JPS5860747A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS5860747A JPS5860747A JP15863481A JP15863481A JPS5860747A JP S5860747 A JPS5860747 A JP S5860747A JP 15863481 A JP15863481 A JP 15863481A JP 15863481 A JP15863481 A JP 15863481A JP S5860747 A JPS5860747 A JP S5860747A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- amorphous silicon
- glow discharge
- oxygen
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高感度で製作上簡便な電子写真感光体に関す
るものである。
るものである。
従来のアモルファス・シリコン（以下ａ−８１と記す）
を用いた電子写真感光体の構造を第１図に示す。第１図
において、１は基板であシ、通常は金属あるいはガラス
板上に透明電極を形成したものが用いられる。２は前記
基板ｌ上に形成されたａ−８ｔからなる感光層である。
を用いた電子写真感光体の構造を第１図に示す。第１図
において、１は基板であシ、通常は金属あるいはガラス
板上に透明電極を形成したものが用いられる。２は前記
基板ｌ上に形成されたａ−８ｔからなる感光層である。
ａ−８１はシラン・ガス（ＳｉＨｔ）のグロー放電分解
あるいは結晶シリコンのスパッタリングにより形成され
るが、ノンドープのものでは、室温での暗抵抗率は１０
１２Ωα以下と小さい。従って、ノンドーグのものを電
子写真感光体の感光層として使用すると、暗減衰が早す
ぎるために実用にならない。
あるいは結晶シリコンのスパッタリングにより形成され
るが、ノンドープのものでは、室温での暗抵抗率は１０
１２Ωα以下と小さい。従って、ノンドーグのものを電
子写真感光体の感光層として使用すると、暗減衰が早す
ぎるために実用にならない。
そこで、第１図の構造を実用に供するために、ａ−８ｉ
膜の抵抗率を上げる試みがなされている。
膜の抵抗率を上げる試みがなされている。
九とえば、迅ペースの５ｉｎ４（１０チ）に流量比でＢ
ｓＨａ／ＳｉＨ４〜ｌＯのジゲラン（ＢｉＨａ）を加え
、さらに微量の０２を導入したガスのグロー放電分解に
よりａ−８ｌ膜を形成することが行われており（画像電
子学会予稿８０−０４−２．１９８０年、中野等）、こ
の方法によれば室温での暗抵抗率が１０”Ωσのａ−８
１膜を形成することが出来る。そして、とのａ−８１膜
により第１図の構造の電子写真感光体を試作し、良好な
特性が得られている。しかし、この方法で高抵抗率のａ
−８ｉを形成する場合、シボ２ン及び酸素の微量の導入
を制御しなければならず、特に酸素の微量の制御は困難
である。
ｓＨａ／ＳｉＨ４〜ｌＯのジゲラン（ＢｉＨａ）を加え
、さらに微量の０２を導入したガスのグロー放電分解に
よりａ−８ｌ膜を形成することが行われており（画像電
子学会予稿８０−０４−２．１９８０年、中野等）、こ
の方法によれば室温での暗抵抗率が１０”Ωσのａ−８
１膜を形成することが出来る。そして、とのａ−８１膜
により第１図の構造の電子写真感光体を試作し、良好な
特性が得られている。しかし、この方法で高抵抗率のａ
−８ｉを形成する場合、シボ２ン及び酸素の微量の導入
を制御しなければならず、特に酸素の微量の制御は困難
である。
このように、上記の方法によれば、実用に供することの
可能な電子写真感光体を製作することはできるが、その
製造方法は複雑で、再現性よく感光層を形成することが
困難であるという欠点をもつＯ 第２図は、暗抵抗率の小さなａ−８ｉｔ−感光層として
使用するために提案された従来の電子写真感光体の構造
である。ここで３は基板であシ１通常金属又はガラス板
上に透明電極を形成したものを用いる。４は前記基板３
上に形成されたｎ型あるいはｐ型のａ−８ｉからなる電
荷注入阻止層であシ。
可能な電子写真感光体を製作することはできるが、その
製造方法は複雑で、再現性よく感光層を形成することが
困難であるという欠点をもつＯ 第２図は、暗抵抗率の小さなａ−８ｉｔ−感光層として
使用するために提案された従来の電子写真感光体の構造
である。ここで３は基板であシ１通常金属又はガラス板
上に透明電極を形成したものを用いる。４は前記基板３
上に形成されたｎ型あるいはｐ型のａ−８ｉからなる電
荷注入阻止層であシ。
５はノンドープ又はボロンを数〜数十ｐｐｍドープした
ａ−８ｉからなる感光層で、前記電荷注入阻止層４上に
形成されている。
ａ−８ｉからなる感光層で、前記電荷注入阻止層４上に
形成されている。
この構造で正帯電で用いる場合は、電荷注入阻止層４は
ｐ型ａ−８ｉを用い、負帯電で用いる場合はｎ型ａ−８
ｉを用いる。
ｐ型ａ−８ｉを用い、負帯電で用いる場合はｎ型ａ−８
ｉを用いる。
そして、正帯電の場合、正コロナによシ感光層５０表面
に正電荷を帯電させるが、このとき基板３側から、これ
を中和するように電子が注入される。いま％電荷注入阻
止層４がなければ、感光〜５は暗抵抗率が小さいため電
子が流れて充分な帯電ができず又、帯電後の暗減衰も早
い。これに対して、電荷注入阻止層４があると、基板３
からの電子の注入は阻止され、充分な清覧能力をもち。
に正電荷を帯電させるが、このとき基板３側から、これ
を中和するように電子が注入される。いま％電荷注入阻
止層４がなければ、感光〜５は暗抵抗率が小さいため電
子が流れて充分な帯電ができず又、帯電後の暗減衰も早
い。これに対して、電荷注入阻止層４があると、基板３
からの電子の注入は阻止され、充分な清覧能力をもち。
暗減衰のおそい感光体が実現される。負帯電でも同様の
良好な動作をする− しかし、電荷注入阻止層４の特性に、ｎ型あるいはｐ型
のａ−８ｉを形成する際の不純物のドーピング量及びａ
−８ｉの膜厚に大きく依存し、したがって、この構造の
感光体を製作する際には、ドーピング量、膜厚を正確に
制御しなければならず、製作工程が煩雑となる。又、シ
ラン・ガス（ＳｉＨ４）等のグロー放電分解によシａ−
８ｉ（を荷注入阻止層４）を製作するのであれば、不純
物のドーピングに（ｄ、ｎ型用としてはホスフィン（Ｐ
Ｈ３） 、 ｐ型用としてはジポラン（Ｂｚｌ′ｇ４）
あるいはアルシン（ＡｓＨ３）などのガスを用いるが、
これらのガスは猛梅であシ、許容濃度は８ｉＨ４よ）１
桁以上低い。
良好な動作をする− しかし、電荷注入阻止層４の特性に、ｎ型あるいはｐ型
のａ−８ｉを形成する際の不純物のドーピング量及びａ
−８ｉの膜厚に大きく依存し、したがって、この構造の
感光体を製作する際には、ドーピング量、膜厚を正確に
制御しなければならず、製作工程が煩雑となる。又、シ
ラン・ガス（ＳｉＨ４）等のグロー放電分解によシａ−
８ｉ（を荷注入阻止層４）を製作するのであれば、不純
物のドーピングに（ｄ、ｎ型用としてはホスフィン（Ｐ
Ｈ３） 、 ｐ型用としてはジポラン（Ｂｚｌ′ｇ４）
あるいはアルシン（ＡｓＨ３）などのガスを用いるが、
これらのガスは猛梅であシ、許容濃度は８ｉＨ４よ）１
桁以上低い。
本発明は、アルミニウム合金基板を酸素グロー放電中で
陽極酸化することにより前記基板上に形成されるアルミ
ナ層を電荷注入阻止層と・して用いることを特徴とし、
その目的は、製法が簡便であり、かつ高感度なアモルフ
ァス・シリコン系電子写真感光体を実現することである
。
陽極酸化することにより前記基板上に形成されるアルミ
ナ層を電荷注入阻止層と・して用いることを特徴とし、
その目的は、製法が簡便であり、かつ高感度なアモルフ
ァス・シリコン系電子写真感光体を実現することである
。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。第３
図は本発明の実施例であって、６はアルミニウム合金か
らなる基板である。この基板６には、その基板６を酸素
グロー放電中で陽極酸化することによシ、電荷注入阻止
層としてのアルミナ（Ａｔ２０３）層７が形成される。
図は本発明の実施例であって、６はアルミニウム合金か
らなる基板である。この基板６には、その基板６を酸素
グロー放電中で陽極酸化することによシ、電荷注入阻止
層としてのアルミナ（Ａｔ２０３）層７が形成される。
そして、アルミナ層７上には、ノンドープのａ−８ｉか
らなる感光層８が形成され、感光層８表面には、ａ−８
ｉにカーボン（Ｃ）を添加して形成された′アモルファ
ス・シリコンカーバイト（ａ−８ｉ１−ｘＣｘ）が表面
保護層９として形成される。
らなる感光層８が形成され、感光層８表面には、ａ−８
ｉにカーボン（Ｃ）を添加して形成された′アモルファ
ス・シリコンカーバイト（ａ−８ｉ１−ｘＣｘ）が表面
保護層９として形成される。
第４図は、このような電子写真感光体を製作するために
用いられるグロー放電装置の一例である。
用いられるグロー放電装置の一例である。
この図において、１０け真空ポンプ、ｌｌけストップ・
パル７”、１２は反応量、１３はカソード電極、１４は
アノード電極、１５は基板、１６は加熱用ヒータ、Ｌ７
にストップ・パルプ、Ｌ８は高周波ｗ源、１９１ｄＤｃ
電源、２０，２１．２２ｆｆガス流量コントロー９．２
３．２４．２５は圧力調整弁、２６はシランガスボンベ
、２７は酸素ガスボンベ、２８はエチレンガスボンベで
ある。
パル７”、１２は反応量、１３はカソード電極、１４は
アノード電極、１５は基板、１６は加熱用ヒータ、Ｌ７
にストップ・パルプ、Ｌ８は高周波ｗ源、１９１ｄＤｃ
電源、２０，２１．２２ｆｆガス流量コントロー９．２
３．２４．２５は圧力調整弁、２６はシランガスボンベ
、２７は酸素ガスボンベ、２８はエチレンガスボンベで
ある。
この装置によシ第３図の構造の電子写真感光体を製作す
る場合について述べる。まず、真空ポンプ１０により反
応室１２内をＩ Ｏ−３〜Ｉ Ｑ−’ｔｏｒｒ に撫
気後、ガス流量コントロー？２１にょシ、あらかじめ実
験にょ多きめられた流量の酸素を導入する。一方、基板
１５は加熱用ヒータ１６にょシ基板温度２００〜４００
’Ｃ，好適には２５０〜３００℃に加熱しておく゛。ガ
ス流及び基板温度が安定しに後、高周波電源１８にょシ
、カソード電極１３とアノード電極１４の間に高周波電
力を印加し。
る場合について述べる。まず、真空ポンプ１０により反
応室１２内をＩ Ｏ−３〜Ｉ Ｑ−’ｔｏｒｒ に撫
気後、ガス流量コントロー？２１にょシ、あらかじめ実
験にょ多きめられた流量の酸素を導入する。一方、基板
１５は加熱用ヒータ１６にょシ基板温度２００〜４００
’Ｃ，好適には２５０〜３００℃に加熱しておく゛。ガ
ス流及び基板温度が安定しに後、高周波電源１８にょシ
、カソード電極１３とアノード電極１４の間に高周波電
力を印加し。
グロー放電を発生させる。すると、グロー放電によシ酸
素は分解されラジカルな酸素原子となシ。
素は分解されラジカルな酸素原子となシ。
Ｍ合金基板１５ｔ−酸化する。この際、ＤＣ電源１９に
よってカソード電極１３とアノード電極１４の間に定電
圧を印加すれば２酸化膜厚は増加する。
よってカソード電極１３とアノード電極１４の間に定電
圧を印加すれば２酸化膜厚は増加する。
この方法により、適当な膜厚（数百〜数千人）のアルミ
ニウム酸化膜（アルミナ層）を形成する。
ニウム酸化膜（アルミナ層）を形成する。
形成されたアルミナ層は均質で、ピンホールも少なく良
質の膜である。
質の膜である。
次に、酸素ガスポンベ２７のパルプを止めて。
一旦１反応室１２内をｌ Ｏ−３〜ｌ Ｑ−’ ｔｏｒ
ｒ好適には１Ｏ−５〜１０−’ ｔｏｒｒまで排気し１
次に、シランガスポンベ２６よシガス流量コントローラ
２０で、一定流量にて５ｊＨ４ガスを導入する。次に、
高周波電源１８によルミ極間に高周波電力を印加し、グ
ロー放電を発生させる。このグロー放電によｊ） ５ｆ
Ｈ４ガスは分解され、基板１５のアルミナ層上にはａ−
８ｉ（感光層）が形成される。このａ−８ｔの膜厚は、
使用目的に応じて数μｍ〜数十μｍとする。
ｒ好適には１Ｏ−５〜１０−’ ｔｏｒｒまで排気し１
次に、シランガスポンベ２６よシガス流量コントローラ
２０で、一定流量にて５ｊＨ４ガスを導入する。次に、
高周波電源１８によルミ極間に高周波電力を印加し、グ
ロー放電を発生させる。このグロー放電によｊ） ５ｆ
Ｈ４ガスは分解され、基板１５のアルミナ層上にはａ−
８ｉ（感光層）が形成される。このａ−８ｔの膜厚は、
使用目的に応じて数μｍ〜数十μｍとする。
適当な膜厚のａ−８ｉが形成された後、最後に。
エチレンガスをシランガスに対して適当な流量比で反応
室１２内に導入し、高周波電力を印加、グロー放電を発
生させて１表面保護層としてのアモルファス・シリコン
カーバイト（ａ−８ｈ−、（Ｃｘ）を形成する。
室１２内に導入し、高周波電力を印加、グロー放電を発
生させて１表面保護層としてのアモルファス・シリコン
カーバイト（ａ−８ｈ−、（Ｃｘ）を形成する。
以上の手順によシ第３図の電子写真感光体が形成される
。
。
本発明者が、第３図の電子写真感光体を、アルミ六層＝
ｌ ＯＯｏＸ 、 ａ−８ｉ 層〜７μｍ 、 ａ
−８ｉ１−ｚｃｘ（８ｉＬ ／Ｃ！ Ｈ４＝ １ ）
〜ｌ ＯＯＯＡで・上記の手順によシアルミニウム合金
の基板上に形成したところ。
ｌ ＯＯｏＸ 、 ａ−８ｉ 層〜７μｍ 、 ａ
−８ｉ１−ｚｃｘ（８ｉＬ ／Ｃ！ Ｈ４＝ １ ）
〜ｌ ＯＯＯＡで・上記の手順によシアルミニウム合金
の基板上に形成したところ。
正帯電で飽和表面電位〜４００Ｖ、暗減衰半減時間〜２
０秒で、７００ｎｍの光に感光感度ピークをもち、その
光感度が４ ｃｄ／μＪの良好な特性が得られた。
０秒で、７００ｎｍの光に感光感度ピークをもち、その
光感度が４ ｃｄ／μＪの良好な特性が得られた。
次に、第３図の電子写真感光体で用いられているａ−８
＋、−ｘｃＸからなる表面保護層９の効果について述べ
る。ａ−８１１−ＸＣＸは１組成比Ｘが０．４〜０．８
程度の場合、光学的バンドギャップは２．２ ＝−２，
８ｅＶ 、暗抵抗率は１０１９ｈ以上で、硬度もａ−８
ｉに比らぺてさらに大きい。さらに１本発明者の知見に
よれば、ａ−８ｉ７＞らａ −５ｉｘ−）（Ｃｘへの電
子の注入に障害なく行なわれる。従って、正帯電用とし
て５００ ｎｍ程度以上の波長の光で用いる場合２表面
保護層９の厚みは１μｍ程度と厚くとっても問題はなく
１機械的な摩擦に対する保護層として充分な効果が期待
される。
＋、−ｘｃＸからなる表面保護層９の効果について述べ
る。ａ−８１１−ＸＣＸは１組成比Ｘが０．４〜０．８
程度の場合、光学的バンドギャップは２．２ ＝−２，
８ｅＶ 、暗抵抗率は１０１９ｈ以上で、硬度もａ−８
ｉに比らぺてさらに大きい。さらに１本発明者の知見に
よれば、ａ−８ｉ７＞らａ −５ｉｘ−）（Ｃｘへの電
子の注入に障害なく行なわれる。従って、正帯電用とし
て５００ ｎｍ程度以上の波長の光で用いる場合２表面
保護層９の厚みは１μｍ程度と厚くとっても問題はなく
１機械的な摩擦に対する保護層として充分な効果が期待
される。
次に、第３し：の電子写真感光体の製造プロセス（Ｃつ
いて考えてみると、まず、Ｐ山ｅ Ｂ＊ Ｈｓ ｓ Ａ
ｓ鴇等の猛毒なガスを用いる必要がないため、比較的安
全である。さらに、電荷注入阻止層とじて働くアルミナ
層７を形成する場合にも、その膜厚を制御す７） コト
ｌ’を容易である。Ｊ、Ｆ、０’ Ｈａｎｌｏｎの報告
（Ｊ。
いて考えてみると、まず、Ｐ山ｅ Ｂ＊ Ｈｓ ｓ Ａ
ｓ鴇等の猛毒なガスを用いる必要がないため、比較的安
全である。さらに、電荷注入阻止層とじて働くアルミナ
層７を形成する場合にも、その膜厚を制御す７） コト
ｌ’を容易である。Ｊ、Ｆ、０’ Ｈａｎｌｏｎの報告
（Ｊ。
ＥｌｅｃＡｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、 １１８ （１９７０）
２７０）によれば。
２７０）によれば。
定電圧プラズマ陽極酸化によシアルミニウム上に形成さ
れるアルミナ層は、電極間に印加したＤＣ電圧によシ決
夛、一定時間以上では酸化は進行しない。したがって膜
厚ｉｊ、ＤＣｋｆＬ圧できめることができその制御は容
易である。又、感光層８でろるａ−８ｉＵ、ノンドープ
であるため、ドーピングの量の制御あるいけ膜中の酸素
量のコントロールの必要がない。本発明者の実験によれ
ば、ａ−８ｉの暗抵抗率は１０１０９Ｑ 以上であれば
、はとんど帯電特性、暗減衰時間に影響がないので、ａ
−８ｉの形成条件の制約もゆるやかである。
れるアルミナ層は、電極間に印加したＤＣ電圧によシ決
夛、一定時間以上では酸化は進行しない。したがって膜
厚ｉｊ、ＤＣｋｆＬ圧できめることができその制御は容
易である。又、感光層８でろるａ−８ｉＵ、ノンドープ
であるため、ドーピングの量の制御あるいけ膜中の酸素
量のコントロールの必要がない。本発明者の実験によれ
ば、ａ−８ｉの暗抵抗率は１０１０９Ｑ 以上であれば
、はとんど帯電特性、暗減衰時間に影響がないので、ａ
−８ｉの形成条件の制約もゆるやかである。
以上説明したように、実施例では、アルミニウム合金を
プラズマ陽極酸化して形成したアルミナ層７を電荷注入
阻止層とし、ノンドープのａ−８ｉを感光層８とし、
ｉｌｌ −８１ｌ−）（Ｃｘを表面保護層９とした構造
をとっているので、従来の構成に比べて。
プラズマ陽極酸化して形成したアルミナ層７を電荷注入
阻止層とし、ノンドープのａ−８ｉを感光層８とし、
ｉｌｌ −８１ｌ−）（Ｃｘを表面保護層９とした構造
をとっているので、従来の構成に比べて。
ｎ型及びｐ型ａ−８ｉを形成するためのドーパント及び
酸素等の微少量を制御する必要がなく製造が容易である
という利点がある。さらに、アルミナ層７の膜厚の制御
も定電圧を印加する方法によれば容易であ夛、又ａ−８
ｉ感光層８の暗抵抗率に対する制限もｌｏ’ｂ以上であ
ればよいことから非常に緩和される。又、ａ −５ｉ１
−）（Ｃｘを表面に１μｍ程度形成しであるために１機
械的な摩擦等による損傷に対しても非常に強、くなって
いる。更に、ＰＨｓ。
酸素等の微少量を制御する必要がなく製造が容易である
という利点がある。さらに、アルミナ層７の膜厚の制御
も定電圧を印加する方法によれば容易であ夛、又ａ−８
ｉ感光層８の暗抵抗率に対する制限もｌｏ’ｂ以上であ
ればよいことから非常に緩和される。又、ａ −５ｉ１
−）（Ｃｘを表面に１μｍ程度形成しであるために１機
械的な摩擦等による損傷に対しても非常に強、くなって
いる。更に、ＰＨｓ。
Ｂ！ Ｈ６、ＡＳＨ３などの猛−ガスを使用しなくても
よいため、製造の際も安全である。
よいため、製造の際も安全である。
なお、実施例では、ノンドープのａ−８ｉによシ感光層
８全形成したが、ゲルマニウムを添加したａ−８ｉによ
シ感光層を形成することもできる。
８全形成したが、ゲルマニウムを添加したａ−８ｉによ
シ感光層を形成することもできる。
以上から明らかなように、本発明は、電荷注入阻止ハイ
ｊとしてアルミ合金のプラズマ陽極酸化膜（アルミナ層
）を用いた電子写真感光体であシ。
ｊとしてアルミ合金のプラズマ陽極酸化膜（アルミナ層
）を用いた電子写真感光体であシ。
製造上のプロセスが簡便になるとともに、高感度である
という効果を有する。したがって１例えば。
という効果を有する。したがって１例えば。
プリンタ又は複写機の感光体として利用することができ
る。
る。
第１図および第２図は従来の電子写真感光体の構造断面
図、第３図は本発明の電子写真感光体の実施例を示すＷ
ｊ面図、第４図は本発明の実施例の感光体の製作に使用
される製造装置の構成図である。 ６・・・アルミニウム合金基板、７・・・アルミナ層。 ｇ・・−ａ−８ｉからなる感光層、９ ・ａ−８ｉｌ−
）（Ｃｘからなる表面保護層。 第１図 第２図 第３図
図、第３図は本発明の電子写真感光体の実施例を示すＷ
ｊ面図、第４図は本発明の実施例の感光体の製作に使用
される製造装置の構成図である。 ６・・・アルミニウム合金基板、７・・・アルミナ層。 ｇ・・−ａ−８ｉからなる感光層、９ ・ａ−８ｉｌ−
）（Ｃｘからなる表面保護層。 第１図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）アルミニウム合金基板と、この基板を酸素グロー
放電中で陽極酸化することによシ、その基板上に形成さ
れたアルミナ（Ｍｓ Ｏ＠ ）層と、アモルファス・シ
リコン又はアモルファス・シリコンにゲルマニウムを添
加した層からなり、前記アルミナ層上に形成された感光
層とを具備してなる電子写真感光体。 - （２）アモルファス・シリコンにカーゲンを添加シた層
を感光層の表面に積層したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15863481A JPS5860747A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15863481A JPS5860747A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860747A true JPS5860747A (ja) | 1983-04-11 |
Family
ID=15675993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15863481A Pending JPS5860747A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860747A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS608847A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPS60174863A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-09 | Showa Alum Corp | 薄膜形成用アルミニウム基材の表面処理方法 |
| JPS60174864A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-09 | Showa Alum Corp | 薄膜形成用アルミニウム基材の表面処理方法 |
| JPS60221766A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-06 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
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| US5075187A (en) * | 1986-09-04 | 1991-12-24 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor with oxide of Al, Zr or Ta as charge transport layer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1981
- 1981-10-07 JP JP15863481A patent/JPS5860747A/ja active Pending
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