JPS5850733A - 太陽電池用薄膜量産装置 - Google Patents
太陽電池用薄膜量産装置Info
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- JPS5850733A JPS5850733A JP56149045A JP14904581A JPS5850733A JP S5850733 A JPS5850733 A JP S5850733A JP 56149045 A JP56149045 A JP 56149045A JP 14904581 A JP14904581 A JP 14904581A JP S5850733 A JPS5850733 A JP S5850733A
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- Japan
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は太陽電池のための半導体薄膜を連、絖して自動
的に量産する生成装置に関する。
的に量産する生成装置に関する。
例えばアモルファスシリコン（以下ａ−８１と記−ｆ）
を基材とした薄膜太陽電池は太陽エネルギーの利用、あ
るいは照明光の電気への変換のために注目さガ、量−に
よる低価格化が望まれている。薄膜太陽電池の内部電昇
層成にｐｎ接合を利用する場合には、同一基板上に半導
体薄膜のｐ層、１層または１層を積層しなげねばならな
い。このような各層の生成を順次行う装置として第１図
に示１ものが提案されている。すなわちそわぞｔ％ｐ層
、１層、ｎ層の生成を行う反応室１１２．３とその前後
に配置された前室４および後室５よりなる。反応室１，
２゜３を排気管６より真空排気された後、ガス導入管７
より所定の真空度まで反応ガスとしてのシランガスを導
入する。ｐ層の生成を行５反応室１への導入ガスにはシ
ランガスのほかに生成膜の所望の不純物濃度に応じてジ
ボランガスが添加さ１１Ｓｖｓ層の生成を行う反応室３
への導入ガスにはシランガスのほかに同様に適量の７オ
スフインガスが添加される。反応室１との間を扉８によ
り気密にしゃ断したのち前室４に挿入扉９より太陽電池
基板１０をそう人し、挿入扉を閉じて排気管６より反応
室１と同じ真空度の真空にしまた反応室１内におけると
同じ温度まで基板１０を加熱する。次いで基板１０をコ
ンベヤ１１の作動１′によって反応室ｌ内に送り込む。
を基材とした薄膜太陽電池は太陽エネルギーの利用、あ
るいは照明光の電気への変換のために注目さガ、量−に
よる低価格化が望まれている。薄膜太陽電池の内部電昇
層成にｐｎ接合を利用する場合には、同一基板上に半導
体薄膜のｐ層、１層または１層を積層しなげねばならな
い。このような各層の生成を順次行う装置として第１図
に示１ものが提案されている。すなわちそわぞｔ％ｐ層
、１層、ｎ層の生成を行う反応室１１２．３とその前後
に配置された前室４および後室５よりなる。反応室１，
２゜３を排気管６より真空排気された後、ガス導入管７
より所定の真空度まで反応ガスとしてのシランガスを導
入する。ｐ層の生成を行５反応室１への導入ガスにはシ
ランガスのほかに生成膜の所望の不純物濃度に応じてジ
ボランガスが添加さ１１Ｓｖｓ層の生成を行う反応室３
への導入ガスにはシランガスのほかに同様に適量の７オ
スフインガスが添加される。反応室１との間を扉８によ
り気密にしゃ断したのち前室４に挿入扉９より太陽電池
基板１０をそう人し、挿入扉を閉じて排気管６より反応
室１と同じ真空度の真空にしまた反応室１内におけると
同じ温度まで基板１０を加熱する。次いで基板１０をコ
ンベヤ１１の作動１′によって反応室ｌ内に送り込む。
この反応室１内で図示しない電極間に生ずるグロー放電
によるシランガスの分解によってａ−８１のｐ層が生成
された基板ｌＯはつづいて反応室２内に送り込まわる。
によるシランガスの分解によってａ−８１のｐ層が生成
された基板ｌＯはつづいて反応室２内に送り込まわる。
図示の例では反応ｊ１１の２倍の広さのある反応室２内
でｐ層の上に１層が積層された基板１０の半数が同時に
反応室３内に送り込まわる。反応室３内でさらＫｎ層が
積層さｆｌｐ−１−！ｌ構造の＊−８１薄膜を備えた基
板は同時に後室５に送り込まれる。このような各室間の
基板１０の移動の際には各室間の扉８は少なくとも一部
開か４、移動終了後扉８を閉じて各室間のガスの混合を
防ぐ。後室５内に入りた出来上りの基板は冷却後真空を
破って取出し扉１２から取り出される。
でｐ層の上に１層が積層された基板１０の半数が同時に
反応室３内に送り込まわる。反応室３内でさらＫｎ層が
積層さｆｌｐ−１−！ｌ構造の＊−８１薄膜を備えた基
板は同時に後室５に送り込まれる。このような各室間の
基板１０の移動の際には各室間の扉８は少なくとも一部
開か４、移動終了後扉８を閉じて各室間のガスの混合を
防ぐ。後室５内に入りた出来上りの基板は冷却後真空を
破って取出し扉１２から取り出される。
ａ−８ｉ薄膜の生成はコンベヤ１１を一定時間停止して
行わわる。第１図の例では反応室２における各基板１０
の停止時間、すなわち薄膜生成時間は他の２室１．３に
おけるそ幻の倍であり、従って他の反応條件が同じと′
ｔｈば１層の厚さはｐ層あるいはｎ層のほぼ２倍である
。
行わわる。第１図の例では反応室２における各基板１０
の停止時間、すなわち薄膜生成時間は他の２室１．３に
おけるそ幻の倍であり、従って他の反応條件が同じと′
ｔｈば１層の厚さはｐ層あるいはｎ層のほぼ２倍である
。
しかしこのような生成装置においては、反応室間で基板
の移動する際、前の反応室のふんい気あるいはその室に
おける生成副産物が基板と共に移動する可能性が太き（
，６富の反応ガス中の不純物の制御が難しい。°この解
決手段として反応室間をし中断後導入管７よりのガス導
入と排気管６よりの真空排気を繰返してガス置換を完全
に行う方法が考えらねるが、放電を発生させないときは
ガス分圧を下げて１−８１の成長が全くない状態に保つ
必要があるのでそ□の点からこの方法は望ましくない。
の移動する際、前の反応室のふんい気あるいはその室に
おける生成副産物が基板と共に移動する可能性が太き（
，６富の反応ガス中の不純物の制御が難しい。°この解
決手段として反応室間をし中断後導入管７よりのガス導
入と排気管６よりの真空排気を繰返してガス置換を完全
に行う方法が考えらねるが、放電を発生させないときは
ガス分圧を下げて１−８１の成長が全くない状態に保つ
必要があるのでそ□の点からこの方法は望ましくない。
そのほか層厚さの調整のため反応室内の基板の滞留時間
を変えようとしても、他の反応室内の滞留時間の整数倍
にしなげわばならない。
を変えようとしても、他の反応室内の滞留時間の整数倍
にしなげわばならない。
本発明はこのような断続的な移動でなく連続して移動す
る基板上に順次所望の導電形および不純物濃度を有する
半導体薄膜を高い生産効率の下で自動的に生成できる太
陽電池用薄膜□量産装置を提供することを目的とする。
る基板上に順次所望の導電形および不純物濃度を有する
半導体薄膜を高い生産効率の下で自動的に生成できる太
陽電池用薄膜□量産装置を提供することを目的とする。
この目的は量産装置が、相互間に中間真空排気室を介し
て隣接配置さｔそわぞｉ所定の反応ガスが導入されて真
空において基板上に所定の導電形と不純物員度を有する
半導体薄膜を生成可能の複斂の反応室からなる反応室列
と、その反応室列の一端に隣接し真空排気可能の前室と
、前室に気密にしゃ断可能の扉を介して隣接し基板挿入
のための気密扉を有する真空排気可能の仕込み室と、前
記反応室列の他端に隣接し真空排気可能の後室と、後室
に気密にし中断可能の扉を介して隣接し半導体薄膜が積
層さ七た基板の取り出しのための気密扉を有する真空排
気可能の取り出し室と、前室から各反応室および中間真
空排気室を通じてｖｋ富まで基板を連続的ＫＩＲ送する
搬送手段と、仕込室から前室へ複数の基板を一括して断
続的に搬送する搬送手段と、後室から取出し室へ複数の
半導体薄膜が積゛層された基板を一括して断続的に搬送
する搬送手段とを備えることによって達成される。
て隣接配置さｔそわぞｉ所定の反応ガスが導入されて真
空において基板上に所定の導電形と不純物員度を有する
半導体薄膜を生成可能の複斂の反応室からなる反応室列
と、その反応室列の一端に隣接し真空排気可能の前室と
、前室に気密にしゃ断可能の扉を介して隣接し基板挿入
のための気密扉を有する真空排気可能の仕込み室と、前
記反応室列の他端に隣接し真空排気可能の後室と、後室
に気密にし中断可能の扉を介して隣接し半導体薄膜が積
層さ七た基板の取り出しのための気密扉を有する真空排
気可能の取り出し室と、前室から各反応室および中間真
空排気室を通じてｖｋ富まで基板を連続的ＫＩＲ送する
搬送手段と、仕込室から前室へ複数の基板を一括して断
続的に搬送する搬送手段と、後室から取出し室へ複数の
半導体薄膜が積゛層された基板を一括して断続的に搬送
する搬送手段とを備えることによって達成される。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。各
図の第１図と共通の部分には同一の符号が付されている
。第２図に示１よ５にｐ層、ｉｌｌ、ｎ層の生成のため
の反応室１，２．３の間にそ４ぞわ小さい中間室１３が
設けら４ている。中間室１３は排気管６によりの真空排
気により反応室１，２．３より高い真空度に保持さ名て
いる。反応＊ １，２．３と中間ｍ １３との間ならび
に反応室１と前＊４、反応室３と後室５０間は壁１４で
仕切られているが、気密にしゃ断されてはおらず、その
下を常時コンベヤ１１によって移動する基板１０が通過
することができ、その付近において反応室１，２．３か
ら中間室１３へ、 −ならびに前室４、後室５への気流
が常に存在して−・る。このため反応室１においてｐ層
が被着した基板ＩＯが反応室２に向け【移動しても、中
間室１３から反応ｍ２へ入る際には逆気流に当たるため
、反応室１内のジポラン、あるいは剛生成物を含むふん
囲気が基板あるいはコンベヤとともに反応室２に入るこ
とはなく、反応室２内のふん囲気＆１所定の純度に保た
ねる。反応室２から反応室３への移動の際も同様で、反
応ｉ１３内のふん囲気を所定のフォスフイン濃度に保つ
ことができる。このようにして前室４から後室５まで基
板はコンベヤ１１ Ｋよっ【連続的に動き、常に所定の
條件でその上に、ｐ層、１層、ｎ層のａ−８層ｇを一層
できる。生成される層厚さは反応室の長さを変えること
だけＫよって任意に選定できる。
図の第１図と共通の部分には同一の符号が付されている
。第２図に示１よ５にｐ層、ｉｌｌ、ｎ層の生成のため
の反応室１，２．３の間にそ４ぞわ小さい中間室１３が
設けら４ている。中間室１３は排気管６によりの真空排
気により反応室１，２．３より高い真空度に保持さ名て
いる。反応＊ １，２．３と中間ｍ １３との間ならび
に反応室１と前＊４、反応室３と後室５０間は壁１４で
仕切られているが、気密にしゃ断されてはおらず、その
下を常時コンベヤ１１によって移動する基板１０が通過
することができ、その付近において反応室１，２．３か
ら中間室１３へ、 −ならびに前室４、後室５への気流
が常に存在して−・る。このため反応室１においてｐ層
が被着した基板ＩＯが反応室２に向け【移動しても、中
間室１３から反応ｍ２へ入る際には逆気流に当たるため
、反応室１内のジポラン、あるいは剛生成物を含むふん
囲気が基板あるいはコンベヤとともに反応室２に入るこ
とはなく、反応室２内のふん囲気＆１所定の純度に保た
ねる。反応室２から反応室３への移動の際も同様で、反
応ｉ１３内のふん囲気を所定のフォスフイン濃度に保つ
ことができる。このようにして前室４から後室５まで基
板はコンベヤ１１ Ｋよっ【連続的に動き、常に所定の
條件でその上に、ｐ層、１層、ｎ層のａ−８層ｇを一層
できる。生成される層厚さは反応室の長さを変えること
だけＫよって任意に選定できる。
前室より反応室を経て後室に至る基板の移動は前述のよ
うに本発明によって連続的に行うことができるが、前室
への原料基板の仕込み、あるいは後室からの出来上り基
板の取出しのためのコンベヤを停止することがあっては
ならない。本発明はこのために前室の前に仕込み室１５
、後室の後に取出し室１６を設けている。仕込み室１５
と前室の間には気密にしゃ断可能の扉８を有している。
うに本発明によって連続的に行うことができるが、前室
への原料基板の仕込み、あるいは後室からの出来上り基
板の取出しのためのコンベヤを停止することがあっては
ならない。本発明はこのために前室の前に仕込み室１５
、後室の後に取出し室１６を設けている。仕込み室１５
と前室の間には気密にしゃ断可能の扉８を有している。
先ずこの扉８を閉じ、挿入扉９より例えばカセットに積
重ねた基板を仕込み室１５に入れる。次いで挿入扉′９
を閉じて仕込み室１５を気密圧し、排気管６より真空排
気して仕込みｉｉｉ １５を真空にする◎その後扉８を
開いて、例えば押出し装置のような断続的な搬送機によ
り積重ねた基板１０を真空にされている前室４内に送り
込み扉８を再びしゃ断する。前室４内では基板ｌＯは図
示しない手段により自動的にコンベヤ１１の上に平面状
に並べら１、所定の温度まで加熱されながらコンベヤ１
１ Ｋよって反応室方向に連続して送り込まわる。後室
５に入った仕上り基板１０はある数量溜めて冷却された
後、真空排気さねている取り出し室１６へその間の扉８
を開℃・て断続的な搬送機によって送り込む。次（・で
ｎ層を閉じて後室５と取出し室１６０間を気密にし中断
し、取出し室１６の圧力を常圧に戻した後取出し用の気
密扉１２を開いて出来上り基板を取り出１゜その後次の
取出しのために取出し扉１２を閉じて取出し室１６を再
び真空にしておく。この場合、仕込み室あるいは取出し
室の気密閉鎖、真空排気に時間がかかるので、仕込みお
よび取出しの能率も高めるため、第３図に示１よ５に仕
込みｉｔｉ ｔｓある０曇ま取出し室１６を複数設けて
交互に使用してもよ〜・。
重ねた基板を仕込み室１５に入れる。次いで挿入扉′９
を閉じて仕込み室１５を気密圧し、排気管６より真空排
気して仕込みｉｉｉ １５を真空にする◎その後扉８を
開いて、例えば押出し装置のような断続的な搬送機によ
り積重ねた基板１０を真空にされている前室４内に送り
込み扉８を再びしゃ断する。前室４内では基板ｌＯは図
示しない手段により自動的にコンベヤ１１の上に平面状
に並べら１、所定の温度まで加熱されながらコンベヤ１
１ Ｋよって反応室方向に連続して送り込まわる。後室
５に入った仕上り基板１０はある数量溜めて冷却された
後、真空排気さねている取り出し室１６へその間の扉８
を開℃・て断続的な搬送機によって送り込む。次（・で
ｎ層を閉じて後室５と取出し室１６０間を気密にし中断
し、取出し室１６の圧力を常圧に戻した後取出し用の気
密扉１２を開いて出来上り基板を取り出１゜その後次の
取出しのために取出し扉１２を閉じて取出し室１６を再
び真空にしておく。この場合、仕込み室あるいは取出し
室の気密閉鎖、真空排気に時間がかかるので、仕込みお
よび取出しの能率も高めるため、第３図に示１よ５に仕
込みｉｔｉ ｔｓある０曇ま取出し室１６を複数設けて
交互に使用してもよ〜・。
図の例では、両側の仕込み室１５に積み込まねた基板は
矢印Ａの示１よう（交互に前室４に送り込まね、矢印Ｂ
の示１工程を経て後室５に入った出来上り基板は矢印Ｃ
の示１ように交互に後室５の一方の側に溜めらね、その
側にある一方の取出し室１６に送り出される。
矢印Ａの示１よう（交互に前室４に送り込まね、矢印Ｂ
の示１工程を経て後室５に入った出来上り基板は矢印Ｃ
の示１ように交互に後室５の一方の側に溜めらね、その
側にある一方の取出し室１６に送り出される。
以上述べたように、本発明による太陽電池用薄膜量産装
置は断続的に仕込み室から供給される基板を連続的に移
動させながらｐｎ接合ある〜・蚤まｐｉｎ接合を有する
積層半導体薄膜を基板上に生成し、その際各反応室間に
中間真空排気室を設けて各反応室ふん囲気の混合、汚染
を防止し、出来上り基板も断続的に後室に取出すもので
、これにより太陽電池製造の際の真空反応室内における
積層半導体薄膜の生成が、任意の膜厚比において自動的
流れ生産方式で可能となる。従って本発明は太陽電池の
量産による低価′格化に対して極めて大きな効果を有す
る。
置は断続的に仕込み室から供給される基板を連続的に移
動させながらｐｎ接合ある〜・蚤まｐｉｎ接合を有する
積層半導体薄膜を基板上に生成し、その際各反応室間に
中間真空排気室を設けて各反応室ふん囲気の混合、汚染
を防止し、出来上り基板も断続的に後室に取出すもので
、これにより太陽電池製造の際の真空反応室内における
積層半導体薄膜の生成が、任意の膜厚比において自動的
流れ生産方式で可能となる。従って本発明は太陽電池の
量産による低価′格化に対して極めて大きな効果を有す
る。
第１図は従来の太陽電池用ａ−８１膜自動生成装置の一
例の＠面断面図、第２図は本発明の一実施例の側面断面
図、第３図は別の実施例の平面断面図である。
例の＠面断面図、第２図は本発明の一実施例の側面断面
図、第３図は別の実施例の平面断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）相互間に中間真空排気型を介して隣接配置されそわ
そわ所定の反応ガスが導入さ刺て真空におい１基板上に
所定の導電形と不純物濃度を有する半導体薄膜を生成可
能の複数の反応室からなる反応室列と、皺反応室列の一
端に隣接し真空排気可能の前室と、腋前室に気・密にし
中断可能の扉を介して隣接し基板挿入のための気密扉を
有する真空排気可能の仕込み室と、前記反応室列の他１
１ＩＩＫ隣接し真空排気可能の後室と該後室に気密和し
中断可能の扉を介して隣接し半導体薄膜が積層さｔｌを
基板の取り出しのための気密扉を有する真空排気可能の
取出し室と、前記前室から各反応室および中間真空−気
室を通じて後室まで基板を連続的に搬送する搬送手段と
、仕込み室から前室へ複、数の基板を一括して断続的に
搬送する搬送手段と、後室から取出し室へ複数の半導体
薄膜が積層された基板を一括し【断続的に搬送する搬送
手段とを備えたことを特徴とする太陽電池用薄膜量産装
置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、中間真
空排気＊ｔり圧力が隣接反応室の圧力より低いことを特
徴とする太陽電池用薄膜量産装置。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項記載の装置にお
いて、前室に複数の仕込み富が隣接したことを特徴とす
る太陽電池用薄属量慮装置。 ４） ’ｌ’ｉ＋許請求の範囲第１項ないし第３項の
いす４かに記載の装置において、後室に複数の取出し室
が隣接したことを特徴とする太陽電池用薄膜量産装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56149045A JPS5850733A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 太陽電池用薄膜量産装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56149045A JPS5850733A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 太陽電池用薄膜量産装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5850733A true JPS5850733A (ja) | 1983-03-25 |
Family
ID=15466439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56149045A Pending JPS5850733A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 太陽電池用薄膜量産装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5850733A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59182578A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS59201412A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質半導体素子製造装置 |
| JPS62181032A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-08 | 株式会社東芝 | 患者横臥用天板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5578524A (en) * | 1978-12-10 | 1980-06-13 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5678416A (en) * | 1979-11-29 | 1981-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Preparation of thin film |
-
1981
- 1981-09-21 JP JP56149045A patent/JPS5850733A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5578524A (en) * | 1978-12-10 | 1980-06-13 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5678416A (en) * | 1979-11-29 | 1981-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Preparation of thin film |
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS59182578A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS59201412A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質半導体素子製造装置 |
| JPS62181032A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-08 | 株式会社東芝 | 患者横臥用天板 |
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