JPS5852821A - ハ−ドマスクの修正法 - Google Patents
ハ−ドマスクの修正法Info
- Publication number
- JPS5852821A JPS5852821A JP56151021A JP15102181A JPS5852821A JP S5852821 A JPS5852821 A JP S5852821A JP 56151021 A JP56151021 A JP 56151021A JP 15102181 A JP15102181 A JP 15102181A JP S5852821 A JPS5852821 A JP S5852821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hard mask
- metal
- resist
- electrode
- metal pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ＩＣ等の製造に使用されるホトリフグ２
へイ用八−ドマスクの修正法に関する。
へイ用八−ドマスクの修正法に関する。
ハードマスクはガラス等の透＠Ｉｓ＊上にり四ムや酸化
鉄等の金属パターンを形成したホトリソグラフィ用マス
クである。
鉄等の金属パターンを形成したホトリソグラフィ用マス
クである。
なお１本発明ではｉ１１明ｊｉ＆上に献ｆヒスズ（ａｎ
υ１）等の導電性透明膜ｔ−形属しｔそのよに金属パタ
ーンを形成したハードマスクを対象としているが。
υ１）等の導電性透明膜ｔ−形属しｔそのよに金属パタ
ーンを形成したハードマスクを対象としているが。
この種のマスクはマスクの僧電防止Ｋ ８ｎＯａｇｋ
便用しｔものとしてすでに知られている。
便用しｔものとしてすでに知られている。
牛導体ＩＯ等の製造においては、一枚のハードマスクに
よ）多数の回路がホトリソグラフィ技術によ）ｌ１作さ
れるものであ）、このためハードマスクには高精屓、高
偏Ｓｔが要求される。特にハードマスク裏作後における
欠陥部分の発見と、その修正作業は重要なものである。
よ）多数の回路がホトリソグラフィ技術によ）ｌ１作さ
れるものであ）、このためハードマスクには高精屓、高
偏Ｓｔが要求される。特にハードマスク裏作後における
欠陥部分の発見と、その修正作業は重要なものである。
ところでハードマスクの欠陥は４１図に示すようにガラ
ス基板ｌよの金属パターンｚ内に生じるピンホール易お
よび金属パターＳ閾に残存する不要残部働などがあるが
ｔ本発明は両省の欠陥の修正法に係わるものである。
ス基板ｌよの金属パターンｚ内に生じるピンホール易お
よび金属パターＳ閾に残存する不要残部働などがあるが
ｔ本発明は両省の欠陥の修正法に係わるものである。
従来ハ−ドマスクの金属パターンに、このようなピンホ
ールかあると修正か困−である几め鵬却して、新たなハ
ードマスクを作９直すことが一般的であった□ 本発明の目的は、このような欠陥のあるハードマスクの
場曾でも、救済するようにし友もので。
ールかあると修正か困−である几め鵬却して、新たなハ
ードマスクを作９直すことが一般的であった□ 本発明の目的は、このような欠陥のあるハードマスクの
場曾でも、救済するようにし友もので。
このため本発明の内容は透Ｉｊ１１基板の上に導電性透
明薄膜を形成しその上に金属パターンを形成し友ホトリ
ソグラフィ用へ−ドマスクの該金属ハターン内に存在す
る欠落部分の修正法においてｓ＋＃紀被修正ハードマス
ク上にレジストを塗布し、ａ記金属パターン内の欠落部
分のみ露光し、窓明けを行ない１次Ｋ１１ｌ記導電性透
明薄貞を一方の電極として欠落部分に金属メッキし几恢
、前記レジストのは〈端処理を行う事を特徴とするハー
ドマスクの修正法を要旨としている＠ 次に図面に１夛本発明の詳細な説明する。
明薄膜を形成しその上に金属パターンを形成し友ホトリ
ソグラフィ用へ−ドマスクの該金属ハターン内に存在す
る欠落部分の修正法においてｓ＋＃紀被修正ハードマス
ク上にレジストを塗布し、ａ記金属パターン内の欠落部
分のみ露光し、窓明けを行ない１次Ｋ１１ｌ記導電性透
明薄貞を一方の電極として欠落部分に金属メッキし几恢
、前記レジストのは〈端処理を行う事を特徴とするハー
ドマスクの修正法を要旨としている＠ 次に図面に１夛本発明の詳細な説明する。
５１１図〜第６図は本発明の実施例によるハードマスク
修正法の工１１Ａ睨明図である０まず第ｓ図に示す如く
被修正ハードマスク上全肉にレジス）Ｉを塗布する。次
に金属パターン畠のピンホール部分にスポットｊｌ１元
を行ない、これｔ−現像して、＠＠ｇに示すごとくピン
ホール部分のレジストを除去する。
修正法の工１１Ａ睨明図である０まず第ｓ図に示す如く
被修正ハードマスク上全肉にレジス）Ｉを塗布する。次
に金属パターン畠のピンホール部分にスポットｊｌ１元
を行ない、これｔ−現像して、＠＠ｇに示すごとくピン
ホール部分のレジストを除去する。
次に箒４−に示すように導電性透明薄膜６を一方の電憔
として他方に金属７を接続し、メッキ浴槽８に浸けて電
源から電流ｔ−流し金属メッキ金行なう・この場曾、導
電性透明薄ｆｉ６を−（マイナス）を極に接続すると、
金属パターン２のピンホール部に７ｇ５図に示すように
金属メッキ９が形成される◎ 次にレジスト５をはく離すると第６図に示すようにピン
ホール部が金属メッキ９によって修復されたハードマス
クが得られる・ 以上説明し次ように従来は欠陥ハードマスクとして廃却
されたものを１本発明の修正法により救済できるようＫ
なったのでハードマスク装造の歩留り向上に大きな効果
がある。
として他方に金属７を接続し、メッキ浴槽８に浸けて電
源から電流ｔ−流し金属メッキ金行なう・この場曾、導
電性透明薄ｆｉ６を−（マイナス）を極に接続すると、
金属パターン２のピンホール部に７ｇ５図に示すように
金属メッキ９が形成される◎ 次にレジスト５をはく離すると第６図に示すようにピン
ホール部が金属メッキ９によって修復されたハードマス
クが得られる・ 以上説明し次ように従来は欠陥ハードマスクとして廃却
されたものを１本発明の修正法により救済できるようＫ
なったのでハードマスク装造の歩留り向上に大きな効果
がある。
第１図はハードマスクの欠陥を説明するためのハードマ
スク平向図、第３図〜４６図は本発明のハードマスク修
正法の工ａを説明するための１ｌｉｌｒｊＩＪ図を示す
。 図において、ｌはａ明基板、２は金属パターン、易はビ
ンホール（欠落部）、番は不要残部、５＃′ｉレジスト
、６は導電性透明＃ｊｌ［、７は金属、８はメッキ浴槽
％９は金属メッキを示す。
スク平向図、第３図〜４６図は本発明のハードマスク修
正法の工ａを説明するための１ｌｉｌｒｊＩＪ図を示す
。 図において、ｌはａ明基板、２は金属パターン、易はビ
ンホール（欠落部）、番は不要残部、５＃′ｉレジスト
、６は導電性透明＃ｊｌ［、７は金属、８はメッキ浴槽
％９は金属メッキを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透Ｉｊｌ基板のよに４電性透明薄属を形成し、その上に
＊属パターンを形成したホトリソグラフィ用ハードマス
クの該金属パターン内に存在する欠落部分の修正法にお
いて。 ｓ１起砿修正ハードマスク上にレジストを處布し。 ｍ記金属パターン内の欠落部分のみ露元し１厘明けを行
ない１次Ｋｍ紀導電性透明薄属を一方の電極として欠落
部分に金属メッキし７を債、＃紀しジストのはく一１＆
埋を行う事を特徴とするハードマスクの修正法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56151021A JPS5852821A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | ハ−ドマスクの修正法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56151021A JPS5852821A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | ハ−ドマスクの修正法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852821A true JPS5852821A (ja) | 1983-03-29 |
Family
ID=15509562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56151021A Pending JPS5852821A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | ハ−ドマスクの修正法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852821A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52135352A (en) * | 1976-05-08 | 1977-11-12 | Toyobo Co Ltd | Stretched nylon films and their manufacture |
| JPS63210845A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Hitachi Ltd | 欠陥修正方法 |
| CN105182684A (zh) * | 2015-10-20 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩模板的检修方法 |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP56151021A patent/JPS5852821A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52135352A (en) * | 1976-05-08 | 1977-11-12 | Toyobo Co Ltd | Stretched nylon films and their manufacture |
| JPS63210845A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Hitachi Ltd | 欠陥修正方法 |
| US4925755A (en) * | 1987-02-27 | 1990-05-15 | Hitachi, Ltd. | Method of correcting defect in circuit pattern |
| CN105182684A (zh) * | 2015-10-20 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩模板的检修方法 |
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