JPS5848464A - 電荷転送装置 - Google Patents
電荷転送装置Info
- Publication number
- JPS5848464A JPS5848464A JP56146761A JP14676181A JPS5848464A JP S5848464 A JPS5848464 A JP S5848464A JP 56146761 A JP56146761 A JP 56146761A JP 14676181 A JP14676181 A JP 14676181A JP S5848464 A JPS5848464 A JP S5848464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- gate
- gate electrode
- layer
- charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D44/00—Charge transfer devices
- H10D44/40—Charge-coupled devices [CCD]
- H10D44/45—Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes
- H10D44/452—Input structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D44/00—Charge transfer devices
- H10D44/40—Charge-coupled devices [CCD]
- H10D44/45—Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes
- H10D44/462—Buried-channel CCD
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本尭−轄電荷結合装瞳の入力に関する。゛従来の電荷結
合装置の入４ガは゛−−′導電−°半′導体基板上に第
二４電履の拡散領域を設け―この第二導電蓋の拡散領域
にｌｌ１ｉして縞１のゲート電極を設け、この第１のゲ
ー゛ト電＊Ｋ１１ｍ接して第２のゲート電極を散け、さ
らに゛第２のゲート電−にｍ接して第３のゲート電極を
設けている。そして第２のゲート電極は１層目又は２層
目のみの電極゛で構成さ−れでおり、１１造″上のバラ
ツキにｉ′Ｊ）注入電着量が大きくパックく欠点があっ
た。
合装置の入４ガは゛−−′導電−°半′導体基板上に第
二４電履の拡散領域を設け―この第二導電蓋の拡散領域
にｌｌ１ｉして縞１のゲート電極を設け、この第１のゲ
ー゛ト電＊Ｋ１１ｍ接して第２のゲート電極を散け、さ
らに゛第２のゲート電−にｍ接して第３のゲート電極を
設けている。そして第２のゲート電極は１層目又は２層
目のみの電極゛で構成さ−れでおり、１１造″上のバラ
ツキにｉ′Ｊ）注入電着量が大きくパックく欠点があっ
た。
まず図を用いて従来の電荷転送装置につい′て述べる。
＃！１図は′従来の電荷転送装置め入力近ｉ。
平面図の１例であり８鎮２図社その人＝″Ａ’に於ゆる
ｒｒｗ゛図である。Ｐｉｌｌ苧゛導体基板４上に形′成
され九拡散領埴１はＮｆｉ領域で接続部２を通じてアル
オニウム等の配ＩＩ２に接続され、入力電極として゛外
部から電位が加えられるよ−うになってｂる＝拡Ｉｋｇ
Ｉ４域１％すなわちＮ＃拡散層に、絶′縁酸化８１５を
°介゛し隣接してＩＨｌのゲ′−ト”−極゛１１があり
、引ｔＡ続いて第２のゲート電極２１があり、さらに第
３のゲート電極３１．３２がある。第３のゲート電極３
１．３２は接続部３０を通じて互いに結線され、岡−電
極として動作するようにじである１２は第１のゲート電
極のフル電配綜であ抄、２３は＃Ｉ２ゲート電極のアル
ζ配線である。本図の例では＠３のゲート電極３１．３
２は電荷転送部のシフトレジスタのり■ツク電位５３に
接続されている。電４１４１．４２と電極５１．５２は
それヤれ接続部４０．５０で１１続されて電荷転送用レ
ジスタの電極を構成しておに、各々り關ツク配線４３．
５Ｂに接続されでいる。本例は２相クロツクを使用して
いる。３は電荷が転送されるチャンネル領域である。８
１図において破線で示した電極２１，３２．４２％５２
は最初に形成される１層目のポリシリ電極であに、実線
で示した電極１１．３１．４１．５１Ｆ１次に形成され
る２層目のポリシリ電極である 次に第２図を参照して本実施例のＡ−Ａ’の断面構造を
より詳細に説明する。ＰＭ牛導体基板４上に絶縁酸化膜
５を介してポリシリコンによる電極１１．２１．３１．
３２．４１．４２．５１．５２が作られている。電荷転
送部は填込チャンネル構成であり、Ｐ型半導体基板４に
Ｎ型導電体領域６が形成され、さらに電荷の転送に方向
性を持たせる為に埋込チャンネル中では２層目ゲート電
極４１．５１の下部にＰ型導電体領域７を有している。
ｒｒｗ゛図である。Ｐｉｌｌ苧゛導体基板４上に形′成
され九拡散領埴１はＮｆｉ領域で接続部２を通じてアル
オニウム等の配ＩＩ２に接続され、入力電極として゛外
部から電位が加えられるよ−うになってｂる＝拡Ｉｋｇ
Ｉ４域１％すなわちＮ＃拡散層に、絶′縁酸化８１５を
°介゛し隣接してＩＨｌのゲ′−ト”−極゛１１があり
、引ｔＡ続いて第２のゲート電極２１があり、さらに第
３のゲート電極３１．３２がある。第３のゲート電極３
１．３２は接続部３０を通じて互いに結線され、岡−電
極として動作するようにじである１２は第１のゲート電
極のフル電配綜であ抄、２３は＃Ｉ２ゲート電極のアル
ζ配線である。本図の例では＠３のゲート電極３１．３
２は電荷転送部のシフトレジスタのり■ツク電位５３に
接続されている。電４１４１．４２と電極５１．５２は
それヤれ接続部４０．５０で１１続されて電荷転送用レ
ジスタの電極を構成しておに、各々り關ツク配線４３．
５Ｂに接続されでいる。本例は２相クロツクを使用して
いる。３は電荷が転送されるチャンネル領域である。８
１図において破線で示した電極２１，３２．４２％５２
は最初に形成される１層目のポリシリ電極であに、実線
で示した電極１１．３１．４１．５１Ｆ１次に形成され
る２層目のポリシリ電極である 次に第２図を参照して本実施例のＡ−Ａ’の断面構造を
より詳細に説明する。ＰＭ牛導体基板４上に絶縁酸化膜
５を介してポリシリコンによる電極１１．２１．３１．
３２．４１．４２．５１．５２が作られている。電荷転
送部は填込チャンネル構成であり、Ｐ型半導体基板４に
Ｎ型導電体領域６が形成され、さらに電荷の転送に方向
性を持たせる為に埋込チャンネル中では２層目ゲート電
極４１．５１の下部にＰ型導電体領域７を有している。
次に上記電荷転送装置９入力御作を通常よく使用される
電位平衡法によって説明する。第３図（ａ）は入力部の
断面図であり、（ｂ）〜（ｄ）は電位平衡法による電荷
注入のポテンシャル図である。同（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ
）はこの順に従って時間経過によるポテンシャルを示し
ている。電荷の注入は入力拡散層１の電位が第１人力グ
ー）Ｇｌのポテンシャルより高くなった時ポテンシャル
井戸に流れ込み、又入力拡散層１の電位が第１人力ゲー
トＧ１のポテンシャルより低くなった時余剰電荷は入力
拡散層１側に流れ出て、第２人力グー）０２下に、第１
人力グー）Ｇｌと第２人力グー）Ｇ２の電極下のポテン
シャル差分だけ転送電荷として残る。この転送電荷がｆ
Ａ段のシフトレジδりに転送さ些て電荷転送が行われる
。転送電荷量Ｑは、 Ｑ ｏＣ（Ｇ ｌと０２の電位差）Ｘ（０２０チャンネ
ル５面積） の関係、にある、、ζこで（ＧｌとＧ２の電位差）は外
部からの与えられるゲート電圧により制御されるが、（
Ｇ２のチャンネール面積）は製造時のバラツキに、左右
される。電荷転送装置に鼾込て電荷注入ｔａ非常に重要
な項目であ少、上記構造のものは第２ゲー）Ｇ２の長さ
、つまシ第３図における第２ゲート０２のチャンネル凰
に大きく依存する。
電位平衡法によって説明する。第３図（ａ）は入力部の
断面図であり、（ｂ）〜（ｄ）は電位平衡法による電荷
注入のポテンシャル図である。同（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ
）はこの順に従って時間経過によるポテンシャルを示し
ている。電荷の注入は入力拡散層１の電位が第１人力グ
ー）Ｇｌのポテンシャルより高くなった時ポテンシャル
井戸に流れ込み、又入力拡散層１の電位が第１人力ゲー
トＧ１のポテンシャルより低くなった時余剰電荷は入力
拡散層１側に流れ出て、第２人力グー）０２下に、第１
人力グー）Ｇｌと第２人力グー）Ｇ２の電極下のポテン
シャル差分だけ転送電荷として残る。この転送電荷がｆ
Ａ段のシフトレジδりに転送さ些て電荷転送が行われる
。転送電荷量Ｑは、 Ｑ ｏＣ（Ｇ ｌと０２の電位差）Ｘ（０２０チャンネ
ル５面積） の関係、にある、、ζこで（ＧｌとＧ２の電位差）は外
部からの与えられるゲート電圧により制御されるが、（
Ｇ２のチャンネール面積）は製造時のバラツキに、左右
される。電荷転送装置に鼾込て電荷注入ｔａ非常に重要
な項目であ少、上記構造のものは第２ゲー）Ｇ２の長さ
、つまシ第３図における第２ゲート０２のチャンネル凰
に大きく依存する。
第２グー）Ｇ２のチャンネル長１は第２ゲートＧ２の製
造時のエツチング状態のバラツキによるので、ウェット
エツチングにおいてｔｉ％に制、御がむずかしい、、又
微細パターン化するにはチャ、ンネル長１唸短い方が良
いが、トを厚くするとバラツキの割合はさらに大きくな
る このように従来構造のものはｔｓ２ゲートＧ２のチ
ャンネル侵１によって注入電荷量が大きく影響を受け、
注入電荷量の制＠はむずかしい状態であった。上ｍ１Ｆ
ｉ動作方法として電位平衡法を述べたが、ダイオードカ
ットオフ法も第２グー）０２下のチャンネル面積に依存
するので電荷注入量がバラツクことは全く同様である。
造時のエツチング状態のバラツキによるので、ウェット
エツチングにおいてｔｉ％に制、御がむずかしい、、又
微細パターン化するにはチャ、ンネル長１唸短い方が良
いが、トを厚くするとバラツキの割合はさらに大きくな
る このように従来構造のものはｔｓ２ゲートＧ２のチ
ャンネル侵１によって注入電荷量が大きく影響を受け、
注入電荷量の制＠はむずかしい状態であった。上ｍ１Ｆ
ｉ動作方法として電位平衡法を述べたが、ダイオードカ
ットオフ法も第２グー）０２下のチャンネル面積に依存
するので電荷注入量がバラツクことは全く同様である。
本発明は上記欠点を改良し、注入電釘量を゛より正確に
制御できる電荷転送装置を提供することにある。
・ ・ □゛ 、本発明で＋
［２ゲート電極を第１層目電極゛と第２層Ｉ電憔で構成
・し、該第２ゲートの゛電極の長さはＭｌ：層目の電極
の同一方向の端の位置によって＠足されるも・のである
１、すなわち本発明によれば。
制御できる電荷転送装置を提供することにある。
・ ・ □゛ 、本発明で＋
［２ゲート電極を第１層目電極゛と第２層Ｉ電憔で構成
・し、該第２ゲートの゛電極の長さはＭｌ：層目の電極
の同一方向の端の位置によって＠足されるも・のである
１、すなわち本発明によれば。
縞−導電型中導体に設けられた第二導電型の拡散ｔｉＡ
域と、この第ニー導電型の拡散領域に１４接して設けら
れえ第１のゲート電極、該第ｌのゲート電極に１ｉ１１
１１接して設けられ喪第２のゲート電極、該第２のゲー
ト電極に隣接して設けられた第３のゲート電極からなる
ｉｔ荷注入手段とを其備した電荷転送装置において、第
２のゲ亡ト電゛極がＩ＋−目電極と２層目電極とで構成
されていることを特徴とする電荷転送装置を得る。特に
第１ゲート電極のうち第１ゲート電極から遠い方の部分
電極とは同時に形成されることが望ましい。
域と、この第ニー導電型の拡散領域に１４接して設けら
れえ第１のゲート電極、該第ｌのゲート電極に１ｉ１１
１１接して設けられ喪第２のゲート電極、該第２のゲー
ト電極に隣接して設けられた第３のゲート電極からなる
ｉｔ荷注入手段とを其備した電荷転送装置において、第
２のゲ亡ト電゛極がＩ＋−目電極と２層目電極とで構成
されていることを特徴とする電荷転送装置を得る。特に
第１ゲート電極のうち第１ゲート電極から遠い方の部分
電極とは同時に形成されることが望ましい。
本発１１１１によると第２ゲートの長さＬが第１層目電
極の同一方向の端によって規定されるので、製造時にオ
ーバーエッチやアンダーエッチが起っても長さＬは変化
せず、注入転送電荷量のバラツキは少い。特にアナはグ
信号処理に利用される場合は正確に電荷が注入されるこ
とは非常に有益なことである。又高速動作を考えると、
転送方向に直角な方向の巾は２０〜５０μｍと大きくし
ても、転送方向の長さＬは短い方が良い。従って、チャ
ンネル長りを短くしていく場合、第２ゲート電極を第１
層又は第２層のみで構成すると、チャンネル長りのバラ
ツキは大きくな）、注入電荷量のバラツキも大きなもの
となる。ヒのように第２ゲート電極を第１層台と第２層
目の電極で構成することは、高速用のチャンネル長りの
短い高性能な電荷転送装置を実現する場合にも大変効果
がある。
極の同一方向の端によって規定されるので、製造時にオ
ーバーエッチやアンダーエッチが起っても長さＬは変化
せず、注入転送電荷量のバラツキは少い。特にアナはグ
信号処理に利用される場合は正確に電荷が注入されるこ
とは非常に有益なことである。又高速動作を考えると、
転送方向に直角な方向の巾は２０〜５０μｍと大きくし
ても、転送方向の長さＬは短い方が良い。従って、チャ
ンネル長りを短くしていく場合、第２ゲート電極を第１
層又は第２層のみで構成すると、チャンネル長りのバラ
ツキは大きくな）、注入電荷量のバラツキも大きなもの
となる。ヒのように第２ゲート電極を第１層台と第２層
目の電極で構成することは、高速用のチャンネル長りの
短い高性能な電荷転送装置を実現する場合にも大変効果
がある。
次に本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
＠４図は本発明を適用し九電荷転送装置の入力近傍の平
面図である。第５図Ｆｉ縞４図におけるＢ〜Ｂ″の断面
図で１ある。、！４図、第５図において１１．２２．３
２．４２．５２は最初に形成される１層目ポリシリコン
電極で、２１．３１．４１゜５１は次に形成される２層
目ポリシリコン電極である。その他Ｏ１に！号は１ｎＧ
１図と第２図で示したものと同じなので省略する０本実
施例では第２ゲートを２層目ポリシリコン電ｌ１２１と
１層目ポリシリコン電極２２で構成する。特に第１グー
）１１とＩｓ２ゲートのうち第１ゲート１１よシ遠い方
の電極２２とは同じ１層目のポリシリコン電極で形成さ
れている。このようにすると、注入電荷量の決定に大急
な影響を持つ第２ゲートの長さＬｌは、＃１１層目ポリ
シリコン電極で作られ九第１ゲート１１の右端と第２ゲ
ート２２の右端との距離で決資）、これはマスクの出来
上り精度には依存するがゲー）１１やゲート２２のエツ
チング状態には＃１とんど影響されず一定である。なぜ
ならゲート１１．２２は同一条件で製造され四−条件で
加工エツチングされるからである。そして注入電荷量は
第２ゲートの長さＬｌが一定に作れるので、十分に制御
され特性の良い電荷注入装置が出来る。
面図である。第５図Ｆｉ縞４図におけるＢ〜Ｂ″の断面
図で１ある。、！４図、第５図において１１．２２．３
２．４２．５２は最初に形成される１層目ポリシリコン
電極で、２１．３１．４１゜５１は次に形成される２層
目ポリシリコン電極である。その他Ｏ１に！号は１ｎＧ
１図と第２図で示したものと同じなので省略する０本実
施例では第２ゲートを２層目ポリシリコン電ｌ１２１と
１層目ポリシリコン電極２２で構成する。特に第１グー
）１１とＩｓ２ゲートのうち第１ゲート１１よシ遠い方
の電極２２とは同じ１層目のポリシリコン電極で形成さ
れている。このようにすると、注入電荷量の決定に大急
な影響を持つ第２ゲートの長さＬｌは、＃１１層目ポリ
シリコン電極で作られ九第１ゲート１１の右端と第２ゲ
ート２２の右端との距離で決資）、これはマスクの出来
上り精度には依存するがゲー）１１やゲート２２のエツ
チング状態には＃１とんど影響されず一定である。なぜ
ならゲート１１．２２は同一条件で製造され四−条件で
加工エツチングされるからである。そして注入電荷量は
第２ゲートの長さＬｌが一定に作れるので、十分に制御
され特性の良い電荷注入装置が出来る。
又ペレット間、ウェハー間のバラツキも少く、製造上の
歩留も良くなる。第２ゲート電極２１と２２の下のゲー
ト酸化膜厚は通常同一の厚さに作りポテンシャル差を無
くしておく方が使い安いが、必ずしも仁の限シではない
。
歩留も良くなる。第２ゲート電極２１と２２の下のゲー
ト酸化膜厚は通常同一の厚さに作りポテンシャル差を無
くしておく方が使い安いが、必ずしも仁の限シではない
。
Ｍ６図は本発明を適用した他の実施例の平面図であＬ第
７図はＭ６図におけるｃ −ｃ’の断面図である。第６
図第７図において電極１１．２２％４１％ ５１は２Ｎ
１目ポリシリコン電極で、電極２１．８１，４２．５２
は１層目ポリシリコン電極で作られている。本実施的に
おいても第２グ トを１層目ポリシリコン電極２１と２
層目ポリシリコン電極２２で構成しており、電極１１と
２２とは共に２層目ポリシリコンで形成しである。本実
施例においても、Ｍ２ゲートのチャンネル長Ｌ２は、第
１層目で作られ九第２ゲート電極２１の左端と槙３ゲー
ト電ｗＩＡ３１の左端との距離で規定され、本発明の第
１の実施例と同様、注入電荷量のバラツキの少い電荷転
送装置が実現できる。
７図はＭ６図におけるｃ −ｃ’の断面図である。第６
図第７図において電極１１．２２％４１％ ５１は２Ｎ
１目ポリシリコン電極で、電極２１．８１，４２．５２
は１層目ポリシリコン電極で作られている。本実施的に
おいても第２グ トを１層目ポリシリコン電極２１と２
層目ポリシリコン電極２２で構成しており、電極１１と
２２とは共に２層目ポリシリコンで形成しである。本実
施例においても、Ｍ２ゲートのチャンネル長Ｌ２は、第
１層目で作られ九第２ゲート電極２１の左端と槙３ゲー
ト電ｗＩＡ３１の左端との距離で規定され、本発明の第
１の実施例と同様、注入電荷量のバラツキの少い電荷転
送装置が実現できる。
以上のように、第２ゲートを１層目電極と２層目電極に
よシ構成した本発明は、注入電荷量のバラツキを少く制
御できるので、特性のよい電荷転送装置が実現できる。
よシ構成した本発明は、注入電荷量のバラツキを少く制
御できるので、特性のよい電荷転送装置が実現できる。
本発明の実施例ではレジスタ部に埋込チャンネルを使用
したが、これは本発明に直接かかわるところではなく、
表面チャンネルであっても良い。又本発明は電荷転送装
置の入力部分に関するもので、本発明の入力構造を適用
し九−次元ラインセンサー、２次元エリアセンサー、遅
延線等に適用できることは明白である。
したが、これは本発明に直接かかわるところではなく、
表面チャンネルであっても良い。又本発明は電荷転送装
置の入力部分に関するもので、本発明の入力構造を適用
し九−次元ラインセンサー、２次元エリアセンサー、遅
延線等に適用できることは明白である。
第１図は従来の電荷転送装置の平面図、！２図Ｆｉ第１
図のｈ−Ａ′にそった断面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は
電位平衡法による電荷注入のポテンシャル図である。 ＪＩ４図、第６図は本発明の一実施例の平面図、第５図
は第４図のＢ −Ｂ’にそった断面図、第７図は第６図
のｃ −ｃ’にそった断面図。 ｌ・・・・・・Ｎ型拡散層 ３・・・・・・チャンネル
領琥 ４・・・・・・Ｐ型半導体基板 ５・・・・・・
絶線酸化膜 ６・・・・・・Ｎ型導電体 ７・・・・・
・Ｐ型導電体 ２，１２．２３％３３．４３．５３・・
・・・・配線層゛１″１．２１，２２、卒を恥 卒７回 手続補正書（自発） 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和６６年峙 許 願第１４６ツ
６１号２、発−の名称 電荷転送装置 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住人三田
ビルａ 補正の対象 明細書Ｏ「発＠ｏＮｌＩｔｌｌ明」Ｏ欄ａ 補正Ｏ白書 （イ）＊細書１買第１６行回の「後続部８」を「接続ｓ
３１」に訂正する。 （ロ）明細書第６頁第１Ｓ行ｓｏｒチャンネル１」を「
チャンネル長１」に訂正する。 Ｖ→ １０１１書８５頁第１ｓ行目の「チャンネル長１
」を「チャンネル長１」に訂正する。 に）明細書第６頁第１’Ｆ行＠ｏｒ長１」と「１を」と
を、夫々「長１」および「１を」に訂正す為。 （ホ）＠ａｌｌＵＥｌｓ頁第１９行ｎｏｒチャンネル長
ｌ」を「チャンネル長１」に訂正する。
図のｈ−Ａ′にそった断面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は
電位平衡法による電荷注入のポテンシャル図である。 ＪＩ４図、第６図は本発明の一実施例の平面図、第５図
は第４図のＢ −Ｂ’にそった断面図、第７図は第６図
のｃ −ｃ’にそった断面図。 ｌ・・・・・・Ｎ型拡散層 ３・・・・・・チャンネル
領琥 ４・・・・・・Ｐ型半導体基板 ５・・・・・・
絶線酸化膜 ６・・・・・・Ｎ型導電体 ７・・・・・
・Ｐ型導電体 ２，１２．２３％３３．４３．５３・・
・・・・配線層゛１″１．２１，２２、卒を恥 卒７回 手続補正書（自発） 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和６６年峙 許 願第１４６ツ
６１号２、発−の名称 電荷転送装置 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住人三田
ビルａ 補正の対象 明細書Ｏ「発＠ｏＮｌＩｔｌｌ明」Ｏ欄ａ 補正Ｏ白書 （イ）＊細書１買第１６行回の「後続部８」を「接続ｓ
３１」に訂正する。 （ロ）明細書第６頁第１Ｓ行ｓｏｒチャンネル１」を「
チャンネル長１」に訂正する。 Ｖ→ １０１１書８５頁第１ｓ行目の「チャンネル長１
」を「チャンネル長１」に訂正する。 に）明細書第６頁第１’Ｆ行＠ｏｒ長１」と「１を」と
を、夫々「長１」および「１を」に訂正す為。 （ホ）＠ａｌｌＵＥｌｓ頁第１９行ｎｏｒチャンネル長
ｌ」を「チャンネル長１」に訂正する。
Claims (1)
- （１）嬉−導電麿牛導体基＠に設けら五゛た第二導電蓋
の拡散領域と、該拡散領域に隣接して設けら゛れ電極に
ｌｌＩ接して設けられ九第３めゲート電価とを會む電荷
注入手段とを″具備した電荷転送装′ｇＩＩＫｓＰいて
、・第２のゲー□ト電極が１層′目電櫨と２層目電極と
で構成されているζどを特徴とする電荷転送装置。 （匂前記菖・１ゲート電極と前記第２ゲーＦ電薯のうち
前記篤１ゲート電１がら遣い方の部分は同時に形成され
九ものであることを特徴とする特許請求の範ａｌ１１１
項記載の電荷転送装置−−
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56146761A JPS5848464A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 電荷転送装置 |
| US06/418,956 US4546368A (en) | 1981-09-17 | 1982-09-16 | Charge transfer device having a precisely controlled injection rate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56146761A JPS5848464A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 電荷転送装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848464A true JPS5848464A (ja) | 1983-03-22 |
| JPH0353775B2 JPH0353775B2 (ja) | 1991-08-16 |
Family
ID=15414965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56146761A Granted JPS5848464A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 電荷転送装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4546368A (ja) |
| JP (1) | JPS5848464A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5182429A (en) * | 1991-05-23 | 1993-01-26 | Westinghouse Electric Corp. | System and method for laser welding the inner surface of a tube |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62126667A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
| JPS6316670A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電荷結合素子を用いた遅延素子 |
| US4949183A (en) * | 1989-11-29 | 1990-08-14 | Eastman Kodak Company | Image sensor having multiple horizontal shift registers |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5017940A (ja) * | 1973-06-13 | 1975-02-25 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2721039C2 (de) * | 1977-05-10 | 1986-10-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Digitale Ladungsverschiebeanordnung |
| US4158209A (en) * | 1977-08-02 | 1979-06-12 | Rca Corporation | CCD comb filters |
| GB2010010B (en) * | 1977-10-19 | 1982-02-17 | Gen Electric Co Ltd | Charge coupled devices |
| GB2025135B (en) * | 1978-04-10 | 1982-05-12 | Gen Electric Co Ltd | Bulk-channel charge coupled device |
| JPS5553458A (en) * | 1978-10-16 | 1980-04-18 | Nec Corp | Charge coupled element |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP56146761A patent/JPS5848464A/ja active Granted
-
1982
- 1982-09-16 US US06/418,956 patent/US4546368A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5017940A (ja) * | 1973-06-13 | 1975-02-25 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5182429A (en) * | 1991-05-23 | 1993-01-26 | Westinghouse Electric Corp. | System and method for laser welding the inner surface of a tube |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0353775B2 (ja) | 1991-08-16 |
| US4546368A (en) | 1985-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940008358B1 (ko) | 매입 유전체상에 형성된 배선층 및 그 제조방법 | |
| JPS61280651A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS60192359A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
| US4055885A (en) | Charge transfer semiconductor device with electrodes separated by oxide region therebetween and method for fabricating the same | |
| US4660064A (en) | Charge coupled device having a floating diffusion region and a precharge diffusion region which are aligned so as to increase the output gain | |
| JPS5848464A (ja) | 電荷転送装置 | |
| US4151546A (en) | Semiconductor device having electrode-lead layer units of differing thicknesses | |
| US4529995A (en) | Variable capacitance device | |
| JP2001257316A (ja) | 半導体装置 | |
| US20020105038A1 (en) | Mos-transistor for a photo cell | |
| US4247788A (en) | Charge transfer device with transistor input signal divider | |
| US4562452A (en) | Charge coupled device having meandering channels | |
| JPS61263152A (ja) | マスクｒｏｍ装置 | |
| US4574295A (en) | Charge coupled device having meandering channels | |
| JPH05315587A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2730174B2 (ja) | 入力保護装置 | |
| JPH06101485B2 (ja) | 電荷転送素子 | |
| JPS5918687Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH024136B2 (ja) | ||
| CN115223998A (zh) | 存储器及其制作方法 | |
| JPS5848840A (ja) | 電気抵抗式湿度センサ及びその製造方法 | |
| JP3114735B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4524450A (en) | Automatic adjustment of the amplitudes of plural-phase CCD clocking voltages | |
| JPS6312176A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6143862B2 (ja) |