JPS5837991B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5837991B2 JPS5837991B2 JP360176A JP360176A JPS5837991B2 JP S5837991 B2 JPS5837991 B2 JP S5837991B2 JP 360176 A JP360176 A JP 360176A JP 360176 A JP360176 A JP 360176A JP S5837991 B2 JPS5837991 B2 JP S5837991B2
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- JP
- Japan
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- layer
- phosphorus
- oxide film
- polycrystalline silicon
- field oxide
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関するものである。
半導体装置の製造に於では半導体装置の電極や配線部分
等を蔽って設けられた絶縁或は保護用のフィールド酸化
膜の１部を貫通除去して拡散領域や電極領域を外部電極
と接続するためのコンタクトホールを設ける必要がある
。
等を蔽って設けられた絶縁或は保護用のフィールド酸化
膜の１部を貫通除去して拡散領域や電極領域を外部電極
と接続するためのコンタクトホールを設ける必要がある
。
又このコンタクトホールはその後の接続の容易と良好の
ためにその壁面には一般にテーパが設けられる。
ためにその壁面には一般にテーパが設けられる。
このテーパを付けるためフィールド酸化膜はエッチング
率の異なる２層以上の酸化膜で構或されて来た。
率の異なる２層以上の酸化膜で構或されて来た。
その構威力法の１つとしては例えばフィールド酸化膜の
表面層を高濃度でエッチング率の大きい燐珪酸ガラス（
以下ＰＳＧと略称する）層としてその下層を低濃度でエ
ッチング率の小さい層とするのである。
表面層を高濃度でエッチング率の大きい燐珪酸ガラス（
以下ＰＳＧと略称する）層としてその下層を低濃度でエ
ッチング率の小さい層とするのである。
従来のこの表面層のＰＳＧ膜を形成する手段としては気
相威長法（気相の被蒸着物の被処理表面に於ける反応に
よって被処理物表面に被蒸着物の被膜を作る方法。
相威長法（気相の被蒸着物の被処理表面に於ける反応に
よって被処理物表面に被蒸着物の被膜を作る方法。
）とか高温での燐拡散による方法が行なわれた。
こうして得られたＰＳＧ層を利用してコンタクトホール
及びテーパが形威されるのであるが上記の方法ではＰＳ
Ｇ膜厚のばらつきやＰＳＧ膜の燐濃度のばらつきがウエ
ハ内、製造ロフト内、ロフト間に生じ易いため常に一定
の表面濃度と厚さを持ったＰＳＧ層を得る事は困難であ
る。
及びテーパが形威されるのであるが上記の方法ではＰＳ
Ｇ膜厚のばらつきやＰＳＧ膜の燐濃度のばらつきがウエ
ハ内、製造ロフト内、ロフト間に生じ易いため常に一定
の表面濃度と厚さを持ったＰＳＧ層を得る事は困難であ
る。
又ＰＳＧ層の表面濃度のばらつきにより、この表面濃度
を利用して得られるコンタクトホール及びそのテーパも
安定した良好なものが得られなかった。
を利用して得られるコンタクトホール及びそのテーパも
安定した良好なものが得られなかった。
本発明は以上のような欠点を除去して常に安定して一定
のコンタクトホール及びテーパを得るための製造方法を
提供することを目的とするものである。
のコンタクトホール及びテーパを得るための製造方法を
提供することを目的とするものである。
以下実施例により本発明の詳細を説明する。
図は絶縁ゲート電界効果トランジスタの製造途中工程に
於ける半導体装置の状態を断面図で示したものである。
於ける半導体装置の状態を断面図で示したものである。
本発明に於では第１図のようにすでにソースＳ、ドレイ
ンＤ各領域及びゲート絶縁膜１０を介するゲートＧ電極
の形威されたウエハ１全面に気相戒長法等で絶縁並に保
護膜として形成されたフィールド酸化膜２の上に例えば
モノシラン（ Ｓ ｉＨ４ ）とＮ２あるいはＡｒの混
合ガスを使い気相成長法により多結晶Ｓｉ層３を形戒す
る。
ンＤ各領域及びゲート絶縁膜１０を介するゲートＧ電極
の形威されたウエハ１全面に気相戒長法等で絶縁並に保
護膜として形成されたフィールド酸化膜２の上に例えば
モノシラン（ Ｓ ｉＨ４ ）とＮ２あるいはＡｒの混
合ガスを使い気相成長法により多結晶Ｓｉ層３を形戒す
る。
次でこの状態のウエファを高温中にてこの多結晶Ｓｉ層
を通してフィールド酸化膜に燐拡散を行う。
を通してフィールド酸化膜に燐拡散を行う。
この燐拡散は例えは第２図のように燐を含んだガラス層
４例えばＰ２０５を含むガラス等を多結晶Ｓｉ層上につ
けると同時あるいはその後Ｎ２あるいは０２の高温雰囲
気中に置くことによって行うことができる。
４例えばＰ２０５を含むガラス等を多結晶Ｓｉ層上につ
けると同時あるいはその後Ｎ２あるいは０２の高温雰囲
気中に置くことによって行うことができる。
この時燐は多結晶Ｓｉ中を通り抜けフィールド酸化膜に
達しその表層部から内部にかけて濃度の減少したＰＳＧ
層５が形成される（第２図）。
達しその表層部から内部にかけて濃度の減少したＰＳＧ
層５が形成される（第２図）。
この形成される濃度及び濃度勾配は多結晶シリコン層の
厚さ、燐拡散の条件により制御される。
厚さ、燐拡散の条件により制御される。
次に燐を含んだガラス層４、さらに多結晶Ｓｉ層３を除
去する（第３図）。
去する（第３図）。
ここでＰＥＰ技術（写真蝕刻法）を用いてコンタクトホ
ールのパターニングを行いレジストをマスクとしてフィ
ールド酸化膜のエッチングを行いコンタクトホール６を
形戒するのである（第４図）。
ールのパターニングを行いレジストをマスクとしてフィ
ールド酸化膜のエッチングを行いコンタクトホール６を
形戒するのである（第４図）。
前記フイーノレド酸化膜への燐の拡散における燐の供給
源を多結晶シリコン上に形威した燐を含むガラス、層と
せず、燐をドーブした多結晶シリコンをフィールド酸化
膜上に形成し以下前記同様に高温雰囲気中におくことに
よっても所望のＰＳＧ層を形威することができる。
源を多結晶シリコン上に形威した燐を含むガラス、層と
せず、燐をドーブした多結晶シリコンをフィールド酸化
膜上に形成し以下前記同様に高温雰囲気中におくことに
よっても所望のＰＳＧ層を形威することができる。
本発明は以上のようになるものであって、この方法によ
ると、（１）多結晶シリコン層２の厚さ、燐拡散の条件
を制御することにより容易に所定の濃度のＰＳＧ層が得
られる。
ると、（１）多結晶シリコン層２の厚さ、燐拡散の条件
を制御することにより容易に所定の濃度のＰＳＧ層が得
られる。
（ＩＩ）燐を含むガラス層がフィールド酸化膜に直接付
着しているのではなく多結晶シリコン層上にあるので燐
酸ガラス除去の時十分にエッチングが出来るので燐を含
むガラス層が残る危険がなくしかもＰＳＧ層が減少する
心配もない。
着しているのではなく多結晶シリコン層上にあるので燐
酸ガラス除去の時十分にエッチングが出来るので燐を含
むガラス層が残る危険がなくしかもＰＳＧ層が減少する
心配もない。
又フィールド酸化膜に欠点があってもこれを拡大させる
危険もすくなくなる。
危険もすくなくなる。
（Ｉ）多結晶シリコン層の除去の時においても燐がドー
プされた多結晶シリコン層はエッチング率も早いので多
結晶シリコン層下のＰＳＧ層の減少を最小限におさえら
れる。
プされた多結晶シリコン層はエッチング率も早いので多
結晶シリコン層下のＰＳＧ層の減少を最小限におさえら
れる。
（ＩＶ）フィールド酸化膜表面のＰＳＧ層の表面濃度が
安定するのでコンタクトホールのテーパのばらつきも少
くなり安定する。
安定するのでコンタクトホールのテーパのばらつきも少
くなり安定する。
等の効果が得られるのである。
第１図〜第４図は本発明一実施例の各工程に於けるウエ
ハの要部の断面図である。 ６・・・コンタクトホール、２・・・フィールド酸化膜
、３・・・多結晶シリコン層、４・・・燐を含む追加形
戒層。
ハの要部の断面図である。 ６・・・コンタクトホール、２・・・フィールド酸化膜
、３・・・多結晶シリコン層、４・・・燐を含む追加形
戒層。
Claims (1)
- １ 半導体装置の製造に於でコンタクトホールの形成工
程に先だってすでに形成されたフィールド酸化膜に対し
てその上に所定の厚さに形成した多結晶シリコン層から
それにドープされた燐、又は不純物ドープされない上記
多結晶シリコン層上に追加形威された層に含まれた燐を
上記多結晶シリコン層を通して拡散し深さ方向の不純物
濃度及び濃度勾配を制御して後前記追加形威した各層を
除去し斯くして形威された前記燐拡散濃度及び勾配を有
するフィールド酸化膜を用い安定したテーパーを有する
コンタクトホールを形成する工程を有することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP360176A JPS5837991B2 (ja) | 1976-01-14 | 1976-01-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP360176A JPS5837991B2 (ja) | 1976-01-14 | 1976-01-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5287359A JPS5287359A (en) | 1977-07-21 |
| JPS5837991B2 true JPS5837991B2 (ja) | 1983-08-19 |
Family
ID=11561994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP360176A Expired JPS5837991B2 (ja) | 1976-01-14 | 1976-01-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837991B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0539792A (ja) * | 1990-02-28 | 1993-02-19 | Flaekt Ab | 混合手段を有するポンプ用装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727047A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-13 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
-
1976
- 1976-01-14 JP JP360176A patent/JPS5837991B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0539792A (ja) * | 1990-02-28 | 1993-02-19 | Flaekt Ab | 混合手段を有するポンプ用装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5287359A (en) | 1977-07-21 |
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