりアルカ
リ金属塩、アンモニウム塩、更には有機塩基との塩等に
誘導することができる。
単離精製することができ、また全知の方法によりアルカ
リ金属塩、アンモニウム塩、更には有機塩基との塩等に
誘導することができる。
以上詳述したように、本発明はセフアセドリルを製造す
るに当シ、出発物質として7−ア建ノセフアロス4ラン
酸のシリル誘導体を用いて、これにシアノ酢酸エステル
誘導体を反応させるようにしたので、反応が温和かつ迅
速なものとなシ、目的とするセフアセドリルを収率棗く
得ることがで龜る。更に、シアノ酢絃エステル鋳導体は
安定な化合物であるので、保存もしくは取扱う際に何ら
特別の配慮を必要とせく都合が曳い。更に、本反応にお
いては、従来法のように三級アミンを使用していないの
で、繁雑でかつ処理量の少ないクロマトグラフ輸−によ
らずとも簡単に精製tすることができ、このため精製工
程が単純化される等の利点を有する。
るに当シ、出発物質として7−ア建ノセフアロス4ラン
酸のシリル誘導体を用いて、これにシアノ酢酸エステル
誘導体を反応させるようにしたので、反応が温和かつ迅
速なものとなシ、目的とするセフアセドリルを収率棗く
得ることがで龜る。更に、シアノ酢絃エステル鋳導体は
安定な化合物であるので、保存もしくは取扱う際に何ら
特別の配慮を必要とせく都合が曳い。更に、本反応にお
いては、従来法のように三級アミンを使用していないの
で、繁雑でかつ処理量の少ないクロマトグラフ輸−によ
らずとも簡単に精製tすることができ、このため精製工
程が単純化される等の利点を有する。
以下、実施例によシ本発明を更に具体的に説明する。
〔実施例1〕
7−アミノセファロスポラン酸2.71 (h oミリ
モル)t−塩化メチレン40−に懸濁し、窒素雰囲気下
においてN、0−ビストリメチルシリルアセトアミド5
.1 i (25ミリモル)を加えると、全体が均−滴
液となった。次いで、この均一溶液に2.3,4.6−
チトラクロロフエニルシアノアセテー) 4.0 N
(13ミリモル)會添加した後、室温で2時間攪拌を行
なった。得られた反応混合物上減圧に保って溶媒t−貿
去した後、残渣にerr−vエテル100s1711及
びl O% IJン酸水素二カリウム水溶液100dt
加えて攪拌した。水層を分取し、これ【各50−の酢酸
エチルを用いて2回簿浄した。
モル)t−塩化メチレン40−に懸濁し、窒素雰囲気下
においてN、0−ビストリメチルシリルアセトアミド5
.1 i (25ミリモル)を加えると、全体が均−滴
液となった。次いで、この均一溶液に2.3,4.6−
チトラクロロフエニルシアノアセテー) 4.0 N
(13ミリモル)會添加した後、室温で2時間攪拌を行
なった。得られた反応混合物上減圧に保って溶媒t−貿
去した後、残渣にerr−vエテル100s1711及
びl O% IJン酸水素二カリウム水溶液100dt
加えて攪拌した。水層を分取し、これ【各50−の酢酸
エチルを用いて2回簿浄した。
次いで、酢酸エチル100wjt−加えた後、17重量
−塩酸でpH62に調節し、抽出を行なった。酢酸エチ
ル層を分取し、これを水洗した後、硫酸マグネシウムで
乾燥し、減圧下に溶媒上留去した〇これtイソノロビル
エーテルで洗浄した後、真空乾燥してセフアセドリル2
,911(収率861)’i得た。 m、p、168〜
170℃ IR(KBr法)2240m (CNN)、1770
m (C=O)〔実施例2〕 7−アミノセファロスポラン酸1.3 s tp (5
ミリモル)をアセトニトリル20−に懸濁し、窒素雰囲
気下においてN−)リメチルシリルアセトア建ド2.6
11(20ミリモル)t−加えると、均一溶液トナった
。これK 2.4.5− )リフ薗ロフェニルシアノア
セテー) 2.0 N (7,61リモル)のアセ)=
−)リル溶液10sd’に室温下で滴下し、5時間攪拌
上行なった。以下、実施例1と同様に操作し、セフアセ
ドリル1.3 b y (収率sog!I)を得た。
−塩酸でpH62に調節し、抽出を行なった。酢酸エチ
ル層を分取し、これを水洗した後、硫酸マグネシウムで
乾燥し、減圧下に溶媒上留去した〇これtイソノロビル
エーテルで洗浄した後、真空乾燥してセフアセドリル2
,911(収率861)’i得た。 m、p、168〜
170℃ IR(KBr法)2240m (CNN)、1770
m (C=O)〔実施例2〕 7−アミノセファロスポラン酸1.3 s tp (5
ミリモル)をアセトニトリル20−に懸濁し、窒素雰囲
気下においてN−)リメチルシリルアセトア建ド2.6
11(20ミリモル)t−加えると、均一溶液トナった
。これK 2.4.5− )リフ薗ロフェニルシアノア
セテー) 2.0 N (7,61リモル)のアセ)=
−)リル溶液10sd’に室温下で滴下し、5時間攪拌
上行なった。以下、実施例1と同様に操作し、セフアセ
ドリル1.3 b y (収率sog!I)を得た。
m、p、168〜170℃
出鵬人 物東邦医薬研究所
代理人 弁理士 小島隆司
弁理士高畑端世
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 l 7−7ミノセフアロス4ラン酸のシリル誘導体に置
換数が4以下のハロダン置換フェノール、置換数が4以
下のハロゲン置換チオフェノール、2−メルカグトベン
ゾチアゾール。 2−ヒドロキシベンゾチアゾール、2−メルカ!トペン
ゾオキサゾール又は2−ヒドロキシベンゾオキサゾール
とシアノ酢酸とからなるシアノ酢酸エステル誘導体管反
応させてセフアセドリルのシリル誘導体を得、次いでこ
れを脱シリルすることを特徴とするセフアセドリルの製
造方法。 27−7tノセフアロスlラン酸のシリル誘導体が7−
アミツセフアロスポラ7tRとN。 0−ビストリメチルシリルアセドアミド、トリメチルク
ロルシラン及びN−)リメチルシリルアセトアミドから
選ばれるシリル化剤とを反応させて製造したものである
特許請求の範囲第1項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13396181A JPS5835191A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | セフアセトリルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13396181A JPS5835191A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | セフアセトリルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5835191A true JPS5835191A (ja) | 1983-03-01 |
Family
ID=15117120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13396181A Pending JPS5835191A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | セフアセトリルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835191A (ja) |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP13396181A patent/JPS5835191A/ja active Pending
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