JPS586175A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS586175A JPS586175A JP56104299A JP10429981A JPS586175A JP S586175 A JPS586175 A JP S586175A JP 56104299 A JP56104299 A JP 56104299A JP 10429981 A JP10429981 A JP 10429981A JP S586175 A JPS586175 A JP S586175A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- field effect
- wiring
- gate
- effect transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/611—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET] having multiple independently-addressable gate electrodes influencing the same channel
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電界効果トランジスターの構造に関する。
本発明の目的は、電界トランジスターを微細化していく
場合、問題となる短チャンネル効果を、緩和する亀ので
ある。
場合、問題となる短チャンネル効果を、緩和する亀ので
ある。
従来の電界効果トランジスターをｌ［１図に示す。
１０１はシリコン基板、１０２は選択駿化膜、１０５は
ゲー）＃、１０４けゲート金属、１０５は拡散層、１０
６は層間ゝ絶縁膜、１０７は了にミニラムｔある。この
従来の構造では、ゲート金属のチャンネル長が短かくな
ると、拡散層のはいりこみが無視ｔきなくなり、できる
だけ拡散層を浅くすることが必要であった。特に％Ｉｌ
ｌ電界効果Ｆランシスターでは拡散層を形成する不純物
をリンからヒ素にかえるととＫよって、トランジスター
を形成してきた。
ゲー）＃、１０４けゲート金属、１０５は拡散層、１０
６は層間ゝ絶縁膜、１０７は了にミニラムｔある。この
従来の構造では、ゲート金属のチャンネル長が短かくな
ると、拡散層のはいりこみが無視ｔきなくなり、できる
だけ拡散層を浅くすることが必要であった。特に％Ｉｌ
ｌ電界効果Ｆランシスターでは拡散層を形成する不純物
をリンからヒ素にかえるととＫよって、トランジスター
を形成してきた。
しかし、Ｐ型電界効果トランジスターでは、はう素よ餘
、波数定数が小さく、浅い拡散層を形成できる不純物は
まだなく、相補側電界効果トランジスターを、つくる上
で微細化の一つの大きな障害となっている。
、波数定数が小さく、浅い拡散層を形成できる不純物は
まだなく、相補側電界効果トランジスターを、つくる上
で微細化の一つの大きな障害となっている。
本発明は、上述の問題を解決し、ｙ型、Ｐａｌ電界効果
トランジスターのみならず、相補瀞電界効果トランジス
ターの會細化を容易−にするものである。
トランジスターのみならず、相補瀞電界効果トランジス
ターの會細化を容易−にするものである。
本発明は、従来のように、電界効果トランジスターのソ
ース、ドレインの拡散層とゲート金属を接することを、
なくシ、ソース、ドレイン絋散層とゲート金属の藺を、
蒙２層目の配線金属に任意の電圧を加えるととＫよらて
、反転層を形成させトランジスターを構成するものであ
る。
ース、ドレインの拡散層とゲート金属を接することを、
なくシ、ソース、ドレイン絋散層とゲート金属の藺を、
蒙２層目の配線金属に任意の電圧を加えるととＫよらて
、反転層を形成させトランジスターを構成するものであ
る。
本発明の電界効果トランジスターを１１２図にしめす、
２０１けシリコン基板、２０２は選択酸化膜、２０！Ｉ
はゲート膜、２０４ｔｊｌｌ１層目配線金属、２０５は
第１１％第２層目の配線間の層間絶縁膜、２ｏ６は第２
層目配−金属％２０７は拡散層、２０８は層間絶１１１
１１．ｚｏｖ＃ｉ第５層じ曽金属’ｔ’７Ａ（＝ｗ）ム
チある。
２０１けシリコン基板、２０２は選択酸化膜、２０！Ｉ
はゲート膜、２０４ｔｊｌｌ１層目配線金属、２０５は
第１１％第２層目の配線間の層間絶縁膜、２ｏ６は第２
層目配−金属％２０７は拡散層、２０８は層間絶１１１
１１．ｚｏｖ＃ｉ第５層じ曽金属’ｔ’７Ａ（＝ｗ）ム
チある。
本発明の電界効果トランジスターは、ｔず、シリコン基
板に選択酸化膜を形成した後、ゲート酸化を行ない、ゲ
ート酸化膜を形成した上に請１層１０配線金属として、
リンを含んだポリシリコンを蒸着した螢、熱酸化し、熱
酸化膜をシ威した螢＃２層目の配線金属をつけたあと、
ンーヌ、ドレイン領域をイオン打込入によつて、影威し
、その後、層間絶縁膜と鮪３層目の配曽会騨アルζニウ
ムをＹ威する。
板に選択酸化膜を形成した後、ゲート酸化を行ない、ゲ
ート酸化膜を形成した上に請１層１０配線金属として、
リンを含んだポリシリコンを蒸着した螢、熱酸化し、熱
酸化膜をシ威した螢＃２層目の配線金属をつけたあと、
ンーヌ、ドレイン領域をイオン打込入によつて、影威し
、その後、層間絶縁膜と鮪３層目の配曽会騨アルζニウ
ムをＹ威する。
本発明は、ゲートが拡散層と接していたい軸めに、拡散
層の横方向の虻散のけいり、込λが無視で會る０本発明
の郷価回路を館３図にしめす０本発明のトランジスター
の部分は、！１０１にあたり、ゲートとソース、ドレイ
ン間の反１層は３０２の抵抗に１ｈたる、この抵抗はト
ランジスターのＩ値を少し変化させるが、鎮２層目の配
線会ＪＩＫ印加する電圧を適’４に変化させれば問題な
い。
層の横方向の虻散のけいり、込λが無視で會る０本発明
の郷価回路を館３図にしめす０本発明のトランジスター
の部分は、！１０１にあたり、ゲートとソース、ドレイ
ン間の反１層は３０２の抵抗に１ｈたる、この抵抗はト
ランジスターのＩ値を少し変化させるが、鎮２層目の配
線会ＪＩＫ印加する電圧を適’４に変化させれば問題な
い。
本発明は、上述の様に微細化０ＩＩＯ短チヤンネル効果
を緩和し％Ｉ１１． Ｐａｌ電界効果トランジスターの
みならず、相補膠電界効果トランジスターにも効果があ
る。さらＫはゲート金属をソース。
を緩和し％Ｉ１１． Ｐａｌ電界効果トランジスターの
みならず、相補膠電界効果トランジスターにも効果があ
る。さらＫはゲート金属をソース。
ドレインから両方はなす必要がない場合は、ドレイン側
だけでもよい、嘗た、この榊造は、高耐圧のトランジス
ターにも採用できる。
だけでもよい、嘗た、この榊造は、高耐圧のトランジス
ターにも採用できる。
従来の電界効果トランジスターの断面を１１１図に示す
０本発明の電界効果トランジスターの断面を１１２閣に
示す０本発明の電界効果トランジスターの峙ｍ回路を館
５−に示す。 以 上 出願人 株式会社 −訪精工金 代理人 弁理士 最上 務 第２関 １＃ノ
０本発明の電界効果トランジスターの断面を１１２閣に
示す０本発明の電界効果トランジスターの峙ｍ回路を館
５−に示す。 以 上 出願人 株式会社 −訪精工金 代理人 弁理士 最上 務 第２関 １＃ノ
Claims (2)
- （１） 電界効果トランジスターにおいて、ゲート金
属と、ソース、ドレイン披散層の間の一方あるいけ、両
方にシリコン基板に誘起された反転層がああことを轡徽
とする半導体装置。 - （２）該電界効果トランジスターにおいて、第１層目の
配線をゲートとして用い、第２層目の配線が、ｗＩ第１
層目の配線を絶縁膜を介しておおい、瞭第２層目の配線
の外側の両方に接し、拡散層が存在し、かつ１ＨＩＺ層
目の配ｍｌけ、任意の１位に保たれていることを４１１
１とする特許請求範囲館−項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104299A JPS586175A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104299A JPS586175A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS586175A true JPS586175A (ja) | 1983-01-13 |
Family
ID=14377040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56104299A Pending JPS586175A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586175A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5237193A (en) * | 1988-06-24 | 1993-08-17 | Siliconix Incorporated | Lightly doped drain MOSFET with reduced on-resistance |
| US5905291A (en) * | 1994-07-25 | 1999-05-18 | Seiko Instruments Inc. | MISFET semiconductor integrated circuit device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51129188A (en) * | 1975-05-04 | 1976-11-10 | Nippon Denso Co Ltd | Manufacturing method of field efect type semiconductor element. |
| JPS52141581A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mos type semiconductor device 7 its manufacture |
| JPS5368986A (en) * | 1976-12-01 | 1978-06-19 | Toshiba Corp | Mos type transistor |
-
1981
- 1981-07-02 JP JP56104299A patent/JPS586175A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51129188A (en) * | 1975-05-04 | 1976-11-10 | Nippon Denso Co Ltd | Manufacturing method of field efect type semiconductor element. |
| JPS52141581A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mos type semiconductor device 7 its manufacture |
| JPS5368986A (en) * | 1976-12-01 | 1978-06-19 | Toshiba Corp | Mos type transistor |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5237193A (en) * | 1988-06-24 | 1993-08-17 | Siliconix Incorporated | Lightly doped drain MOSFET with reduced on-resistance |
| US5306656A (en) * | 1988-06-24 | 1994-04-26 | Siliconix Incorporated | Method for reducing on resistance and improving current characteristics of a MOSFET |
| US5905291A (en) * | 1994-07-25 | 1999-05-18 | Seiko Instruments Inc. | MISFET semiconductor integrated circuit device |
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