JPS5854097B2 - 光フアイバ母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ母材の製造方法Info
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- JPS5854097B2 JPS5854097B2 JP14731879A JP14731879A JPS5854097B2 JP S5854097 B2 JPS5854097 B2 JP S5854097B2 JP 14731879 A JP14731879 A JP 14731879A JP 14731879 A JP14731879 A JP 14731879A JP S5854097 B2 JPS5854097 B2 JP S5854097B2
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- JP
- Japan
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- optical fiber
- treatment
- base material
- dehydroxylation
- fiber base
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＶＡＤ法により製造された多孔質ガラスプリ
フォームを脱水酸基処理して無水の光フアイバ母材を製
造する方法に関するものである。
フォームを脱水酸基処理して無水の光フアイバ母材を製
造する方法に関するものである。
従来より、光通信に使用される光ファイバは各種の方法
により製造されているが、ＶＡＤ法が最近注目されつつ
ある。
により製造されているが、ＶＡＤ法が最近注目されつつ
ある。
ＶＡＤ法（気相軸付法）は、回転しながら上方向に移動
する棒状基材の下端に煤状ガラス微粒子を付着堆積し、
棒状基材を引き上げながら煤状ガラス微粒子を軸方向に
成長させて棒状の多孔質ガラスプリフォームを形成した
後、脱水酸基処理などの処理を施して光フアイバ母材を
形成する方法である。
する棒状基材の下端に煤状ガラス微粒子を付着堆積し、
棒状基材を引き上げながら煤状ガラス微粒子を軸方向に
成長させて棒状の多孔質ガラスプリフォームを形成した
後、脱水酸基処理などの処理を施して光フアイバ母材を
形成する方法である。
そして、この光フアイバ母材を紡糸して光ファイバを形
成している。
成している。
ところで、従来の脱水酸基処理は、多孔質ガラスプリフ
ォームをＣ１２等のハロゲンガスや５ＯＣ１２等のハロ
ゲン化物ガス中で８００〜１０００℃において熱処理す
ることにより実施されている。
ォームをＣ１２等のハロゲンガスや５ＯＣ１２等のハロ
ゲン化物ガス中で８００〜１０００℃において熱処理す
ることにより実施されている。
しかしながら、脱水酸基処理すべき多孔質ガラスプリフ
ォームごとにその中心部の嵩密度や煤状ガラス微粒子の
粒径が異なるため、脱水酸基処理して得られた光フアイ
バ母材の水酸基量も異なり、無水の光フアイバ母材を再
現性良く製造するのは困難であった。
ォームごとにその中心部の嵩密度や煤状ガラス微粒子の
粒径が異なるため、脱水酸基処理して得られた光フアイ
バ母材の水酸基量も異なり、無水の光フアイバ母材を再
現性良く製造するのは困難であった。
そして、例えば二乗分布型の光フアイバ母材の場合には
、光のパワーが中心部に集まる傾向があり、中心部の水
酸基量によって非常に大きな影響が生じて耘り、無水の
光フアイバ母材を再現性良く製造できる方法の出現が要
望されている。
、光のパワーが中心部に集まる傾向があり、中心部の水
酸基量によって非常に大きな影響が生じて耘り、無水の
光フアイバ母材を再現性良く製造できる方法の出現が要
望されている。
本発明は上記要望に答えるためになされたもので、その
目的とするところは、無水の光フアイバ母材を短時間で
かつ再現性良く製造できる等の利点を有する光フアイバ
母材の製造方法を提供することにある。
目的とするところは、無水の光フアイバ母材を短時間で
かつ再現性良く製造できる等の利点を有する光フアイバ
母材の製造方法を提供することにある。
そして、本発明の特徴は、ＶＡＤ法により製造された多
孔質ガラスプリフォームを加圧下で脱水酸基処理するこ
とである。
孔質ガラスプリフォームを加圧下で脱水酸基処理するこ
とである。
以下、図面を参照して本発明について詳細に説明する。
先ず、ＶＡＤ法により棒状基材１の下端に多孔質ガラス
プリフォーム２を反応容器（図示せず）において形成す
る。
プリフォーム２を反応容器（図示せず）において形成す
る。
そして、この多孔質ガラスプリフォーム２を加熱管３と
発熱体４と反射板５と気密用の回転シール６とを具備す
る脱水酸基処理炉７内に収容させる。
発熱体４と反射板５と気密用の回転シール６とを具備す
る脱水酸基処理炉７内に収容させる。
そして、脱水酸基処理用ガスの導入管８からＣ１２等の
ハロゲンガスや５ＯＣ１２等のハロゲン化物ガスを主体
とする脱水酸基処理用ガスを導入し、脱水酸基処理炉７
内の圧力を例えば大気圧よりも５〜２０ｙｍＨ２０程度
高い加圧状態に保持しつつ脱水酸基処理を施して無水の
光フアイバ母材を形成する。
ハロゲンガスや５ＯＣ１２等のハロゲン化物ガスを主体
とする脱水酸基処理用ガスを導入し、脱水酸基処理炉７
内の圧力を例えば大気圧よりも５〜２０ｙｍＨ２０程度
高い加圧状態に保持しつつ脱水酸基処理を施して無水の
光フアイバ母材を形成する。
上記のように加圧状態に保持するのは、例えば図面に示
すように脱水酸基処理炉γ内の圧力を圧力計９で検知し
つつ排気管１０に設けられたニードルバルブ１１でガス
流量を調節することにより行うことができる。
すように脱水酸基処理炉γ内の圧力を圧力計９で検知し
つつ排気管１０に設けられたニードルバルブ１１でガス
流量を調節することにより行うことができる。
なお、比較的高い圧力下で行うと脱水酸基処理ガスの拡
散速度が非常にはやくなり、短時間で脱水酸基処理でき
るようになる。
散速度が非常にはやくなり、短時間で脱水酸基処理でき
るようになる。
さらに、脱水酸基処理温度は、脱水酸基処理炉γ内の圧
力や脱水酸基処理ガスの種類や被処理の多孔質ガラスプ
リフォーム２の種類等に応じて変化するが、一般に１０
００℃〜１２００℃が使用される。
力や脱水酸基処理ガスの種類や被処理の多孔質ガラスプ
リフォーム２の種類等に応じて変化するが、一般に１０
００℃〜１２００℃が使用される。
ところで、脱水酸基の機構は次のようであると考えられ
る。
る。
Ｃ１２等のハロゲンガスや５ＯＣ１２等のハロゲン化物
ガスを主体とする脱水酸基処理用ガスは熱圧下において
一部分原子化されて、塩素原子のラジカルが発生する。
ガスを主体とする脱水酸基処理用ガスは熱圧下において
一部分原子化されて、塩素原子のラジカルが発生する。
そして、この塩素原子のラジカルが加圧下に多孔質ガラ
スプリフォームの中心部にまで迅速に拡散し、中心部の
５ｉＯＨも確実に５ｉＯＣＡ！となる。
スプリフォームの中心部にまで迅速に拡散し、中心部の
５ｉＯＨも確実に５ｉＯＣＡ！となる。
この５ｉＯＣｌは後の透明ガラス化工程において高温で
熱分解されてＳｉＯ２となる。
熱分解されてＳｉＯ２となる。
なお、脱水酸基処理は図面に示すように多孔質ガラスプ
リフォーム２を降下させつつ行っても良いが、上昇させ
つつ行っても良い。
リフォーム２を降下させつつ行っても良いが、上昇させ
つつ行っても良い。
また、脱水酸基処理炉７を加圧状態に保持するのは、図
面に示すようにニードルバルブで行うことができるが、
他のキャピラリ等の圧力調整部材で行っても差し支えな
い。
面に示すようにニードルバルブで行うことができるが、
他のキャピラリ等の圧力調整部材で行っても差し支えな
い。
以上説明したように、本発明においては１．、ＶＡＤ法
により製造された多孔質ガラスプリフォームを熱圧下で
脱水酸基処理用ガスにより脱水酸基処理している。
により製造された多孔質ガラスプリフォームを熱圧下で
脱水酸基処理用ガスにより脱水酸基処理している。
従って、本発明によれば、脱水酸基処理用ガスを多孔質
ガラスプリフォームの中心部まで迅速に拡散させること
ができるため、多孔質ガラスプリフォームの嵩密度や煤
状ガラス微粒子の粒径に関係なく外部側は勿論中心部も
確実に脱水酸基処理できる。
ガラスプリフォームの中心部まで迅速に拡散させること
ができるため、多孔質ガラスプリフォームの嵩密度や煤
状ガラス微粒子の粒径に関係なく外部側は勿論中心部も
確実に脱水酸基処理できる。
そのため、本発明によれば、実質上無水の光フアイバ母
材を短時間でかつ再現性良く製造できる等の効果が奏さ
れる。
材を短時間でかつ再現性良く製造できる等の効果が奏さ
れる。
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
図面に示す脱水酸基処理装置を使用してＶＡＤ法により
製造された多孔質ガラスプリフォームを脱水酸基処理し
た。
製造された多孔質ガラスプリフォームを脱水酸基処理し
た。
但し、脱水酸基処理炉７内の温度を１５００℃とし、棒
状基材１の回転数と降下速度をそれぞれ２０ｒ ２
００ＴｔｒＩＬ／時と設定す・ｐ、ｍ。
状基材１の回転数と降下速度をそれぞれ２０ｒ ２
００ＴｔｒＩＬ／時と設定す・ｐ、ｍ。
ると共に１．脱水酸基処理用ガスの導入管８から５ＯＣ
１２５０ＣＣ／分、Ｈｅ１ＯＡ／分、０２５００ｃｃ／
分を脱水酸基処理炉γ内に導入した。
１２５０ＣＣ／分、Ｈｅ１ＯＡ／分、０２５００ｃｃ／
分を脱水酸基処理炉γ内に導入した。
また、ニードルバルブ１１により圧力を大気圧よりも５
ｍｍＨ２Ｏ高い加圧状態にして脱水酸基処理した後、大
気圧よりも１５ ｍｍＨ２０高い加圧状態にして脱水酸
基処理し、その後大気圧よりも２０ ｍｍＨ２０高い加
圧状態にして脱水酸基処理した。
ｍｍＨ２Ｏ高い加圧状態にして脱水酸基処理した後、大
気圧よりも１５ ｍｍＨ２０高い加圧状態にして脱水酸
基処理し、その後大気圧よりも２０ ｍｍＨ２０高い加
圧状態にして脱水酸基処理した。
即ち、三段階で脱水酸基処理した。
それぞれの加圧状態で脱水酸基処理された光フアイバ母
材中の残留水酸基量を測定し、得られた結果を次の表に
示す。
材中の残留水酸基量を測定し、得られた結果を次の表に
示す。
上記表から、加圧下で脱水酸基処理するとほとんどの水
酸基が除去されていることがわかる。
酸基が除去されていることがわかる。
また１５ ｍｍＨ２０程度の加圧下で脱水酸基処理する
と、残留水酸基の量が非常に少なくなることがわかる。
と、残留水酸基の量が非常に少なくなることがわかる。
図面は、本発明の方法を実施するのに使用される脱水酸
基処理装置の概略縦断面図である。 １・・・・・・棒状基材、２・・・・・・多孔質ガラス
プリフォーム、７・・・・・・脱水酸基処理炉、８・・
・・・・脱水酸基処理用ガスの導入管、９・・・・・・
圧力計、１０・・・・・・排気管、１１・・・・・・ニ
ードルバルブ。
基処理装置の概略縦断面図である。 １・・・・・・棒状基材、２・・・・・・多孔質ガラス
プリフォーム、７・・・・・・脱水酸基処理炉、８・・
・・・・脱水酸基処理用ガスの導入管、９・・・・・・
圧力計、１０・・・・・・排気管、１１・・・・・・ニ
ードルバルブ。
Claims (1)
- Ｉ ＶＡＤ法により製造された多孔質ガラスプリフォ
ームを加熱下で脱水酸基処理用ガスにより脱水酸基処理
して光フアイバ母材を製造する方法において、脱水酸基
処理を加圧下で行うことを特徴とする光フアイバ母材の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14731879A JPS5854097B2 (ja) | 1979-11-14 | 1979-11-14 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14731879A JPS5854097B2 (ja) | 1979-11-14 | 1979-11-14 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5673636A JPS5673636A (en) | 1981-06-18 |
| JPS5854097B2 true JPS5854097B2 (ja) | 1983-12-02 |
Family
ID=15427465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14731879A Expired JPS5854097B2 (ja) | 1979-11-14 | 1979-11-14 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854097B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593032A (ja) * | 1982-06-24 | 1984-01-09 | Hitachi Cable Ltd | 光フアイバ母材の製造方法 |
| JPS6046938A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-14 | Hitachi Cable Ltd | 光ファイバ母材の製造方法 |
-
1979
- 1979-11-14 JP JP14731879A patent/JPS5854097B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5673636A (en) | 1981-06-18 |
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