JPS5852828A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5852828A JPS5852828A JP56150974A JP15097481A JPS5852828A JP S5852828 A JPS5852828 A JP S5852828A JP 56150974 A JP56150974 A JP 56150974A JP 15097481 A JP15097481 A JP 15097481A JP S5852828 A JPS5852828 A JP S5852828A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window
- contact
- substrate
- wiring layer
- circumferential edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発８ＡはＩＣ，ＬＳＩなどの半導体装置の製造工程、
特に、コンタクト窓明けの方法に関する。
特に、コンタクト窓明けの方法に関する。
単一半導体ウェーハ上に多数の半導体素子を組み込んだ
モノリシック型集積回路では、その中のすべての半導体
素子はプレーナ型構造になりている。このような半導体
装置は、不純物の選択的拡散、表面酸化膜のコンタクト
用窓明け、選択的鍍金による半導体素子間の電気的配線
、半導体表面保護のための絶縁膜の形成、および最後の
リード線取り出し用のポンディングパッド部分のみ配線
層の露出表どの工程を経て形成される。
モノリシック型集積回路では、その中のすべての半導体
素子はプレーナ型構造になりている。このような半導体
装置は、不純物の選択的拡散、表面酸化膜のコンタクト
用窓明け、選択的鍍金による半導体素子間の電気的配線
、半導体表面保護のための絶縁膜の形成、および最後の
リード線取り出し用のポンディングパッド部分のみ配線
層の露出表どの工程を経て形成される。
上記工程のうち、コンタクト用窓明は工程を説明すると
、第１図（１）のように、まず、不純物の選択的拡散に
より、例えばＰ型シリコン基板１にＮ９拡散領域２を形
成し、次に基板１０表面に表頁保護用に、例えば燐ガラ
ス層のごとき絶縁膜３を付着させる。続いて、同図（ｂ
）Ｋ示すように、絶縁膜３上に所定のフォトレジスト膜
４を塗布し、レジスト膜４上に選択的露光および現像処
理を施し、コンタクト用窓の部分においてレジスト膜を
除去し、レジスト膜のコンタクト用窓５を開口する。
、第１図（１）のように、まず、不純物の選択的拡散に
より、例えばＰ型シリコン基板１にＮ９拡散領域２を形
成し、次に基板１０表面に表頁保護用に、例えば燐ガラ
ス層のごとき絶縁膜３を付着させる。続いて、同図（ｂ
）Ｋ示すように、絶縁膜３上に所定のフォトレジスト膜
４を塗布し、レジスト膜４上に選択的露光および現像処
理を施し、コンタクト用窓の部分においてレジスト膜を
除去し、レジスト膜のコンタクト用窓５を開口する。
その後、例えば７レオンと酸素の混合ガスによる度広性
プラズマエツチングによシ同図Ｃに示すように、窓５の
部分の絶縁膜３を選択的にエツチングし、しかる後、同
図（ｄ）のように、フォトレジスト膜４を除去してコン
タクト用窓６の窓明けは完成する。
プラズマエツチングによシ同図Ｃに示すように、窓５の
部分の絶縁膜３を選択的にエツチングし、しかる後、同
図（ｄ）のように、フォトレジスト膜４を除去してコン
タクト用窓６の窓明けは完成する。
しかしながら、現行のフォトリングラフィおよびプラズ
マエツチング方法では、コンタクト用窓６の周縁７の断
面形状は直角に近い非常に角ばった形状となり、そのた
めに、次に、同図（ｅ）のように、電気的配線層８を形
成すると、コンタクト用窓６において配線層８が断線す
る問題がある、この問題は、半導体装置の製造歩留り、
および信頼性に対し悪い影響を与えることは言うまでも
ない。
マエツチング方法では、コンタクト用窓６の周縁７の断
面形状は直角に近い非常に角ばった形状となり、そのた
めに、次に、同図（ｅ）のように、電気的配線層８を形
成すると、コンタクト用窓６において配線層８が断線す
る問題がある、この問題は、半導体装置の製造歩留り、
および信頼性に対し悪い影響を与えることは言うまでも
ない。
本発明の目的は、上記問題を解決すべくなされたもので
あり、電気的配線層のコンタクト用窓部での断線の起ら
ない様な、断面形状を実現する窓明は工程を含む半導体
装置の製造方法を提供するにある。
あり、電気的配線層のコンタクト用窓部での断線の起ら
ない様な、断面形状を実現する窓明は工程を含む半導体
装置の製造方法を提供するにある。
即ち、本発明による製造方法によれば、電気的配線層は
コンタクト用窓部６において断線することなく、半導体
基板と電気的に連結する様に、適度に丸みのついた断面
形状の周縁を有するコンタクト用窓が可能となる。
コンタクト用窓部６において断線することなく、半導体
基板と電気的に連結する様に、適度に丸みのついた断面
形状の周縁を有するコンタクト用窓が可能となる。
つぎに図面を用いて本発明を説明する。
第２図（ａ）ないしくｄ）は本発明の一実施例の製造工
程を示す断面図である。まず、第１図（ａ）ないしくｄ
）の工程を経てコンタクト用窓明けの終了した第１図（
ｄ）の基板に対し、該基板上に、普通品より粘度の小さ
いフォトレジスト膜を回転法により塗布する即ち、ウェ
ーハ上にレジスト液を所定量滴下し、その後ウエーノ・
を数千回７秒の回転速度で回転させると、ウェーハ全面
に７オトレジスト膜が塗布される。例えば、普通品の１
／１０程度の粘度である、数ＣＰ （センチボイズ）の
フォトレジストを、４０００回／秒の回転速度で塗布す
ると、第２図（ａ）に示されるフォトレジスト膜９の厚
さは、はぼ０．３〜０．４μｍ程度となシ、従って、絶
縁膜３の厚さは通常１．０〜１．５μｍ程度であるから
、レジスト膜９は、絶縁膜３の１／３〜１／４程度の厚
さになり、従って、コンタクト用窓６の周辺では、第２
図（３１）の様に角の部分７がレジスト膜９により被覆
されず、露出する結果となる。次に通常の反応性プラズ
マエツチングにより、絶縁膜３を所定の厚さエツチング
すると、第２図（ｂ）の様に、コンタクト用窓６０周縁
角の部分７、即ち、レジスト膜９の露出部分のみエツチ
ングされる。次に、レジスト膜９を除去すると、第２図
（Ｃ）の様に、コンタクト用窓６の周縁角７の断面形状
は従来方法による第１図（ｄ）の場合よりかなシ丸みが
つくことがわかる。この断面形状は、絶縁膜３の厚さ、
フォトレジスト膜９の厚さ、およびプラズマエツチング
時間の条件により自在に調節することが可能である。即
ち、レジスト膜９が薄いほど、およびプラズマエッチの
時間が長いほど周縁角７の断面形状の丸みは大きくなる
。即ち、コンタクト用窓６のテーパーは大きくなること
が確認された。次に、基板上に第２図（ｄ）のように電
気的配線層１０を形成すれば、コンタクト用窓６の断面
形状が適当に丸みをおびているため、配線層１０はコン
タクト用窓６の周縁角の部分において、断線することな
く、絶縁膜上と、コンタクト用窓６０基板表面との間で
容易に接続される。即ち、本発明ニよるコンタクト用窓
の形成方法を行えば、窓周縁の角の部分での電気配線層
の断線の問題を解決し、半導体装置の歩留り向上による
原価低減および信頼性の向上に顕著な効果を奏すること
は自明であ ′るっ
程を示す断面図である。まず、第１図（ａ）ないしくｄ
）の工程を経てコンタクト用窓明けの終了した第１図（
ｄ）の基板に対し、該基板上に、普通品より粘度の小さ
いフォトレジスト膜を回転法により塗布する即ち、ウェ
ーハ上にレジスト液を所定量滴下し、その後ウエーノ・
を数千回７秒の回転速度で回転させると、ウェーハ全面
に７オトレジスト膜が塗布される。例えば、普通品の１
／１０程度の粘度である、数ＣＰ （センチボイズ）の
フォトレジストを、４０００回／秒の回転速度で塗布す
ると、第２図（ａ）に示されるフォトレジスト膜９の厚
さは、はぼ０．３〜０．４μｍ程度となシ、従って、絶
縁膜３の厚さは通常１．０〜１．５μｍ程度であるから
、レジスト膜９は、絶縁膜３の１／３〜１／４程度の厚
さになり、従って、コンタクト用窓６の周辺では、第２
図（３１）の様に角の部分７がレジスト膜９により被覆
されず、露出する結果となる。次に通常の反応性プラズ
マエツチングにより、絶縁膜３を所定の厚さエツチング
すると、第２図（ｂ）の様に、コンタクト用窓６０周縁
角の部分７、即ち、レジスト膜９の露出部分のみエツチ
ングされる。次に、レジスト膜９を除去すると、第２図
（Ｃ）の様に、コンタクト用窓６の周縁角７の断面形状
は従来方法による第１図（ｄ）の場合よりかなシ丸みが
つくことがわかる。この断面形状は、絶縁膜３の厚さ、
フォトレジスト膜９の厚さ、およびプラズマエツチング
時間の条件により自在に調節することが可能である。即
ち、レジスト膜９が薄いほど、およびプラズマエッチの
時間が長いほど周縁角７の断面形状の丸みは大きくなる
。即ち、コンタクト用窓６のテーパーは大きくなること
が確認された。次に、基板上に第２図（ｄ）のように電
気的配線層１０を形成すれば、コンタクト用窓６の断面
形状が適当に丸みをおびているため、配線層１０はコン
タクト用窓６の周縁角の部分において、断線することな
く、絶縁膜上と、コンタクト用窓６０基板表面との間で
容易に接続される。即ち、本発明ニよるコンタクト用窓
の形成方法を行えば、窓周縁の角の部分での電気配線層
の断線の問題を解決し、半導体装置の歩留り向上による
原価低減および信頼性の向上に顕著な効果を奏すること
は自明であ ′るっ
第１１１８）ないしくｅ）は従来の半導体装置の製造方
法を説明するための工程順の断面図、第２図（ａ）ない
しくｄ）は本発明の一実施例を説明するための工程順の
断面図である。 １・・・・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・・・・Ｖ拡
散領域、３・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・フォト
レジスト膜、５・・・・・・フォトレジストの窓、６・
・・・・・コンタクト用窓、７・・・・・・コンタクト
用窓の周縁角部、８，１０・・・・・・配線層、９・・
・・・・コンタクト用窓周縁角部を露出させ阜１１！］ 第２図
法を説明するための工程順の断面図、第２図（ａ）ない
しくｄ）は本発明の一実施例を説明するための工程順の
断面図である。 １・・・・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・・・・Ｖ拡
散領域、３・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・フォト
レジスト膜、５・・・・・・フォトレジストの窓、６・
・・・・・コンタクト用窓、７・・・・・・コンタクト
用窓の周縁角部、８，１０・・・・・・配線層、９・・
・・・・コンタクト用窓周縁角部を露出させ阜１１！］ 第２図
Claims (1)
- 半導体基板の一主面上に形成された絶縁膜にコンタクト
用窓をあける工程と、つぎに前記コンタクト用窓および
絶縁膜の形成されている基板面に前記コンタクト用窓周
縁の角の部分を露出させ残りの部分を憧う耐エツチング
膜を形成する工程と、つぎに前記コンタクト用窓の角の
部分をプラズマガスまたは弗酸系の薬品を用いてエツチ
ング除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150974A JPS5852828A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150974A JPS5852828A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852828A true JPS5852828A (ja) | 1983-03-29 |
Family
ID=15508509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56150974A Pending JPS5852828A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852828A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6251404A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-06 | 山陽国策パルプ株式会社 | 強化化粧材の製造方法 |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP56150974A patent/JPS5852828A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6251404A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-06 | 山陽国策パルプ株式会社 | 強化化粧材の製造方法 |
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