JPS5867055A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS5867055A JPS5867055A JP56166757A JP16675781A JPS5867055A JP S5867055 A JPS5867055 A JP S5867055A JP 56166757 A JP56166757 A JP 56166757A JP 16675781 A JP16675781 A JP 16675781A JP S5867055 A JPS5867055 A JP S5867055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- external
- section
- semiconductor device
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、たとえはＬ）ＩＰ （デュアル・イン−ラ
イン）形パンクージの半導体装置を製造する場合に用い
られる半導体装置用リードフレーム（＝関する。
イン）形パンクージの半導体装置を製造する場合に用い
られる半導体装置用リードフレーム（＝関する。
第１図は、１ＪＩＰ形パンケージの半導体装置を製造す
る場合に用いられる、従来のリードフレームの構成を示
す正面図である。このリードフレームは鉄または銅製で
、厚みが０．４〜０．５ｕの細長い平坦な金ｈ４板を打
抜き加工して形成す６ようにしたものである。図におい
℃、１は縦枠％２は横枠であり、縦枠１と横枠２とで囲
まれた部分（二手導体装置１個分のリードフレームが形
成されるようシニなっている・そしてこの１個分のリー
ドフレームは、はぼ中央部（＝設けられその表面上（二
手導体ＩＣベレットがマウントされるペレットマウン）
ｓｓ、このベレントマクントｓ１を上記縦枠１と連結し
てペレットマクント部３を保持するための連結ｓ４．各
一方先端部が上記ペレットマクントｓ３を囲むよう（：
配置形成されかつその半数毎の他方先端部が一定間隔を
保って上記一対の各横枠方向に配列形成される合計１６
本の内部リード５．５・・・、これら各内部リード５．
５・・・それぞれの他方先端部から連続的に延長形成さ
れその先端部が上記一対の各横枠２と結合された外部リ
ード６゜６・・・、土泥谷内、外部リード５．６の位置
を固定するため６；これらのリード相互間を連結すると
共（：上記縦枠ＩＣ：連結するダム部１から構成されて
いる。なお、上記内部リード５．６・・・と外＆ ＩＪ
−ドロ、６・・・は、便宜上、図中一点頽一を付して示
す樹Ｂホモールド予定領域の内部Ｃ：位置するものを内
部リード、外部Ｃ：位置するものを外部リードとして区
別してい、る。また第１図（二おい℃縦枠１の連結部４
形成位置付近（＝開孔された円形の透孔８．４個所に開
孔された方形の透孔９および円形の透孔１０に、自動装
造工程においてこのリードフレームをピッチ送りする、
前記ベレントマクント部３上に半導体ＩＣペレットをマ
クントする、前記ダムｓ７を切幼、除去して谷内、外飾
り一ド５．６ｆｔ分離する、等の各工程の際（二、固屍
用のがイドビンが押入あるいは送り用の爪が挿入される
ものである。
る場合に用いられる、従来のリードフレームの構成を示
す正面図である。このリードフレームは鉄または銅製で
、厚みが０．４〜０．５ｕの細長い平坦な金ｈ４板を打
抜き加工して形成す６ようにしたものである。図におい
℃、１は縦枠％２は横枠であり、縦枠１と横枠２とで囲
まれた部分（二手導体装置１個分のリードフレームが形
成されるようシニなっている・そしてこの１個分のリー
ドフレームは、はぼ中央部（＝設けられその表面上（二
手導体ＩＣベレットがマウントされるペレットマウン）
ｓｓ、このベレントマクントｓ１を上記縦枠１と連結し
てペレットマクント部３を保持するための連結ｓ４．各
一方先端部が上記ペレットマクントｓ３を囲むよう（：
配置形成されかつその半数毎の他方先端部が一定間隔を
保って上記一対の各横枠方向に配列形成される合計１６
本の内部リード５．５・・・、これら各内部リード５．
５・・・それぞれの他方先端部から連続的に延長形成さ
れその先端部が上記一対の各横枠２と結合された外部リ
ード６゜６・・・、土泥谷内、外部リード５．６の位置
を固定するため６；これらのリード相互間を連結すると
共（：上記縦枠ＩＣ：連結するダム部１から構成されて
いる。なお、上記内部リード５．６・・・と外＆ ＩＪ
−ドロ、６・・・は、便宜上、図中一点頽一を付して示
す樹Ｂホモールド予定領域の内部Ｃ：位置するものを内
部リード、外部Ｃ：位置するものを外部リードとして区
別してい、る。また第１図（二おい℃縦枠１の連結部４
形成位置付近（＝開孔された円形の透孔８．４個所に開
孔された方形の透孔９および円形の透孔１０に、自動装
造工程においてこのリードフレームをピッチ送りする、
前記ベレントマクント部３上に半導体ＩＣペレットをマ
クントする、前記ダムｓ７を切幼、除去して谷内、外飾
り一ド５．６ｆｔ分離する、等の各工程の際（二、固屍
用のがイドビンが押入あるいは送り用の爪が挿入される
ものである。
このような構成でなる従来のリードフレームを用いて半
導体装置を製造するには、ますペレットマクント部３０
表面上に半導体ＩＣペレットをマクントし、次（二この
ペレット上の各電極と各内部リート５．５・・・の先端
部とをＡｕ 等からなる金Ｉｆ４細線を用いてボンデ
ィング法Ｃ二より結線し、さらに第１図中（ニ一点鎖線
を何しだ樹−ルドする。このモールド後は、外部リード
６ｉ・・・を連結しているダム部７の切断、除去Ｃ：よ
って内、外部リード５．６を個々（部分離すると共に１
外部リード６と横枠２とを切断し１次に縦枠１と連結部
４とが連結された状態でモールド部分から央出している
平坦な外部リード６゜σ・・・を所定位置で略直角（＝
折曲形成し、その後縦枠１と連結部４とを切断すること
ζ：よって第２図ｔ’ｓ示すような個々の半導体装置（
：分離する。
導体装置を製造するには、ますペレットマクント部３０
表面上に半導体ＩＣペレットをマクントし、次（二この
ペレット上の各電極と各内部リート５．５・・・の先端
部とをＡｕ 等からなる金Ｉｆ４細線を用いてボンデ
ィング法Ｃ二より結線し、さらに第１図中（ニ一点鎖線
を何しだ樹−ルドする。このモールド後は、外部リード
６ｉ・・・を連結しているダム部７の切断、除去Ｃ：よ
って内、外部リード５．６を個々（部分離すると共に１
外部リード６と横枠２とを切断し１次に縦枠１と連結部
４とが連結された状態でモールド部分から央出している
平坦な外部リード６゜σ・・・を所定位置で略直角（＝
折曲形成し、その後縦枠１と連結部４とを切断すること
ζ：よって第２図ｔ’ｓ示すような個々の半導体装置（
：分離する。
なお第２因において１１は樹脂モールド部分である。な
お、個々の半導体装置に分離する前に予め外部リード６
．６・・・への半田被覆工程等が行なわれる。
お、個々の半導体装置に分離する前に予め外部リード６
．６・・・への半田被覆工程等が行なわれる。
ところで、上記従来のリードフレームを用いて半導体装
置を製造する場合、外部リード６を折曲形成する際に第
２ＩＯ（二示すよう（＝、樹脂モールド部分１１の外部
リード６との接触部分にクラッタ１２が発生してしまう
という欠点がある・ ８３図は上記クランク１２が発生する原因を説明するた
めの図であ龜ハここでは説明を簡略化するために外部リ
ード６は１本のみしか示していない・いま第３図におい
て外部リード６００点（二折曲形成時の外部応力が加え
られたとすると、この０点を中心にして力のモーメント
Ｆｓｙ 、に’ｚｙ 、・・・（Ｆｔｙ 、 Ｆｚｙの
み図示）が発生する◇このときのＸ方向の外部応力の成
分和は、またＹ方向の外部応力の成分和は、 である・ここで力のモーメントは大きさ、方向作用点の
３つの擬木で構成されていることを考えると、従来のリ
ードフレームではＹ方向、すなわち外部リード６の延長
方向への力の移動が支配的であり、ｆｙ＞ｆｘという関
係（二ある。したがって、上記クランクの発生原因は上
記Ｙ方向への力の移動を考えればよい。そこでｆｉｘと
ｆすおよびハＸとｈｙの外部応力を合成する場合の合力
Ｆｔｙ、Ｆ意ｙは、 Ｆｉｙ ｘ Ｊ ｆｇａ”十ｆｓｙ” Ｆｚｙ＝Ｊｆ１ｘ＋ｆ！ｙ！ となり、ＦｌｙとｆｌｙおよびＦｌｙとｆａｙとの間の
角度−を考えると、０点を中心としたＹ方向の力は、 ｆｓｙ ｍ Ｆｔｙａｓ＃ ｆｓｙ ｚ Ｆ宏ｙｍ＃ となる・そして０点から前記樹脂モールド部分１１まで
の距離を１１．０点から外部リード６の先熾部までの距
離を２１とすれは一般にｌ ｒ ＜ ｌ ！の関係があ
り、前記折曲形成時の外部応力によるｌ、、１重でのエ
ネルギＷ、、Ｗ、は、Ｗｌ ＝ｆ１７ ＠４ｙａｘ ｐ
１ ｙ Ｑｍθ＠ ｌ！１％＝ ｆｇａ １１＝ Ｆ
ｚｙ朝θ・ｊ。
置を製造する場合、外部リード６を折曲形成する際に第
２ＩＯ（二示すよう（＝、樹脂モールド部分１１の外部
リード６との接触部分にクラッタ１２が発生してしまう
という欠点がある・ ８３図は上記クランク１２が発生する原因を説明するた
めの図であ龜ハここでは説明を簡略化するために外部リ
ード６は１本のみしか示していない・いま第３図におい
て外部リード６００点（二折曲形成時の外部応力が加え
られたとすると、この０点を中心にして力のモーメント
Ｆｓｙ 、に’ｚｙ 、・・・（Ｆｔｙ 、 Ｆｚｙの
み図示）が発生する◇このときのＸ方向の外部応力の成
分和は、またＹ方向の外部応力の成分和は、 である・ここで力のモーメントは大きさ、方向作用点の
３つの擬木で構成されていることを考えると、従来のリ
ードフレームではＹ方向、すなわち外部リード６の延長
方向への力の移動が支配的であり、ｆｙ＞ｆｘという関
係（二ある。したがって、上記クランクの発生原因は上
記Ｙ方向への力の移動を考えればよい。そこでｆｉｘと
ｆすおよびハＸとｈｙの外部応力を合成する場合の合力
Ｆｔｙ、Ｆ意ｙは、 Ｆｉｙ ｘ Ｊ ｆｇａ”十ｆｓｙ” Ｆｚｙ＝Ｊｆ１ｘ＋ｆ！ｙ！ となり、ＦｌｙとｆｌｙおよびＦｌｙとｆａｙとの間の
角度−を考えると、０点を中心としたＹ方向の力は、 ｆｓｙ ｍ Ｆｔｙａｓ＃ ｆｓｙ ｚ Ｆ宏ｙｍ＃ となる・そして０点から前記樹脂モールド部分１１まで
の距離を１１．０点から外部リード６の先熾部までの距
離を２１とすれは一般にｌ ｒ ＜ ｌ ！の関係があ
り、前記折曲形成時の外部応力によるｌ、、１重でのエ
ネルギＷ、、Ｗ、は、Ｗｌ ＝ｆ１７ ＠４ｙａｘ ｐ
１ ｙ Ｑｍθ＠ ｌ！１％＝ ｆｇａ １１＝ Ｆ
ｚｙ朝θ・ｊ。
となり、 ＦｘｙとＦ ｍｙはほば１川し力であり／
＋ ＜ｌ ２であるためＷｔ＜Ｗｔすなわち。
＋ ＜ｌ ２であるためＷｔ＜Ｗｔすなわち。
Ｆｔｙ ｗａ ＃ ｍ ｊ ｔ＜ Ｆｔｙ ｃｍθ・Ｅ
！となり、外部応力によるエネルギＷは外部リード−〇
先端部へ大きく作用していることがわかる。しかしなが
ら、外部応力の方向、作用点を考えると１／、は２１よ
りも短かいため（＝外部応力（二よるエネルギが外部リ
ード６の先端部へ到達するよりも樹脂モールド部分１１
へ到達する方が早いために前記クランク１２が発生して
しまう・しかも外部リード６方向Ｃ：伝達されるエネル
ギが大でありこのエネルギ５二よる樹脂そ一ルド部分１
１への反射も考えられるためよりクランク１２が発生し
易くなる。
！となり、外部応力によるエネルギＷは外部リード−〇
先端部へ大きく作用していることがわかる。しかしなが
ら、外部応力の方向、作用点を考えると１／、は２１よ
りも短かいため（＝外部応力（二よるエネルギが外部リ
ード６の先端部へ到達するよりも樹脂モールド部分１１
へ到達する方が早いために前記クランク１２が発生して
しまう・しかも外部リード６方向Ｃ：伝達されるエネル
ギが大でありこのエネルギ５二よる樹脂そ一ルド部分１
１への反射も考えられるためよりクランク１２が発生し
易くなる。
この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
あり、その目的とするところは、樹脂モールド後（二こ
のモールドされた部分から突出したリード部を折曲形成
する場合に、モールド部分でのクランクの発生を防止す
ることができる半導体装置用リードフレームを提供する
ことにある。
あり、その目的とするところは、樹脂モールド後（二こ
のモールドされた部分から突出したリード部を折曲形成
する場合に、モールド部分でのクランクの発生を防止す
ることができる半導体装置用リードフレームを提供する
ことにある。
以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。第
４図はこの発明（：係る半導体装置用リードフレームを
、従来と同様＋：ＤＩＰ形バクケージのものに実施した
場合の構成を示す正面図であり、この実施例のものが従
来のものと異なっている点は、各外部リード６．６・・
・の折曲予定位置付近（＝、各リード８．６・・・の延
長方向（部上の長径が設定された楕円形の透孔１３をそ
れぞれ開孔するよう（ｍｌ、たものである〇このような
構成とすることにより、第５図に示すように、０点１：
加えられる外部応力が作用する０点から樹脂モールド部
分１１方向での距離ｊ、′および外部リードσの先端部
方向での距離ｌ冨′はそれぞれ１重＞１１’、Ｉｔ＞！
ｔ’となり、藺紀エネルギＷ１．Ｗ、（＝相当するもの
は低下する命したがって、折曲時（二おける樹脂モール
ド部分１１（：与える影響は従来よりも小さくなり、こ
の結果、前記クランクの発生を防止することができる− なお・第６図は外部リード折曲形成箭の半導体装置の外
観を示す斜視図であり、従来のようなりラックは一切発
生していない。
４図はこの発明（：係る半導体装置用リードフレームを
、従来と同様＋：ＤＩＰ形バクケージのものに実施した
場合の構成を示す正面図であり、この実施例のものが従
来のものと異なっている点は、各外部リード６．６・・
・の折曲予定位置付近（＝、各リード８．６・・・の延
長方向（部上の長径が設定された楕円形の透孔１３をそ
れぞれ開孔するよう（ｍｌ、たものである〇このような
構成とすることにより、第５図に示すように、０点１：
加えられる外部応力が作用する０点から樹脂モールド部
分１１方向での距離ｊ、′および外部リードσの先端部
方向での距離ｌ冨′はそれぞれ１重＞１１’、Ｉｔ＞！
ｔ’となり、藺紀エネルギＷ１．Ｗ、（＝相当するもの
は低下する命したがって、折曲時（二おける樹脂モール
ド部分１１（：与える影響は従来よりも小さくなり、こ
の結果、前記クランクの発生を防止することができる− なお・第６図は外部リード折曲形成箭の半導体装置の外
観を示す斜視図であり、従来のようなりラックは一切発
生していない。
この発明は上記−実施例Ｃ：限定されるものではｆｔ
＜・たとえは各外部リード６．６・・・の折曲予定位置
付近（＝開孔する透孔１３の形状は楕円形である場合に
ついて説明したが、これは楕円形の他（二＾円形あるい
は方形等種々の形状が考えられるが、前記距離！、 ’
、 ｊ、’をより短かなものにするため（二は楕円形
、方形が最も効果的である□また上記実施例ではこの発
明をＬ）ＩＰ形パンケージを用いる半導体装置のリード
フレーム（二実施したが、これは樹脂モールド後４＝こ
のモールド部分から突出しているリード部を折曲形成す
るようなものであればどのようなもの（：でも実施可能
であることはいうまでもない。
＜・たとえは各外部リード６．６・・・の折曲予定位置
付近（＝開孔する透孔１３の形状は楕円形である場合に
ついて説明したが、これは楕円形の他（二＾円形あるい
は方形等種々の形状が考えられるが、前記距離！、 ’
、 ｊ、’をより短かなものにするため（二は楕円形
、方形が最も効果的である□また上記実施例ではこの発
明をＬ）ＩＰ形パンケージを用いる半導体装置のリード
フレーム（二実施したが、これは樹脂モールド後４＝こ
のモールド部分から突出しているリード部を折曲形成す
るようなものであればどのようなもの（：でも実施可能
であることはいうまでもない。
以上説明したようにこの発明（＝よれば平坦なリード部
を備え、１Ｍ脂モールド後にこのモールドされた部分か
ら突出した上記リード部を折曲形成するようにした牛導
体装置用リードフレームにおいて、上記リード部の折曲
形成予定位置付近（＝所定形状の透孔を開孔することＣ
二よりエモールドされた部分に加わ、るエネルギを従来
よりも低下させるようにしたので、折曲形成時にモール
ド部分でのクランクの発生を防止することが四′膚る半
導体装置用リードフレームを提供することができる。
を備え、１Ｍ脂モールド後にこのモールドされた部分か
ら突出した上記リード部を折曲形成するようにした牛導
体装置用リードフレームにおいて、上記リード部の折曲
形成予定位置付近（＝所定形状の透孔を開孔することＣ
二よりエモールドされた部分に加わ、るエネルギを従来
よりも低下させるようにしたので、折曲形成時にモール
ド部分でのクランクの発生を防止することが四′膚る半
導体装置用リードフレームを提供することができる。
ＩＥＩＩＩは従来のリードクレームの構成を示す正面図
、第２図は上記従来のリードフレームを用いて製造され
た半導体装置の外観形状を示す斜視図、８３図は同半導
体装置（＝クラックが生じる原因をａ勇するための図、
第４図はこの発明の一実施例に係る半導体装置用リード
フレームの構成を示す正面図、第５図は同実施例のリー
ドフレームの作用を説明するための図、第６図は同実施
例のリードフレームを用いて製造された半導体装置の外
観形状を示す斜視図である。 １・・・縦枠、２・・・横枠、３・・・ペレットマウン
ト部、４・・・連結部、５・・・内部リード、６・・・
外部リード、７・・・ダム部、１．９．１０・・・透孔
、１１・・・１１！ＩＩＩｊＩモ一〃ド部分、１！・・
・クランク、１３・・・透孔・
、第２図は上記従来のリードフレームを用いて製造され
た半導体装置の外観形状を示す斜視図、８３図は同半導
体装置（＝クラックが生じる原因をａ勇するための図、
第４図はこの発明の一実施例に係る半導体装置用リード
フレームの構成を示す正面図、第５図は同実施例のリー
ドフレームの作用を説明するための図、第６図は同実施
例のリードフレームを用いて製造された半導体装置の外
観形状を示す斜視図である。 １・・・縦枠、２・・・横枠、３・・・ペレットマウン
ト部、４・・・連結部、５・・・内部リード、６・・・
外部リード、７・・・ダム部、１．９．１０・・・透孔
、１１・・・１１！ＩＩＩｊＩモ一〃ド部分、１！・・
・クランク、１３・・・透孔・
Claims (1)
- 平坦なリード部を備え、ｗＭ上モールド後＝このモール
ドされた部分から突出した上記リード部を折曲形成する
ようにした半導体装置用リードフレームにおいて、上記
リード部の折曲予定位置付近に所定形状の透孔を開孔し
てなることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166757A JPS5867055A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166757A JPS5867055A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5867055A true JPS5867055A (ja) | 1983-04-21 |
Family
ID=15837156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56166757A Pending JPS5867055A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5867055A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140478A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Hitachi Ltd | Lead frame |
| JPS5252370A (en) * | 1976-08-27 | 1977-04-27 | Hitachi Ltd | Fabrication of glass-sealed semiconductor device |
| JPS5390868A (en) * | 1977-01-21 | 1978-08-10 | Hitachi Ltd | Semiconductor device of glass ceramic package type |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP56166757A patent/JPS5867055A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140478A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Hitachi Ltd | Lead frame |
| JPS5252370A (en) * | 1976-08-27 | 1977-04-27 | Hitachi Ltd | Fabrication of glass-sealed semiconductor device |
| JPS5390868A (en) * | 1977-01-21 | 1978-08-10 | Hitachi Ltd | Semiconductor device of glass ceramic package type |
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