JPS5875531A - 曲率測定装置 - Google Patents
曲率測定装置Info
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- JPS5875531A JPS5875531A JP56173529A JP17352981A JPS5875531A JP S5875531 A JPS5875531 A JP S5875531A JP 56173529 A JP56173529 A JP 56173529A JP 17352981 A JP17352981 A JP 17352981A JP S5875531 A JPS5875531 A JP S5875531A
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- measuring device
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- curvature measuring
- light emitting
- curvature
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B3/00—Apparatus for testing the eyes; Instruments for examining the eyes
- A61B3/10—Objective types, i.e. instruments for examining the eyes independent of the patients' perceptions or reactions
- A61B3/107—Objective types, i.e. instruments for examining the eyes independent of the patients' perceptions or reactions for determining the shape or measuring the curvature of the cornea
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
- G01B11/255—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures for measuring radius of curvature
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- Ophthalmology & Optometry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
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- Medical Informatics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Surgery (AREA)
- Biophysics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Eye Examination Apparatus (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は曲面の曲率半径を測定する装置に関し。
さらに詳しくは人眼の角膜の曲率半径を測定するオフサ
ルモメータやコンタクトレンズの曲率半径を測定するラ
ジアスメータに応用できる曲率測定装置に関する。
ルモメータやコンタクトレンズの曲率半径を測定するラ
ジアスメータに応用できる曲率測定装置に関する。
本明細書においては本発明の原理及び実施例を主にオ7
サルモメータについて説明するが本発明はこれに限定さ
れるものでなく、広く光反射性を有する曲面体の曲面の
曲率半径を測定する装置にも本発明が適用できるもので
ある。
サルモメータについて説明するが本発明はこれに限定さ
れるものでなく、広く光反射性を有する曲面体の曲面の
曲率半径を測定する装置にも本発明が適用できるもので
ある。
人眼角膜自体の屈折力は、眼全体の総局折力の略10g
約≠jDの屈折力をもち、またt雇員においては約7!
優が角膜乱視すなわち角膜前面が球面でなくトーリック
面形状をしていることに起因している。また、コンタク
トレンズ処方に際しては、そのベースカーブは2.、、
、、、、コンタクトレンズを装用させる眼の角膜前面の
曲率半径をもとに処方する必要がある。これら観点から
角膜前面の曲率半径を測定することは重要な意義がある
。この要求から1人眼角膜前面の曲率半径を測定する装
置として、種々の形式のオフサルモメータが実用化され
ている。いずれの温式のオフサルモメータも、被検角膜
上に1つ、もしくは複数の視標を投影し、その投影像の
大きさ、あるいはその反射像位置を。
約≠jDの屈折力をもち、またt雇員においては約7!
優が角膜乱視すなわち角膜前面が球面でなくトーリック
面形状をしていることに起因している。また、コンタク
トレンズ処方に際しては、そのベースカーブは2.、、
、、、、コンタクトレンズを装用させる眼の角膜前面の
曲率半径をもとに処方する必要がある。これら観点から
角膜前面の曲率半径を測定することは重要な意義がある
。この要求から1人眼角膜前面の曲率半径を測定する装
置として、種々の形式のオフサルモメータが実用化され
ている。いずれの温式のオフサルモメータも、被検角膜
上に1つ、もしくは複数の視標を投影し、その投影像の
大きさ、あるいはその反射像位置を。
観察望遠鏡の焦点面で観察し、投影像の大きさの変化量
あるいは視標反射像の相対的位置ズレ量から被検角膜の
曲率半径及び角膜乱視軸を測定するものであった。
あるいは視標反射像の相対的位置ズレ量から被検角膜の
曲率半径及び角膜乱視軸を測定するものであった。
オフサルモメータにおいては、特に角膜がトーリック面
形状の乱視眼角膜の測定に際しては、その第1及び第一
主曝線の曲率半径及び主機線方向の軸角度の3つの被測
定量を測定することが必要であり、上述の従来のオフサ
ルモメータはこれら3つの測定値をもとめるのKj段階
の測定を必要としていた。しかしながら人眼には生理的
な眼球振動がつねに仁Aなっており、測定時間の長時間
化は眼球振動にともなう投影像の振聯となり、それゆえ
に測定誤差や、測定中の頻繁なアライメント調整操作を
必要とするという大きな問題点かあつた。
形状の乱視眼角膜の測定に際しては、その第1及び第一
主曝線の曲率半径及び主機線方向の軸角度の3つの被測
定量を測定することが必要であり、上述の従来のオフサ
ルモメータはこれら3つの測定値をもとめるのKj段階
の測定を必要としていた。しかしながら人眼には生理的
な眼球振動がつねに仁Aなっており、測定時間の長時間
化は眼球振動にともなう投影像の振聯となり、それゆえ
に測定誤差や、測定中の頻繁なアライメント調整操作を
必要とするという大きな問題点かあつた。
この従来の装置の欠点を解決する装置として例えば特開
昭!t−/1177号公報、特開昭I4−442J1号
公報、あるいは米国特許44/!f147号明細書には
、投影像の角膜からの反射像を一次元型あるいは二次元
型のポジションセンサで検出して、その検出位置から被
検眼角膜の曲率半径及び主径線軸角度を測定する装置が
開示されている。
昭!t−/1177号公報、特開昭I4−442J1号
公報、あるいは米国特許44/!f147号明細書には
、投影像の角膜からの反射像を一次元型あるいは二次元
型のポジションセンサで検出して、その検出位置から被
検眼角膜の曲率半径及び主径線軸角度を測定する装置が
開示されている。
しかしながら、これら装置も、従来の実用されているオ
フサルモメータと同様に、投影視標の角膜からの反射像
を望遠鏡で結像する型式であり、測定精度を上げるには
望°遠鏡の浦点距離を太きくせねばならず、いきおい装
置が大型化するという欠点があった。また結像型式であ
るためその合焦機構を必要としていた。また、装置と被
角膜とのアライメントもこの合焦望遠鏡を利用してアラ
イメントするためアライメントも不正確であり、かつ測
定時間の短縮化や完全な自動化にはつながらなかった。
フサルモメータと同様に、投影視標の角膜からの反射像
を望遠鏡で結像する型式であり、測定精度を上げるには
望°遠鏡の浦点距離を太きくせねばならず、いきおい装
置が大型化するという欠点があった。また結像型式であ
るためその合焦機構を必要としていた。また、装置と被
角膜とのアライメントもこの合焦望遠鏡を利用してアラ
イメントするためアライメントも不正確であり、かつ測
定時間の短縮化や完全な自動化にはつながらなかった。
非結像光学系を利用して、光学系の屈折特性。
主に眼鏡レンズの球面屈折力や円柱屈折力及びその軸角
度を測定する装置が、米国特許第11104rコ!号明
細書に開示されている。この装置は、被検眼鏡レンズに
平行光束を照射し被検レンズの屈折特性により偏向され
た光束を点細口を有する1スフ手段で選択し被検レンズ
の焦点距離よ妙短かい距離に配置された千面雛イメージ
ディテクターやTVカメラの撮儂面に投影し、上記点細
口を通過した光線の該ディテクター上への投影点の位置
から被検レンズの屈折特性をもとめる構成であった。し
かしながら、この米国特許明細書は、屈折光学系におけ
る屈折特性測定を開示するのみであり、反射光学系の曲
面特性5%にその反射曲面の曲率半径の測定等について
は何ら開示も示唆もしていない。さらに、この装置は点
細口を使用して屈折特性を検出するため、検出手段には
上述の平面型のイメージディテクターやTVカメラを使
用せねばならず、装置が高価になるばかりか、被検レン
ズや装置光学系あるいは検出面にゴミ、ホコリ等が耐着
すると点細口を通過すべき光束がゴミ、ホコリ等で遮断
されると、被検レンズの屈折特性を測定できない場合も
生じるという欠点を有していた。
度を測定する装置が、米国特許第11104rコ!号明
細書に開示されている。この装置は、被検眼鏡レンズに
平行光束を照射し被検レンズの屈折特性により偏向され
た光束を点細口を有する1スフ手段で選択し被検レンズ
の焦点距離よ妙短かい距離に配置された千面雛イメージ
ディテクターやTVカメラの撮儂面に投影し、上記点細
口を通過した光線の該ディテクター上への投影点の位置
から被検レンズの屈折特性をもとめる構成であった。し
かしながら、この米国特許明細書は、屈折光学系におけ
る屈折特性測定を開示するのみであり、反射光学系の曲
面特性5%にその反射曲面の曲率半径の測定等について
は何ら開示も示唆もしていない。さらに、この装置は点
細口を使用して屈折特性を検出するため、検出手段には
上述の平面型のイメージディテクターやTVカメラを使
用せねばならず、装置が高価になるばかりか、被検レン
ズや装置光学系あるいは検出面にゴミ、ホコリ等が耐着
すると点細口を通過すべき光束がゴミ、ホコリ等で遮断
されると、被検レンズの屈折特性を測定できない場合も
生じるという欠点を有していた。
そこで、本発明は、上述した従来のオンサルモメータの
欠点を解決し、非結像型光学系を利用して自動測定が可
能な、オフサルモメータやラジアスメータに応用できる
曲率測定装置を提供せ4とするものである。
欠点を解決し、非結像型光学系を利用して自動測定が可
能な、オフサルモメータやラジアスメータに応用できる
曲率測定装置を提供せ4とするものである。
本発明のもう一つの目的は、非結像型光学系を使用する
ことにより、従来の装置に比較して、小型で、かつ装置
望遠鏡等の検者が視察および操作する必要のある光学部
材を有しない、自動的に曲率半径を測定出来る曲率測定
装置を提供することである。
ことにより、従来の装置に比較して、小型で、かつ装置
望遠鏡等の検者が視察および操作する必要のある光学部
材を有しない、自動的に曲率半径を測定出来る曲率測定
装置を提供することである。
本発明6更にもう一つの目的は、従来の装置が規準によ
り行なっていた被検曲面□と製電光軸とのアライメント
のための情報な自動的に出力できる操作性がすぐれそし
て測定時間を短縮できる自動曲率測定装置を提供するこ
とである。
り行なっていた被検曲面□と製電光軸とのアライメント
のための情報な自動的に出力できる操作性がすぐれそし
て測定時間を短縮できる自動曲率測定装置を提供するこ
とである。
本発明の更にもう一つの目的は、マスク手段の情報量を
多くlするととにより、従来のオ7サルモメータはもち
ろん自動レンズメータよ抄安価な検出手段が利用でき、
しかも装置光学系や検出面にゴミやホコリがあっても測
定が可能な外乱影響に強く高精度でしかも安価な自動測
定可能な曲率測定装置を提供することである。
多くlするととにより、従来のオ7サルモメータはもち
ろん自動レンズメータよ抄安価な検出手段が利用でき、
しかも装置光学系や検出面にゴミやホコリがあっても測
定が可能な外乱影響に強く高精度でしかも安価な自動測
定可能な曲率測定装置を提供することである。
本発明の第1の目的は、ポジションセンサの組込、調整
が不要で、組立、調整コストが安く、シかもメンテナン
スの楽〈な曲率半径測定装置を提供することKある。
が不要で、組立、調整コストが安く、シかもメンテナン
スの楽〈な曲率半径測定装置を提供することKある。
不発@によるならば、上記目的を達成するために、実質
的もしくは仮想的な平面内で少なくとも2本の平行な直
線からなる少なくとも一組の互いに配列方向の異なる平
行直線群を構成する直線群をなす光源と、光軸上に配置
されたピンホールを通して、#直線光源を射出した照明
光束の主光線を該光軸と平行にする結像レンズとを有す
る照明光学系と、前記照明、光の前記被検曲面からの反
射光を前記直線光源と光学的に非共役な面内で検出する
検出手段と、該検出手段が検出した前記反射光の前記直
線光源に対応に投影直線パターンの傾きとピッチの変化
から前記被検曲面の曲率半径を演算する演算手段とから
構成される曲率測定装置が提供される。
的もしくは仮想的な平面内で少なくとも2本の平行な直
線からなる少なくとも一組の互いに配列方向の異なる平
行直線群を構成する直線群をなす光源と、光軸上に配置
されたピンホールを通して、#直線光源を射出した照明
光束の主光線を該光軸と平行にする結像レンズとを有す
る照明光学系と、前記照明、光の前記被検曲面からの反
射光を前記直線光源と光学的に非共役な面内で検出する
検出手段と、該検出手段が検出した前記反射光の前記直
線光源に対応に投影直線パターンの傾きとピッチの変化
から前記被検曲面の曲率半径を演算する演算手段とから
構成される曲率測定装置が提供される。
また1本発明によるならば、実質的もしくは仮想的な平
面内において少なくとも2本の平行な直線からなる少な
くとも一組の互に配列方向の異なる平行直線群を構成す
る直線群をなす光検出手段と、被検曲面からの前配光軸
に平行な光を光軸上に配置されたピンホールを介し【前
記光検出手段へ向ける光学部材とを有する検出光学系と
、同一平面内に配置された多数の発光単位を有し、前記
被検曲面に向けて、前記光検出手段と光学的に非共役な
位置から光を照射する発光源と、前配光検出の曲率半径
を演算する演算手段とから構成されてなる曲率測定装置
が提供される。
面内において少なくとも2本の平行な直線からなる少な
くとも一組の互に配列方向の異なる平行直線群を構成す
る直線群をなす光検出手段と、被検曲面からの前配光軸
に平行な光を光軸上に配置されたピンホールを介し【前
記光検出手段へ向ける光学部材とを有する検出光学系と
、同一平面内に配置された多数の発光単位を有し、前記
被検曲面に向けて、前記光検出手段と光学的に非共役な
位置から光を照射する発光源と、前配光検出の曲率半径
を演算する演算手段とから構成されてなる曲率測定装置
が提供される。
更に本発明によれば、光源と、該光源からの光を平行光
束とするコリメータ一手段とを有する照明光学系と、該
照明光学系からの光束で被検曲面によって反射された光
束を選択するために、実質的もしくは仮想的な面内に少
なくとも2本の平行な直線からなる少なくとも2組の互
いに配列方向の異なる平行直線群を構成する直線パター
/を有するマスク手段と、該マスク手段で選択された該
反射光を検出する検出手段と、該検出手段が検出した前
記反射光の前記直線パターンに対応した投影直線パター
ンの傾きとピッチの変化から前記被検曲面の曲率半径を
演算する演算手段とからなり、前記マスク手段と前記検
出手段のいずれもが前記光源と光学的に非共役で、かつ
互いに異なる面内にそれぞれ配置されている曲率測定装
置が提供される。
束とするコリメータ一手段とを有する照明光学系と、該
照明光学系からの光束で被検曲面によって反射された光
束を選択するために、実質的もしくは仮想的な面内に少
なくとも2本の平行な直線からなる少なくとも2組の互
いに配列方向の異なる平行直線群を構成する直線パター
/を有するマスク手段と、該マスク手段で選択された該
反射光を検出する検出手段と、該検出手段が検出した前
記反射光の前記直線パターンに対応した投影直線パター
ンの傾きとピッチの変化から前記被検曲面の曲率半径を
演算する演算手段とからなり、前記マスク手段と前記検
出手段のいずれもが前記光源と光学的に非共役で、かつ
互いに異なる面内にそれぞれ配置されている曲率測定装
置が提供される。
更にまた、本発明によれば、多数の発光単位を有する発
光源と、該発光源からの光束を選択するために実質的も
しくは仮想的な面内に少なくとも2本の平行な直線から
成る少なくとも2組の互いに配列方向の異なる平行直線
群を構成する直線パターンを有するマスク手段と、該マ
スク手段により選択され被検曲面により反射された反射
光束のうち装置光軸と平行な光線を該光軸上に配置され
たピンホール手段に導び〈集光手段と、該ピンホール手
段を通過した光線を検知する検知手段と、該検知手段が
検知し得た該光線の発光した前記発光単位が作る直線軌
跡のピッチと傾きの変化から前記被検曲面の曲率半径を
演算する演算手段とから構成され、前記マスク手段と前
記発光源のいずれもが前記ピンホール手段と光学的に非
共役で。
光源と、該発光源からの光束を選択するために実質的も
しくは仮想的な面内に少なくとも2本の平行な直線から
成る少なくとも2組の互いに配列方向の異なる平行直線
群を構成する直線パターンを有するマスク手段と、該マ
スク手段により選択され被検曲面により反射された反射
光束のうち装置光軸と平行な光線を該光軸上に配置され
たピンホール手段に導び〈集光手段と、該ピンホール手
段を通過した光線を検知する検知手段と、該検知手段が
検知し得た該光線の発光した前記発光単位が作る直線軌
跡のピッチと傾きの変化から前記被検曲面の曲率半径を
演算する演算手段とから構成され、前記マスク手段と前
記発光源のいずれもが前記ピンホール手段と光学的に非
共役で。
かつ互いに異なる面内にそれぞれ配置されて成る曲率測
定装置が提供される。
定装置が提供される。
本発明において1以上の構成上の特徴により。
従来の曲率半径測定装置に比較して、装置が小型となり
、測定時間が短かく、外乱影響に対し強くかつ測定精度
が高く、さらに安価で、しかも自動的に被検曲面の曲事
半径を測定できる。さらにアライメント情報を自動的に
出力できるので、さらに測定時間の短縮と測定精度の向
上が実現できる。
、測定時間が短かく、外乱影響に対し強くかつ測定精度
が高く、さらに安価で、しかも自動的に被検曲面の曲事
半径を測定できる。さらにアライメント情報を自動的に
出力できるので、さらに測定時間の短縮と測定精度の向
上が実現できる。
これら本発明の長所は、特にオフサルモメータに本発明
を応用した場合、眼球振動の影響を受けない測定精度が
高く、測定時間の短かい小型で、かつ安価な自動測定を
可能化したオ7サルモメータを提供するεとができる。
を応用した場合、眼球振動の影響を受けない測定精度が
高く、測定時間の短かい小型で、かつ安価な自動測定を
可能化したオ7サルモメータを提供するεとができる。
また本発明をコンタクトレンズのベースカーブあるいは
前面の曲率半径を測定する言わゆるラジアスメータに応
用すれば、ターゲット偉をコンタクトレンズの裏面と、
その自車中心にコ度合焦し。
前面の曲率半径を測定する言わゆるラジアスメータに応
用すれば、ターゲット偉をコンタクトレンズの裏面と、
その自車中心にコ度合焦し。
そのときの対物レンズの移動量からベースカーブ等の曲
率半径を測定していた従来のラジアスメータに比較して
、従来のラジアスメータがもっていたターゲラ)*I!
察及びそれKよる測定用の顕微鏡光学系を一切必要とせ
ず、ゆえに測定精度を直接左右する視度調節を一切必要
としないばかりか、測定者間のパーソナルエラーも発生
しない自動測定が出来、測定精度の高い、しかも測定時
間の短かい新しいタイプのラジアスメータを提供すると
11喀1 とができる。
率半径を測定していた従来のラジアスメータに比較して
、従来のラジアスメータがもっていたターゲラ)*I!
察及びそれKよる測定用の顕微鏡光学系を一切必要とせ
ず、ゆえに測定精度を直接左右する視度調節を一切必要
としないばかりか、測定者間のパーソナルエラーも発生
しない自動測定が出来、測定精度の高い、しかも測定時
間の短かい新しいタイプのラジアスメータを提供すると
11喀1 とができる。
以下本発明を角膜の曲率半径を測定するオフサルモメー
タに適用した測定原理及び実施例を図面を参照して説明
する。
タに適用した測定原理及び実施例を図面を参照して説明
する。
第バー図は1本発明の第1の測定原理を説明するための
斜視図であり、 wrb)図はその平面図であるもこれ
らの図において、装置光軸OIK原点を有するXQ−Y
Q直交座標系を考える。このx(、−y□座標系を含む
面に、その頂点を接するように角膜Cが配置されている
ものとする。この角膜Cはその光学中心QCをXQ軸方
向にEH,YQ軸方向にEVずらして配置されており、
かつ曲率半径のrlの第1主径線がXo軸と角度0r1
だけ傾けて配置されているものとする。またその第1主
径線の曲率半径をr2とする。今、このXQ−YQ座標
系から装置光軸01にそって距離1@れた位置に、その
装置光軸Oユ上に原点OをもつX−Y直交座標系を想定
し、このX−Y座標面に検出面0を配置したとする。
斜視図であり、 wrb)図はその平面図であるもこれ
らの図において、装置光軸OIK原点を有するXQ−Y
Q直交座標系を考える。このx(、−y□座標系を含む
面に、その頂点を接するように角膜Cが配置されている
ものとする。この角膜Cはその光学中心QCをXQ軸方
向にEH,YQ軸方向にEVずらして配置されており、
かつ曲率半径のrlの第1主径線がXo軸と角度0r1
だけ傾けて配置されているものとする。またその第1主
径線の曲率半径をr2とする。今、このXQ−YQ座標
系から装置光軸01にそって距離1@れた位置に、その
装置光軸Oユ上に原点OをもつX−Y直交座標系を想定
し、このX−Y座標面に検出面0を配置したとする。
今、ピッチがPで、Xo軸と傾きmで交差する少なくと
も2本の平行直線群りをなす直線光源からの光が、その
主光線を装置光軸01と平行になるように前記x□−Y
Q座標面に裂傷投影されるとこの照明光は、角膜Cの前
面の曲面特性、すなわちもしこの角膜がトーリック面形
状であれば、その第1主径線の曲率中!Rx、その第2
主径線の曲率半径R2%及び第7主径線の軸角度θ′の
それぞれの値に応じて偏向反射され、前記直線光源と光
学的に非共役な面にある前記検出面りに向う。
も2本の平行直線群りをなす直線光源からの光が、その
主光線を装置光軸01と平行になるように前記x□−Y
Q座標面に裂傷投影されるとこの照明光は、角膜Cの前
面の曲面特性、すなわちもしこの角膜がトーリック面形
状であれば、その第1主径線の曲率中!Rx、その第2
主径線の曲率半径R2%及び第7主径線の軸角度θ′の
それぞれの値に応じて偏向反射され、前記直線光源と光
学的に非共役な面にある前記検出面りに向う。
そして直線光源に対応した検出面り上の投影直線パター
ンL′はそのピッチをP′に、そのX軸との傾きをMK
f化させている。
ンL′はそのピッチをP′に、そのX軸との傾きをMK
f化させている。
検出面0と角膜頂点00間の距離をtとすると、投影直
線パターンL′の傾きHは次式で表わされる。
線パターンL′の傾きHは次式で表わされる。
m Ca(4−b(4*# −gij)+ Ca(4a
m2fj +b(1)dn”θ〕・・・(1)式 またピッチP′の変化は次式で表わされる。
m2fj +b(1)dn”θ〕・・・(1)式 またピッチP′の変化は次式で表わされる。
P′
= 82(4*#m2# + b 2(4om2 gこ
こで(1)式、(2)式とも R2 である。
こで(1)式、(2)式とも R2 である。
実際の測定に際して、(1)、(2)式から平行直線群
の傾きとピッチの変化から被検レンズTの屈折特性を測
定するには、(1)、(2)式の未知数がJ、R2゜θ
の3つであるため、7つの平行直線群の変化だけでは、
(1) 、 (2)式の解は得られないことがわかる
。
の傾きとピッチの変化から被検レンズTの屈折特性を測
定するには、(1)、(2)式の未知数がJ、R2゜θ
の3つであるため、7つの平行直線群の変化だけでは、
(1) 、 (2)式の解は得られないことがわかる
。
このため、実際には、他の1つの平行直線群と合せ、λ
つの平行直線群の傾きとピッチの変化を知る必要がある
。この構成を第2図に示す。第1図には、傾Im1%ピ
ッチPlの2本の平行直線群L1と、傾きm2 、ピッ
チP2の2本の平行直線群L2を構成する直線光源が配
置されており、この光源を射出し被検角膜Cで反M″″
層れた光線束は、検出面O上で傾きm1′、ピッチP♂
の一本の投影平行直線群Lイと傾きm2′、ピッチP
2/の一本の投影平行直線群12′を形成する。この2
組の投影平行直線群から(1)、(2)式がそれぞれλ
組1合計参式帰られるため、(1)、(2)式の未知数
−、R1。
つの平行直線群の傾きとピッチの変化を知る必要がある
。この構成を第2図に示す。第1図には、傾Im1%ピ
ッチPlの2本の平行直線群L1と、傾きm2 、ピッ
チP2の2本の平行直線群L2を構成する直線光源が配
置されており、この光源を射出し被検角膜Cで反M″″
層れた光線束は、検出面O上で傾きm1′、ピッチP♂
の一本の投影平行直線群Lイと傾きm2′、ピッチP
2/の一本の投影平行直線群12′を形成する。この2
組の投影平行直線群から(1)、(2)式がそれぞれλ
組1合計参式帰られるため、(1)、(2)式の未知数
−、R1。
R2を求めることができる。二次方程式(1)、(2)
式を解いてR1、R2、−を求めることが演算処理上。
式を解いてR1、R2、−を求めることが演算処理上。
複雑で処理機構のコストアップ、処理時間の増大をまね
くようであれば、以下の中間的演算処理を#1どこせば
よい。
くようであれば、以下の中間的演算処理を#1どこせば
よい。
第3a図は第2図の直線光源が形成する平行直線群L1
、し2を示している。し1の傾きはmlでピッチはPl
、L2の傾きはm2でピッチはR2であることは第2図
と同様である。今、平行直線Llのうちの7本Lll
からピッチP1の0倍の距離6Pl へだてて平行線
UVと、距離fPl の平行線OWを考える。
、し2を示している。し1の傾きはmlでピッチはPl
、L2の傾きはm2でピッチはR2であることは第2図
と同様である。今、平行直線Llのうちの7本Lll
からピッチP1の0倍の距離6Pl へだてて平行線
UVと、距離fPl の平行線OWを考える。
また平行直線L2のうちの1本L21 から距離gP
2 の平行線nと距離hp2 の平行線UQを考え
る。これら平行線uv、ow、 vw、而から基準仮想
平行四辺形uvwoが形成され、これら四項点ノx−y
座標系の仮想座標を、U (□X1、oYl)。
2 の平行線nと距離hp2 の平行線UQを考え
る。これら平行線uv、ow、 vw、而から基準仮想
平行四辺形uvwoが形成され、これら四項点ノx−y
座標系の仮想座標を、U (□X1、oYl)。
V (ox2 %oVz)、 W (OX3%on)、
Q (QX4− oV4)とする。
Q (QX4− oV4)とする。
第3b図は、第3a図の平行直線群L1、L2が角膜C
で反射し、検出面O上に投影された投影平行直線群L
1’ b L 2’ を示す図で、このL 1/は傾
tkm1’ピッチP 2 /に、L 2F は傾きm
2′、ピッチP2’に変化している仁とは第4図と同様
である。
で反射し、検出面O上に投影された投影平行直線群L
1’ b L 2’ を示す図で、このL 1/は傾
tkm1’ピッチP 2 /に、L 2F は傾きm
2′、ピッチP2’に変化している仁とは第4図と同様
である。
この投影平行直線群を検出面DK配装された平面型ポジ
ションセンサで検出してもよいが、今、仮りにX−Y座
標の原点0からx軸方向にξ、Y軸方向にηだけ平行移
動された点に原点0′を有する交差角rで交差するリニ
アポジションセンサS1、S2で検出するものとすると
、リニアポジションセ/すSlは検出点イ、口、ノ・、
二で投影平行直線群を検出し、リニアポジションセ/す
S2は検出点ホ、へ、ト、チで投影平行直線群を検出す
る。そして検出点口、へから投影平行直線群のうちの1
本し11′の方程式を演算し、また検出点ハ、トからL
21’の方程式を演算する。また同様に検出点イ、ホ
から投影平行直線群のうちの他の1本L12′ の、検
出点二、チからL22′のそれぞれの方程式が演算でき
L 11’ 、 L 12’ のピッチP1′も、L
21’ 、L22’のピッチP 2/も演算できる。
ションセンサで検出してもよいが、今、仮りにX−Y座
標の原点0からx軸方向にξ、Y軸方向にηだけ平行移
動された点に原点0′を有する交差角rで交差するリニ
アポジションセンサS1、S2で検出するものとすると
、リニアポジションセ/すSlは検出点イ、口、ノ・、
二で投影平行直線群を検出し、リニアポジションセ/す
S2は検出点ホ、へ、ト、チで投影平行直線群を検出す
る。そして検出点口、へから投影平行直線群のうちの1
本し11′の方程式を演算し、また検出点ハ、トからL
21’の方程式を演算する。また同様に検出点イ、ホ
から投影平行直線群のうちの他の1本L12′ の、検
出点二、チからL22′のそれぞれの方程式が演算でき
L 11’ 、 L 12’ のピッチP1′も、L
21’ 、L22’のピッチP 2/も演算できる。
そしてし11′からピッチP1′に第3a図でかけた倍
率と同じ倍率eをかけて・P1′のピづチの平行線斤を
考えることができ、同様にfPP2Oピッチの平行線1
富iを、L21’ からgP2’ ピッチu/ v/
w/ ofをもとめることができる。この仮想平行四
辺形の四項点のx−Y座標系における仮想座標をLl’
(XI、yl)、V’ (X$!%ya)、W’ (x
3゜y3)、 Q’ (X4、y4)とすると、第Ja
図ノ基準仮想平行四辺形uvwoと第3bの第1投影仮
想平行四辺形U/ V/ W/ Q/は対応しており、
この変化はまさに被検角膜の曲面特性にかかわるもので
ある。
率と同じ倍率eをかけて・P1′のピづチの平行線斤を
考えることができ、同様にfPP2Oピッチの平行線1
富iを、L21’ からgP2’ ピッチu/ v/
w/ ofをもとめることができる。この仮想平行四
辺形の四項点のx−Y座標系における仮想座標をLl’
(XI、yl)、V’ (X$!%ya)、W’ (x
3゜y3)、 Q’ (X4、y4)とすると、第Ja
図ノ基準仮想平行四辺形uvwoと第3bの第1投影仮
想平行四辺形U/ V/ W/ Q/は対応しており、
この変化はまさに被検角膜の曲面特性にかかわるもので
ある。
さてここで仮想参点に対し以下の係数と式を定義する。
ここにI、J%kFi、lを基準としてjもしくはkを
とるものとする。仮想参点より、/JMりの組合せが考
えられる。
とるものとする。仮想参点より、/JMりの組合せが考
えられる。
上記(3a)式を用いれば、2つの主径線の半径に関す
るR1.R2は以下の2次方程式で表示できる。
るR1.R2は以下の2次方程式で表示できる。
4’ (CIkDI J−C1jDlk)噴)2−コ(
^IJDlk”81kCIJ−^1kDIJ−81JC
Ik)(互)+(^lkB目−^1JB1k)−5・・
・・・・(7b)式 ここで上記係数のカッコ式を以下のもので定義する。
^IJDlk”81kCIJ−^1kDIJ−81JC
Ik)(互)+(^lkB目−^1JB1k)−5・・
・・・・(7b)式 ここで上記係数のカッコ式を以下のもので定義する。
〔p%q)=ip 1JQlk−qIJJk[:p、
q]−−Cq、 p) ここでp、qはそれぞれ^、8.C%Dのいずれかをと
るものとすると、(Jb)式は ・・・・・・(3c)式 として表わされる。
q]−−Cq、 p) ここでp、qはそれぞれ^、8.C%Dのいずれかをと
るものとすると、(Jb)式は ・・・・・・(3c)式 として表わされる。
tは第2図で示すように被検角膜Cと検出面0関の距離
、をいう。
、をいう。
従って、第21へように4組の投影平行直線群Ll′、
L12 のピッチP 1’ 4 P 2 ’と傾きm
1/、m 2/を検出し、第3b図のように第1投影
仮想投影響辺形を作り、その平行四辺形を形成する弘頂
点よ抄、(J(:)式の二次方程式を解くことKより、
コ根をλ1.λ2とすると となる。ここで第1 Q))図に示すように検出面0を
角膜Cから距1w1t /の位置に移動して検出面D′
を作る。第J (C)図に示すようにこの検出面0′上
での前記投影平行直線群L1“、L2# が作る第一
投影仮想平行四辺形についても前記第(Ja)弐〜第(
Jc)式が適用でき、そのコ根をλ1′、λ2′とする
と となり、この(4th)式と前記(4’a)式よ抄が得
られる。
L12 のピッチP 1’ 4 P 2 ’と傾きm
1/、m 2/を検出し、第3b図のように第1投影
仮想投影響辺形を作り、その平行四辺形を形成する弘頂
点よ抄、(J(:)式の二次方程式を解くことKより、
コ根をλ1.λ2とすると となる。ここで第1 Q))図に示すように検出面0を
角膜Cから距1w1t /の位置に移動して検出面D′
を作る。第J (C)図に示すようにこの検出面0′上
での前記投影平行直線群L1“、L2# が作る第一
投影仮想平行四辺形についても前記第(Ja)弐〜第(
Jc)式が適用でき、そのコ根をλ1′、λ2′とする
と となり、この(4th)式と前記(4’a)式よ抄が得
られる。
このことは検出を0と0′のコケ所で行なうならば、本
測定原理においては、作動距離、すなわち、第1 (i
))図に示す、装量の基準EIPから角膜Cの頂点Oc
との間の距離直に、測定結果が一切左右されない。従っ
て、従来のオ7サルモメータのように正確に作動距離を
設定して測定する必要がなく、これは本測定原理の大き
な長所である。また、第1主径線がXo軸となす角θは ・・・・・・(5) として求めることができる。
測定原理においては、作動距離、すなわち、第1 (i
))図に示す、装量の基準EIPから角膜Cの頂点Oc
との間の距離直に、測定結果が一切左右されない。従っ
て、従来のオ7サルモメータのように正確に作動距離を
設定して測定する必要がなく、これは本測定原理の大き
な長所である。また、第1主径線がXo軸となす角θは ・・・・・・(5) として求めることができる。
上述した第J、図、第Ji)図及び30図では、仮想平
行四辺形をもとめるのに、ピッチP1、R2、P1’
s P2’、pll及びR2“K任意の倍率θ、f%g
%hをそれぞれ掛けたが実際にはe−/。
行四辺形をもとめるのに、ピッチP1、R2、P1’
s P2’、pll及びR2“K任意の倍率θ、f%g
%hをそれぞれ掛けたが実際にはe−/。
g−/とじて仮想平行四辺形u□v□w(、o 、及び
u o / v o/ w o / Q / を使っ
て演算した方が、処理はその分簡略化できる。
u o / v o/ w o / Q / を使っ
て演算した方が、処理はその分簡略化できる。
また、仮想平行四辺形の各頂点の座標をX□−y。
直交座標系、X−Y直交座標系を使って説明したが、リ
ニアセンサS1%s2の配置にそって斜交座標系X/−
Y/座標系を考えると、X%Y直交座標系とX / −
y /斜交座標系間の座標費換は第参図に示すようKX
軸とX′軸が角度αで交差し、Y軸とY′軸が角度βで
交差し、かつX / −y /座標系の原点02はX−
Y座標系の原点o1からX軸方向にξ、Y軸方向にダず
れている。このときx/−y/座標系からX −Y座標
系への座標変換は 前記(3)式から A11−(OXI−XI)−(OXJ XI)これに
(6)式を代入して A 1)−((。x ′、―α+y /、画β+ξ)−
十〇y′J−β+ξ) (X’J自α −yJ廊β
+ξ)) =*a ((□x’、 −x’、 )−(OX’J
x’) ) )+−β (。y’l−y’、)−(。Y
’l−Y’J))−^’l J vkel + 8’、
−β 町・・c7a)また8N””(oVl Vl
) (o’1)−Vj)で上記同様の計算で 8N−(2)β”Oy’l y/、 ’−(oY’j−
V′j) )−幅α((。x/、−x/、) (。x
/、 −x t、 ) )−a/、(2)β−^1+
、戊α ・・・・・・(7b)以下同様に Cl J廟C’l 3dnα+ 0/、Jdβ
…−・1 (7c)D 1 ) −D’1 )(2)β
−c/、J(2)α ・・・・・・(7d)となる
。
ニアセンサS1%s2の配置にそって斜交座標系X/−
Y/座標系を考えると、X%Y直交座標系とX / −
y /斜交座標系間の座標費換は第参図に示すようKX
軸とX′軸が角度αで交差し、Y軸とY′軸が角度βで
交差し、かつX / −y /座標系の原点02はX−
Y座標系の原点o1からX軸方向にξ、Y軸方向にダず
れている。このときx/−y/座標系からX −Y座標
系への座標変換は 前記(3)式から A11−(OXI−XI)−(OXJ XI)これに
(6)式を代入して A 1)−((。x ′、―α+y /、画β+ξ)−
十〇y′J−β+ξ) (X’J自α −yJ廊β
+ξ)) =*a ((□x’、 −x’、 )−(OX’J
x’) ) )+−β (。y’l−y’、)−(。Y
’l−Y’J))−^’l J vkel + 8’、
−β 町・・c7a)また8N””(oVl Vl
) (o’1)−Vj)で上記同様の計算で 8N−(2)β”Oy’l y/、 ’−(oY’j−
V′j) )−幅α((。x/、−x/、) (。x
/、 −x t、 ) )−a/、(2)β−^1+
、戊α ・・・・・・(7b)以下同様に Cl J廟C’l 3dnα+ 0/、Jdβ
…−・1 (7c)D 1 ) −D’1 )(2)β
−c/、J(2)α ・・・・・・(7d)となる
。
ここで〔C,D〕、(8,C)、〔^、o〕。
〔^、B〕を求めると、(7a)〜(7d)式から
(C,D)−CIJDlk−DIJC1k=(C’l
I幽1! +D’l jdaβ)(D’11(ocmβ
−C’1k(2)α)−(D’lJ槙β−C′IJal
Ilα)(C’1kghiα+”1klklβ)=[m
a―β+(2)α幽β)[C,D’:]同様K (B、
c〕−(*a*β+−βwg)(:A’、a/)〔^
% 0〕−―α幅β〔^’aD’ 〕1−α(2)a
〔八/ 、C/ )+―β(2)β〔B/ 、o/
] −画β(2)α(a/ 、C/ ) 〔^、8〕−(dtta−β+(2)α−β)(A’、
B’)また (8.C)−(^、D)−(血α(2)β+(2)α虐
β)[(e’ 、 c’ )(^′%D′])従って(
JcJ式は dlI(α+β)× となり、()内は(Jc)式と同一形式の二次方程式と
なり、このことから(Jc)式の二次方程式は、座標系
の取抄方に無関係な不変方程式であることがわかる。こ
のことは、検出器としての1本のりニアセンサの配置に
おいて、その配電の自由度が非常に大きいことを示す。
I幽1! +D’l jdaβ)(D’11(ocmβ
−C’1k(2)α)−(D’lJ槙β−C′IJal
Ilα)(C’1kghiα+”1klklβ)=[m
a―β+(2)α幽β)[C,D’:]同様K (B、
c〕−(*a*β+−βwg)(:A’、a/)〔^
% 0〕−―α幅β〔^’aD’ 〕1−α(2)a
〔八/ 、C/ )+―β(2)β〔B/ 、o/
] −画β(2)α(a/ 、C/ ) 〔^、8〕−(dtta−β+(2)α−β)(A’、
B’)また (8.C)−(^、D)−(血α(2)β+(2)α虐
β)[(e’ 、 c’ )(^′%D′])従って(
JcJ式は dlI(α+β)× となり、()内は(Jc)式と同一形式の二次方程式と
なり、このことから(Jc)式の二次方程式は、座標系
の取抄方に無関係な不変方程式であることがわかる。こ
のことは、検出器としての1本のりニアセンサの配置に
おいて、その配電の自由度が非常に大きいことを示す。
すなわち、従来のように、−2本のリニアセンサをX−
Y座標系と直交座標軸上にシ〈必要はなく、X/−Y/
座標系においてもよいことを意味するもので、リニアセ
ンサの直交精度及び光軸合せはまったく考えなくとも、
測定精度に無関係にすることができる。
Y座標系と直交座標軸上にシ〈必要はなく、X/−Y/
座標系においてもよいことを意味するもので、リニアセ
ンサの直交精度及び光軸合せはまったく考えなくとも、
測定精度に無関係にすることができる。
そして測定に際しては共役検出面OKおける平行直線群
パターンL′1.L′2を斜交座標系x / −Y /
座標のX′軸sY’軸に配したリニアセンサSl。
パターンL′1.L′2を斜交座標系x / −Y /
座標のX′軸sY’軸に配したリニアセンサSl。
S2で検出しておき、この検出からつくられる仮想平行
四辺形U’ % V’ % W’ & Q’ を第1
投影仮想平行四辺形とし、つぎに共役検出面をD′に移
動し、このときの第2投影仮想平行四辺形U″v“W’
Q“をつくり、第1投影仮想平行四辺形と第2投影仮想
平行四辺形とから被検角膜の曲面特性を求めるものであ
る。そしてこのとき両平行四辺形は任意に選択できる斜
交座標系X/−Y/座標系に対してのみ座標系を考えて
いることとなり、かつこの斜交座標系X / −y /
は、上述したようにその選択は被検角膜の曲面特性演算
の曲率半径の計算のための二次方程式に対し、無関係な
不変式であり、不発F14によればリニアセンサS1、
S2の配置に対して、何ら組立上も、メンテナンス上も
調整を必要としないという非常に有利な効果をもつ。
四辺形U’ % V’ % W’ & Q’ を第1
投影仮想平行四辺形とし、つぎに共役検出面をD′に移
動し、このときの第2投影仮想平行四辺形U″v“W’
Q“をつくり、第1投影仮想平行四辺形と第2投影仮想
平行四辺形とから被検角膜の曲面特性を求めるものであ
る。そしてこのとき両平行四辺形は任意に選択できる斜
交座標系X/−Y/座標系に対してのみ座標系を考えて
いることとなり、かつこの斜交座標系X / −y /
は、上述したようにその選択は被検角膜の曲面特性演算
の曲率半径の計算のための二次方程式に対し、無関係な
不変式であり、不発F14によればリニアセンサS1、
S2の配置に対して、何ら組立上も、メンテナンス上も
調整を必要としないという非常に有利な効果をもつ。
被検角膜の軸方向は、(6)式で与えられる。(5)式
は直交座標系時の式であるが、斜交座標系x′−Y′に
センサがある場合には、以下の式を使って斜交座標系で
求めた結果を直、交座標系を使用したときの軸方向とし
て計算することができる。
は直交座標系時の式であるが、斜交座標系x′−Y′に
センサがある場合には、以下の式を使って斜交座標系で
求めた結果を直、交座標系を使用したときの軸方向とし
て計算することができる。
e−tm−1
コ
・・・・・・(9)
としてもとめられる。
次に、角膜の頂点と装置光軸01の左右上下方向のズレ
IIk(以下アライメント量という)の測定原理を第3
図をもとに説明する。
IIk(以下アライメント量という)の測定原理を第3
図をもとに説明する。
xo−yo−x−y直交座標系によるプリズム値の算定
は、yo軸に対し、同じ角度rで対称に配置されたピッ
チP1の平行直線群L1とピッチP2の平行直線群L2
のそれぞれいずれか1本の直線Lll、L21からe’
PIK4る直線σ、qを、同h’p2で而1 を引き、
仮想平行四辺形σvW6の四項点がxo軸、yo軸に一
致するよう罠とる。
は、yo軸に対し、同じ角度rで対称に配置されたピッ
チP1の平行直線群L1とピッチP2の平行直線群L2
のそれぞれいずれか1本の直線Lll、L21からe’
PIK4る直線σ、qを、同h’p2で而1 を引き、
仮想平行四辺形σvW6の四項点がxo軸、yo軸に一
致するよう罠とる。
すなわち測定光軸01に対し、仮想平行四辺形が対称に
なるように作れば、この仮想平行四辺形の中心は、測定
光軸Oと一致している。次K、被検角膜を測定して、投
影平行直線群L′l、L′2を検出し、投影平行直線L
′11からe / 、p ′1にある直線影仮想平行四
辺形σ/ v/ w/ (T/をっくる。この第1投影
仮想平行四辺形の四項点は、x−y座標系でσ’ (
Xi、Vl)、V’ (X2.V2> % W’
(x3.y3)。
なるように作れば、この仮想平行四辺形の中心は、測定
光軸Oと一致している。次K、被検角膜を測定して、投
影平行直線群L′l、L′2を検出し、投影平行直線L
′11からe / 、p ′1にある直線影仮想平行四
辺形σ/ v/ w/ (T/をっくる。この第1投影
仮想平行四辺形の四項点は、x−y座標系でσ’ (
Xi、Vl)、V’ (X2.V2> % W’
(x3.y3)。
0(×4%V4)となり、この四項点の座標から水平方
向アライメント量α、及び垂直方向アライメント量βは
次式で表わされる。
向アライメント量α、及び垂直方向アライメント量βは
次式で表わされる。
庄
斜交座標系x / y /で測定した場合は、直交座
標系の場合と同様K、対称性の原理から、初期仮想点を
(OXI%i:+Y1) (OXg% oY2) (O
X3− op3)。
標系の場合と同様K、対称性の原理から、初期仮想点を
(OXI%i:+Y1) (OXg% oY2) (O
X3− op3)。
(OX4、oy4) とおき。
を満たすように仮想点を設定すればよい。そして、水平
方向アライメント量α、垂直方向アライメント量βは、
それぞれ00式で与えられるから(2)式を(6)式に
より変換すれば となり、 00式を同様K(6)式で変換すればとなる
。被検角膜を測定しないときの初期仮想点(OX 1%
oyl )の斜交座標系での座標(□x’l、oY’
l)と被検レンズを測定系に挿入したときの測定座標の
斜交座標系における座標(x’lby’1) との差
であるから(至)、(ロ)式から1次式が得られる。
方向アライメント量α、垂直方向アライメント量βは、
それぞれ00式で与えられるから(2)式を(6)式に
より変換すれば となり、 00式を同様K(6)式で変換すればとなる
。被検角膜を測定しないときの初期仮想点(OX 1%
oyl )の斜交座標系での座標(□x’l、oY’
l)と被検レンズを測定系に挿入したときの測定座標の
斜交座標系における座標(x’lby’1) との差
であるから(至)、(ロ)式から1次式が得られる。
ダ
・・・・・・(至)
この式がアライメント量を表わすものである。
以上のべたように本測定原理では、被検角膜の曲率半径
の測定KFi、座標系の取り方に無関係な不変方程式で
算出できるが、軸方向、アライメント量において斜交−
直交座標変換が必要となり。
の測定KFi、座標系の取り方に無関係な不変方程式で
算出できるが、軸方向、アライメント量において斜交−
直交座標変換が必要となり。
(2)式、(至)式の質換が必要であるが、演算機構上
複雑であれば、斜交座標系での測定座標(x’・y’
)から第(6)式で直交座標変換したのち、直交座標系
による算出式(5)、00式を使って軸方向、アライメ
7)量を算出してもよい。
複雑であれば、斜交座標系での測定座標(x’・y’
)から第(6)式で直交座標変換したのち、直交座標系
による算出式(5)、00式を使って軸方向、アライメ
7)量を算出してもよい。
このように本願発明では、被検角膜を測定光路内に設置
しない状態でマスク上の平行直線群L1%L2から光軸
OK対し、対称な仮想平行四辺形を作っておけば、次に
被検角膜を測定光学系に挿入し、投影平行直線群から相
似的な投影仮想平行四辺形を作れば、アライメント量が
算出でき、この算出に際しては被検角膜の第1%第2主
価線の態率半径やその傾き角は何ら知らなくとも単11
1に@定できることを意味している。これは、従来のオ
7サルモメータでは、アライメント量の算出が数値的に
出来るものは存在せず、tず、その測定しようとする被
検角膜を測定望遠鏡で観察しながらレチクル板の十字線
の中心にμ測で合わせてぃた点を考えれば非常に有利で
あり、被検角膜の曲面特性算出ステップとアクイメント
量算出ステップが独立にあるいは平行し【数値算出とし
て進めることができるためこのアライメント量を装置移
動系に電気的に入力すれば自動アライメントも可能であ
り、また演算時間を短縮できる。
しない状態でマスク上の平行直線群L1%L2から光軸
OK対し、対称な仮想平行四辺形を作っておけば、次に
被検角膜を測定光学系に挿入し、投影平行直線群から相
似的な投影仮想平行四辺形を作れば、アライメント量が
算出でき、この算出に際しては被検角膜の第1%第2主
価線の態率半径やその傾き角は何ら知らなくとも単11
1に@定できることを意味している。これは、従来のオ
7サルモメータでは、アライメント量の算出が数値的に
出来るものは存在せず、tず、その測定しようとする被
検角膜を測定望遠鏡で観察しながらレチクル板の十字線
の中心にμ測で合わせてぃた点を考えれば非常に有利で
あり、被検角膜の曲面特性算出ステップとアクイメント
量算出ステップが独立にあるいは平行し【数値算出とし
て進めることができるためこのアライメント量を装置移
動系に電気的に入力すれば自動アライメントも可能であ
り、また演算時間を短縮できる。
また、仮想平行四辺形を作成するとき、直線Lll、L
21にそれら直線の属する直線群のピッチを0倍して、
直線Lll、L21の傾きに平行に仮想直線を引くこと
によ抄仮想平行四辺形を作成したが、仮想平行四辺形の
作成方法はこれに限定されるものではなく、第J(1図
のように直線L 11に対し、角度βの傾きをもつ仮想
直線”11 を、また、直線Lax に対し角度αの
傾きをもつ仮想直線t21 を作り、この作られた仮想
直線t11゜421 をもとにして仮想平行四辺形u
vwq を作成してもよいことは言うまでもなく、こ
れにより、本願の測定原理が変更をうけるものではない
。
21にそれら直線の属する直線群のピッチを0倍して、
直線Lll、L21の傾きに平行に仮想直線を引くこと
によ抄仮想平行四辺形を作成したが、仮想平行四辺形の
作成方法はこれに限定されるものではなく、第J(1図
のように直線L 11に対し、角度βの傾きをもつ仮想
直線”11 を、また、直線Lax に対し角度αの
傾きをもつ仮想直線t21 を作り、この作られた仮想
直線t11゜421 をもとにして仮想平行四辺形u
vwq を作成してもよいことは言うまでもなく、こ
れにより、本願の測定原理が変更をうけるものではない
。
以上説明した第1の原理について、「光線逆進の原塩」
が適用できる。即ち、第75図において検出面り及び0
′ の位置に多数の発光単位が面状に配列された面発光
体をおき、そして、直線状光fILの位置にこれと同一
配列の直線状の受光部を有する受光手段をおく。そして
1面発光体を検出面Oの位置とD’ の位置にそれぞ
れ位置づけて面発光体の各発光単位を順次発光させて、
前記受光手段が光を受けたときの面発光体の発光単位の
座標上の位置をゾ四ットしてゆくことにより1面り及び
0′ の各位置における直線AI 及び8’ を得ら
れ、それらのデータから、前述の方程式を利用して1曲
率半径や軸角度を得ることができる。この場合1面発光
体の代、?KX軸とY@K[I!!状の発光素子プレイ
を代りに配置してもよいことは尚業者には明らかであろ
う。
が適用できる。即ち、第75図において検出面り及び0
′ の位置に多数の発光単位が面状に配列された面発光
体をおき、そして、直線状光fILの位置にこれと同一
配列の直線状の受光部を有する受光手段をおく。そして
1面発光体を検出面Oの位置とD’ の位置にそれぞ
れ位置づけて面発光体の各発光単位を順次発光させて、
前記受光手段が光を受けたときの面発光体の発光単位の
座標上の位置をゾ四ットしてゆくことにより1面り及び
0′ の各位置における直線AI 及び8’ を得ら
れ、それらのデータから、前述の方程式を利用して1曲
率半径や軸角度を得ることができる。この場合1面発光
体の代、?KX軸とY@K[I!!状の発光素子プレイ
を代りに配置してもよいことは尚業者には明らかであろ
う。
第6(a)図は、本発明の第一の測定原理を示す斜視図
であり、第6(1)1図はその平面図である。以下の説
明に際し、上述の第1の測定原理と同一もしくは均等の
構成要素には同一の符号を附して説明な省略する。被検
角膜Cは第一 (b)図に示すように半径φ/コの円形
光束が照明されている。この照明光束の角膜c4cよる
反射光は、角膜頂点O0から距離を隔てられ次マスクM
AK形成された平行直線群 LL からなる直線開口で
選択透過さ0 110 M れて、マスクMAから距離d隔てられ定検出面りに投影
される。こ\で、直線開口。Ll、。L、の構成及び配
置状態は、前述の第/の測定原理の直線光源が作る平行
直MPL工、L2と同様である。
であり、第6(1)1図はその平面図である。以下の説
明に際し、上述の第1の測定原理と同一もしくは均等の
構成要素には同一の符号を附して説明な省略する。被検
角膜Cは第一 (b)図に示すように半径φ/コの円形
光束が照明されている。この照明光束の角膜c4cよる
反射光は、角膜頂点O0から距離を隔てられ次マスクM
AK形成された平行直線群 LL からなる直線開口で
選択透過さ0 110 M れて、マスクMAから距離d隔てられ定検出面りに投影
される。こ\で、直線開口。Ll、。L、の構成及び配
置状態は、前述の第/の測定原理の直線光源が作る平行
直MPL工、L2と同様である。
また、検出面り上での投影平行直線群。L□′。
。L−の検出法は、第1の測定原理で説明し次ように、
検出面りに平面型Iジションセンサを配置して検出して
もよいし、X軸、YIlllにそってリニア型ポジショ
ンセンサを配置し検出してもよいし、あるいは削記斜交
座橡系X/−Y/を想定し、このX′軸、Y′軸にそっ
て、それぞれす畠アセンサを配置して検出してもよい。
検出面りに平面型Iジションセンサを配置して検出して
もよいし、X軸、YIlllにそってリニア型ポジショ
ンセンサを配置し検出してもよいし、あるいは削記斜交
座橡系X/−Y/を想定し、このX′軸、Y′軸にそっ
て、それぞれす畠アセンサを配置して検出してもよい。
この検出面りでの投影平行画線群。L工′、。L12の
、検出により、投影平行直線群。Lユ′のピッチがoP
工′、その傾きが。m工′に、投影平行直線群。L 、
/のピッチが。P2′、その傾きが。m8′に変化し友
とすれば、この各々について傾き。m′は次の式が成り
立つ。
、検出により、投影平行直線群。Lユ′のピッチがoP
工′、その傾きが。m工′に、投影平行直線群。L 、
/のピッチが。P2′、その傾きが。m8′に変化し友
とすれば、この各々について傾き。m′は次の式が成り
立つ。
・・・(16)
またピッチP′の変化量は
P
、1 ・□
・・・ (lり)
として表わされ、こ−に
である。
本測定原理においては、平行光束の角膜Cでの反射光を
マスクMAの直線開口で選択し、この選択された元来を
検出面りで検出しているので、マスクMAと角膜Cとの
間の距離り、すなわち作動距離はあらかじめ公知の作動
距離検昶装置で予め定められ次定数となるように装置を
設定する必要がある。好ましくは1=0となるように設
定するとよい。
マスクMAの直線開口で選択し、この選択された元来を
検出面りで検出しているので、マスクMAと角膜Cとの
間の距離り、すなわち作動距離はあらかじめ公知の作動
距離検昶装置で予め定められ次定数となるように装置を
設定する必要がある。好ましくは1=0となるように設
定するとよい。
以下実際の演算処理は、前記第1の測定原理と同様に仮
想平行四辺形から前記第3(a)式から第(16)式を
必要に応じ適用させて、角J[Cの曲面特性とアライメ
ント蓋を算出してもよい。7Hyアライメント量α、β
はマスクMAと検出面Oとの距離dが間予するので 直交厘標系X−Yについては第(10)式が弘d となり、 斜交座標糸x /、、−y Iについては第tis>式
がとなる。
想平行四辺形から前記第3(a)式から第(16)式を
必要に応じ適用させて、角J[Cの曲面特性とアライメ
ント蓋を算出してもよい。7Hyアライメント量α、β
はマスクMAと検出面Oとの距離dが間予するので 直交厘標系X−Yについては第(10)式が弘d となり、 斜交座標糸x /、、−y Iについては第tis>式
がとなる。
第7(at図は本発明の11.3の測定原理を示す斜視
図であり、第7 (b1図はその平面図である。尚以下
の説明に際し、前述の第2の測定原理と同一もしくは同
様の構成要素には同一の符号を附して説明を省略する。
図であり、第7 (b1図はその平面図である。尚以下
の説明に際し、前述の第2の測定原理と同一もしくは同
様の構成要素には同一の符号を附して説明を省略する。
この第3の原理は、前述の第1の原理に「光線逆進の原
理」を適し九と同様に、上述の第2の原理について「光
線逆進の原理」を利用した測定原理である。すなわち、
上述の第2の原理の角膜Cへの照明光束と角膜Cからの
反射光束を逆に考え、検出面DK多数の発光単位から成
る発光面Sをおいて、この発光面Sからの元でマスクM
の直線開口を通過し、角膜Cで反射され装置元軸O工と
平行になる光線を射出しt発光面S上の発光単位の位置
から角膜Cの曲面特性を求めるものである。
理」を適し九と同様に、上述の第2の原理について「光
線逆進の原理」を利用した測定原理である。すなわち、
上述の第2の原理の角膜Cへの照明光束と角膜Cからの
反射光束を逆に考え、検出面DK多数の発光単位から成
る発光面Sをおいて、この発光面Sからの元でマスクM
の直線開口を通過し、角膜Cで反射され装置元軸O工と
平行になる光線を射出しt発光面S上の発光単位の位置
から角膜Cの曲面特性を求めるものである。
発光体としては、第2の測定原理の平面型ポジションセ
ンサに対応する多数の発光単位を平面状に配列してなる
平面型発!X子アレイでも、リニアポジションセンサに
対応するリニア発光電子アレイを直交あるいは斜交する
ように変差させてもよい。第7(a)図においては発散
光束fxを発光する発光素子xSz、xSg、xSs”
”xsnを直線状に配列してなるリニア発光素子sxを
直交座標系X−YのX軸に、また発光素子、S工my
s、y 3゜・・・ S を配列しであるリニア発光
素子syをYn 軸に、それぞれ配置し九個を示す。
ンサに対応する多数の発光単位を平面状に配列してなる
平面型発!X子アレイでも、リニアポジションセンサに
対応するリニア発光電子アレイを直交あるいは斜交する
ように変差させてもよい。第7(a)図においては発散
光束fxを発光する発光素子xSz、xSg、xSs”
”xsnを直線状に配列してなるリニア発光素子sxを
直交座標系X−YのX軸に、また発光素子、S工my
s、y 3゜・・・ S を配列しであるリニア発光
素子syをYn 軸に、それぞれ配置し九個を示す。
元軸0□上でマスクMAと角Mcとの間には、角膜Cで
反射して光軸O工と平行になった太線をその焦点位置に
配置したピンホールPHK導び〈集光レンズPLが配置
されており、また、ピンホールpHの後方にはピンホー
ルPHを通過した元締を検知する検知器OMが配置され
ている。リニア発光アレイSx、S、を発光走査すると
、ある発光単位xSl、ySl からの光束の一部は
マスクMAの平行直線群sLよ、sL、の開口を通過し
角膜C<照射される。角膜Cで反射されt照射光の内あ
る一部の元締束は元軸0□と平行となり、この平行な元
締束は、集光レンズPLKよりピンホールPHK集光さ
れ、そのピンホールPH1k)lII遇し検知器DMで
検知される。この検知器DMが光線束を検出したときの
その元締束を発光し九発光単位、例えばSxl、S
2.S 5.SX4及びSYl。
反射して光軸O工と平行になった太線をその焦点位置に
配置したピンホールPHK導び〈集光レンズPLが配置
されており、また、ピンホールpHの後方にはピンホー
ルPHを通過した元締を検知する検知器OMが配置され
ている。リニア発光アレイSx、S、を発光走査すると
、ある発光単位xSl、ySl からの光束の一部は
マスクMAの平行直線群sLよ、sL、の開口を通過し
角膜C<照射される。角膜Cで反射されt照射光の内あ
る一部の元締束は元軸0□と平行となり、この平行な元
締束は、集光レンズPLKよりピンホールPHK集光さ
れ、そのピンホールPH1k)lII遇し検知器DMで
検知される。この検知器DMが光線束を検出したときの
その元締束を発光し九発光単位、例えばSxl、S
2.S 5.SX4及びSYl。
sYm、sYs、sYaの位置をoす、発x点、x、と
sY4から直線軌跡e′0.を、発光点、×2と、Y。
sY4から直線軌跡e′0.を、発光点、×2と、Y。
から直線軌跡L′0.”l’、flJ様K 、X、ト、
Y、カラ1/、、を、SX4と、Y工からL/、□をも
とめることができる。この直線軌跡”l l 、 ”l
1mから平行直線軌跡群、L′□が、直線軌跡L/、
工、L′2□から平行直線軌跡群s L /2 が、
それぞれもとめられ、そのピッチS ”l 、 S ”
2及び傾きsm’z、s”gは、角[Cの曲面特性に応
じマスクMAの平行直線群、L工。
Y、カラ1/、、を、SX4と、Y工からL/、□をも
とめることができる。この直線軌跡”l l 、 ”l
1mから平行直線軌跡群、L′□が、直線軌跡L/、
工、L′2□から平行直線軌跡群s L /2 が、
それぞれもとめられ、そのピッチS ”l 、 S ”
2及び傾きsm’z、s”gは、角[Cの曲面特性に応
じマスクMAの平行直線群、L工。
、L、+2)ピッチsPz、sPi、及び傾き、m、、
3m。
3m。
とから変化している。そしてこれら平行直線群sLz、
s”sと平行直線軌跡群 L/0.L/2のピッチ及び
傾きの関には、前記第一の測定原理の第(16)式、第
(/り)式と同じ関係が成り立つ。ゆえに角膜Cの曲面
特性すなわち第7及び第一王経巌の曲率半径R工、R2
及び軸方向θをもとめることができる。なお、マスクM
Aと角膜C間の距離tは予め定数tとして得え、これに
合うように装置と角膜間の作動距離合わせなする必要が
ある点は前述の第一の測定原理と同様である。
s”sと平行直線軌跡群 L/0.L/2のピッチ及び
傾きの関には、前記第一の測定原理の第(16)式、第
(/り)式と同じ関係が成り立つ。ゆえに角膜Cの曲面
特性すなわち第7及び第一王経巌の曲率半径R工、R2
及び軸方向θをもとめることができる。なお、マスクM
Aと角膜C間の距離tは予め定数tとして得え、これに
合うように装置と角膜間の作動距離合わせなする必要が
ある点は前述の第一の測定原理と同様である。
尚、実際の測定に際しては第1の測定の原理と同様に直
線軌跡をもとに仮想平行四辺形を作り、これをもとに角
膜の曲面特性をもとめてもよいことは言うまでもない。
線軌跡をもとに仮想平行四辺形を作り、これをもとに角
膜の曲面特性をもとめてもよいことは言うまでもない。
またアライメント量α、βは!(/A)式、第(17)
式のいずれかにしたがうものである点は第一の測定原理
と同様である。
式のいずれかにしたがうものである点は第一の測定原理
と同様である。
以上説明した本発明の原理に基づ〈実施例を以下説明す
る。
る。
第5図は、前述の第1の測定原理を利用したオフサルモ
メータの光学配置図である0本実織例においては、検出
器として平面型Iジションセン紫ヲ利用しているが、こ
の平面ffiポジションセンナの代りに、2本の平行ま
たは交差するリニア1nIItジシヨンセンサを使用し
てもよいことは、上述の原理説明から明らかであろう。
メータの光学配置図である0本実織例においては、検出
器として平面型Iジションセン紫ヲ利用しているが、こ
の平面ffiポジションセンナの代りに、2本の平行ま
たは交差するリニア1nIItジシヨンセンサを使用し
てもよいことは、上述の原理説明から明らかであろう。
本実施例のオフサルモメータは、大きく3つの九字糸、
即ち、照明光学系1、測定光学系2、固視九学系3とか
ら構成されている。
即ち、照明光学系1、測定光学系2、固視九学系3とか
ら構成されている。
照明光学系1の直線光源としては、多数の微少発光体を
直線状に配列したりxア発光素子アレイを使用してもよ
いが、以下の構成を取ることも出来る。照明光学系1に
は、光源ランデ4と、このラング4からの元のうち赤外
光のみを透過する赤外フィルター5と、拡散板6と、コ
ンデンサレンズ7とからなる光源部8があり、この光源
部8からの元は、第9図に示すように1太い直線開口2
5aを少なくとも7本と、細い直線開口251.252
.。
直線状に配列したりxア発光素子アレイを使用してもよ
いが、以下の構成を取ることも出来る。照明光学系1に
は、光源ランデ4と、このラング4からの元のうち赤外
光のみを透過する赤外フィルター5と、拡散板6と、コ
ンデンサレンズ7とからなる光源部8があり、この光源
部8からの元は、第9図に示すように1太い直線開口2
5aを少なくとも7本と、細い直線開口251.252
.。
・・・259を平行に配列してなる平行直線群25と、
これと配列方向のことなる太線直線開口26a。
これと配列方向のことなる太線直線開口26a。
及び細い直線開口261.262、・・・269を平行
に配列してなる平行直線群26が形成された開口板9を
照明する。各平行直線群に太い直線開口25a、26a
を形成し九のは、他の直1開口の投影i[Nの方程式を
きめる際の基準とするためである。
に配列してなる平行直線群26が形成された開口板9を
照明する。各平行直線群に太い直線開口25a、26a
を形成し九のは、他の直1開口の投影i[Nの方程式を
きめる際の基準とするためである。
この開口板9のそれぞれの直線開口25.26.27.
2’8が、前述の原理説明における@ys元源光源てそ
れぞれ作用する。直線開口25.26、2T及び28か
らの元は、ピンホール板のピンホール10を通って結像
レンズ11により角膜Cの頂点O0に接する接平面H上
に結像される。この結像レンズ11は、その焦点を前記
ピンホール10の位置にもっているので、結像レンズ1
1を通つ几照明光束は測定光学系2の光軸O2上に傾設
された穴開きハーフミラ−912で反射されたのち、そ
の主光線は光軸0□と平行になって角膜Cを照明する。
2’8が、前述の原理説明における@ys元源光源てそ
れぞれ作用する。直線開口25.26、2T及び28か
らの元は、ピンホール板のピンホール10を通って結像
レンズ11により角膜Cの頂点O0に接する接平面H上
に結像される。この結像レンズ11は、その焦点を前記
ピンホール10の位置にもっているので、結像レンズ1
1を通つ几照明光束は測定光学系2の光軸O2上に傾設
された穴開きハーフミラ−912で反射されたのち、そ
の主光線は光軸0□と平行になって角膜Cを照明する。
2万、測定光学系2には、その元軸O工に垂直な平面内
に平面型ポジションセンサ、例えば平面型CCDアレイ
13が配置されている。この−ジションセンサー13は
、穴開キリレーレンス14によりその光学的共役像がD
の位置に結像されている。そして、この光学的共役像り
の位置は、前記開口板9とは、光学的に非共役な位置に
なっている・ 、、) ま九リレーレンズ14とポジションセンサ93との間に
(工、ポジションセンサ13のリレーレンズ14による
共役11 DをD′の位1tCずらす几めの例えば平行
平面ガラスからなる光路長変換部材93が光路中に挿脱
可能に配置されている。
に平面型ポジションセンサ、例えば平面型CCDアレイ
13が配置されている。この−ジションセンサー13は
、穴開キリレーレンス14によりその光学的共役像がD
の位置に結像されている。そして、この光学的共役像り
の位置は、前記開口板9とは、光学的に非共役な位置に
なっている・ 、、) ま九リレーレンズ14とポジションセンサ93との間に
(工、ポジションセンサ13のリレーレンズ14による
共役11 DをD′の位1tCずらす几めの例えば平行
平面ガラスからなる光路長変換部材93が光路中に挿脱
可能に配置されている。
ま几固視光学系3は、光源80、コンデンサレンズ81
、固視標板82からの可視光は、穴開きリレーレンズ1
4、穴開きハーフミラ−12の穴を通って平行光線とな
って被検角膜Cをもつ被検眼に入射され被検眼に固視さ
れる。この固視標板82には1例えば第1O図に示すよ
うにλ重同心円盤の固視標82aが形成されている。
、固視標板82からの可視光は、穴開きリレーレンズ1
4、穴開きハーフミラ−12の穴を通って平行光線とな
って被検角膜Cをもつ被検眼に入射され被検眼に固視さ
れる。この固視標板82には1例えば第1O図に示すよ
うにλ重同心円盤の固視標82aが形成されている。
まt1本実施例においては、演算処理上の基準座標系を
設計止子めあ友える変わりに、測定時の基準座標系が作
れるように、穴開きハーフミラ−12の前に装置元軸O
工と垂直な反射面をもつ測足元路内に挿脱可能な反射鏡
90が配置されている。
設計止子めあ友える変わりに、測定時の基準座標系が作
れるように、穴開きハーフミラ−12の前に装置元軸O
工と垂直な反射面をもつ測足元路内に挿脱可能な反射鏡
90が配置されている。
まず、測定に際しては、光路変換部材93を測定光路内
に挿入した状態で、反射a!90を測定光路に図示しな
いアクチ二エーターの作動で挿入したのち、光源4を照
明する。光源4の尤により、開口板9の2各平行[11
1群25.26が直線光源として働き、その射出光束は
、反射鏡90上照射される。反射鏡90からの反射光は
光軸0.と平行に反射され、リレーレンズ14を介して
ポジションセンサー13に入射し、その投影直線群が検
出される。この状態を模式的に第1/図に示す。平行厘
線群25.26に対応する投影iII線群の投影面@2
5’、26’ から前記測定原理にもとすいて仮想平
行四辺形υVWQ を作り、このダ頂点のうちUとW
を結ぶ直線をX軸に、■とQを結ぶ[1をY軸とするX
−Y座標系を作定する。以後このX−Y座標系を測定演
算の基準座標系とする。
に挿入した状態で、反射a!90を測定光路に図示しな
いアクチ二エーターの作動で挿入したのち、光源4を照
明する。光源4の尤により、開口板9の2各平行[11
1群25.26が直線光源として働き、その射出光束は
、反射鏡90上照射される。反射鏡90からの反射光は
光軸0.と平行に反射され、リレーレンズ14を介して
ポジションセンサー13に入射し、その投影直線群が検
出される。この状態を模式的に第1/図に示す。平行厘
線群25.26に対応する投影iII線群の投影面@2
5’、26’ から前記測定原理にもとすいて仮想平
行四辺形υVWQ を作り、このダ頂点のうちUとW
を結ぶ直線をX軸に、■とQを結ぶ[1をY軸とするX
−Y座標系を作定する。以後このX−Y座標系を測定演
算の基準座標系とする。
次に、反射@[9Gを測定光路外に退出させ、被検角膜
C4C直線元源25.26からの光を照射する。
C4C直線元源25.26からの光を照射する。
角膜Cからの反射光はリレーレンズ14を通りIジショ
ンセンサ13で検出され、投影[巌25’。
ンセンサ13で検出され、投影[巌25’。
26“から仮想平行四辺形 ′υ′v″W′Q、″を作
定する。この仮想平行四辺形のダ頂点の座標L” (X
z s”l’、)、V’(X1*V2)、W’(x、
、y、1)、Q’(X4*V4)なもとめ第1θ式よシ
アライメント差α、βをもとめ、このアライメント差に
し几かって装置を図示しない移動機械で右、左上下に移
動させアライメントする。第72図に示すようにアライ
メントが完了したら、光路長変換部材93を測定光路外
に退出させ、今まで検出に使用していた共役検出面の位
置をD′からDに位置させる・そして、再度、ポジショ
ンセンサ13を走査して投影WIwを検出し、その検出
された投影面@25’、26 ’ カラ仮想平行四辺形
U’V’W’Q’−一一一一を作足し、そのダ頂点の座
標U“(X/7. 、/ )、■“(X1’mV2’
)、W” (X3’ s V3)、Q“(×、/、y、
/ )をもとめ、前述の仮想平行四辺形υ/ V tl
W // Q / のt頂点の各座標値との間で第
1式からm(3)式を適用して、破検角膜Cの曲面、特
性、すなわち第1及びWc2の本径線の曲率半径R工、
R3及び軸角度θを演算する。
定する。この仮想平行四辺形のダ頂点の座標L” (X
z s”l’、)、V’(X1*V2)、W’(x、
、y、1)、Q’(X4*V4)なもとめ第1θ式よシ
アライメント差α、βをもとめ、このアライメント差に
し几かって装置を図示しない移動機械で右、左上下に移
動させアライメントする。第72図に示すようにアライ
メントが完了したら、光路長変換部材93を測定光路外
に退出させ、今まで検出に使用していた共役検出面の位
置をD′からDに位置させる・そして、再度、ポジショ
ンセンサ13を走査して投影WIwを検出し、その検出
された投影面@25’、26 ’ カラ仮想平行四辺形
U’V’W’Q’−一一一一を作足し、そのダ頂点の座
標U“(X/7. 、/ )、■“(X1’mV2’
)、W” (X3’ s V3)、Q“(×、/、y、
/ )をもとめ、前述の仮想平行四辺形υ/ V tl
W // Q / のt頂点の各座標値との間で第
1式からm(3)式を適用して、破検角膜Cの曲面、特
性、すなわち第1及びWc2の本径線の曲率半径R工、
R3及び軸角度θを演算する。
第13図は、本発明の第一の実施例であり、前述の第1
の実施例の照明光線1の直線光源25.26を作る別の
構成を示す実施例であり、照明党学糸1の一部分のみを
図示した部分光学配置図である。
の実施例の照明光線1の直線光源25.26を作る別の
構成を示す実施例であり、照明党学糸1の一部分のみを
図示した部分光学配置図である。
前述の第1実施例では、直線光源として働く平行[1I
i1群25.26を7枚の開口板9に形成したが、@1
3図に示す本実施例は、別々の開口板にそれぞれ平行[
#s群の1万を形成し、結偉レンズ11で接平面H上に
装置されたと1!VC2つの平行直線群が合成される実
施例を示している。
i1群25.26を7枚の開口板9に形成したが、@1
3図に示す本実施例は、別々の開口板にそれぞれ平行[
#s群の1万を形成し、結偉レンズ11で接平面H上に
装置されたと1!VC2つの平行直線群が合成される実
施例を示している。
本実施例の照明光学系1゛には、前述の第1実施例の光
源部と同様の構成からなる一つの光源部8−1.8−2
があり、それぞれに開口板9−1.9−2が配置されて
いる。開口板9−1には第9図に示した平行直線群の2
5に相等する平行直線群が、開口板9−2には平行直線
群の26に相等する平行直線群がそれぞれ形成されてい
る。開口板9−1,9−2を射出し九光束はハーフ2ラ
ー91で合成され、ハーフミラ−91の上面に形成され
几ピンホール92aを有する遮光j[92のピンホール
92aを通って結偉レンズ11に入射す111′ る。以後の作用は前述のI!/の実施例と同様である。
源部と同様の構成からなる一つの光源部8−1.8−2
があり、それぞれに開口板9−1.9−2が配置されて
いる。開口板9−1には第9図に示した平行直線群の2
5に相等する平行直線群が、開口板9−2には平行直線
群の26に相等する平行直線群がそれぞれ形成されてい
る。開口板9−1,9−2を射出し九光束はハーフ2ラ
ー91で合成され、ハーフミラ−91の上面に形成され
几ピンホール92aを有する遮光j[92のピンホール
92aを通って結偉レンズ11に入射す111′ る。以後の作用は前述のI!/の実施例と同様である。
以上の実施例Kr元縞線逆進原理」を適用して多数の赤
外費光素子を面状に配列した発光素子アレイをおき、開
口板9の開ロバターンと同一)々ターン部分のみに受光
部をもつ平面型受光素子を開口板9の位置に配置するか
、もしくは光源ランプ4の位置に受光素子をおいて、そ
して、その受光素子が受光したときKその光を発した発
光素子の位置を求めて、その情報が曲率半径中軸角度を
求める。また、この場合も、前述の実施例の場合と同様
に様々な変形が可能である。
外費光素子を面状に配列した発光素子アレイをおき、開
口板9の開ロバターンと同一)々ターン部分のみに受光
部をもつ平面型受光素子を開口板9の位置に配置するか
、もしくは光源ランプ4の位置に受光素子をおいて、そ
して、その受光素子が受光したときKその光を発した発
光素子の位置を求めて、その情報が曲率半径中軸角度を
求める。また、この場合も、前述の実施例の場合と同様
に様々な変形が可能である。
第1弘図は1本発明の第30実施例を示す光学配置図で
ある。本実施例は前述の第λの測定原理を利用したオフ
サルモメータである。上述の第1実施例と同一もしくは
均等の構成要素には同一の符号を附して説明を省略する
。
ある。本実施例は前述の第λの測定原理を利用したオフ
サルモメータである。上述の第1実施例と同一もしくは
均等の構成要素には同一の符号を附して説明を省略する
。
また本実施例は、共役検出面内で斜交するようにイメー
ジローチーターと組合せて7本のリニア型−ジシ璽ンセ
ンナを検出器として利用しているが1本発明においては
、これに限定されずに、平面ff14ジシ1ンセンサや
交差する二本のリニア型Iジシ冒ンセンサあるいは平行
時2本のIジションセンサを利用しても検出できること
は前述の原理説明から明かである。
ジローチーターと組合せて7本のリニア型−ジシ璽ンセ
ンナを検出器として利用しているが1本発明においては
、これに限定されずに、平面ff14ジシ1ンセンサや
交差する二本のリニア型Iジシ冒ンセンサあるいは平行
時2本のIジションセンサを利用しても検出できること
は前述の原理説明から明かである。
照明光学系1の光源としては発光波長の互いに異なる二
つの赤外発光ダイオード70.71を使用する。発光ダ
イオードToから元はグイクロイックプリズム32のダ
イクロイック面72aを透過しコンデンサレンズ1に入
射する。一方、発光ダイオード71からの元はダイクロ
イック面72aを反射して、同様にコンデンサレンズT
に入射する。
つの赤外発光ダイオード70.71を使用する。発光ダ
イオードToから元はグイクロイックプリズム32のダ
イクロイック面72aを透過しコンデンサレンズ1に入
射する。一方、発光ダイオード71からの元はダイクロ
イック面72aを反射して、同様にコンデンサレンズT
に入射する。
コンデンサレンズ7からの射出元は、ピンホール板10
のピンホールを通って、このピンホールにその焦点位置
をもつコリメータレンズ73によって平行光束とされた
のち、装置元軸01上に傾設された徽小きチー34によ
って反射され、光軸0□と平行に被検角膜Cに照射され
る。同視光学系3は、照明光学系1に傾設され次ハーフ
tチー84によって、その固視標偉を被検眼に照明して
いる。
のピンホールを通って、このピンホールにその焦点位置
をもつコリメータレンズ73によって平行光束とされた
のち、装置元軸01上に傾設された徽小きチー34によ
って反射され、光軸0□と平行に被検角膜Cに照射され
る。同視光学系3は、照明光学系1に傾設され次ハーフ
tチー84によって、その固視標偉を被検眼に照明して
いる。
リレーレンズ14の後方にはダイクロイックミラー86
が配置され、その後方の光路を第7光路120と第2光
路121に2分する。
が配置され、その後方の光路を第7光路120と第2光
路121に2分する。
第1光路にはマスク13aが、第一+路121K +t
マス/13bがそれぞれ配置される。マスク13aを
通過した光束はハーフミラ−303でさらに二分割され
、反射光束はリニアがジションセン+ 15に、 透過
光束はリニアポジションセンサ16に入射する。ま几同
様にマスク13bを通過した光束もハーフミラ−303
で反射及び透過され、それぞれIJ ニアセンサL5.
161C入射する。
マス/13bがそれぞれ配置される。マスク13aを
通過した光束はハーフミラ−303でさらに二分割され
、反射光束はリニアがジションセン+ 15に、 透過
光束はリニアポジションセンサ16に入射する。ま几同
様にマスク13bを通過した光束もハーフミラ−303
で反射及び透過され、それぞれIJ ニアセンサL5.
161C入射する。
こ\でリニアセンサ13aと13bはリレーレン、X”
14により、その共役検出面り内で互いに交差するよう
に配置されている。
14により、その共役検出面り内で互いに交差するよう
に配置されている。
″またマスク13a、13bはリレーレンズ14により
共役儂は図中MAの位置に形成される。そしてこれら共
役面MA、及びDはそれぞれどンホール10と光学的に
非共役な関係にある。
共役儂は図中MAの位置に形成される。そしてこれら共
役面MA、及びDはそれぞれどンホール10と光学的に
非共役な関係にある。
第1!fa図、第11b図はそれぞれ前述の光束制限マ
スク13a、13bのマスクパターンを示す図である。
スク13a、13bのマスクパターンを示す図である。
vxり13 aは傾きm、でピッチpの複数の直線パタ
ーンからなる平行直線群20を有して−る。
ーンからなる平行直線群20を有して−る。
ま几平行直線群20の内少なくとも1本は他の直線/f
ターンと区別できるように太さの異なる基準直線ノ臂タ
ーン22を有している。同様に−fスク13bは基準直
線パターン23を有し傾きm工、ピッチpの平行直線群
21を有している。
ターンと区別できるように太さの異なる基準直線ノ臂タ
ーン22を有している。同様に−fスク13bは基準直
線パターン23を有し傾きm工、ピッチpの平行直線群
21を有している。
こ\で、本実施例では基準直線/臂ターン22.23は
太さに差をもたせることで他の1線/ヤターンと区別さ
せ九が、本発明はこれに限定されるものでなく、光の透
過率や透過波長特性に差をも友せることにより区別させ
てもよく、或いは直線群はすべて同一とし、その特定箇
所のピッチを変えて基準直線の代りとしてもよい。
太さに差をもたせることで他の1線/ヤターンと区別さ
せ九が、本発明はこれに限定されるものでなく、光の透
過率や透過波長特性に差をも友せることにより区別させ
てもよく、或いは直線群はすべて同一とし、その特定箇
所のピッチを変えて基準直線の代りとしてもよい。
マスク13a、13bのそれぞれの平行[1群20.2
1は第1弘図のリレーレンズ14によるマスク13a、
13bの共通共役面MA上で互いの交差角がθでかつ、
その−等分−24力Iある基準軸25と交わる角度が1
となるように構成されている。本実施ではθ=qQ”
a=90@ にり、?ある。
1は第1弘図のリレーレンズ14によるマスク13a、
13bの共通共役面MA上で互いの交差角がθでかつ、
その−等分−24力Iある基準軸25と交わる角度が1
となるように構成されている。本実施ではθ=qQ”
a=90@ にり、?ある。
なお、平行直線群20.21のそれぞれのピッチを同じ
値PK選んでいるが、これはマスク13a、13bの製
作を容易にするためだけであり、几・がいに異なるピッ
チの平行直線群を使用してもよいし、t7t1つの平行
直線群の各々の直線パターンのピッチもそれぞれ同一に
する必要はない・ また、角度θ、及び蓼も任意に選択しうるものである。
値PK選んでいるが、これはマスク13a、13bの製
作を容易にするためだけであり、几・がいに異なるピッ
チの平行直線群を使用してもよいし、t7t1つの平行
直線群の各々の直線パターンのピッチもそれぞれ同一に
する必要はない・ また、角度θ、及び蓼も任意に選択しうるものである。
第76図は、リニアセンサによるマスクパターンf象検
出時のりニアセンサ上へのマスクツ臂ターン儂の投影関
係を示す図である。第16図に示すように第1ダ図のリ
ニアセンサ1’5.1 Bはそれぞれリレーレンズ14
により共通共役面すなわち検出面り上で交差角rを有す
るような関係で配置されている。そして、このリニアセ
ンサ15.16上に禎検角1[cKよって、その曲面特
性情報をもつ九光束はマスク13a、13bを通過し、
マスク13aの平行直線群20はリニアセンサ上に投影
直線パl−720’ a、20’ b、22’・・・2
0’hとして投影される。同様にマスク13bの平行直
線群21は投影直線)臂ターン21′a、21′b・−
23’ ・・・21′ 1として投影される。
出時のりニアセンサ上へのマスクツ臂ターン儂の投影関
係を示す図である。第16図に示すように第1ダ図のリ
ニアセンサ1’5.1 Bはそれぞれリレーレンズ14
により共通共役面すなわち検出面り上で交差角rを有す
るような関係で配置されている。そして、このリニアセ
ンサ15.16上に禎検角1[cKよって、その曲面特
性情報をもつ九光束はマスク13a、13bを通過し、
マスク13aの平行直線群20はリニアセンサ上に投影
直線パl−720’ a、20’ b、22’・・・2
0’hとして投影される。同様にマスク13bの平行直
線群21は投影直線)臂ターン21′a、21′b・−
23’ ・・・21′ 1として投影される。
これら投影される投影直線/臂ターンは被検角膜Cの曲
面特性によシ、ピッチはp′及びl)’に、ま几互いの
交差角紘θ′に及びその二等分線24′が基準軸25′
と交わる角度はε′に変化させられる。
面特性によシ、ピッチはp′及びl)’に、ま几互いの
交差角紘θ′に及びその二等分線24′が基準軸25′
と交わる角度はε′に変化させられる。
測定に際してまず光源70の発光により、第1測定元路
が形成され、マスク13aによる投影直線ノ4ターン2
0’ a、’l O’ b−42’−29’ hが
、リニアセンサ15、及び16上に投影される。
が形成され、マスク13aによる投影直線ノ4ターン2
0’ a、’l O’ b−42’−29’ hが
、リニアセンサ15、及び16上に投影される。
こ\でリニアセンサ15によシ投影直線ノダターン2”
as 20’ b・−・2g/ hBそれぞれ検出点
e ・・・・・・e工、として検出される。同時にりe
ll、 11 ニアセンサ16によっても、検出点f工、f工、・・・
f工、として検出される。
as 20’ b・−・2g/ hBそれぞれ検出点
e ・・・・・・e工、として検出される。同時にりe
ll、 11 ニアセンサ16によっても、検出点f工、f工、・・・
f工、として検出される。
つぎに%元源71を発光させると、第26111定党路
が形成され、マスク13bKよる投影[−” /・−y
21’ a、21’ b−23’−21’ lがリニ
アセンサ15、及び16上に投影される。こ−でリニア
センナ15によす投影[llsパターン21’ a、2
1’ b・=23’−21’ lはそれぞれ検出点e
8□ esx・・・”me em。とじて検出される
。ま几貝様にリニアセンサ16によっても検出点f8□
、’am・・・fsaとして検出される。
が形成され、マスク13bKよる投影[−” /・−y
21’ a、21’ b−23’−21’ lがリニ
アセンサ15、及び16上に投影される。こ−でリニア
センナ15によす投影[llsパターン21’ a、2
1’ b・=23’−21’ lはそれぞれ検出点e
8□ esx・・・”me em。とじて検出される
。ま几貝様にリニアセンサ16によっても検出点f8□
、’am・・・fsaとして検出される。
第1り図(A)〜帖は、リニアセンサによる投影直線パ
ターン検出時のりニアセンサ出力及びその後の演算をタ
イミングチャートで示し次回である。
ターン検出時のりニアセンサ出力及びその後の演算をタ
イミングチャートで示し次回である。
(〜紘すニアセンサの検出出力読み出し駆動用のパルス
列であり、リニアセンサにこのパルスが入力されるとそ
れKともなってリニアセンサから順時検出出力が出力さ
れる。(B)はリニアセンサ15に投影直線パターン2
0’ a、20’ b・ 22’ −・・20′hが投
影され几ときのりニアセンサ15からの検出出力波形(
包路線)を示している。この(8)の出力波形は検出点
e工、e工、・・・eユ、に対応し几出力レベルの立上
シを有する出力波形となっている。同様K (C1は、
リニアセンサ16による直線11パターン20’ a、
2 G’ b・20’ tzD検出出力波形、Q)li
tリニアセンサ15によるMHパタ−ン21’ a、2
1’ b−23’−21’ lの検出出力波形、(E
)はリニアセンサー8による投影直線パP−ン21’
a、21’ b・23’−21’1の検出出力波形であ
る。(F)〜(1)は、上述の検出出力波形(8)〜(
E)をシュミット・トリガー回路で矩形波に波形成形し
几矩形波出力波形であシ、出力波形(F)〜(1)はそ
れぞれ出力波形(81〜(EI K対応している。つぎ
にこの得られた矩形波出力波形(F)〜(1)の各矩形
波の中心位置をもとめ、この中心位蓋をすニアセンサの
センサ素子番号を目盛として位置づゆする。
列であり、リニアセンサにこのパルスが入力されるとそ
れKともなってリニアセンサから順時検出出力が出力さ
れる。(B)はリニアセンサ15に投影直線パターン2
0’ a、20’ b・ 22’ −・・20′hが投
影され几ときのりニアセンサ15からの検出出力波形(
包路線)を示している。この(8)の出力波形は検出点
e工、e工、・・・eユ、に対応し几出力レベルの立上
シを有する出力波形となっている。同様K (C1は、
リニアセンサ16による直線11パターン20’ a、
2 G’ b・20’ tzD検出出力波形、Q)li
tリニアセンサ15によるMHパタ−ン21’ a、2
1’ b−23’−21’ lの検出出力波形、(E
)はリニアセンサー8による投影直線パP−ン21’
a、21’ b・23’−21’1の検出出力波形であ
る。(F)〜(1)は、上述の検出出力波形(8)〜(
E)をシュミット・トリガー回路で矩形波に波形成形し
几矩形波出力波形であシ、出力波形(F)〜(1)はそ
れぞれ出力波形(81〜(EI K対応している。つぎ
にこの得られた矩形波出力波形(F)〜(1)の各矩形
波の中心位置をもとめ、この中心位蓋をすニアセンサの
センサ素子番号を目盛として位置づゆする。
すなわち、第7を図に示すようKE工、E3、・・・E
N−z、EN 番までのN個のセンサ素子からなるリニ
アセンサLNS?第E9番からE、十〇番号のセンサ素
子により、矩形波出力eAが出力され。
N−z、EN 番までのN個のセンサ素子からなるリニ
アセンサLNS?第E9番からE、十〇番号のセンサ素
子により、矩形波出力eAが出力され。
また第Et番からEt+m番のセンサ素子によシ矩形波
出力elBが出力されているとき矩形波出力eAの幅Δ
はセンサ素子個数n @ K s矩形波出力eBの幅
ΔBはセンサ索子個数m個にそれぞれ対応しているので
矩形波出力eAの中心位置01はE9番素子からn/2
個づれ+E、+n/2=EC2番目の素子に対応してい
ることがわかる。同様に矩形波出力eBの中心位置0
、 Fi 、ji−)m/2 = E C,番目素子に
対応している。又、更に検出精度を上ける為にはセンサ
索子ピッチ間の内挿が必要であるが、これ線出力信号の
立上り、立下シ部を正確に包絡線検波した後に適当なス
ライスレベルで波形整形しりニアセンサを駆動する/4
ルス列よシ光分周波数の高いクロックパルスを用いて中
心位置を検出する事によって達成される。
出力elBが出力されているとき矩形波出力eAの幅Δ
はセンサ素子個数n @ K s矩形波出力eBの幅
ΔBはセンサ索子個数m個にそれぞれ対応しているので
矩形波出力eAの中心位置01はE9番素子からn/2
個づれ+E、+n/2=EC2番目の素子に対応してい
ることがわかる。同様に矩形波出力eBの中心位置0
、 Fi 、ji−)m/2 = E C,番目素子に
対応している。又、更に検出精度を上ける為にはセンサ
索子ピッチ間の内挿が必要であるが、これ線出力信号の
立上り、立下シ部を正確に包絡線検波した後に適当なス
ライスレベルで波形整形しりニアセンサを駆動する/4
ルス列よシ光分周波数の高いクロックパルスを用いて中
心位置を検出する事によって達成される。
このように投影Wliiパターンの位置は検出点から得
られるリニアセンナの矩形波出力波形の中心位置をもと
めることによりリニアセンサの素子番号に裏って位置付
けすなわちリニアセンサを座標軸とする座標値として得
られる。
られるリニアセンナの矩形波出力波形の中心位置をもと
めることによりリニアセンサの素子番号に裏って位置付
けすなわちリニアセンサを座標軸とする座標値として得
られる。
第17図(J)〜Mは、上記の方法で各々の検出点をリ
ニアセンサ上の座標値として示しm図であり、座標値”
l l 、 ”l m ”・e′0.は検出点e11.
e工、。
ニアセンサ上の座標値として示しm図であり、座標値”
l l 、 ”l m ”・e′0.は検出点e11.
e工、。
・・・e工?にそれぞれ対応している。1之以下座標値
f′1、〜f′1.は検出点f工、〜f支、に、座標値
e /、、〜e12゜は検出点e8□〜eカ。に、座標
値f′8、〜”m sは検出点ず8□〜f2. Kそれ
ぞれ対応している。
f′1、〜f′1.は検出点f工、〜f支、に、座標値
e /、、〜e12゜は検出点e8□〜eカ。に、座標
値f′8、〜”m sは検出点ず8□〜f2. Kそれ
ぞれ対応している。
ま几第1ざ図に示したように矩形波出力eBを出力する
センサ素子数mは他の矩形波出力eIAを出力するセン
サ素子数nと異なっておシ、かつm)nであることから
この矩形波出力eBが第13a図、第1.l−b図に示
したような基準直線I4ターンによる投影直線パターン
の検出出力であることがわかる。本実施例においては第
16図、第1り図の検出点e工5.e工aeesa*’
msがそれぞれ基準投影直線パターン22’、23”、
を検出した検出点であり、e′23.f′、s m e
’ a a e f ’、、がそれぞれの基準座標値
であることがわかる。
センサ素子数mは他の矩形波出力eIAを出力するセン
サ素子数nと異なっておシ、かつm)nであることから
この矩形波出力eBが第13a図、第1.l−b図に示
したような基準直線I4ターンによる投影直線パターン
の検出出力であることがわかる。本実施例においては第
16図、第1り図の検出点e工5.e工aeesa*’
msがそれぞれ基準投影直線パターン22’、23”、
を検出した検出点であり、e′23.f′、s m e
’ a a e f ’、、がそれぞれの基準座標値
であることがわかる。
そして、基準座標値eI、、、fl、6から基準投影直
線パターン22′の方程式が決定でき、基準座標値”1
6 @ ”+13から基準投影直線パタ−ン23′の方
程式が′決定できる。また基準座標値”xa*e16、
”I15、”m sを基準として順序づけられる各座標
値から他の投影直線/4ターンの方程式力;決定できる
0例えば基準座標値e′0.の次の座標値”l ISと
基準座標値f′、6の次の座標値f′、7とから投影[
111パターン2Q’lの方程式が決定できる。このよ
うに各々の座標値から多数の投影直線/4ターンの方程
式が決定でき、かつこれら投影直線パターンは同じ平行
直線群に属するものはその平行性をくずすことはないの
で、これら多数のlI直線程式を平均化することKよシ
、より正確な精密な検出結果が得られる。ま次、もとめ
た多数の方程式のそれぞれのピッチP′も多数の値をも
とめることができ、これらな平均化して正確な、精密な
ピッチP′をもとめることができる。このことは、本発
明の大きな特徴である。
線パターン22′の方程式が決定でき、基準座標値”1
6 @ ”+13から基準投影直線パタ−ン23′の方
程式が′決定できる。また基準座標値”xa*e16、
”I15、”m sを基準として順序づけられる各座標
値から他の投影直線/4ターンの方程式力;決定できる
0例えば基準座標値e′0.の次の座標値”l ISと
基準座標値f′、6の次の座標値f′、7とから投影[
111パターン2Q’lの方程式が決定できる。このよ
うに各々の座標値から多数の投影直線/4ターンの方程
式が決定でき、かつこれら投影直線パターンは同じ平行
直線群に属するものはその平行性をくずすことはないの
で、これら多数のlI直線程式を平均化することKよシ
、より正確な精密な検出結果が得られる。ま次、もとめ
た多数の方程式のそれぞれのピッチP′も多数の値をも
とめることができ、これらな平均化して正確な、精密な
ピッチP′をもとめることができる。このことは、本発
明の大きな特徴である。
次に第19図から第17図までを参照しながら。
リニアセンサによシ検出された投影直線ノ臂ターフの方
程式から仮想直線を生成し、この直線をもとに投影直線
パターン投影間と同−平爾上に任意07点を決定し、こ
のダ点の変化から被検角膜O―?[41性を測定する方
法について述べる。第1り図は、被検角膜Cを測定光路
に設置しないで反射鏡90を挿入したときのリニア七ン
t15.llbへ直線パターン20.21を投影した場
合を示している。このと自投影直111/4ターン2@
”(g/?図では、基準投影114fi−y22’ 、
2 $’及び投影直線/lターフ2tJ’ @、20
’ず、21’d。
程式から仮想直線を生成し、この直線をもとに投影直線
パターン投影間と同−平爾上に任意07点を決定し、こ
のダ点の変化から被検角膜O―?[41性を測定する方
法について述べる。第1り図は、被検角膜Cを測定光路
に設置しないで反射鏡90を挿入したときのリニア七ン
t15.llbへ直線パターン20.21を投影した場
合を示している。このと自投影直111/4ターン2@
”(g/?図では、基準投影114fi−y22’ 、
2 $’及び投影直線/lターフ2tJ’ @、20
’ず、21’d。
21″・のみを選択して図示していゐが)及び21’は
前述の方法によシその直線の方程式及びピッチpが決定
される。そして次K例えば投影直線I4ターン20“e
を基準として・xPだけ離れ九位置に傾きf x m
zの仮想直線30を生成で11、又、その反対側K g
x Pだけ離れ九位置に傾きf x m zの仮想直
線31を生成することがで自為。
前述の方法によシその直線の方程式及びピッチpが決定
される。そして次K例えば投影直線I4ターン20“e
を基準として・xPだけ離れ九位置に傾きf x m
zの仮想直線30を生成で11、又、その反対側K g
x Pだけ離れ九位置に傾きf x m zの仮想直
線31を生成することがで自為。
同様な方法によシ、例えば直線・臂ターン像21“dを
基準としてs hxPだけ離れ九位置に傾きfxm。
基準としてs hxPだけ離れ九位置に傾きfxm。
01!02を、lxPだけ離れ九位置KIXIfxm。
の直線3sをそれぞれ生成できる。ここで係数・、ず、
8% h% 11は任意に選択できる係数であシ、昔通
スー/すなわち直線パターン像の方程式の傾11m□及
びm、と同じ傾きの仮想直線を生成させる。を九、係数
・、g%h、lは、生成される仮maso交、as s
、3 T、 3 @、 及ヒ3 l;$−rxりの中心
24に対し対称となるように選ばれる。
8% h% 11は任意に選択できる係数であシ、昔通
スー/すなわち直線パターン像の方程式の傾11m□及
びm、と同じ傾きの仮想直線を生成させる。を九、係数
・、g%h、lは、生成される仮maso交、as s
、3 T、 3 @、 及ヒ3 l;$−rxりの中心
24に対し対称となるように選ばれる。
第1デ図は、このように仮想直線が生成された状態を示
している。このように仮想直線を生成すると被検角膜と
のアライメント量の算出が容易になることは、ナでに原
通説−で述べ走通〕である。
している。このように仮想直線を生成すると被検角膜と
のアライメント量の算出が容易になることは、ナでに原
通説−で述べ走通〕である。
次に装置を移動し、反射鏡90を退出させ測定光路中に
被検角膜を設置し、その被検角膜の一面特性によって変
化された光束による投影直線パターンを2インセンナで
検出し、この直線パターン□ から仮想直線をもとめる方法をwcitritnc示す
。
被検角膜を設置し、その被検角膜の一面特性によって変
化された光束による投影直線パターンを2インセンナで
検出し、この直線パターン□ から仮想直線をもとめる方法をwcitritnc示す
。
なお以下の説明では被検角膜と測定光軸とのアライメン
ト調整は前述の第1実施例と同様の方法ですでに完了し
ているものとする。
ト調整は前述の第1実施例と同様の方法ですでに完了し
ているものとする。
まず、被検角膜の曲lI特性によp、ピッチP′pl、
傾Jim’1m’にそれでれ変化された投影2 直線パターン2G’、21’を検出し、その方1式を算
出することは上述し九とおにである0次に第1デ図で基
準とし九投影直線/fターン20’・に対応する投影直
線/lターフ20’・を基準として第1り図で仮想直m
soを生成する丸めに利用し九と同じ量の係数eをもっ
てexe”の位置に仮想直線30′を生成する。なおこ
の仮想直鐘so’o傾きはtit/9Eで仮11直!i
30’01j[會fxm の係数fをf−/とおいて
いるo−’c′仮想直mso’の傾きずxm ’の係
数f4FIIIKず膨1としている。同様の方法で、投
影直線パターン20′・を基準としてg X p #の
位置に仮想直線31′を、投影直線/中ターン21′d
を基準としてhxP’の位置に仮想直線32′を、1×
P′の位置に仮想直線[1をそれぞれ生成する。そL−
1: とftらoa想直線30’、81’、31!’、
33′から交点86’、37’、II’、s9′を得ら
れるし、これらダ交点からその中心34′を得ることが
できる。
傾Jim’1m’にそれでれ変化された投影2 直線パターン2G’、21’を検出し、その方1式を算
出することは上述し九とおにである0次に第1デ図で基
準とし九投影直線/fターン20’・に対応する投影直
線/lターフ20’・を基準として第1り図で仮想直m
soを生成する丸めに利用し九と同じ量の係数eをもっ
てexe”の位置に仮想直線30′を生成する。なおこ
の仮想直鐘so’o傾きはtit/9Eで仮11直!i
30’01j[會fxm の係数fをf−/とおいて
いるo−’c′仮想直mso’の傾きずxm ’の係
数f4FIIIKず膨1としている。同様の方法で、投
影直線パターン20′・を基準としてg X p #の
位置に仮想直線31′を、投影直線/中ターン21′d
を基準としてhxP’の位置に仮想直線32′を、1×
P′の位置に仮想直線[1をそれぞれ生成する。そL−
1: とftらoa想直線30’、81’、31!’、
33′から交点86’、37’、II’、s9′を得ら
れるし、これらダ交点からその中心34′を得ることが
できる。
このようにして、もとめられ九ダ点36〜39は検出薗
り上で被検角膜の−m特性によりダ点36′〜ss′に
変位する。この様子を示すのが27図である。そしてこ
の変位量をもとく上述の第■〜(2)弐によって被検レ
ンズの一面特性を算出することができる0本実施例のよ
うに被検角膜を測定光路内に設置しないで平面反射鏡8
oを挿入したと* ort’ia直線のダ交点を基準点
とし、次に被検角膜を測定光路内に挿入したときの上記
ダ交点の変位量をもとめる方法を使用すると、上述のJ
IIJ式は一本のリニアセンナが作る座標系に対して全
く不変となる為組立時にリニアセンナの交差角及び交差
位置の管理を一切行なう必要がなくなるという大きな利
点がある。
り上で被検角膜の−m特性によりダ点36′〜ss′に
変位する。この様子を示すのが27図である。そしてこ
の変位量をもとく上述の第■〜(2)弐によって被検レ
ンズの一面特性を算出することができる0本実施例のよ
うに被検角膜を測定光路内に設置しないで平面反射鏡8
oを挿入したと* ort’ia直線のダ交点を基準点
とし、次に被検角膜を測定光路内に挿入したときの上記
ダ交点の変位量をもとめる方法を使用すると、上述のJ
IIJ式は一本のリニアセンナが作る座標系に対して全
く不変となる為組立時にリニアセンナの交差角及び交差
位置の管理を一切行なう必要がなくなるという大きな利
点がある。
第一一図は、以上のごと自演算処理を行なう為の処理回
路の一例をブロック図で簡単に示すものである。リニア
センナドライバ100,101によって駆動畜れるリニ
アセンナ15% 1・は第73図(B)〜(Qで示すご
とき、まず、ド2イf回路@Oによって駆動された光源
TOO発光によシ、光束制限マスク13aの直線開口/
4ターン投影像による検出出力信号を信号ライン102
.101に送出する。104はアナログスイッチであ)
。
路の一例をブロック図で簡単に示すものである。リニア
センナドライバ100,101によって駆動畜れるリニ
アセンナ15% 1・は第73図(B)〜(Qで示すご
とき、まず、ド2イf回路@Oによって駆動された光源
TOO発光によシ、光束制限マスク13aの直線開口/
4ターン投影像による検出出力信号を信号ライン102
.101に送出する。104はアナログスイッチであ)
。
マイクロプロセッサ10!Iによってコントルールされ
る。!イクロデロセツt105はリニア七ンt15をド
ライブするド2イパ100よりリニアセンサの走査開始
)4ルス1(lによ)割込を受けると、アナログスイッ
チを制御して、リニアセンナ15の出力が^10変換器
10Fに入力される様にする。A/D変換器107は、
ドライA@路10Gからの第1り図(AK示すようなリ
ニア竜ンナ読み出し/4ルスl0IIKよシ読み出され
るり菰アセンナの/素子毎の出力をアナログ・デジタル
変換し、変換されたデジタル値を!イタロブー令ツナに
供給する。ここで^/D変換11101は。
る。!イクロデロセツt105はリニア七ンt15をド
ライブするド2イパ100よりリニアセンサの走査開始
)4ルス1(lによ)割込を受けると、アナログスイッ
チを制御して、リニアセンナ15の出力が^10変換器
10Fに入力される様にする。A/D変換器107は、
ドライA@路10Gからの第1り図(AK示すようなリ
ニア竜ンナ読み出し/4ルスl0IIKよシ読み出され
るり菰アセンナの/素子毎の出力をアナログ・デジタル
変換し、変換されたデジタル値を!イタロブー令ツナに
供給する。ここで^/D変換11101は。
tビット(//コ36)程度の分解能を有し、かつリニ
アセンナの走査周波数よシ速い変換時間を有するものが
選ばれる。マイクafロセツtIOIは、/素子毎&l
”ジタル値に変換されたリニアセンサ1sの出力を読み
込み、RAM(ランダムアクセスメモリ)等で構成され
るデータメモリ1011に逐次格納する。従って、デー
タメモリ1(lには、あらかじめ定められた位置(番地
)より、リニア七710最初の素子による出力から願に
デンタル値として格納畜れる。例えばリニアセンサが/
7コを素子のものであれば、/7コを個のデータ職)込
みが終了すると、!イクロプロセツサ105は、それ以
上のデータ職シ込みをやめ、リニアセンサ16を駆動す
る走査開始/4ルス110により、割込を受けるのを待
つ。割込を受けるとアナログスイッチIt)4を制御し
てリニアセンサ絖み出しノ譬ルス111によ〉絖み出さ
れるリニアセンt11の出力をデジタル値としてデータ
メモリl0IK引きつづき格納する。つぎにマイクpf
aセツナ105は、ドライブ回路1を制御して今まで発
してい九元源70を消し、光源T1を発光させる。そし
て前述と同様の駆動によシ第1りWAυ、0の検出出力
をデジタル値としてデータメモリl0IK格納する。こ
れで全ての測定データがデータメモリ101に絨納され
要事になる。以後マイク四プロセッサ105内の演算回
路112はデータメ1、篭り1011に書自込まれ九デ
ータを基にして以下の処理を行表う。
アセンナの走査周波数よシ速い変換時間を有するものが
選ばれる。マイクafロセツtIOIは、/素子毎&l
”ジタル値に変換されたリニアセンサ1sの出力を読み
込み、RAM(ランダムアクセスメモリ)等で構成され
るデータメモリ1011に逐次格納する。従って、デー
タメモリ1(lには、あらかじめ定められた位置(番地
)より、リニア七710最初の素子による出力から願に
デンタル値として格納畜れる。例えばリニアセンサが/
7コを素子のものであれば、/7コを個のデータ職)込
みが終了すると、!イクロプロセツサ105は、それ以
上のデータ職シ込みをやめ、リニアセンサ16を駆動す
る走査開始/4ルス110により、割込を受けるのを待
つ。割込を受けるとアナログスイッチIt)4を制御し
てリニアセンサ絖み出しノ譬ルス111によ〉絖み出さ
れるリニアセンt11の出力をデジタル値としてデータ
メモリl0IK引きつづき格納する。つぎにマイクpf
aセツナ105は、ドライブ回路1を制御して今まで発
してい九元源70を消し、光源T1を発光させる。そし
て前述と同様の駆動によシ第1りWAυ、0の検出出力
をデジタル値としてデータメモリl0IK格納する。こ
れで全ての測定データがデータメモリ101に絨納され
要事になる。以後マイク四プロセッサ105内の演算回
路112はデータメ1、篭り1011に書自込まれ九デ
ータを基にして以下の処理を行表う。
(b 光束制限オスクの直線開口/4ターンの投影像に
よって生ずるリニアセンナ出力波形の中)cr位置がリ
ニアセンナの素子の何番目に位置するかを検出する。
よって生ずるリニアセンナ出力波形の中)cr位置がリ
ニアセンナの素子の何番目に位置するかを検出する。
c21 一本のりエアセンナが作る座標系に於いて、各
直線開口・り一ン像の方程式を求める。
直線開口・り一ン像の方程式を求める。
■ すでに述べた方法によシ、第一0図の30’〜33
′のごとき仮想直線の方程式を生成し。
′のごとき仮想直線の方程式を生成し。
それらの交点として、第コク図に示すダ点38′〜39
′の座標位置を求め、それよシ、その中心位置34′を
求める。
′の座標位置を求め、それよシ、その中心位置34′を
求める。
(ロ) あらかじめ、反射鏡21を測定光路に挿入し九
場合のダ点の基準位置、3@〜3s及びその中心34の
座標位置と前項0で求められ九各点36′〜39′及び
34′の座標位置よ)前記Q〜(支)弐にし九がって演
算し被検角膜の第1主径線の一率半径R8、第2主径線
の曲率中11R,、軸方向−及びアライメント量a、/
を求める。
場合のダ点の基準位置、3@〜3s及びその中心34の
座標位置と前項0で求められ九各点36′〜39′及び
34′の座標位置よ)前記Q〜(支)弐にし九がって演
算し被検角膜の第1主径線の一率半径R8、第2主径線
の曲率中11R,、軸方向−及びアライメント量a、/
を求める。
以上の処11によシ求められた各値は、第一一図に示す
表示器113、プリンター装置114に出力される。
表示器113、プリンター装置114に出力される。
なお表示器としては公知のCRTディスプレイ装置をも
ちい、アライメント量α、Iは図形表示すると測定上便
利である。さらにアライメント量’s /を電気信号と
して装置筐体駆動部1171C入力し、その信号に応じ
電動駆動させればオートアライメントも可能である。
ちい、アライメント量α、Iは図形表示すると測定上便
利である。さらにアライメント量’s /を電気信号と
して装置筐体駆動部1171C入力し、その信号に応じ
電動駆動させればオートアライメントも可能である。
以上の処理拡、全てプログラムメモリ115に記碌され
ているプ瞠グツムに従って行なわれる。
ているプ瞠グツムに従って行なわれる。
!イク四プ四セツ?によって以上の様な処理を行なう事
は特殊なものでなく、関連する技術分野に属すゐ轟業者
にとっては害鳥に達成できるものである。
は特殊なものでなく、関連する技術分野に属すゐ轟業者
にとっては害鳥に達成できるものである。
本発明は以上に説明し九実流側に限定されるものでなく
、種々の変形例を有するものである。以下にそのコ、3
C)例を開示する。
、種々の変形例を有するものである。以下にそのコ、3
C)例を開示する。
第23図は、本発明の第ダの実施例を示す部分光学配置
図である。なお、照明光学系、固視光学系は前述の第3
実施例と同様であるので図示及び説明は省略する。i九
同様の構成要素には同一〇符号を附して説明を省略する
。
図である。なお、照明光学系、固視光学系は前述の第3
実施例と同様であるので図示及び説明は省略する。i九
同様の構成要素には同一〇符号を附して説明を省略する
。
測定光学系2には、リレーレンズ140117Jに第3
リレーレンズ124sTが配置されてシ)、このリレー
レンズ群8Tとリレーレンズ14の間に前記第デ図に図
示し九と同様のマスク板−が配置されてお夛、このマス
ク板9はリレーレンズ14によシその共役儂を図中間^
の位置に作っている。
リレーレンズ124sTが配置されてシ)、このリレー
レンズ群8Tとリレーレンズ14の間に前記第デ図に図
示し九と同様のマスク板−が配置されてお夛、このマス
ク板9はリレーレンズ14によシその共役儂を図中間^
の位置に作っている。
第二すレーレンズsTの後方には、メイクロイックミ9
−11@があシ、このミツ−8Tの反射及び透過光路が
それぞれ第1光路120、第一光路121を形成する。
−11@があシ、このミツ−8Tの反射及び透過光路が
それぞれ第1光路120、第一光路121を形成する。
第一光路121には、イメージロテータ125が、予め
定め九角度、光軸を中□、: 心に回転せる丸めに配置されている。を九、嬉/光路1
20と第一光路121は、メイク四イツタミ:7−12
3で合成され、とのメイクpイツクミz)−12sの後
方には第3すv−レy:Ie124が配置され、その後
方にはリニアポジシ目ンセンサーsが配置されている。
定め九角度、光軸を中□、: 心に回転せる丸めに配置されている。を九、嬉/光路1
20と第一光路121は、メイク四イツタミ:7−12
3で合成され、とのメイクpイツクミz)−12sの後
方には第3すv−レy:Ie124が配置され、その後
方にはリニアポジシ目ンセンサーsが配置されている。
リニアセンサーSは、リレーレンズ14s 142′リ
レーレンズ$87及び第3リレーレンズ124によシそ
の共役儂を図中00位置に作られる。そして、第1光路
120内に前記したようにイメージpテータ125が配
置されているので、リニア七ンt15はこの共役検出面
O内で交差する2本のりエアセンサと等@になる。
レーレンズ$87及び第3リレーレンズ124によシそ
の共役儂を図中00位置に作られる。そして、第1光路
120内に前記したようにイメージpテータ125が配
置されているので、リニア七ンt15はこの共役検出面
O内で交差する2本のりエアセンサと等@になる。
測定vclIシては、発光*roを発光すると角膜Cか
らの反射光は、光束制御マスク■の平行直線群25,2
@iでによシ選択透過され、第1光路120を通ってリ
ニアセンサー5上に投影平行直線パターン群25’、2
@’として投影され、この投影ツヤターン群は1@コダ
図に示すようにリニアセンナ1sによシ検出点e 1@
2・・・e、として、;]。
らの反射光は、光束制御マスク■の平行直線群25,2
@iでによシ選択透過され、第1光路120を通ってリ
ニアセンサー5上に投影平行直線パターン群25’、2
@’として投影され、この投影ツヤターン群は1@コダ
図に示すようにリニアセンナ1sによシ検出点e 1@
2・・・e、として、;]。
検出される。次に、発光源71 [fJD替えると、そ
の角膜での反射光束は同様にマスク9の平行直lII群
21,28で選択され、その選択光束は第一光路121
を通シ、そのイメージロテータで回転されて、第、21
7図に示すようにリニアセンサー暴が15′の位置に配
置されたと等価になシ、平行直線群25,26の投影平
行直線Δターン群2 S’、26′を検出点f s
f、・・・ず、として検出されす る。
の角膜での反射光束は同様にマスク9の平行直lII群
21,28で選択され、その選択光束は第一光路121
を通シ、そのイメージロテータで回転されて、第、21
7図に示すようにリニアセンサー暴が15′の位置に配
置されたと等価になシ、平行直線群25,26の投影平
行直線Δターン群2 S’、26′を検出点f s
f、・・・ず、として検出されす る。
以下、これら検出点をもとに仮想平行四辺形をもとめ被
検角膜の曲面特性を算出する方法は前述の第一実施例と
同様である。
検角膜の曲面特性を算出する方法は前述の第一実施例と
同様である。
前述の第3実施例(第11I図)において、リニアセン
サー5.16をそのリレーレンズ14による共役面りで
互いに平行になるように配置しても測定は可能である。
サー5.16をそのリレーレンズ14による共役面りで
互いに平行になるように配置しても測定は可能である。
また第一3図に示すように、替し−レンズ81187の
後に平行千両ガラスからなる光束シフト手段301を配
し、これを光軸0゜と喬直な軸を回、転輪としてダつの
位置囚、(ロ)、(へ)。
後に平行千両ガラスからなる光束シフト手段301を配
し、これを光軸0゜と喬直な軸を回、転輪としてダつの
位置囚、(ロ)、(へ)。
(2)に回転変位すれば、光束制限!スターで選択され
た角膜をからの反射光束は、シフトされて第26図に示
すように7本のリニアセンナ15が共役wD上でダ本平
行に配置されたと等価にな〕、これよシ、各投影平行直
線パターン群25’、2@’の各投影直線・櫂ターンの
一点が検出されるので、その方程式を決定でき、これよ
如仮想平行四辺形を作成し、前述の実施例と同様に被検
角膜Cの曲面特性な測定できる。
た角膜をからの反射光束は、シフトされて第26図に示
すように7本のリニアセンナ15が共役wD上でダ本平
行に配置されたと等価にな〕、これよシ、各投影平行直
線パターン群25’、2@’の各投影直線・櫂ターンの
一点が検出されるので、その方程式を決定でき、これよ
如仮想平行四辺形を作成し、前述の実施例と同様に被検
角膜Cの曲面特性な測定できる。
i九第コ3図の光束シフト手段’801のかわシに、イ
メージロテータを光軸o1を回転軸として回転すれば第
2−図に示すように各投影平行直線パターン群が検出で
きることは前述の第ダ実施例から、きわめて害鳥にわか
るであろう。
メージロテータを光軸o1を回転軸として回転すれば第
2−図に示すように各投影平行直線パターン群が検出で
きることは前述の第ダ実施例から、きわめて害鳥にわか
るであろう。
を九イメージロテータを回転するかわ)K%第コク図に
示すようにパルスモータ駆動回路$03で回転制御され
る4ルスモータ302でリニアセンナ1sを光軸0、を
回転輪として回転して、投影パターンを検出してもよい
。
示すようにパルスモータ駆動回路$03で回転制御され
る4ルスモータ302でリニアセンナ1sを光軸0、を
回転輪として回転して、投影パターンを検出してもよい
。
51344図は本発明の箒、りの実施例を示す光学配置
図であゐ。本実施例は前述の第3の測定原理を応用した
オフtルモメータの図である。なお1本実施例では、千
m履の発光素子プレイを利用しているが、前述の種々の
実施例において9−アIジシ菖ンセンサをリニア受光素
子アレイに置き換えられるのと同様に第30測定原理を
利用したオツサルモメータにおいても平面層発光素子プ
レイの代、9にリニア発光素子アレイに置き代えられる
aは、歯業者には明らかであろ2う−リレーレンズ14
の光軸と垂直な平面内に平面蓋発光素子アレイ320が
配置されている。この千両型発光素子プレイ820は微
細な発光ダイオードを稠密的に千両基板上に配列して構
成されている。リレーレンズ14と、発光素子アレイ3
120との間には、前記第3の実施例と同様の光束制限
マスク−が配置−gれてシシ、リレーレンズ14により
、マスターはその共役儂を藺の位置に%また、発光素子
アレイはその共役偉をSの位置に作られている。また、
リレーレンズ14は、前述の原理説明においてのべた集
光レンズLをも兼用しておp、角膜Cの反射光のうちリ
レーレンズ140光軸0と平行な光線を反射鏡$21を
介して♂ンホール322に集光させ、このピンホール1
22を通過した光線はリレーレンズ32$によシ検知器
324に入射される。この検知器324としては高感度
のアノ譬ランシャフォトダイオードが利用される。また
畜らに感度をあげるには、ベルチェ効果を利用した電子
冷却手段を兼用して4よいし、また、公知の光電子俺増
管を利用してもよい。
図であゐ。本実施例は前述の第3の測定原理を応用した
オフtルモメータの図である。なお1本実施例では、千
m履の発光素子プレイを利用しているが、前述の種々の
実施例において9−アIジシ菖ンセンサをリニア受光素
子アレイに置き換えられるのと同様に第30測定原理を
利用したオツサルモメータにおいても平面層発光素子プ
レイの代、9にリニア発光素子アレイに置き代えられる
aは、歯業者には明らかであろ2う−リレーレンズ14
の光軸と垂直な平面内に平面蓋発光素子アレイ320が
配置されている。この千両型発光素子プレイ820は微
細な発光ダイオードを稠密的に千両基板上に配列して構
成されている。リレーレンズ14と、発光素子アレイ3
120との間には、前記第3の実施例と同様の光束制限
マスク−が配置−gれてシシ、リレーレンズ14により
、マスターはその共役儂を藺の位置に%また、発光素子
アレイはその共役偉をSの位置に作られている。また、
リレーレンズ14は、前述の原理説明においてのべた集
光レンズLをも兼用しておp、角膜Cの反射光のうちリ
レーレンズ140光軸0と平行な光線を反射鏡$21を
介して♂ンホール322に集光させ、このピンホール1
22を通過した光線はリレーレンズ32$によシ検知器
324に入射される。この検知器324としては高感度
のアノ譬ランシャフォトダイオードが利用される。また
畜らに感度をあげるには、ベルチェ効果を利用した電子
冷却手段を兼用して4よいし、また、公知の光電子俺増
管を利用してもよい。
測定方法は平面層発光素子アレイ320の各発光ダイオ
ードを順次発光走考7シ、走査発光された発光ダイオー
ドのうちの一部の発光ダイオードからの光がマスク9の
平行直線群25及び26を通過し角膜GK照射される。
ードを順次発光走考7シ、走査発光された発光ダイオー
ドのうちの一部の発光ダイオードからの光がマスク9の
平行直線群25及び26を通過し角膜GK照射される。
そして、角膜Cで反射され、その一部はリレーレンズ1
4によシピ/ホール322に集光され、検知器324で
検知される。この検知器324で機知されたときの発光
〆・・・・6、及びf 、f ・・・ず、の各発光
点から、2 直線軌跡25’、28’、を算出し、この直線軌跡をも
とに@il!平、行四辺形を作成し、第■〜第(イ)式
を使って角膜の曲率半iR,R,及び軸角度一を演算す
る。
4によシピ/ホール322に集光され、検知器324で
検知される。この検知器324で機知されたときの発光
〆・・・・6、及びf 、f ・・・ず、の各発光
点から、2 直線軌跡25’、28’、を算出し、この直線軌跡をも
とに@il!平、行四辺形を作成し、第■〜第(イ)式
を使って角膜の曲率半iR,R,及び軸角度一を演算す
る。
本実施例の駆動演算回路としては、前述の第22図、K
示した回路とは埋同様の構成で達成で會る。相異点は/
ジシW/セノ?IL11のかわシに平面層発光素子プレ
イかまたはy=ア発光素子アレイを使用することと、こ
の発光素子アレイの駆動パルスと、検知器324の検知
出力との同期をとる同期回路を追加する点が相異するの
みである。
示した回路とは埋同様の構成で達成で會る。相異点は/
ジシW/セノ?IL11のかわシに平面層発光素子プレ
イかまたはy=ア発光素子アレイを使用することと、こ
の発光素子アレイの駆動パルスと、検知器324の検知
出力との同期をとる同期回路を追加する点が相異するの
みである。
まえ、発光素子アレイとしては、その発光単位として発
光ダイオードを利用するかわシにレーデな利用すること
もできる。
光ダイオードを利用するかわシにレーデな利用すること
もできる。
第29図はその第1の例で%G、^1半導体レーデ50
0からのレーデ光501を例えば−転多面すメータレン
ズ503有して前側に多数の微少光7アイ/+0ツド5
04aを平間状に配列し九光ファイバ集合体504の各
光7アイノ+cIツドS・4aKレーデ光を入射させ、
この光フアイバロッドの開口数の多いことを利用して発
散光束にして射出するような構成をとって屯よい。
0からのレーデ光501を例えば−転多面すメータレン
ズ503有して前側に多数の微少光7アイ/+0ツド5
04aを平間状に配列し九光ファイバ集合体504の各
光7アイノ+cIツドS・4aKレーデ光を入射させ、
この光フアイバロッドの開口数の多いことを利用して発
散光束にして射出するような構成をとって屯よい。
またリニア贋発光素子アレイのかわシに1第3θ図に示
すように、多数のオプティカルファイバ510の一端を
直線状に配列し、他端を円筒状に束ねこのオプティカル
ファイバの円筒束他端にレーデ光ガイド光学系511を
内蔵した回転円板512をパルスモータ311で回転し
ながら牛導体レーデ512からのレーデ光をスキャンさ
せてもよい。
すように、多数のオプティカルファイバ510の一端を
直線状に配列し、他端を円筒状に束ねこのオプティカル
ファイバの円筒束他端にレーデ光ガイド光学系511を
内蔵した回転円板512をパルスモータ311で回転し
ながら牛導体レーデ512からのレーデ光をスキャンさ
せてもよい。
第37図は、本発明の第1の測定原理をコンタクトレン
ズのペースカーブあるいは前頁のカーブを測定する2ジ
アスメータに応用した実施例を示す光学配置図である。
ズのペースカーブあるいは前頁のカーブを測定する2ジ
アスメータに応用した実施例を示す光学配置図である。
第1実施例と同一の構成要素には同一の符号を附して説
明は省略する。
明は省略する。
コンタクドレンJeCLのペースカーブを測定する時は
、コンタクトレンズの曲間な下にして、コンタクトレン
ズ保持手段@OOの円管状突出部601に保持される。
、コンタクトレンズの曲間な下にして、コンタクトレン
ズ保持手段@OOの円管状突出部601に保持される。
この円管状突出部の底藺には、第1−図の反射鏡21と
同様の作用をする反射鏡602がはめ込オれてい為、コ
ンタタトレンtCIシーm感沿SOOに保持する前に、
この反射鏡@02を使って基準座標系の設定が出来るよ
うになっている。
同様の作用をする反射鏡602がはめ込オれてい為、コ
ンタタトレンtCIシーm感沿SOOに保持する前に、
この反射鏡@02を使って基準座標系の設定が出来るよ
うになっている。
賞、本実施例においては、SSpシW/センナ13のリ
レーレンズ14による共役面O%D′は、それぞれ測定
しようとするコンタクトレンズの後面の焦点距離ず。、
よシ内側に位置するように設計する。
レーレンズ14による共役面O%D′は、それぞれ測定
しようとするコンタクトレンズの後面の焦点距離ず。、
よシ内側に位置するように設計する。
ラジアスメータへの応用は、本実施例で示したように本
発明の第1の原理だけが応用できるのでなく、他の第一
、第3の測定原理を利用で亀ることは菖うまでもない。
発明の第1の原理だけが応用できるのでなく、他の第一
、第3の測定原理を利用で亀ることは菖うまでもない。
以上説明し九測定原理、及び各実施例のマスク手段には
光束を選択的に透過させる直線開口を形成した例を示し
たがとのかわシに光束を選択的に反射する反射型直線/
臂ターンを利用しても本実―と同一の作用効果が得られ
るヒとは言う壕でもな%1′・ 、・( また、発光素子又は受光素子を走査駆動し、そして検出
データを演算処理する回路は、前述し九回路に限らず、
必要なデータが得られそして前述した演算式を処理でき
るならばどのような回路でもよく、当業者には様々な回
路が設計できるであろうことは明らかであろう。
光束を選択的に透過させる直線開口を形成した例を示し
たがとのかわシに光束を選択的に反射する反射型直線/
臂ターンを利用しても本実―と同一の作用効果が得られ
るヒとは言う壕でもな%1′・ 、・( また、発光素子又は受光素子を走査駆動し、そして検出
データを演算処理する回路は、前述し九回路に限らず、
必要なデータが得られそして前述した演算式を処理でき
るならばどのような回路でもよく、当業者には様々な回
路が設計できるであろうことは明らかであろう。
第1(a)図、82図は本発明のls/の測定原理を示
す斜視図%第1(b)図は上記第7(a)図の平面図、
第3図(荀、伽)、(C)は本発明によって1爾特性を
測定できることを示す直線光l1l(またはマスクツタ
ーン)の投影とリニアセンtの関係を示す概略図、第ダ
図は直交座標系と斜交座標系の関係を示す図、gt図は
直線光源(またはマスクパターン)と仮想平行四辺形の
関係を示す図、第6図(荀は本発明の第一の測定原理を
示す斜am%第6伽)図は第6(−の平面図、第7(荀
図は本発明の第3の測定原理を示す斜視図、第7(b)
図は第7(+!0図の平間図、第5図は本発明の第1の
実施例を示す光学配置図、第を図線マスク−の開ロバタ
ーンの例を示す図、第1O図は固視標の例を示す平面図
、第1/図はアライメント量の検出を説明する概略図、
第1−図は第1夾總例の仮想平行四辺形の関係を示す概
略図、第73図は本発明の第一の実施例をその照明光学
系のみを示す光学配置図、第1ダ図社本発明の第30実
施例を示す光学配置図、第1j図(姉。 (0はマスクI4ターンの一例を示す図、第1Alia
リニアセンチ上へのマスクパターンの投影とその検出状
態を示す概略図、第77図囚〜輔は、リニアセンナによ
る検出出力及び座標値との関係を示すタイミングチャー
ト図、第1を図はりエアセン−すKよる検出出力から座
標値を決定する方法を示すリニアセンサの素子配列図、
第19.コ0、及び21図は本発明の原!lKよる測定
なlI!−する丸めの概略図、第一一図は演算回路の一
例を示す1974図、第23図本発明の第ダの実施例を
示す部分光学配置図、第2参図は第ダの実施例における
マスクツヤターフの投影とその検出を示す概略図、第2
5図は本発明の第3の実施例を示す部分光学配置図、第
一6図は第3実施例におけるマスクツターンの投影とそ
の検出を示す概略wJ、第コク図は本発明(D11N4
の実施例を示すリニアセンナ駆動部を示す図、第一を図
は本発明の第7の実施例を示す光学配置図、第19図、
30図は発光素子アレイの他の例を示す図、第37図は
本発明の第tOgA流側な示す光学配置図、 9・・・開口板、10・・・ピンホール、14・・・リ
レーレンズ、13・・・千藺履ポジションセ/す、Is
、18・・・リニアポジションセンサ、25.2@・・
・平行直線開ロノ1ターン、25’、11’・・・投影
平行直線・ダターン、I3−・コリメーターレンズ、8
3・・・光路長変換部材、125・・・イメージロテー
タ、 301・・・光束シフト手段、324・・・検知器。 第3b図 y ′$3C図 ■ 第3d 図 第旧図 第19図 ′$21図
す斜視図%第1(b)図は上記第7(a)図の平面図、
第3図(荀、伽)、(C)は本発明によって1爾特性を
測定できることを示す直線光l1l(またはマスクツタ
ーン)の投影とリニアセンtの関係を示す概略図、第ダ
図は直交座標系と斜交座標系の関係を示す図、gt図は
直線光源(またはマスクパターン)と仮想平行四辺形の
関係を示す図、第6図(荀は本発明の第一の測定原理を
示す斜am%第6伽)図は第6(−の平面図、第7(荀
図は本発明の第3の測定原理を示す斜視図、第7(b)
図は第7(+!0図の平間図、第5図は本発明の第1の
実施例を示す光学配置図、第を図線マスク−の開ロバタ
ーンの例を示す図、第1O図は固視標の例を示す平面図
、第1/図はアライメント量の検出を説明する概略図、
第1−図は第1夾總例の仮想平行四辺形の関係を示す概
略図、第73図は本発明の第一の実施例をその照明光学
系のみを示す光学配置図、第1ダ図社本発明の第30実
施例を示す光学配置図、第1j図(姉。 (0はマスクI4ターンの一例を示す図、第1Alia
リニアセンチ上へのマスクパターンの投影とその検出状
態を示す概略図、第77図囚〜輔は、リニアセンナによ
る検出出力及び座標値との関係を示すタイミングチャー
ト図、第1を図はりエアセン−すKよる検出出力から座
標値を決定する方法を示すリニアセンサの素子配列図、
第19.コ0、及び21図は本発明の原!lKよる測定
なlI!−する丸めの概略図、第一一図は演算回路の一
例を示す1974図、第23図本発明の第ダの実施例を
示す部分光学配置図、第2参図は第ダの実施例における
マスクツヤターフの投影とその検出を示す概略図、第2
5図は本発明の第3の実施例を示す部分光学配置図、第
一6図は第3実施例におけるマスクツターンの投影とそ
の検出を示す概略wJ、第コク図は本発明(D11N4
の実施例を示すリニアセンナ駆動部を示す図、第一を図
は本発明の第7の実施例を示す光学配置図、第19図、
30図は発光素子アレイの他の例を示す図、第37図は
本発明の第tOgA流側な示す光学配置図、 9・・・開口板、10・・・ピンホール、14・・・リ
レーレンズ、13・・・千藺履ポジションセ/す、Is
、18・・・リニアポジションセンサ、25.2@・・
・平行直線開ロノ1ターン、25’、11’・・・投影
平行直線・ダターン、I3−・コリメーターレンズ、8
3・・・光路長変換部材、125・・・イメージロテー
タ、 301・・・光束シフト手段、324・・・検知器。 第3b図 y ′$3C図 ■ 第3d 図 第旧図 第19図 ′$21図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 実質的もしくは仮想的な平面内で少な(とも
一本の平行な直線からなる少なくとも一組の互いに配列
方向の異なる平行直線群を構成する直線群を成す光源と
、光軸上に配置され几ピンホールを通して該直線光源を
射出した照明光束の主光線な該光軸と平行にする結偉レ
ンズとを有する照明光学系と、 前記照明光の前記被検曲面からの反射光を前記直線光源
と光学的に非共役な面内で検出する検出手段と、 該検出手段が検出した前記反射光の前記直線光源に対応
する投影直線パターンの傾きとピッチの変化から前記被
検曲面の曲率半径を演算する演算手段と から構成されてなることを特徴とする曲率測定1本は他
の直線と太さ若しく本数又は発光強度な異にしてなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲@1項記載の曲皐測足装
[− とする特WfyM求の範囲第1墳又は第二項記載の曲率
測定装置。 (lI) 前記照明光束は赤外光であることを特徴と
する特許請求の範囲1g/項ないし第3項のいずれかに
記載の曲率測定装置。 (j 葡記検出手段は、平角型ポジションセンサである
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第9項の
いずれかに記載の曲率測定装置。 (6)前記検出手段は、前記非共役面内で実質的もしく
は仮想的に交差する少なくとも一本のリニア型4ジシヨ
ンセンサであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
ないし第9項のいずれかに記載の曲率測定装置。 (7)前記検出手段は、前記非共役面内で実質的もしく
は仮想的に平行な少なくとも一本のIJ 二ア型ポジシ
ョンセンサであることを特徴とする特許請求の範囲第1
項ないしコク項のいずれかに記載の曲率測定装置。 (ざ) 前記検出手段は、前記非共役面内で回転する少
な(とも1本のリニア型ポジションセンサであることを
特徴とする特許請求の範8第1項ないし@q項のいずれ
かに記載の曲率−j定装置。 (q) 前記検出手段は少な(とも1本のリニア型ポ
ジションセンサであり、かつ、前記被検曲面からの前記
反射光を装置光軸を回転軸として回転させる光束回転手
段を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項ない
し第9項のいずれかに記載の曲率測定装置。 (lの前記検出手段は、前記非共役1面内で平行移動す
る少なくとも1本のリニア製ポジションセンサであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第9項のい
ずれかに記載の曲率測定装置。 (//)前記検出手段は、少なくとも1本のリニア製ポ
ジションセンサであり、前記反射光を装置光軸と垂直な
面内で平行移動させる光束シフト手段を有してなること
I!!:%徴とする特許請求の範12fl@/項ないし
g*墳のいずれかに記載の曲率測定装置。 (lコ)前記検出手段を前記非共役面に結像させるリレ
ー光学手段を有してなることを特徴とする特許請求の範
囲第1項ないし第1/項いずれかに記載の曲率測定装置
。 (13)前記被検曲面と前記検出手段の間に光路長変換
手段を配したことを特徴とする特許請求の範囲第1項な
いしj%/J項のいずれかに記載の曲率測定装置o
− (/4’) 1f7記被検曲面と前記検出手段の間に前
記照明光軸と垂直な反射面をもつ反射部材を挿入可能に
配して成ることt−特徴とする特許請求の範囲第1項な
いし@/J項いずれかに記載の曲率測定装置。 (/!;)前記リレー光学手段の光軸と、前記照明光軸
とを少なくとも一部共通にしたことを特徴とする特許請
求の範囲第7.2項ないし第1グ項のいずれかに記載の
曲率測定装置。 (16)実質的もしくは仮想的な平面内において少な(
とも一本の平行な直線からなる少な(とも1組の互に配
列方向の異なる平行直線群を構成する直線群をなす光検
出手段と、被検曲面からの光軸に平行な光を光軸上に配
置されたピンホールな介して前記光検出手段へ向ける光
!!S#とをし、前記被検曲面に向けて、前記光検出手
段と光学的に非共役な位置から光を照射する発光源と、 から前記被検曲面の曲率半径を演算する演算手段と から構成されてなることを特徴とする曲率測定装置。 記載の曲率測定装置。 (/l;)前記発光源の発する光は赤外光であることを
特徴とする特許請求の範囲@76項又は第17項記載の
曲率測定装置。 (/?)前記発光源は、多数の発光単位を平面内に配列
した平向型発光素子アレイであることを特徴とする特許
請求の範囲第16項ないし第1ざ項のいずれかに記載の
曲率測定装置。 (〃)前記発光源は、前記非共役面内で実質的もしくは
仮想的に交差する少な(とも2本のリニア発光素子アレ
イであることを特徴とする特許請求の範囲第16項ない
し第1ざ項のいずれかに行な少なくとも1本のリニア発
光素子アレイである仁とを特徴とする特許請求の範囲第
16項ないし第ttr項のいずれかに記載の曲率測定装
置O (工)前記発光源は、前記非共役面内で回転する少なく
とも1本のリニア発光素子アレイであることを特徴とす
る特許請求の範囲第16項ないし第1ざ項のいずれかに
記載の曲率測定装置。 (3)前記発光源は、少なくとも1本のリニア発光素子
アレイであり、前記被検曲面へ向けての光を装置光軸を
回転軸として回転させる光束回転手段を有することを特
徴とする特許請求の範囲第16項ないし第11項のいず
れかに記載の曲率測定装置6 (,2G’)前記発光源は、前記非共役面内で平行移動
する少なくとも1本のIJ ニア発光素子アレイである
ことを特徴とする特許請求の範囲第16項ないし第1ざ
項のいずれかに記載の曲率測定装置。 (コン前記発光源は、少な(とも1本のリニア発光素子
アレイであり、前記被検曲面へ向けての光を装置光軸と
垂直な面内で平行移動させる光束シフト手段を有してな
ることを特徴とする特許請求の範囲976項ないし@I
t項のいずれかに記載の曲率測定装置。 <X>前記発光源を前記非共役面に結偉させるリレー光
学手段な有してなることを特徴とする特許請求の範8第
16項ないし第1S項のいずれかに記載の曲率測定装置
。 (コア)前記被検曲面と前記発光源の間に光路長変換中
Rを配したことを特徴とする特許請求の範囲第16項な
いし第26項のいずれかに記載の曲率測定装置。 (−g)前記リレー光学手段の光軸と、前記検出光学系
光軸とを少なくとも一部共通にしたことを特徴とする特
許請求の範囲第1コ項ないし第11I墳のいずれかに記
載の曲率測定装置。 (コ9)光源と、績光源からの光を平行光束とするコリ
メータ一手段とを有する照明光学系と、該照明光学系か
らの光束で被検曲面によって反射された光束を選択する
ために実質的もしくに仮想的な面内に少なくとも一本の
平行な直線から表る少なくとも一組の互いに配列方向の
異なる平行直線群を構成する直線ノ(ターンを有するマ
スク手段と、 練マスク手段で選択された該反射光を検出する検出手段
と、 該検出手段が検出した前記反射光の前記直線パターンに
対応・した投影直線パターンの傾向とピッチの変化から
前記被検曲面の曲率半径を演算する演算手段とからなシ
、 前記マスク手段と前記検出手段のいずれもが前記光源と
光学的に非共役でかつ互いに異なる面内にそれぞれ配置
されている ことを特徴とする曲率測定装置。 (、?<7)、前記直線パターンは、それを構成する前
記直線の太さもしくは本数又は前記反射光の選択率を異
にしてなることを特徴とする特許請求の範囲I!コを項
記載の曲率測定装置。 (J/ )前記マスク手段は、少なくともλつのマスク
手段から構成され、少なくと47組の前記平行直線群は
1つの該マスク手段に、他の組の前記平行直線群は他の
該マスク手段にそれぞれ形成されて成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第29項又は第、70項いずれかに記
載の曲率測定装置。 (3コン前配直線パターンは、前記反射光を選択的に透
過させるために前記マスク手段に形成された細口によシ
構成されていることを特徴とする特許請求の範囲@λ9
JJないし第31項のいずれかに記載の曲率測定装置。 (3η前記直線パターンは41、その全ての直線f:/
枚のマスク手段に形成してなることな特徴とする特許請
求の範囲第29項ないし第3−項のいずれかに記載の曲
率測定装置。 (3り前配煕明光束は赤外光であることを特徴とする特
許請求の範囲第29項ないし第33項のいずれかに記載
の曲率測定装置。 (3S)前記検出手段は平面型ポジションセンサである
ことを特徴とする特許請求の範囲第29項ないし第3ダ
項いずれかに記載の曲率測定装置。 <34) IN記検出手段は、前記非共役面内で実質的
もしくは仮想的に交差する少なくとも一本のIJ ニア
型ポジションセンサであることを特徴とする特許請求の
範囲第SO*ないし第311項のいずれかに記載の曲率
測定装置。 (3り)前記検出手段は、前記非共役面内で実質的もし
くは仮想的に平行な少な(とも2本のリニア型がジショ
ンセンサであることを特徴とする特許請求の範囲第30
項ないし@3’1項のいずれかに記載の曲率測定装置。 (3t)前記検出手段は、前記非共役面内で回転する少
な(とも1本のリニア型ポジションセンナであることを
特徴とする特許請求の範囲11419項ないし第34I
項のいずれかに記載の曲率測定装置。 (39)前記検出手段は、少な(とも1本のリニア型ポ
ジションセンナであ夛、前記被検曲面からの前記反射光
を装置元軸を回転軸として回転する光束回転手段を有し
てなることを特徴とする特許請求の範囲829項ないし
faJダ項いずれかに記載の曲率測定装置。 (lIの前記検出手段は、前記非共役面内で平行移動す
る少な(とも1本のリニア4ジシヨンセンナであること
を特徴とする特許請求の範囲第29項ないし第3’1項
いずれかに記載の曲率測定装置。 (4(/ )前記検出手段は、少な(とも1本のリニア
型Iジションセンサであシ、前記反射光を装置光軸とm
$な面内で平行移動させる像シフト手段を有して成るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第一9項ないし第3ダ項
いずれかに記載の曲率測定装置。 (ダコ)前記検出手段と前記マスク手段の少なくとも2
万を前記非共役面に結像させるリレー光学手段を有して
いることを特徴とする特許請求の範囲第29項ないし第
ダ1項のいずれかに記載の曲率測定装置。 (4’、7)前記被検曲面と前記検出手段との間に、前
記照明光軸と垂直な反射面をもつ反射部材を挿入可能に
配して成ることを特徴とする特許請求の範囲第29項な
いし第1I−項のいずれかに記載の曲率測定装置。 (ダリ前記リレー光学手段の光軸と、前記照明光軸とを
少なくとも一部共通して構成し几ことを特徴とする特許
請求の範囲@lI−項又は第1I3項記載の曲率測定装
置。 (tl幻多数の発光単位を有する発光源と、該発光源か
らの光束を選択する几めに実質的もしくは仮想的な面内
に少な(とも一本の平行な直線から成る少な(とも1組
の互に配列方向の異なる平行直線群を構成する直線パタ
ーンを有するマスク手段と、 該マスク手段により選択され被検曲面により反射された
反射光束のうち装置光軸と平行な光線な該光軸上に配置
さA友ピンホール手段に導び(集光手段と、 該ピンホール手段を通過した光線を検知する検知手段と
、 該検知手段が検知し得た該光線を発光した前記発光単位
が作る直線軌跡のピッチと傾きの変化から前記被検曲面
の曲率半径を演算する演算手段とから構成され、 前記マスク手段と前記発光源のいずれもが前記ピンホー
ル手段と光学的に非共役で、かつ互いに異なる面内にそ
れぞれ配置されて成ることを特徴とする曲率測定装置。 (り6)前記直線パターンは、それを構成する前記直線
の太さ、若しくは本数又は前記光束の選択率を異にして
いることを特徴とする特許請求の範囲第1I3項紀載の
曲率測定装置。 (ダクン前記マスク手段は、少なくともλつのマスク手
段から構成され、少なくとも1組の前記平行直線群は1
つの該マスク手段に、他の組の前記平行直#群は他の該
マスク手段にそれぞれ形成されて成ることを特徴とする
特許請求の範囲第11.1項又は第tI4iのいずれか
に記載の曲率測定装置。 (lIr)前記直線パターンは、前記光束を選択的に透
過させるために前記マスク手段に形成された開口により
構成されていることを特徴とする特許。 請求の範囲第tI!f項ないし第77項のいずれかに記
載の曲率測定装置。 (lI9)前記直線パターンは、その全ての直線を7枚
の前記マスク手段に形成してなることを特徴とする特許
請求の範囲第ダ!項ないし第qり項のいずれかに記載の
曲率測定装置。 (Sの前記発光源は、多数の前記発光源を平面内に配列
してなる平面型発光素子アレイであること′4I:%徴
とする特許請求の範1g亭5項ないし第1I9項のいず
れかに記載の曲率測定装置。 (S/)前記発光源は、多数の前記発光源な直線状に配
列してなるリニア発光素子プレイであることを特徴とす
る特許請求の範囲@ダS項ないし第ダ9項のいずれかに
記載の曲率測定装置。 (Sコ)前記発光源は、前記非共役面内で実質的もしく
は仮想的に交差するよう配列された少なくとも2本のリ
ニア発光素子アレイであることを特徴とする特許請求の
範囲第93項ないし第1I9項行するように配列された
少(とも一本のリニア発光素子アレイであることを特徴
とする特許請求の範囲@ll5mないし@4!9項のい
ずれかに記載の曲率測定装置。 (J)前記発光源は、前記非共役面内を回転する少くと
も1本のリニア発光素子プレイであることを特徴とする
特許請求の範囲第1ISないし第1If項のいずれかに
記載の曲率測定装置。 (5S)前記発光源は、少くとも1本のリニア発光素子
アレイと、該リニア発光素子アレイからの光束を回転さ
せて前記マスク手段に入射させる光束回転手段を有して
込ることを特徴とする特許請求の範囲ai、lIs項な
いし第1I9項のいずれかに記載の曲率測定装置。 (56)前記発光源は、前記非共役面内を平行移動する
少くとも1本のリニア発光素子アレイを有していること
を特徴とする特許請求の範囲第1Lt、を項ないし第1
If項のいずれかに記載の曲率測定装置。 (j−7)前記発光yAに、少くとも1本のリニア発光
素子アレイと、該リニア発光素子アレイからの光束を照
明光軸と垂直な面内で平行移動させ前記マスク手段に入
射させるための光束シフト手段を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第4IS項ないし第79項のいずれか
に記載の曲率測定装置。 (tr)前記発光源は赤外光を発することを特徴とする
特許請求の範囲第175項ないしwLS7項のいずれか
に記載の曲率測定装置。 (S9)前記発光手段は、赤外光を発する発光ダイオー
ドであることを特徴とする特許請求の範囲第50項ない
し第Sg゛項のいずれかに記載の曲率測定装置。 (6の前記発光源と前記マスク手段の少な(とも一方を
前記非共役面に結像させるリレー光学手段を有している
ことを特徴とする特許請求の範囲@ダ3項ないし第59
.Ljのいずれかに記載の曲率測定装置。 (61)前記被検曲面と前記マスク手段の間に前記装置
光軸と垂直な反射面をもつ反射部材を挿入可能に配して
成ることな%徴とする特許請求の範囲第1IS項ないし
第60項のいずれかに記載の曲率測定装置。 (6コ)前記リレー光学手段の光軸と、前記集光レンズ
の光軸とを少なくとも一部共通にしたことな特徴とする
特許請求の範囲第60項記載の曲率測定装置。 (63ン前記検出手段は、アバランシェフォトダイオー
ドからなることを特徴とする特許請求の範囲第1IS項
ないし第6.2項のいずれかに記載の曲率測定装置。 (るす、前記アバランシェフォトダイオードは、さらに
電子冷却手段を有してなることを特徴とする特許請求の
範囲第63項記載の曲率測定装置。 (g)前記検出中段は、光電子倍増管であることを特徴
とする特許請求の範囲第11.S−項ないし第62項の
いずれかに記載の曲率測定装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56173529A JPS5875531A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 曲率測定装置 |
| US06/436,853 US4588270A (en) | 1981-10-28 | 1982-10-26 | Curvature measuring apparatus |
| DE8282109941T DE3272922D1 (en) | 1981-10-28 | 1982-10-27 | Curvature measuring apparatus |
| DE198282109941T DE78062T1 (de) | 1981-10-28 | 1982-10-27 | Geraet zur kruemmungsmessung. |
| EP82109941A EP0078062B1 (en) | 1981-10-28 | 1982-10-27 | Curvature measuring apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56173529A JPS5875531A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 曲率測定装置 |
Related Child Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2091829A Division JPH0315435A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | 曲率測定装置 |
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| JPH032531B2 JPH032531B2 (ja) | 1991-01-16 |
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ID=15962213
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| JP56173529A Granted JPS5875531A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 曲率測定装置 |
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