JPS5855736A - 発光分光分析による濃度分布解析装置 - Google Patents
発光分光分析による濃度分布解析装置Info
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- JPS5855736A JPS5855736A JP15447781A JP15447781A JPS5855736A JP S5855736 A JPS5855736 A JP S5855736A JP 15447781 A JP15447781 A JP 15447781A JP 15447781 A JP15447781 A JP 15447781A JP S5855736 A JPS5855736 A JP S5855736A
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- JP
- Japan
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- sample surface
- sample
- density distribution
- analyzing apparatus
- scanning
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/66—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence
- G01N21/67—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence using electric arcs or discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパーク光源を用いた発光分光分析によって試
料面における元素分布を測定する装置に関する。
料面における元素分布を測定する装置に関する。
試料面における元素等の分布を測定し得る装置として、
電子線で試料面を走査するＸ＃ｊマイクロアナライザ等
の電子的な装置があるが、この種の装置は実際上試料面
上の走査範囲がせま過ぎてミクロの分析には適している
が、構造材断面における成分元素の偏析状態とか不純物
の分布状態をマクロに測定すると云った目的には適さな
い。しかし現在、このような試料面のマクロの解析に適
する装置は余り知られていない。螢光Ｘ線分光装置が成
る程度この目的に適するが、分析面が大きく、分析に長
時間を要し、特に材料の生産ラインの管理等の生産湯面
には不向きなものである。
電子線で試料面を走査するＸ＃ｊマイクロアナライザ等
の電子的な装置があるが、この種の装置は実際上試料面
上の走査範囲がせま過ぎてミクロの分析には適している
が、構造材断面における成分元素の偏析状態とか不純物
の分布状態をマクロに測定すると云った目的には適さな
い。しかし現在、このような試料面のマクロの解析に適
する装置は余り知られていない。螢光Ｘ線分光装置が成
る程度この目的に適するが、分析面が大きく、分析に長
時間を要し、特に材料の生産ラインの管理等の生産湯面
には不向きなものである。
本発明は上述したような現況に鑑み試料面のマクロの分
析に適した装置を提供しようとするものである。スパー
ク放電を光源とする発光分光分析は試料面における放電
点が一放電毎に異るが数ｍスパーク光源を用いる発光分
光分析は試料面の−乃至複数の点について分析を行い、
試料に関して代表的な分析データを得るにとどまり、試
料面における元素の分布状態を把握し表示すると云う方
向への応用はなされていなかった。本発明はスバ放電電
極で試料面を走査することにょシ、目的とする元素の分
布を測定できるようにした分析装置に関するものである
。以下実施例によって本発明を説明する。
析に適した装置を提供しようとするものである。スパー
ク放電を光源とする発光分光分析は試料面における放電
点が一放電毎に異るが数ｍスパーク光源を用いる発光分
光分析は試料面の−乃至複数の点について分析を行い、
試料に関して代表的な分析データを得るにとどまり、試
料面における元素の分布状態を把握し表示すると云う方
向への応用はなされていなかった。本発明はスバ放電電
極で試料面を走査することにょシ、目的とする元素の分
布を測定できるようにした分析装置に関するものである
。以下実施例によって本発明を説明する。
第１図は本発明の一実施例装置を示す。１は試料、２は
発光スタンドでＰは放電電極である。３は試料走査制御
装置で与えられたプログラムに従い試料１をＸ方向、Ｙ
方向に駆動する。この構成によってスパーク放電におけ
る試料面の放電点が試料面を走査することになるｏ４は
分光器、５は測光装置で、分光器のスペクトル面上で検
出定量しようとする元素の輝線位置に受光素子を配置し
てあり、同時に複数の元素に関して測定が可能である。
発光スタンドでＰは放電電極である。３は試料走査制御
装置で与えられたプログラムに従い試料１をＸ方向、Ｙ
方向に駆動する。この構成によってスパーク放電におけ
る試料面の放電点が試料面を走査することになるｏ４は
分光器、５は測光装置で、分光器のスペクトル面上で検
出定量しようとする元素の輝線位置に受光素子を配置し
てあり、同時に複数の元素に関して測定が可能である。
６は放電発光回路で４００回／秒程度の速さでスパーク
放電を行わせる。試料走査制御装置３による試料１の送
り速度はｌ ｍ ｍ ／秒程度である。測光装置は各輝
線毎に測光を行い、積分回路で毎回のスパーク発光にお
ける測光出力を積分する。積分回路は例えばスパーク発
光１０回毎にクリヤされる。従って測光装置５からは例
えばスパーク発光１０回における平均の輝線強度が出力
される。７は中央制御装置で、放電発光回路６から信号
を送って試料面上に所定の走査軌跡を画かせる。更に中
央制御装置ツは測光装置５の出力をＡ−Ｄ変換して同制
御装置内のＲＡＭに記憶させる。
放電を行わせる。試料走査制御装置３による試料１の送
り速度はｌ ｍ ｍ ／秒程度である。測光装置は各輝
線毎に測光を行い、積分回路で毎回のスパーク発光にお
ける測光出力を積分する。積分回路は例えばスパーク発
光１０回毎にクリヤされる。従って測光装置５からは例
えばスパーク発光１０回における平均の輝線強度が出力
される。７は中央制御装置で、放電発光回路６から信号
を送って試料面上に所定の走査軌跡を画かせる。更に中
央制御装置ツは測光装置５の出力をＡ−Ｄ変換して同制
御装置内のＲＡＭに記憶させる。
ＲＡＭのアドレスはスパーク発光１０回を一単位として
数えた発光回数によって指定され、このアドレスと試料
面上の位置との関係はプログラムによって与えられる。
数えた発光回数によって指定され、このアドレスと試料
面上の位置との関係はプログラムによって与えられる。
８はＣＲＴを備えたシステム。
コンソール、９はグラフィックプリンタ、１０はＸ−Ｙ
プロッタである。中央制御装置は試料面走査期間中上述
した所によってＲＡＭに測光データを記憶させて行き、
走査が終了するとＲＡＭ内のデータに基き各元素の含有
チを算出する。この演算は内部標準元素の輝線強度と目
的元素の輝線強度の比と検量線のデータとによって行う
通常の方法に従えばよい。このようにして得られた各元
素の含有チはプリンタ９によって印字し、或はＲＡＭの
アドレスと試料面上の位置との対応関係が走査プログラ
ムから決って来るからＸ−Ｙプロッター１０によって目
的元素の濃度分布の等高純として記録表示させることも
できる。或は濃度を輝度に変換してＣＲＴによって表示
させることもできる。
プロッタである。中央制御装置は試料面走査期間中上述
した所によってＲＡＭに測光データを記憶させて行き、
走査が終了するとＲＡＭ内のデータに基き各元素の含有
チを算出する。この演算は内部標準元素の輝線強度と目
的元素の輝線強度の比と検量線のデータとによって行う
通常の方法に従えばよい。このようにして得られた各元
素の含有チはプリンタ９によって印字し、或はＲＡＭの
アドレスと試料面上の位置との対応関係が走査プログラ
ムから決って来るからＸ−Ｙプロッター１０によって目
的元素の濃度分布の等高純として記録表示させることも
できる。或は濃度を輝度に変換してＣＲＴによって表示
させることもできる。
第２図は試料面の走査軌跡の例を示し、分析目ト
的によって同図ａのような円周軌跡或は！のようなジグ
ザグ経路による試料面全面の走査等任意の走査軌跡が可
能である。
ザグ経路による試料面全面の走査等任意の走査軌跡が可
能である。
本発明装置は上述したような構成で、スパーク発光分光
分析法が有する測定位置局限性を利用して試料面を走査
するので、マクロの分布測定が可、能となり、試料にお
ける介在物解析、偏析状態の解析等に威力を発揮するも
のであり、またわづかずつずらせた多数点の測定データ
を扱い得るので、いわゆるサンプリング誤差の少い高確
度の分析が可能となる。
分析法が有する測定位置局限性を利用して試料面を走査
するので、マクロの分布測定が可、能となり、試料にお
ける介在物解析、偏析状態の解析等に威力を発揮するも
のであり、またわづかずつずらせた多数点の測定データ
を扱い得るので、いわゆるサンプリング誤差の少い高確
度の分析が可能となる。
なお毎回のスパーク発光による測光値の平均化の方法と
して上述実施例では１０点毎に算述平均をとっているが
、これに限られるものではなく、色々な平均化のプログ
ラムが適用可能であることは云うまでもない。
して上述実施例では１０点毎に算述平均をとっているが
、これに限られるものではなく、色々な平均化のプログ
ラムが適用可能であることは云うまでもない。
第１図は本発明の一実施例装置の構成を示すブロック図
、第２図は試料面の走査軌跡を例示する平面図である。 １・・・試料、２・・・発光スタンド、３・・・試料走
査制御装置、４・・・分光器、５・・・測光装置、６・
・・放電発光回路、７・・・中央制御装置、８・・・シ
ステムコンソール、９・・・グラフィックプリンタ、１
０・・・Ｘ−Ｙプロッタ。 代理人 弁理士 縣 浩 介
、第２図は試料面の走査軌跡を例示する平面図である。 １・・・試料、２・・・発光スタンド、３・・・試料走
査制御装置、４・・・分光器、５・・・測光装置、６・
・・放電発光回路、７・・・中央制御装置、８・・・シ
ステムコンソール、９・・・グラフィックプリンタ、１
０・・・Ｘ−Ｙプロッタ。 代理人 弁理士 縣 浩 介
Claims (1)
- 試料面に沿って試料と放電電極との間に相対的移動を行
わせる走査装置と、試料面における放電電極の位置のデ
ータと、その位置における発光分光分析のデータとを記
憶するメモリと、この記憶に基き、空間的な分析データ
として表示する手段とよりなる発光分光分析による濃度
分布解析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15447781A JPS5855736A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 発光分光分析による濃度分布解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15447781A JPS5855736A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 発光分光分析による濃度分布解析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5855736A true JPS5855736A (ja) | 1983-04-02 |
| JPS642214B2 JPS642214B2 (ja) | 1989-01-17 |
Family
ID=15585102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15447781A Granted JPS5855736A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 発光分光分析による濃度分布解析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855736A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62162947A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Nippon Steel Corp | 鋼材の表面疵要因判定法 |
| JPH04309848A (ja) * | 1991-04-08 | 1992-11-02 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 発光分光分析方法及び発光分光分析装置 |
| EP1355145A1 (en) * | 2002-04-19 | 2003-10-22 | Central Iron & Steel Research Institute | A method for analysing metals in the fundamental state utilizing the statistical distribution of elements |
| EP1351049A3 (en) * | 2002-04-01 | 2004-02-25 | Central Iron & Steel Research Institute | Analyzer for metal |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57122351A (en) * | 1981-01-21 | 1982-07-30 | Nippon Steel Corp | Method of spectrochemical analysis wherein continuous light emission is utilized |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP15447781A patent/JPS5855736A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57122351A (en) * | 1981-01-21 | 1982-07-30 | Nippon Steel Corp | Method of spectrochemical analysis wherein continuous light emission is utilized |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62162947A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Nippon Steel Corp | 鋼材の表面疵要因判定法 |
| JPH04309848A (ja) * | 1991-04-08 | 1992-11-02 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 発光分光分析方法及び発光分光分析装置 |
| EP1351049A3 (en) * | 2002-04-01 | 2004-02-25 | Central Iron & Steel Research Institute | Analyzer for metal |
| EP1355145A1 (en) * | 2002-04-19 | 2003-10-22 | Central Iron & Steel Research Institute | A method for analysing metals in the fundamental state utilizing the statistical distribution of elements |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS642214B2 (ja) | 1989-01-17 |
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