JPS584914A - 酸化物磁性薄膜形成用スパツタ・タ−ゲツト - Google Patents
酸化物磁性薄膜形成用スパツタ・タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS584914A JPS584914A JP56103065A JP10306581A JPS584914A JP S584914 A JPS584914 A JP S584914A JP 56103065 A JP56103065 A JP 56103065A JP 10306581 A JP10306581 A JP 10306581A JP S584914 A JPS584914 A JP S584914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- magnetic
- thin film
- substrate
- fe3o4
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ディスク装置等において磁気記録媒体とし
て用いられる酸化物磁性薄膜形成に使用するスバ、り・
ターゲットに関する。
て用いられる酸化物磁性薄膜形成に使用するスバ、り・
ターゲットに関する。
磁気記録装置における紀録密匿の向上は斯界の変らぬ趨
勢であ、す、これを災現する為には峰気紀録媒体の薄膜
化、薄膜化が不可欠であるＯそこで島性能蜂気記録媒体
として、薄膜化がｄ易な連続薄膜媒体、特に酸化＠両性
薄膜が注目を集めている。その理由は、（１）残留磁束
密度が小さい、（２）機械的強度と化学的安定性に富み
、金属薄膜に必要とされる保護膜を必要とせず、その結
果、（ａ）＠気ヘッドー媒体間がより小さく出来、高密
度と低価格化に適しているという・点にある。
勢であ、す、これを災現する為には峰気紀録媒体の薄膜
化、薄膜化が不可欠であるＯそこで島性能蜂気記録媒体
として、薄膜化がｄ易な連続薄膜媒体、特に酸化＠両性
薄膜が注目を集めている。その理由は、（１）残留磁束
密度が小さい、（２）機械的強度と化学的安定性に富み
、金属薄膜に必要とされる保護膜を必要とせず、その結
果、（ａ）＠気ヘッドー媒体間がより小さく出来、高密
度と低価格化に適しているという・点にある。
酸化物磁性薄膜としては、その形成が容易であることか
ら酸化鉄薄膜が専ら用いられ、その製造方法としては種
々あるが、マグネタイード（Ｔｈ５Ｃｋ ）をターゲッ
トとしてスパッタリングすることによリマグネタイを主
成分とする強磁性酸化鉄薄膜を直接基板上に形成する簡
便で再現性のよい方法が提案されている（特開昭５１−
８２００号公報参照）ｂこの方法において磁気特性の制
御のためコバルトを添加物として用いればスパッタされ
たマグネタイト膜の保磁力を任意に制御出来る。形成さ
れた膜はその後磁気特性の向上及び膜の安定化のため比
較的高い装置でｒ化処理（ｐｅａＱｎ ２ｓらｒ−ｐ６
２Ｕａにする処理）が施される。通常基板としてはアル
マイト被覆を施こしたアブレミニウム合金基板が使用さ
れるが、この種の基板は高温にさらされた場合、表面の
平面層が損なわｎたり被板されたアルマイト層に基体ア
ルミニウム合金との熱膨張率の差からクラックが発生す
るなどの問題が生じる為、γ比処理温度は出来るだけ低
い方が好ましい。しかるに、上記方法で形成したマクネ
タイト膜はγ比処理温度を基板に負担がかからない温度
まで低くすることが峻しく、特にコバルトを添加したマ
クネタイト膜は一層γ化処理温度が筒くなる傾向がある
。
ら酸化鉄薄膜が専ら用いられ、その製造方法としては種
々あるが、マグネタイード（Ｔｈ５Ｃｋ ）をターゲッ
トとしてスパッタリングすることによリマグネタイを主
成分とする強磁性酸化鉄薄膜を直接基板上に形成する簡
便で再現性のよい方法が提案されている（特開昭５１−
８２００号公報参照）ｂこの方法において磁気特性の制
御のためコバルトを添加物として用いればスパッタされ
たマグネタイト膜の保磁力を任意に制御出来る。形成さ
れた膜はその後磁気特性の向上及び膜の安定化のため比
較的高い装置でｒ化処理（ｐｅａＱｎ ２ｓらｒ−ｐ６
２Ｕａにする処理）が施される。通常基板としてはアル
マイト被覆を施こしたアブレミニウム合金基板が使用さ
れるが、この種の基板は高温にさらされた場合、表面の
平面層が損なわｎたり被板されたアルマイト層に基体ア
ルミニウム合金との熱膨張率の差からクラックが発生す
るなどの問題が生じる為、γ比処理温度は出来るだけ低
い方が好ましい。しかるに、上記方法で形成したマクネ
タイト膜はγ比処理温度を基板に負担がかからない温度
まで低くすることが峻しく、特にコバルトを添加したマ
クネタイト膜は一層γ化処理温度が筒くなる傾向がある
。
かかる点を解決する方法として本発明者らは先にマグネ
タイトをターゲットとして中性ガスもしくは中性ガスと
酸化性ガスとの混合亦囲気中においてスパッタリングす
ることにより基板上に直接形成されるマグネタイトを主
成分とする酸化ｑ＃磁性薄膜において、添加剤として銅
を含有していることを特徴とし、磁気特性制御の必要上
、場合により添加剤として更にコバルトも含有している
酸化＠磁性薄膜を用いることを提案した。
タイトをターゲットとして中性ガスもしくは中性ガスと
酸化性ガスとの混合亦囲気中においてスパッタリングす
ることにより基板上に直接形成されるマグネタイトを主
成分とする酸化ｑ＃磁性薄膜において、添加剤として銅
を含有していることを特徴とし、磁気特性制御の必要上
、場合により添加剤として更にコバルトも含有している
酸化＠磁性薄膜を用いることを提案した。
本発明は上記発明において使用するに適した酸化物磁性
薄膜形成用スパッタ・ターゲットを提供するものである
り 本発明にかかわる磁性酸化物薄膜形成用スパッタ・ター
ゲットは例えば次のような方法によって製作することが
できる。所定重敏比のｋ”ｅ ３０４ 、 Ｇｏ ２−
０３及びＣｕＯの粉末を十分混合、粉砕し、均一な粒子
サイズとした後、バインダーを混ぜて所定の形にプレス
成型する。この成型体を不活性ガス雰囲気中において制
御された加熱、冷却過程と最高１．２５０〜１，３００
℃数時間の熱処理を施こすことによって割れのない堅牢
なＣｔ＋、Ｃｕ添加Ｆｅ ３０４焼結体が得られる。
薄膜形成用スパッタ・ターゲットを提供するものである
り 本発明にかかわる磁性酸化物薄膜形成用スパッタ・ター
ゲットは例えば次のような方法によって製作することが
できる。所定重敏比のｋ”ｅ ３０４ 、 Ｇｏ ２−
０３及びＣｕＯの粉末を十分混合、粉砕し、均一な粒子
サイズとした後、バインダーを混ぜて所定の形にプレス
成型する。この成型体を不活性ガス雰囲気中において制
御された加熱、冷却過程と最高１．２５０〜１，３００
℃数時間の熱処理を施こすことによって割れのない堅牢
なＣｔ＋、Ｃｕ添加Ｆｅ ３０４焼結体が得られる。
以下実施例によって本発明の慧義を詳細に説明する。
実施例１゜
上記例示した製造法によって金属鉄比１．Ｑ 、 ４．
０ 。
０ 。
６．０重量−のＣｕを酸化物として含むｌ＋’ｅａＱ４
焼結体を作製し、これらをターゲットとしてアルコン圧
力（ＰＡｒ） ８ ｘ １０−”Ｔｏｒｒ、 ターゲ、
）Ｍ板ｉｄ距Ｉｌｌ Ｄ＝ ３０ｗａ 、付着速度（
８、Ｒ） ２５０Ａ／ｍｉｎにおいてＲ，Ｆスパ、タリ
ングを行ないアルマイト核種したＡ１合金基板上に１．
５ 、４．０ 、６．０重ｔｑｂのＣｕを含むＦｅ＋０
４膜を形成した。これらの膜を大気中、１時間の酸化処
理を行なったところ、いずれの膜も２５０〜２７５℃で
の酸化処理によりγ−に’ｅ ２０３膜に変換されてい
ることを確認した。これに対して比較例としてｅｕを添
加しない純Ｆｅ５Ｏ４焼結体をターゲットとして同じ条
件で形成したｋ”ｅ３０４膜をｒ−ＦｅｚＯａ膜とする
為には３２０℃以上でのば化処理を要した。
焼結体を作製し、これらをターゲットとしてアルコン圧
力（ＰＡｒ） ８ ｘ １０−”Ｔｏｒｒ、 ターゲ、
）Ｍ板ｉｄ距Ｉｌｌ Ｄ＝ ３０ｗａ 、付着速度（
８、Ｒ） ２５０Ａ／ｍｉｎにおいてＲ，Ｆスパ、タリ
ングを行ないアルマイト核種したＡ１合金基板上に１．
５ 、４．０ 、６．０重ｔｑｂのＣｕを含むＦｅ＋０
４膜を形成した。これらの膜を大気中、１時間の酸化処
理を行なったところ、いずれの膜も２５０〜２７５℃で
の酸化処理によりγ−に’ｅ ２０３膜に変換されてい
ることを確認した。これに対して比較例としてｅｕを添
加しない純Ｆｅ５Ｏ４焼結体をターゲットとして同じ条
件で形成したｋ”ｅ３０４膜をｒ−ＦｅｚＯａ膜とする
為には３２０℃以上でのば化処理を要した。
更にＣｕ添添加−ル゛ｅ２０３膜では純γ−Ｆｅ ２０
３膜に比してＨｃ減少があったがこれはＣｕ添加量の多
いものほど顕老であった（表参照）。
３膜に比してＨｃ減少があったがこれはＣｕ添加量の多
いものほど顕老であった（表参照）。
実施例２゜
同様の製造法によって金属鉄比−２，０〜３．０重蓋チ
（１） Ｃｏ 、 ２．２〜４．４重′ｋｌｋ％ ０）
Ｃｕを酸化物として含むＦｅａｓｔ焼結体を作値しこ
れをターゲットとしてアルゴン雰囲気中Ｐｈｒ ＝ ２
Ｘ １０−３〜５ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ、Ｄ ＝
３０ｍ、 ８ 、ルー １．２００Ａ／１ｎｉｎ （１
）条゛件でマグネトロンスパッタ法により実施例１と同
じくアルマイト被板したアルミ合金基板上に１，５００
〜１．７０ＯＡの厚さに種々組成のＣｏ 、Ｃｕ含有Ｆ
ｅａＯ４膜を形成した。これらの膜は２５０〜３００’
Ｃでの空気中酸化処理によって容易にＣｏ、Ｃｕ會有γ
ＦｅｚＯ３膜に変換できた。更にそれらの磁気特性はＢ
ｓ３ρＯＯＵ。
（１） Ｃｏ 、 ２．２〜４．４重′ｋｌｋ％ ０）
Ｃｕを酸化物として含むＦｅａｓｔ焼結体を作値しこ
れをターゲットとしてアルゴン雰囲気中Ｐｈｒ ＝ ２
Ｘ １０−３〜５ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ、Ｄ ＝
３０ｍ、 ８ 、ルー １．２００Ａ／１ｎｉｎ （１
）条゛件でマグネトロンスパッタ法により実施例１と同
じくアルマイト被板したアルミ合金基板上に１，５００
〜１．７０ＯＡの厚さに種々組成のＣｏ 、Ｃｕ含有Ｆ
ｅａＯ４膜を形成した。これらの膜は２５０〜３００’
Ｃでの空気中酸化処理によって容易にＣｏ、Ｃｕ會有γ
ＦｅｚＯ３膜に変換できた。更にそれらの磁気特性はＢ
ｓ３ρＯＯＵ。
８０．７．Ｓ（抗磁力矩形性）０．８．Ｈｃ５００−８
０００ｅであり密度記録媒体に追わしいものであった（
表参照）０このようにＣｏ 、 Ｃｕを同時に硲加する
ことはＨｃ増加とｒＦｅ ｚｏｓ化促進を行える利点が
あった。
０００ｅであり密度記録媒体に追わしいものであった（
表参照）０このようにＣｏ 、 Ｃｕを同時に硲加する
ことはＨｃ増加とｒＦｅ ｚｏｓ化促進を行える利点が
あった。
実施例３゜
先と同様の製法によって４゜０〜５．０１（ｉ％のＣｏ
。
。
５〜７．５重ＩｋＬｌｂのＣｕを酸化物として含むｐｅ
３０４焼結体を作製し、それらをターゲットとしてｐ
ａｒ＝ ６ Ｘ １０−’〜８ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ
、 Ｄ ＝ １３０ｍ。
３０４焼結体を作製し、それらをターゲットとしてｐ
ａｒ＝ ６ Ｘ １０−’〜８ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ
、 Ｄ ＝ １３０ｍ。
Ｓ、几＝１００〜１０００Ａ／ｍｔｎ（７）９に件で先
ト同シ基板上にＣｏ 、 Ｃｕ合金１’６ｓＱ４膜を形
成した０これらの膜を２７５−３００℃において空気中
酸化処理することによってＨｃ９０Ｇ−１，３０００ｅ
の高抗磁力媒体を得た（表参照）。
ト同シ基板上にＣｏ 、 Ｃｕ合金１’６ｓＱ４膜を形
成した０これらの膜を２７５−３００℃において空気中
酸化処理することによってＨｃ９０Ｇ−１，３０００ｅ
の高抗磁力媒体を得た（表参照）。
実施例２に示したターゲット、スパッタ条件によって外
径２１０ｍのアルマイトｔ６にしたアルミ合金ディスク
基板にＣｏ 、 Ｃｕ含有Ｆｅ ３０４ ｍ ｆ形成し
、これを酸化してＧｏ、Ｃｕ含含有−Ｆｅ２ｅｓ膜峰気
デイスクを試作した。このディスクをディスク１％Ｖ試
′験機に装着しトラック鴨２０μｍ１記録黴度２４，
００ （ＪＦＲＰｌにおける丹生出力／、！：献測した
ところ、ディスク全面に亘り円周方向に勾−な再生出力
かイ４すられることを確認したり 以上のように本発明にかかる低注改化物薄杉成用スパッ
タ・ターゲットを用いｌ’Ｌば磁気ディスク媒体等に用
いる眩化物口正注薄挨であって、便米のものよりｒ−に
’ｅ２ｇ３化処理温度が低く基板への負担を軽減し、且
つ基板全面に亘っ”Ｃ均−安寛に効率よく広範囲の低気
符性を有する酸化物両性薄膜を形成することが可能にな
る。
径２１０ｍのアルマイトｔ６にしたアルミ合金ディスク
基板にＣｏ 、 Ｃｕ含有Ｆｅ ３０４ ｍ ｆ形成し
、これを酸化してＧｏ、Ｃｕ含含有−Ｆｅ２ｅｓ膜峰気
デイスクを試作した。このディスクをディスク１％Ｖ試
′験機に装着しトラック鴨２０μｍ１記録黴度２４，
００ （ＪＦＲＰｌにおける丹生出力／、！：献測した
ところ、ディスク全面に亘り円周方向に勾−な再生出力
かイ４すられることを確認したり 以上のように本発明にかかる低注改化物薄杉成用スパッ
タ・ターゲットを用いｌ’Ｌば磁気ディスク媒体等に用
いる眩化物口正注薄挨であって、便米のものよりｒ−に
’ｅ２ｇ３化処理温度が低く基板への負担を軽減し、且
つ基板全面に亘っ”Ｃ均−安寛に効率よく広範囲の低気
符性を有する酸化物両性薄膜を形成することが可能にな
る。
゛ｈ
Claims (1)
- 金属鉄に対して０．５〜１０重倉パ重上パーセント又は
さらに０．５〜５重波パーセントのＣｏをそｎぞれ酸化
物として含むＦｅ３０ａ焼結体からなる磁性酸化物薄膜
形成用スパッタ・ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56103065A JPS584914A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 酸化物磁性薄膜形成用スパツタ・タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56103065A JPS584914A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 酸化物磁性薄膜形成用スパツタ・タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584914A true JPS584914A (ja) | 1983-01-12 |
| JPH0430171B2 JPH0430171B2 (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=14344261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56103065A Granted JPS584914A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 酸化物磁性薄膜形成用スパツタ・タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584914A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143161U (ja) * | 1981-03-03 | 1982-09-08 |
-
1981
- 1981-07-01 JP JP56103065A patent/JPS584914A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143161U (ja) * | 1981-03-03 | 1982-09-08 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0430171B2 (ja) | 1992-05-21 |
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