JPS5857740A - チツプキヤリア - Google Patents
チツプキヤリアInfo
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- JPS5857740A JPS5857740A JP56156496A JP15649681A JPS5857740A JP S5857740 A JPS5857740 A JP S5857740A JP 56156496 A JP56156496 A JP 56156496A JP 15649681 A JP15649681 A JP 15649681A JP S5857740 A JPS5857740 A JP S5857740A
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- JP
- Japan
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- circuit board
- chip
- heat sink
- chip carrier
- lsi
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- Pending
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W40/10—Arrangements for heating
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
- H—ELECTRICITY
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- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/737—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a laterally-adjacent lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＬＳＩチップを搭載するチップキャリアの構造
に関する。
に関する。
従来、この種のチップキャリアは第１図に示すような構
造であった。すなわち、アルンナセラオ、り等からなる
回路基板１１にＬＳＩチップ１２が固着されておシ、ヒ
ートシンク１３が回路基板１１の背面に固着されている
。ＬＳＩチ、プ１２からのリード端子１４は、回路基板
１１に形成されている接続用パッド１５と接続されてい
る。ＬＳＩテップ１２と回路基板１１との固着およびヒ
ートシンク１３と回路基板１１との固着には早出や接着
剤等が用いられている。
造であった。すなわち、アルンナセラオ、り等からなる
回路基板１１にＬＳＩチップ１２が固着されておシ、ヒ
ートシンク１３が回路基板１１の背面に固着されている
。ＬＳＩチ、プ１２からのリード端子１４は、回路基板
１１に形成されている接続用パッド１５と接続されてい
る。ＬＳＩテップ１２と回路基板１１との固着およびヒ
ートシンク１３と回路基板１１との固着には早出や接着
剤等が用いられている。
このような構造ＫｊＩＰいては、Ｌｆ９Ｉチップから発
生する熱は回路基板１１を伝導し、ヒートタンク１３に
伝わり、そこから空気中に放散される。
生する熱は回路基板１１を伝導し、ヒートタンク１３に
伝わり、そこから空気中に放散される。
ＬＳＩチップから発生する熱量が少ない場合は。
この熱放散で十分であるが、熱量が多くなると上述の熱
放散経路では熱抵抗が大きく、ＬＳＩチ。
放散経路では熱抵抗が大きく、ＬＳＩチ。
プの温度をある一定の値以下（通常８５〜１００℃以下
）に保つことが困難になる。ＬＳＩチップの温度が上が
ることは、信頼性上好ましくないことはもちろんである
。熱抵抗上特に問題になるのは回路基板１１である。通
常この材質は９２％アルミナセ？（ツク基板であり、約
０．０４ ｃａｌ／ｓｅｃ・ｃｍ・℃の熱伝導度で、ア
ルミニウムの０．５ｃａｌ／８ｅＣ＠Ｃ１艷’Ｃや銅の
０．９ ｃａ ｌ／ ｓｅｃ＠ｃｍ ＠ ℃に比べて１
桁以上低い値である。したがってこのように回路基板を
介して放熱させる構造では、熱抵抗が大きく、発熱量の
多いＬＳＩチップを搭載することは困難であった。一般
にコンビ、−夕等ＬＳＩチ、プを高密度に実装する必要
のある場合、チップキャリアとしては外部接続端子がリ
ードレスタイプのものが使用される。これはリードのあ
るチップキャリアに比べ、プリント板上に占めるチップ
キャリアの直積を小さくすることができ、それだけ高密
度にチップキャリアを実装することが可能になるからで
ある。またチップキャリアをプリント板上にアセンブリ
する作業性から４、高密度になるとリードレスタイプキ
ャリアの方が優れている。高密度実装の場合は、単位面
積もしくは単位体積あたりの発熱量が多くなるため、チ
ップキャリアとしてもよシ低熱抵抗化が求められる。た
とえ面積的に実装が可能であっても、熱的に実装数が制
限され、実質上高密度実装が不可能になってしまうから
である。このように特に高密度実装を目的とするリード
レスタイブチ、ブキャリアについて、低熱抵抗化が求め
られていた。
）に保つことが困難になる。ＬＳＩチップの温度が上が
ることは、信頼性上好ましくないことはもちろんである
。熱抵抗上特に問題になるのは回路基板１１である。通
常この材質は９２％アルミナセ？（ツク基板であり、約
０．０４ ｃａｌ／ｓｅｃ・ｃｍ・℃の熱伝導度で、ア
ルミニウムの０．５ｃａｌ／８ｅＣ＠Ｃ１艷’Ｃや銅の
０．９ ｃａ ｌ／ ｓｅｃ＠ｃｍ ＠ ℃に比べて１
桁以上低い値である。したがってこのように回路基板を
介して放熱させる構造では、熱抵抗が大きく、発熱量の
多いＬＳＩチップを搭載することは困難であった。一般
にコンビ、−夕等ＬＳＩチ、プを高密度に実装する必要
のある場合、チップキャリアとしては外部接続端子がリ
ードレスタイプのものが使用される。これはリードのあ
るチップキャリアに比べ、プリント板上に占めるチップ
キャリアの直積を小さくすることができ、それだけ高密
度にチップキャリアを実装することが可能になるからで
ある。またチップキャリアをプリント板上にアセンブリ
する作業性から４、高密度になるとリードレスタイプキ
ャリアの方が優れている。高密度実装の場合は、単位面
積もしくは単位体積あたりの発熱量が多くなるため、チ
ップキャリアとしてもよシ低熱抵抗化が求められる。た
とえ面積的に実装が可能であっても、熱的に実装数が制
限され、実質上高密度実装が不可能になってしまうから
である。このように特に高密度実装を目的とするリード
レスタイブチ、ブキャリアについて、低熱抵抗化が求め
られていた。
本発明の目的は、ＬＳＩチップを回路基板にではなく、
熱伝導性の良いヒートシンクに直接固着することにより
上記欠点を解決し、発熱量の多いＬＳＩチ、プをも搭載
できるチップキャリアを提供することＫある。また本発
明の目的は、リードレスタイプの外部接続用端子を有す
るチップキャリア構造とし、プリント基板等に高密度実
装が可能なチップキャリアを提供することにある。
熱伝導性の良いヒートシンクに直接固着することにより
上記欠点を解決し、発熱量の多いＬＳＩチ、プをも搭載
できるチップキャリアを提供することＫある。また本発
明の目的は、リードレスタイプの外部接続用端子を有す
るチップキャリア構造とし、プリント基板等に高密度実
装が可能なチップキャリアを提供することにある。
本発明の構成について述べると、本発明は、ＬＳＩチッ
プと、これに電気的接続される回路基板と、この回路基
板の放熱を吸収発散するため尚該回路基板に密着固定さ
れるヒートシンクとよりなるＬＳＩのチップキャリアに
おいて、と−トシンクの中央突出部が回路基板の中央穴
部内にある一定の高さまで突き出ており、この突き出た
ヒートシンクの表面にＬＳＩチ、プが密着固定され、ヒ
ートシンクの表面外周部に回路基板が密着固定されてい
るＬ８Ｉチ、プのチップキャリアである。
プと、これに電気的接続される回路基板と、この回路基
板の放熱を吸収発散するため尚該回路基板に密着固定さ
れるヒートシンクとよりなるＬＳＩのチップキャリアに
おいて、と−トシンクの中央突出部が回路基板の中央穴
部内にある一定の高さまで突き出ており、この突き出た
ヒートシンクの表面にＬＳＩチ、プが密着固定され、ヒ
ートシンクの表面外周部に回路基板が密着固定されてい
るＬ８Ｉチ、プのチップキャリアである。
次いでさらに、上記構成に加えて、回路基板の表面周辺
端部にリードレスタイプの外部接続用端子が形成されて
いることを副次的構成要件としている。
端部にリードレスタイプの外部接続用端子が形成されて
いることを副次的構成要件としている。
以下本発明を実施例によシ図面を参照して説明する。
第２図は本発明の一実施例の断面図であり、ＬＳＩチッ
プ２２はヒートン／り２３の中央突出部表面に固着され
ており、このヒートシンク２３は回路基板２１の中央穴
部内にある一定の高さまで突き出ている。Ｌ８Ｉチツ、
プのリード端子２４は、回路基板２１に形成されている
接続用ノクツド２５に接続されている。接続用パッド２
５と外部接続用端子２６とは、内部配置１２γによりて
結ばれている。ＬＳＩチップ２２とヒートシンク２３の
固着には半田が用いられている。
プ２２はヒートン／り２３の中央突出部表面に固着され
ており、このヒートシンク２３は回路基板２１の中央穴
部内にある一定の高さまで突き出ている。Ｌ８Ｉチツ、
プのリード端子２４は、回路基板２１に形成されている
接続用ノクツド２５に接続されている。接続用パッド２
５と外部接続用端子２６とは、内部配置１２γによりて
結ばれている。ＬＳＩチップ２２とヒートシンク２３の
固着には半田が用いられている。
このような構造をとることにより、ＬＳＩチップから発
生する熱は、半田を介して直接ヒートシンク２３に伝わ
り、そこから空気中に放散される。
生する熱は、半田を介して直接ヒートシンク２３に伝わ
り、そこから空気中に放散される。
ヒートシンク２３には鋼を用いており、この熱伝導度は
、Ｑ、 ９ ｃａｌ／ｓｅｃ ＊ ｃｍ ＊ Ｃと非常
に良い特性である０本構造と従来技術の構造とで熱抵抗
がどの程度違っているかを調べるために簡単な計算をし
てみよう。ＬＳＩチップの大きさを４ｍｍ平／８ｅＣ”
Ｃｍ・℃の熱伝導度であるから、アルミナ厚をｌ ｍｍ
とすると、アルンナセ−ｙｚ’−２り基板の熱抵抗Ｒａ
は となる。ヒートタンクの材質は銅とし、実効的な厚さを
１ ｃｍとすると、ヒート７ンクの熱抵抗Ｒｈは となる、固着に用いた半田等の熱抵抗はこれらの値と比
べると小さいので無視すると、Ｌ８Ｉチップ裏面からヒ
ートシンク表面（空気に接しているところ）までの熱抵
抗は 従来技術では Ｒｇ！Ｒａ＋几ｈ ｍ ２２．６ ｓｅｃ ｍ ’Ｃ／
ｃａ１本発明では Ｒ’ 、Ｒｈ ｘ ７ ｓｅｃ ｍ ℃／ｃａｌでｌ、
１／３以下になっている。
、Ｑ、 ９ ｃａｌ／ｓｅｃ ＊ ｃｍ ＊ Ｃと非常
に良い特性である０本構造と従来技術の構造とで熱抵抗
がどの程度違っているかを調べるために簡単な計算をし
てみよう。ＬＳＩチップの大きさを４ｍｍ平／８ｅＣ”
Ｃｍ・℃の熱伝導度であるから、アルミナ厚をｌ ｍｍ
とすると、アルンナセ−ｙｚ’−２り基板の熱抵抗Ｒａ
は となる。ヒートタンクの材質は銅とし、実効的な厚さを
１ ｃｍとすると、ヒート７ンクの熱抵抗Ｒｈは となる、固着に用いた半田等の熱抵抗はこれらの値と比
べると小さいので無視すると、Ｌ８Ｉチップ裏面からヒ
ートシンク表面（空気に接しているところ）までの熱抵
抗は 従来技術では Ｒｇ！Ｒａ＋几ｈ ｍ ２２．６ ｓｅｃ ｍ ’Ｃ／
ｃａ１本発明では Ｒ’ 、Ｒｈ ｘ ７ ｓｅｃ ｍ ℃／ｃａｌでｌ、
１／３以下になっている。
Ｌ８Ｉチップ裏面からヒートシンク表面までの温度差が
最大１０ｑｃ’ｔで許されるとすると、搭載可能なＬＳ
Ｉチップの電力は 従来技術で ΔＴ １０ Ｐ Ｗ−Ｗ −Ｗ Ｏ，４４ｃａｌ／５ｅｃ−１，９ｗ
几 ２２．６ 本発明で となり、３倍以上の改善となる。
最大１０ｑｃ’ｔで許されるとすると、搭載可能なＬＳ
Ｉチップの電力は 従来技術で ΔＴ １０ Ｐ Ｗ−Ｗ −Ｗ Ｏ，４４ｃａｌ／５ｅｃ−１，９ｗ
几 ２２．６ 本発明で となり、３倍以上の改善となる。
本実施例ではヒートシンクとして銅を用いたが、これに
限らず他の金属でも熱伝導度が良ければ十分使用できる
。例えば銅のかわシにアル１＝ウムを用いても、熱抵抗
は従来技術の銅製のヒートシンクに比べて半分程度とな
る。
限らず他の金属でも熱伝導度が良ければ十分使用できる
。例えば銅のかわシにアル１＝ウムを用いても、熱抵抗
は従来技術の銅製のヒートシンクに比べて半分程度とな
る。
また本実施例のチップキャリアはリードレスタイプのも
のであり、リードタイプのチップキャリアに比べてプリ
ント板上にしめる面積を少なくできる。外部接続用端子
数を８０とし、端子間間隔を０．４ ｍｍとすると、１
辺あたり端子数は２０であるから％１辺の長さはｓ ２
０ Ｘ ０．４ ＝ ９ ｍｍとなる。したがりてチッ
プキャリアの大きさは、８ｍｍＸｇｍｍ＝６４ｍｍ
となる。これに対してリードタイプのチップキャリアを
用いると、リード長として３ｍｍ必要とすれば、１辺の
長さは、８＋３＋３＝１４ｍｍ、 したがうてチップ
キャリアのサイズは１４Ｘ１４＝１９６ｍｍとなシ、リ
ードレスタイプに比べ３倍になる。つまり同一のプリン
ト板にリードレスタイプのチップキャリアを使用すると
きは、リードタイプのチップキャリアを使用するときに
比べて３倍多く実装できるわけである。
のであり、リードタイプのチップキャリアに比べてプリ
ント板上にしめる面積を少なくできる。外部接続用端子
数を８０とし、端子間間隔を０．４ ｍｍとすると、１
辺あたり端子数は２０であるから％１辺の長さはｓ ２
０ Ｘ ０．４ ＝ ９ ｍｍとなる。したがりてチッ
プキャリアの大きさは、８ｍｍＸｇｍｍ＝６４ｍｍ
となる。これに対してリードタイプのチップキャリアを
用いると、リード長として３ｍｍ必要とすれば、１辺の
長さは、８＋３＋３＝１４ｍｍ、 したがうてチップ
キャリアのサイズは１４Ｘ１４＝１９６ｍｍとなシ、リ
ードレスタイプに比べ３倍になる。つまり同一のプリン
ト板にリードレスタイプのチップキャリアを使用すると
きは、リードタイプのチップキャリアを使用するときに
比べて３倍多く実装できるわけである。
このように本発明のチップキャリアを用いることによつ
て、ＬＳＩチップから発生する熱の放散性を良くシ、ま
たリードレスタイプであることによ〕チップキャリアの
サイズを小さくシ、この両者の効果によって、ＬＳＩチ
ップの高密度実装を可能にしている。
て、ＬＳＩチップから発生する熱の放散性を良くシ、ま
たリードレスタイプであることによ〕チップキャリアの
サイズを小さくシ、この両者の効果によって、ＬＳＩチ
ップの高密度実装を可能にしている。
以上に説明したように、本発明によれば、ＬＳＩチップ
を直接ヒートシンクに固着する構造をとることにより、
熱抵抗を大幅に小さくするとともに１ リードレスタイ
プの構造をとるととくよりチ、プキャリアの面積を小さ
くシ、この両者をあわせて、ＬＳＩチ、プの高密度実装
を可能にするという効果がある。
を直接ヒートシンクに固着する構造をとることにより、
熱抵抗を大幅に小さくするとともに１ リードレスタイ
プの構造をとるととくよりチ、プキャリアの面積を小さ
くシ、この両者をあわせて、ＬＳＩチ、プの高密度実装
を可能にするという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術の一実施例を示す断面図であり、第２
図は本発明の一実施例を示す断面図である。 なお図面に使用した符号はそれぞれ以下のものを示す。 １１．２１・・・・・・回路基板、１２．２２・・・・
・・ＬＳＩチ、プ、１３．２３・・・・・・ヒートシン
ク、１４゜２４・・・・・・リード端子、１５．２５°
°°°°°接続用パツド、１６．２６・・・・・・外部
接続用端子、１７．２７・・・・・・内部配線◎ 計土、土
図は本発明の一実施例を示す断面図である。 なお図面に使用した符号はそれぞれ以下のものを示す。 １１．２１・・・・・・回路基板、１２．２２・・・・
・・ＬＳＩチ、プ、１３．２３・・・・・・ヒートシン
ク、１４゜２４・・・・・・リード端子、１５．２５°
°°°°°接続用パツド、１６．２６・・・・・・外部
接続用端子、１７．２７・・・・・・内部配線◎ 計土、土
Claims (2)
- （１）Ｌ８Ｉチップと、これに電気的接続される回路基
板と、この回路基板の放熱を吸収発散するため当該回路
基板に密着固定されるヒートン／りとよりなるＬ８Ｉの
チップ＋ヤリアにおいて、ヒートシンクの中央突出部が
回路基板の中央穴部内にある一定の高さまで突き出てお
シ、この突き出たヒートシンクの表面にＬＳＩチ、プが
密着固定され、ヒートシンクの表面周辺部に回路基板が
密着固定されていることを特徴とするＬ８Ｉチップのチ
ップキャリア。 - （２）回路基板の表面周辺端部にリードレスタイプの外
部接続用端子が形成されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のチップキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56156496A JPS5857740A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | チツプキヤリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56156496A JPS5857740A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | チツプキヤリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857740A true JPS5857740A (ja) | 1983-04-06 |
Family
ID=15629019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56156496A Pending JPS5857740A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | チツプキヤリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857740A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59198739A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Nec Corp | チツプキヤリア |
| EP1930942A4 (en) * | 2005-09-08 | 2011-03-09 | Neobulb Technologies Inc | HEAT EXHAUST MODULE CONSTRUCTION FOR A HEATING COMPONENT |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56156496A patent/JPS5857740A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59198739A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Nec Corp | チツプキヤリア |
| EP1930942A4 (en) * | 2005-09-08 | 2011-03-09 | Neobulb Technologies Inc | HEAT EXHAUST MODULE CONSTRUCTION FOR A HEATING COMPONENT |
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