JPS5890767A - 多層構造半導体装置 - Google Patents
多層構造半導体装置Info
- Publication number
- JPS5890767A JPS5890767A JP56191110A JP19111081A JPS5890767A JP S5890767 A JPS5890767 A JP S5890767A JP 56191110 A JP56191110 A JP 56191110A JP 19111081 A JP19111081 A JP 19111081A JP S5890767 A JPS5890767 A JP S5890767A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- layer structure
- good
- forming
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D88/00—Three-dimensional [3D] integrated devices
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多層構造によって局所度、烏集積化をはかる
ようｔ半導体装置に関するものである。
ようｔ半導体装置に関するものである。
集積回路の高′ｖＩ１度化、高集積化は、どれだけ微細
化できるかによって決っている。現在、２次元菓子にお
いて、微細化はほぼ限界にきつつある。
化できるかによって決っている。現在、２次元菓子にお
いて、微細化はほぼ限界にきつつある。
しかし、さらに高密度化、ｆｔＪ集槓化を行ない、かつ
その濱子の動作が長期の使用で安定で、しかも特性の艮
いものを必要としている。
その濱子の動作が長期の使用で安定で、しかも特性の艮
いものを必要としている。
このような良好な集積１路は、第１図のような集積回路
（２）を形成する素子形成饋域［１１の結晶性が良好で
なければ実現できない。
（２）を形成する素子形成饋域［１１の結晶性が良好で
なければ実現できない。
これは多Ｐ１１４ｆａの集積回路形成においても同じこ
とがいえ、高密度、１ｉＩｉ集積化による集積ｌ！ｌｌ
！ｌ路勅作の安定性および良好な特性は、まず、その集
積回路を形成する素子形成叫域が良好な結晶性を持って
いることが要求される。特にｔＩ６１！度な記憶４子や
高速で動作する一理回ｗＩｒ本子を含む場合は車装であ
る。
とがいえ、高密度、１ｉＩｉ集積化による集積ｌ！ｌｌ
！ｌ路勅作の安定性および良好な特性は、まず、その集
積回路を形成する素子形成叫域が良好な結晶性を持って
いることが要求される。特にｔＩ６１！度な記憶４子や
高速で動作する一理回ｗＩｒ本子を含む場合は車装であ
る。
シカＬ、一般に多ｌ−構造にすればするほど上層の索子
形成領域の結晶性は、下層の凹凸や、層の膜によるスト
レス等を受けやすいため、多層にわたって非常に良好な
索子形成領域をたやすく、しかも安定に形成することは
非常にむずかしい。
形成領域の結晶性は、下層の凹凸や、層の膜によるスト
レス等を受けやすいため、多層にわたって非常に良好な
索子形成領域をたやすく、しかも安定に形成することは
非常にむずかしい。
このように上層の襦子形成填域の結晶性は良好でなく、
高ＶＢ度、−栗積化で、かつ集積回路の動作が長期にわ
たって安定な、しかも特性の艮い、たとえば記憶成子や
論理ｔｇｌ路系子等を作ることはむずかしく、之とえで
きたとしても特性の不安定なものとなり、特性の良い多
層構造の集積回路の良品は多く雇めないという問題があ
る。
高ＶＢ度、−栗積化で、かつ集積回路の動作が長期にわ
たって安定な、しかも特性の艮い、たとえば記憶成子や
論理ｔｇｌ路系子等を作ることはむずかしく、之とえで
きたとしても特性の不安定なものとなり、特性の良い多
層構造の集積回路の良品は多く雇めないという問題があ
る。
本発明は上記のような点に鑑みてなされたもので、多層
４４における各層の某横ｔｇｌＷ！１を限定し、艮好な
特性の多ノー構造半導体装置を実現することを目的とす
るものである。
４４における各層の某横ｔｇｌＷ！１を限定し、艮好な
特性の多ノー構造半導体装置を実現することを目的とす
るものである。
一密賀で、しかも長期にわたって集積回路の動作の安定
及び艮好な特性を得るためには、索子形成饋域の結晶性
の艮いものが必要であるが、多層構造においＣは、前述
のとおシ上層になるほど艮好な素子形成鎖酸を作るのは
非常にむずかしい。
及び艮好な特性を得るためには、索子形成饋域の結晶性
の艮いものが必要であるが、多層構造においＣは、前述
のとおシ上層になるほど艮好な素子形成鎖酸を作るのは
非常にむずかしい。
しかし、下ノーの良好な素子形成頭載はこのような影響
を受けることが少ないため、この発明では、第２図に示
すように、下層の艮好な索子形成鎖酸（３）に−所区な
記憶成子や超速で動作させる１理素子（５１等を形成す
ることにより、長期にねたす安定に動作し、艮好な特性
が得られる多層構造による果槓Ｌｇ１帖堪子を得るよう
にした。
を受けることが少ないため、この発明では、第２図に示
すように、下層の艮好な索子形成鎖酸（３）に−所区な
記憶成子や超速で動作させる１理素子（５１等を形成す
ることにより、長期にねたす安定に動作し、艮好な特性
が得られる多層構造による果槓Ｌｇ１帖堪子を得るよう
にした。
また、上層の４子形成饋ｒｄｔ１４１には、ｍ密度を必
要としない集積回路や、上層の索子形成鎖酸（４１でも
十分動作する、いわば良好な巣子形成叫域を必要としな
い集積ＬｇＩ１ｍ （６Ｊ等を形成することにより、多
層＃＃造による集積１ｇ回路を谷４１こ作り出すことが
できるようにした。
要としない集積回路や、上層の索子形成鎖酸（４１でも
十分動作する、いわば良好な巣子形成叫域を必要としな
い集積ＬｇＩ１ｍ （６Ｊ等を形成することにより、多
層＃＃造による集積１ｇ回路を谷４１こ作り出すことが
できるようにした。
以上のようにこの発明によれば、特性の優れた多層構造
半導体装置を容易に実現することができる。
半導体装置を容易に実現することができる。
第１図は２次元素子の構成図、第２図はこの発明の一実
織例を示す構成図である。 図において、（３）及び（４）は成子形成領域、（５］
は記憶成子及び妬速−作の一理回路承子、”（６）は良
好な領域を必要としない集積ＩｇＩｒＩ６である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分をボす。 代理人 Ｊ１６ 野 偵 −
織例を示す構成図である。 図において、（３）及び（４）は成子形成領域、（５］
は記憶成子及び妬速−作の一理回路承子、”（６）は良
好な領域を必要としない集積ＩｇＩｒＩ６である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分をボす。 代理人 Ｊ１６ 野 偵 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｆｌｌ −１！数の礒子形成唄域を積層してなる半４
体装直において、各層の菓子形成唄城に形成する回路菓
子をｐＩ！疋したことを特徴とする多層＃ｌ造半尋Ｖｌ
−装置。 （２） 各層の本子形成唄域に形成する回路菓子は、
Ｆ＋砺にいくほど下地の結晶性が十分艮いものを必要と
する回ｆ１１！ｒ索子を形成することを特徴とする特＃
Ｆ請求の範囲第１項記載の多層構造半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191110A JPS5890767A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 多層構造半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191110A JPS5890767A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 多層構造半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5890767A true JPS5890767A (ja) | 1983-05-30 |
Family
ID=16269015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56191110A Pending JPS5890767A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 多層構造半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5890767A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06316284A (ja) * | 1994-04-08 | 1994-11-15 | Suzuki Motor Corp | 自動２輪車のフレーム |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP56191110A patent/JPS5890767A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06316284A (ja) * | 1994-04-08 | 1994-11-15 | Suzuki Motor Corp | 自動２輪車のフレーム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Aggarwal et al. | Multilayer grid embeddings for VLSI | |
| JPH02163960A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5890767A (ja) | 多層構造半導体装置 | |
| JPS5878150A (ja) | ガラスマスク | |
| JPH0254670B2 (ja) | ||
| JP3006739B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6256662B2 (ja) | ||
| US6982222B2 (en) | Method of generating interconnection pattern | |
| KR910005379A (ko) | 반도체집적회로장치 및 그 제조방법 | |
| JP2825112B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2740460B2 (ja) | 超電導回路 | |
| JPS62214580A (ja) | ハイブリツド型磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS59232442A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS601844A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6066851A (ja) | 集積回路用コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPS58202621A (ja) | Ｄ／ａ変換回路 | |
| JPH06318640A (ja) | 半導体集積回路の配線方法 | |
| JPS5887846A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0786414A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06310669A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS59136945A (ja) | マスタスライス集積回路 | |
| JPS6124248A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6031270A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPS6295854A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04329672A (ja) | ゲートアレイ半導体装置の製造方法 |