JPS5889706A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPS5889706A JPS5889706A JP56188800A JP18880081A JPS5889706A JP S5889706 A JPS5889706 A JP S5889706A JP 56188800 A JP56188800 A JP 56188800A JP 18880081 A JP18880081 A JP 18880081A JP S5889706 A JPS5889706 A JP S5889706A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- low
- composition
- lead
- porcelain composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、両#組成物、譜に萌岬′−率で焼祠龜此の低
く慎械的!7!li度の尚い幽器組11こ関するもので
ある。
く慎械的!7!li度の尚い幽器組11こ関するもので
ある。
従来高′fjIj′wL率系誘電体として、チタン酸I
\リウム(BaTiOa)を主成分とするものが広く実
用化されていることは周知のとおりであるoしかしなが
らBaTiO3を主成分とするものは焼結温度が通常1
300℃〜1400℃の高温であり、特番こ槓1−コン
デンサの場合には、この焼結温度に適した内部4俤とし
て、主成分が白金またはパラジウム尋の嶋価な資金Mを
使用しなければならないという欠点を有していた。
\リウム(BaTiOa)を主成分とするものが広く実
用化されていることは周知のとおりであるoしかしなが
らBaTiO3を主成分とするものは焼結温度が通常1
300℃〜1400℃の高温であり、特番こ槓1−コン
デンサの場合には、この焼結温度に適した内部4俤とし
て、主成分が白金またはパラジウム尋の嶋価な資金Mを
使用しなければならないという欠点を有していた。
このため銀、ニッケル婦を主成分とする女11IIIμ
内部−極を梗用oJ能とするためには焼紹温屁ができる
だけ低温、時に9す0℃以下の温度で焼結できる誘゛一
体が強く蒙望されていた。
内部−極を梗用oJ能とするためには焼紹温屁ができる
だけ低温、時に9す0℃以下の温度で焼結できる誘゛一
体が強く蒙望されていた。
本発明の目的は960℃以下の温度で焼結でき、It8
電率が尚くm−損失が小さく、シかも比抵抗の繻いm戚
Vを提供すること曇こめる。史に本発明の目的は、焼結
罎器の粒径成長を抑ら1jシ、懺憔的頻反をM人させ、
16穣性の−い慣虐コンデンサ用罎器組成窃を提供する
ことGこある。1−なわち、チップコンデンサの場合は
基板に実装したときの基板とセラミックの熱膨張係畝の
違いにより、チップコンデンサ番こ+j&械的なIPが
かかり、微小なりラックの発生やひどい1m合にはナツ
プコンデンサか破損する場合が生じる。またエポキシ系
樹脂等を外装したディップコンデンサの場合にも外装4
11脂の応力で磁器にクラックそり6生させる揚曾があ
る。
電率が尚くm−損失が小さく、シかも比抵抗の繻いm戚
Vを提供すること曇こめる。史に本発明の目的は、焼結
罎器の粒径成長を抑ら1jシ、懺憔的頻反をM人させ、
16穣性の−い慣虐コンデンサ用罎器組成窃を提供する
ことGこある。1−なわち、チップコンデンサの場合は
基板に実装したときの基板とセラミックの熱膨張係畝の
違いにより、チップコンデンサ番こ+j&械的なIPが
かかり、微小なりラックの発生やひどい1m合にはナツ
プコンデンサか破損する場合が生じる。またエポキシ系
樹脂等を外装したディップコンデンサの場合にも外装4
11脂の応力で磁器にクラックそり6生させる揚曾があ
る。
いrれの場合も磁器の仇祈頭度が低いほどクラックが入
りやすく、仮損しゃすくイ6頼性が低くなる。
りやすく、仮損しゃすくイ6頼性が低くなる。
したがって、セラミ、りの慎械的強反をでさるたけ増大
させることば芙耐−ヒ、毬めで′i蒙1sことでめる。
させることば芙耐−ヒ、毬めで′i蒙1sことでめる。
ところで、960℃以Fの低温で焼結できる叫ci21
850)。しかしなから上目己二成分組hx、物は一゛
−偵失が篩<、シかも比抵抗が低く、より数置が望菫れ
でいた。このため弔三成分としてJ’b (&in、i
W、j)uaなとを永別し、上、1c欠点を数音1−る
提条がなされている<+f開1jd55−23058)
。
850)。しかしなから上目己二成分組hx、物は一゛
−偵失が篩<、シかも比抵抗が低く、より数置が望菫れ
でいた。このため弔三成分としてJ’b (&in、i
W、j)uaなとを永別し、上、1c欠点を数音1−る
提条がなされている<+f開1jd55−23058)
。
しカし・ながら上6ピPi) (k”eJvVj) 0
j−t’bZrUa 6よびこれにPb (Mn)Wj
) 03などを添加したものはいず21.もm器の抗折
強度が低く、積増コンデンサ用磁器組成物としての用途
は自ら狭い範囲5こ限定せざるを侍なかった。
j−t’bZrUa 6よびこれにPb (Mn)Wj
) 03などを添加したものはいず21.もm器の抗折
強度が低く、積増コンデンサ用磁器組成物としての用途
は自ら狭い範囲5こ限定せざるを侍なかった。
本発明は、以上の点に力)んがみ、960℃以下の温度
で焼結でき、慎械的癩度が尚<、シ乃)も比抵抗が高く
、かつ誘11L率も晶<、−一率の温度変化率も艮好で
、−屯偵失の小さい一器組Izk物を提供するものであ
る。
で焼結でき、慎械的癩度が尚<、シ乃)も比抵抗が高く
、かつ誘11L率も晶<、−一率の温度変化率も艮好で
、−屯偵失の小さい一器組Izk物を提供するものであ
る。
すなわI)本発明は鉄・タングステン酸鉛(Pb (F
eJ Wk、) (Jす、シル:l :/ lit 給
[: PbZr(J3〕および”ンンガン・ニオブ酸鉛
1f’b(IVlnよNb暑)03〕の1らなる三成分
組成物を LPL)(k’eJWJ)U3)、(PbZrUa)、
(Pb (MnJNb、1)OaJ2と表わしたときに
(たたしx+y+z=i、ooo)。
eJ Wk、) (Jす、シル:l :/ lit 給
[: PbZr(J3〕および”ンンガン・ニオブ酸鉛
1f’b(IVlnよNb暑)03〕の1らなる三成分
組成物を LPL)(k’eJWJ)U3)、(PbZrUa)、
(Pb (MnJNb、1)OaJ2と表わしたときに
(たたしx+y+z=i、ooo)。
配合比x、y、zがそれぞa
o、soo≦X≦o、so。
O,1OU≦Y≦0.498
u、o u 2≦z5o、io。
の範囲にめることを特値とするものである。
以下本発明を実施例により詳細に説明する。
を使用し、表に示した配合比に秤量する。なおMnCO
3はMnOに換算して必要盪得るようにした。
3はMnOに換算して必要盪得るようにした。
次にボールミル中で湿式混合した後700〜800℃で
予焼し、そのk O,7−f; o n/cdの圧力で
直径16戦厚さ約10■の円柱状に卯圧成形し、880
℃〜950℃で焼結した。侍られた貌結捧を切断し、厚
さl簡の円板4枚と厚さ0.5mの円板5秋を得た。厚
さ1mの円板のIIIJJ面に置部憾を焼付け゛電気的
特性を評論した。−一率および一嘔偵失は周波数1k)
lz温1i20℃で(141j定した。杷−抵抗は5(
JVの磁圧を印加し、1分後−藏20℃で御j足した。
予焼し、そのk O,7−f; o n/cdの圧力で
直径16戦厚さ約10■の円柱状に卯圧成形し、880
℃〜950℃で焼結した。侍られた貌結捧を切断し、厚
さl簡の円板4枚と厚さ0.5mの円板5秋を得た。厚
さ1mの円板のIIIJJ面に置部憾を焼付け゛電気的
特性を評論した。−一率および一嘔偵失は周波数1k)
lz温1i20℃で(141j定した。杷−抵抗は5(
JVの磁圧を印加し、1分後−藏20℃で御j足した。
温度特性は室温20℃を麺準として+85℃での谷−変
化率を求めた。@械的辻賞を抗?i強にで評価するため
、0.5+wの円板乃)ら巾2勘、長さ約13簡の短形
&を切り出した。支照曲距離を9mにとり三点なる式に
より抗折強度を求めた。ただし、!は支点間距離、tは
試料の厚み、Wは試料の巾である。
化率を求めた。@械的辻賞を抗?i強にで評価するため
、0.5+wの円板乃)ら巾2勘、長さ約13簡の短形
&を切り出した。支照曲距離を9mにとり三点なる式に
より抗折強度を求めた。ただし、!は支点間距離、tは
試料の厚み、Wは試料の巾である。
電気的特性は試料4点の平均値、抗折強度は試料10点
の平均値より求めた。このようにして得られた磁器の配
合比と緒特性の関係を次表に示す。
の平均値より求めた。このようにして得られた磁器の配
合比と緒特性の関係を次表に示す。
三成分磁器組成物は960℃以下の低温で焼結でき、P
b (FeJWj) Us−PbZrOxに比較し、抗
折強度が大の高い優れた積層コンデンサ用の磁器組成物
が得られることがわかる0 なお本発明の組成物を [Pb (FejWj) Oa]、[PbZrOx]、
(Pb (MnJNbl) Os J。
b (FeJWj) Us−PbZrOxに比較し、抗
折強度が大の高い優れた積層コンデンサ用の磁器組成物
が得られることがわかる0 なお本発明の組成物を [Pb (FejWj) Oa]、[PbZrOx]、
(Pb (MnJNbl) Os J。
と表わしたときに、x、y、zがそれぞれ、0.500
≦X≦0.800 0.100≦Y≦0.498 0.002≦2≦0.100 の範囲に限定される(ただしx+y+zに1.000.
)。
≦X≦0.800 0.100≦Y≦0.498 0.002≦2≦0.100 の範囲に限定される(ただしx+y+zに1.000.
)。
x (0,500、y ) 0.498 CDmK範1
[’lcキ、 IJ 一温度が呈温より大きく高温側に
ずれ% X>0.800゜Y(0,100の組成範囲で
はキエリ一温度が室温より大きく低温情にずれ、し−す
れも家電での蒋岨率が低Fする。Z(0,002の組成
範囲では抗折強度が小さく、Z>o、100の組成範囲
では比抵抗が小さくなる。以上の理由により上記組成範
lに限定される。
[’lcキ、 IJ 一温度が呈温より大きく高温側に
ずれ% X>0.800゜Y(0,100の組成範囲で
はキエリ一温度が室温より大きく低温情にずれ、し−す
れも家電での蒋岨率が低Fする。Z(0,002の組成
範囲では抗折強度が小さく、Z>o、100の組成範囲
では比抵抗が小さくなる。以上の理由により上記組成範
lに限定される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 麩・タングステン酸鉛(1’b (FeiW↓)03〕
、ジルコン酸鉛(i’bZrtJa J Hよびマンガ
ン・ニオブ眩鉛L Pb (Mnj Nbj) (J3
J 7)>らなる三成分組g*’t(Pb (Fel
W);;) Oa:)xj l’bZrOs)y[Pb
(AinlNb”4) 0:l J。 +:![わしたときニ(りだしx +、y + z =
1.000 )配合比x、y、zがそ/1ぞれ 0.500:、、X;io、8o。 o、ioo≦Y≦0.498 0.0L)2≦2≦0.100 の範囲にあることをvj似とする罎器組成鯖勿0
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188800A JPS5889706A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188800A JPS5889706A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5889706A true JPS5889706A (ja) | 1983-05-28 |
| JPH0237646B2 JPH0237646B2 (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=16230018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56188800A Granted JPS5889706A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5889706A (ja) |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP56188800A patent/JPS5889706A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0237646B2 (ja) | 1990-08-27 |
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