JPS5891683A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光縁、ｑ視覚
線、赤外光線ｅ　Ｘｉｌ　ｓ　ｒ　ｆｊａ等を示す）の
様な電磁波に感受性のある光導電部材に関するＯ 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導・１層を形成する
光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔充電流（Ｉｐ
）　／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁波のス
ペクトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有
すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有するこ
と、使用時において人体に対して無公害であること、史
には固体撮像装置においては、！！ｉＩｍを所定時間内
に容易に処理することができること等の特性がＪＪ！求
される０殊に、事Ｊ［とじてオフィスで使用される電子
写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合に
は、上記の使用時における無公害性は重要な点である０ この様な点に立脚して最近注目されている光４電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８１と衆記す）があシ
、例えば、独国公開第２７４６９６７１　　　　号公報
、同第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材
として、独国公開第２９３３４１１号公報には充電変換
読取装置への応用が記載されている。 面乍ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、′ｔ：。 応答性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性
等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の点におい
て、総合的な特性向上を計る必要があるという更に改良
される可き点が存するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に過用し九場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において嫡ｉ＋ｉｉｔ位が残る場合が匿
々観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し
続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像
が生ずる所曙ゴースト現象を発する様になる等の不都合
な点が少なくなかった。 又は例えば、本発明者等の多くの実験によれば、電子写
真用像形成部材の光導電層を構成する材料としてのａ−
８ｔは、従来のＳｅ、　ＣｄＳ、　ＺｎＯ等の無機光導
電材料或いはＰＶＣｚ＋Ｔ！σ等の有機光導電材料に較
べて、数多く６利点を有するが、従来の太陽電池用とし
て使用するための特性が付与されたａ−８ｉから成る単
層構成の光導電層１＋する電子写真用像形成部材の上記
光導電層に静電像形成の丸めの帯電逃ｍｔ施しても暗減
Ｈ（ｄａｒｋ　ｄｅｃａ７　）が著しく速く、通常の電
子写真法が仲々適用され難いこと、及び多湿雰囲気中に
おいては、上記傾向が著しく、場合によってｒｉ現像時
間まで帯電々荷を殆んど保持し得ないことがある等、解
決され得る可き点が存在していることが判明している。 史に、ａ−８ｔ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的２元導電的特性の改良を計るために、水嵩原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導蓋の制御の丸めに硼素原子や燐原子等が或いはその
他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として
光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の貧Ｍの
仕方如何によっては、形成した層の電気的、光学的或い
は光導電的特性に問題が生ずる場合かめる。 即ち、例えば、形成し九党導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの鋏層中でＯ寿命が充分でないこ
と、或いはａｍにおいて、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない０ 従って、ａ−８ｉ材料そＯものの特性改良が計られる一
方で光導電部材を設計す、る際に、上記した様な所望の
電気的、光学的及び光導電的特性が得られる様に工夫さ
れる必要がある０本発明は上記の諸点に鑑み成されたも
ので、ｈ−８ｔに就て電子写真用像形成部材や固体撮像
装置、Ｗｊｔ取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意研究検
討を続は九結釆、シリコン原子を母体とし、水Ｘ原子（
Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくと
も含有するアモルファス材料、唐園水素化アモルファス
シリコン、ハロゲン化アモルファスシリコン、或いハハ
ロケン含有水ａＣ化アモルファスシリコン〔以後これ等
の総称的表記として一−Ｓ　ｔ　（ｎ、ｘｌを便用する
〕から構成される光導電層を有する光導・一部材の層構
成を特定化する様に設計されて作成された光導電部材は
実用上著しく優れた特性を示すばか９で−なく、従来の
光導電部材と献べてみてもあらゆる点において凌駕して
いること、殊に電子写真用の光導電部材として著しく優
れた特性を有していることを見出した点に基づいている
。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が殆んど使用環
境に制御を受けず常時安定している全繍境屋であり、耐
光疲労に著しく長け、繰返し便用に際しても劣化現象を
起さず耐久性に優・れ、＊Ｗ電位が全く又は殆んど細刻
されない光導電部材を提供することを主たる目的とする
。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させた場合、静電像形成の丸めの帯電処理の際の電荷保
持能が充分あプ、通常の電（子写真法が極めて有効に適
用され得る優れ良電子写真特性を有する光導電部材を提
供することでるる〇 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、）・−７トーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ること
が容易にできる電子写真用の光導電部材を提供すること
である。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。 高８Ｎ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することでもある。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子を母体とし、構成原子として水素原子（）Ｉ）
又はノ・ロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも
含有する非晶質材料（＊−８ｉ（Ｈ＊Ｘ））で構成され
た、光導電性を有する非晶質層とを有する光導電部材に
おいて、前記非晶質層が構成原子として、層厚方向に不
均一で連続的な分布状態で酸素原子が含有されている第
一０層領域と、構成原子として層厚方向に連続的な分布
状態で周期律嬉鳳族に属する原子が含有されている第二
０層領域とｔ−有し、前記第一０層領域が前記非晶・質
層の表面下に内在している事を特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的・、光学的。 光導電的特性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させ丸礪合には
帯電処理の際の電荷保持能に長け、ｌ１１１ｉ１１！形
成への残留電位の影響が全くなく、その′４気的特性が
安定しておシ高感度で、高８Ｎ比Ｊｋ有するものであっ
て耐光疲労、繰返し使用特性、殊Ｖこ多湿雰囲気中での
繰返し使用特性に畏け、磯ｆが高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の可視ｌＩ像を得
ることができる。 以Ｆ１図面に従って、本発明の光導電部材に就てｎｍに
説明する。 ｍ１図は、本発明のｊＩｌの実ｍｍ＊例の光導電部材の
層構成を説明するために模式的に示しｉｃ襖式的構成図
である。 第１図に示す光導電部材１０Ｇは、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、ａ−８１ＣＨｅＸ）から成る光
導電性を有する非晶質層１０２を有する〇非晶質層１０
２は、構成素子として酸素原子を含有する第一の層領域
１０３、周期律表第層表に属する原子（第層表原子）を
含有する第二０層領域１０４、及び第二０層領域１０４
上に、酸素原子及びｇｌ族原子が含有されてないＲ面層
領域１０＆とから成る層構造を有する。 第一の層ｉＩ域１０３と狭面層領域１０６との閾に設け
られてる層領域１０５には第１族原子は含有されている
が酸素原子は含有されてない。 落−の層領域１０３に含有される酸素原子は、皺層懺域
１０３に於いて層厚方向には連続的に分布し、その分布
状態は不°均一とされるが、支持体１０１の弐面に実質
的に平行な方向には連続的に且つ実質的に均一に分布さ
れるのが好ましいものである。 本発明の光４電部材に於ｉては、ｊＩｌ図に示す様に、
非晶質層１０２０表面部分には、＃１ｌＡＨ子が含有さ
れない層領域（ａｌ１図に示すｌ！１Ｉ７７Ｊ層−城１
０６に相当）を有することｔ必要とするが、しも設けら
れることを要しない。 即ち、例えば第１図に於いて、第一の層領域１０３と第
二の層領域１０４とが同じ層領域であっても、２良いし
、又、第一０層領域１０３の中に第二０層領域１０４が
設けられても嵐いものでめる。 第二０層領域１０４中に含有される第■族鳳子イよ、該
層領域１０４に於いて層厚方向には連続的に分布し、そ
の分布状態は不均一であっても実質的に均一であっても
良いものであるが、支持体１０１の表面に実質的に平行
な方向には連続的に且つ実質的に均一に分布されるのが
好ましいものである。 第１図に示す光導電部材１００に於いては、表Ｎ層領域
１０６には第崖族原子が含有されてない□　　　　　が
、不発明に於いて紘峡表向層領域１０６にも第ｍｊｓ鳳
子を含有しても良いものである。 本発明の光導電部材に於いでは、第一の層領域には、酸
素原子の含有によって、＾暗抵抗化と、非晶質層が直ｉ
！設けられる支持体との閏の密着性の向上が重点的に計
られ、表面層領域には酸素原子全含有させずに耐炎湿性
、耐コロナイオン性の向上と＾感度化が重点的ｙｃ計ら
れている。 殊に、ｉｇ１図に示す光導電部材１００の様に、非晶質
層１０２が、酸素原子を含有する第一の層領域１０３　
、第門族原子を含有する第二の層領域１０４　、２本原
子の含有式れていない層領域１０５゜及びａ！素原子及
び第■族原子の含有されていない表面層領域１０６とｔ
有し、第−Ｑ層領域１０３と第二の層領域１０４とが共
有する層領域を有する層構造の場合により良好な結果が
得られる。 又、本発明の光導′４部材に於いては、第一の層領域に
含有される酸Ｘ原子の該層領域に於ける層厚方向の分布
状態は、第１には該第−の層領域の設けられる支持体又
は他の層との密着性及び接触性を良くする為に支持体又
は他の層との接合面側の方に分布濃度が高くなる様にさ
れる。＠　２１１Ｃは、上記第一０層領域中に含有され
る酸Ｘ原子は、第一の層領域上に設けられる、ａ！本原
子の含有されない層領域との接合界面での電気的接触性
を滑らかにする為に酸素原子の含有されていなり層領域
側に於いて分布濃度が次第に減少され、接合面に於いて
は、分布濃度が実質的に零となる様に第一の層領域中に
含有されるのが好ましいものである。 Ｃの点は、第二０層領域中に含有される第鳳＆Ｊｉｉｊ
子に就ても同様であって、非晶質層の表面層領域に該第
門族原子が含有されない例の場合には威嵌面層領域側に
於いて、第二０層領域中の箒層表原子の分布濃度は表面
層領域との接合面方向に次第に減少され、皺接合面に於
いて実質的に零となる様に第■族原子の分布状態が形成
さ、れるのが好ましいものである。 不発明において、非晶質層を構成する第二〇層領域中に
含有さ五る周期律表第ｉｓに属する原子として使用され
るのは、Ｂ（礪素）、ＡＩ（アルミニウム）　ｐ　Ｇａ
　（ガリウム）　＃　Ｉｎ　（インジウム）、Ｔｊ（タ
リウム）等であり、殊に好適に用いられるのはＢ　、　
Ｇａである。 本発明において、第二０層領域中に含有される嬉厘族原
子の含有量としては、本宛＆ｊ１１の目的が効果的に達
成される様に所望に従って適宜後められるが、非晶質層
を構成するシリコン原子の量に対して、通常は１〜１０
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは２　”’−５０
ａｔｏｍｉｃ　ｐＨｍ　ｓ最適には３〜２０ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍとされるのが１ｊ１ましいものである。 第一０層領域中に含有される酸素原子の量に就ても形成
される光４１１部材に要求される特性に応じて所望に従
って適宜後められるが、通常の場合、０．０１〜２０　
ａｔｏｍｉｃ　％、好ましくは、０．０２〜ｌ　Ｏａｔ
ｏｍｉｃ−最適には０．０３〜５　ａｔｏｍｉｃ　＊と
されるのが望ましいものである。 ＪＩ２図乃至第１０図の夫々には、本発明における光導
電部材の非晶質層中に含有される酸素原子及び第厘族原
子の層厚方向の分布状繍０典臘的例が示される。 第２図乃至＃１１Ｇ’図において、横軸は酸素原子又は
第■族原子の含有濃度Ｃを、縦軸は、光尋・−性を示す
非晶質層０層厚方向を示し、ｔｍは支持体側の表面の位
置を、ｔｇは支持体側とは反対−の表面の位置を示す０
詰り、酸素原子及び嬉門族原子の含有される非晶質層は
ｔ１側よりｔａ側に向って層の成長がなされる。 ４２図には、非晶質層中に含有される酸素原子及び第門
族原子の層厚方向の分布状態のｊＩｌの典型例が示され
る。 ＄２図に示す例では、ａ−８ｔ　（Ｈ，Ｘ）から成９元
４電性を示す非晶質層（ｔｓｔｍ）（ｔ−からｔｌまで
の全層領域）は、支持体側より、酸素原子が分布一度Ｃ
■五で、＃Ｉ３族原子が分布濃度Ｃ（２）皿で、層厚方
向く実質的に均一に分布している層領域（ｔ＊ｔｉ＋）
（ｔｍとｔｌとの間の層領域）と、酸（素原＋０分布繰
度ゝ分布績度Ｃ（０）１から実質的′零になるまで線層
的に次第に減少し且つ縞鳳族原子の分布濃度が分布績’
Ｊ［Ｃ（２）１から実質的に零になるまでｌｉｉ型的に
次第に減少している層領域（１，１□）と、酸素原子及
び第厘族原子のいずれも実質的に含有されてない層領域
（ｔａ　ｔｒ　）とを有している。 第２図に示す例の様に非晶質層（ｔａ　ｔｍ　）が支持
体側に設けられ、支持体又は他の層との接触向（ｔｍに
相当）を有し、酸素原子及び嬉層族原子の分布が均一で
ある層領域（ｔｘ　ｔｍ　）を有する場合には、分布濃
度Ｃ（２）ｌ及びＣ（９１は、支持体或いは他の層との
関係に於いて所望に従って適宜法められるものであるが
、Ｃ（２）１０場合シリコン原子に対して通常の場合０
．１〜１０００　ａｔｏｍｉｃＰＰｍ　＊好適には１〜
４００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には２〜２００
　ａｔｏｍｉｃ　ＰＰｍとされ、Ｃ５ＩＩの場合、シリ
コン原子に対して通常は０．０１〜３０　ａｔｏｍｉｃ
　％　％好適には０．０２〜２０　ａｔｏｍｌｃ　％、
最適には０，０３〜１０　ａｔｏｍｒｃ　＠とされるの
が望ましいものである。 層領域（ｔｔ　ｔｍ　）は、主に層領域（ｔａ　ｔａ　
）と層領域（ｔｕｔｓ）との間の電気的接触を滑らかに
する為に設けられるものであるので、皺層領域（ｔｒｔ
ｍ）の層厚は、酸素原子の分布濃度Ｃね）１及び菖厘族
原子の分布績１ＩＬＣ（２）１、殊に分布濃度Ｃ（（１
１との関係に於いて適宜所望に従って決められる必要が
ある。 必要に応じて第鳳族原子を含有しても良いが酸素原子は
含有されない層領域（ｔｓ　ｔｓ　）の層厚としては繰
返し使用に対する耐久性も含めて酸素原子の含有される
層領域（ｔａ　ｔｍ　）が、大気からの保−を充分受け
られる様に、又、該層領域（ｔｓ　ｔｘ　）に於いて光
照射によるフォトキャリア′ｔ−発生させるので６れば
、照射する光が該層領域（ｔｓ　ｔ、　）に於いて充分
吸収される様に、所望に従って適宜法められる。 本発明に於いて、非晶質層の表面層領域に設けられる酸
素原子の含有されない層領域の層厚としては、通常ｌＯ
Ｏム〜ｌＯμ、好適には２００Ａ〜５μ、最適には５０
０Ａ〜３μとされるのが望ましい４のである。 箒２図に示される様な酸素分子及び嬉厘族原子の分布状
態を有する光導電部材に於いては＾光感度化及び＾暗抵
抗化を計り乍ら支持体又は他の層との間の密着性と支持
体側よりの非晶質層中への電荷の阻止性をより向上させ
るには、第２図に於いて一点鎖ｊｌａで示す様に非晶質
層の支持体側表面（ｔｉ＋の位置に相尚）Ｓ分に於いて
、酸素原子の分布濃度を分布層ｆｃ（ｏ）ｘよりｊ！に
高くし九層領域（ｔｕｂ）を設けるのが東いものでるる
。 ｔｌ！嵩原子がＡｉ繰にで分布している層領域（ｔｓｔ
ｉ＋）Ｋ於けるａｌ１票原子の分布８度Ｃ（り怠とじて
は、シリコン原子に対して通常は、７０　ａｔｏｍｉｃ
　Ｓ以下、好適には５０　ａｔｏｍｌｅ−以下、最適に
は３０ａｔｏｍｉｃ−以下とされるのが望ましいもので
ある。 酸Ｘ原子の高ｌｌＫで分布される層領域に於ける酸素原
子の分布状態は、第２図に一点鎖線ａで示す樟に層厚方
向に一定（均一）とされても良ｉし、直＊＊合されるｍ
ｉｓ領域との閏の電気的接触を良好にする為に一点鎖ｉ
Ｉｂで示す様に、支持体側より、ある厚さまで一定値Ｃ
（ロ）２で、その後は、Ｃ（＠ｐになるまで連続的に次
第に減少する様にされても良い。 第二の層領域に含有される第門族原子の骸層領域に於け
る分布状態は、支持体側に於いて、分布１１１［ｃ（至
）ｌで一定値を維持した層領域（層領域（ｂｔｕ）に相
＠）ｔ−有する様にされるのが通常であるが、支持体側
より非晶質層への電荷の注入をより効率曳く阻止する為
には支持体側に巣２図に一点鎖！ＩＣで示す様に第量族
原子が＾員藏で分布する層領域（ｔ４ｔｍ）を設けるの
が望ましいものである。 本発明に於いては、層領域（ｔａｔａ）は位置ｔｌよシ
５μ以内に設けられるのが好ましい０層領域（ｔ４ｂ）
は、位置ｔ１よシ５μ厚までの全層領域り丁とされても
良いし、又、層領域Ｌテの一部として設けられても嵐い
。 層領域（ｔ４ｔｓ）を層領域ＬｙＯ一部とするか又は全
部とするかは、形成される非晶質層に要求される特性に
従って適宜、決められる。 ′　　　　　ノー領域（ｔａｔｍ）はその中に含有され
る第履族原子の層厚方向の分布状態として第厘族原子の
含有量分布値（分布ａｍ値）の最大Ｏｍａｘがシリコン
原子に対して通常は５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐａ＊以上
、好適には８０　ａｔｏｍｉｃ　ＰＰｍ以上、最適には
１０Ｇａｔｏｍｉｃ　Ｐｐｍ以上とされる様な分布状層
とな）得る様に層形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、ｊＩＩ族原子の含有される第
二０層領域は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔｉ＋
から５μ厚０４′＠域）に含有量分布の最大値Ｃｍａｘ
が存在する様に形成されるのが好ましいものである。 本発明に於いて＃！索原子が高一度に分布している、層
領域（ｔ４ｔｓ）Ｏ層厚及び第ｉｉｔ＊原子がＡ濃度に
分布している層領域（ｔ４ｔｍ）Ｏ層厚は、これ等の層
領域に含有される酸素原子或いは第門族原子の含有量及
び含有分布状層に応じて所属に従って適宜決定され、通
常の場合、５ｏλ〜５μ、好適には１００Ａ〜２μ、最
適には２０Ｇλ　　　□〜５０００λとされてるのが望
ましいもので６る◎ｍａ図に示される例は、基本的には
、ＪＩＩ２図に示した例と同様であるが、異なる点は、
ＪＩ２図の例の場合には、ｔ、の位置より、酸素原子の
分布一度も第厘族原子の分布濃度も共に減少が始まり、
位置ｔ、に到って実質的に零になって−るのに対して、
ＩＩ３図の例の場合には、実線Ａ３で示す様に酸素原子
の分布濃度はｔ、の位置より、実１１Ｂ３で示す様に嬉
鳳族原子の分布濃度はｔヨの位置よシ、夫々減少が始ま
Ｄ、ｔ、の位置に於いて、両者共に実質的に零になって
いることである。 即ち、酸素原子の含有されている第一０層領域（ｔｒｔ
ｉ＋）−は分布１１４１ｔＣ（ｒｓｌで実質的に均一に
分布されている層領域（ｔｓｔｎ）と、位置ｔ、より分
布濃度Ｃ（ロ）ｌから実質的に零に到るまでＩＩＩＩＩ
ｉ的に次第に減少している層領域（ｔｉｔｓ）とで構成
されている０ １ｍ１原子の含有される第二０層領域（ｔｌｔｍ）は、
分布＃Ｉ度Ｃ＠ｌで実質的に均一に分布さ扛ている層領
域（ｔｕｂ）と、位置ｔ、よプ分布員［Ｃ（Ｉｏｌから
実質的に零に到るまで線層的に次第に減少している層領
域（ｔｉｔｍ）とで構成されている。 層領域（ｔａｔａ）Ｋは、第２図に示す層領域（ｉｓｔ
ｘ）と同様に酸素原子も第厘族原子も含有されていない
。 第４図に示す例は、第３図に示す例の変影何であって、
酸素原子が分布濃度Ｃ（ロ）ｌで均一分布で含有されて
いる層領域（ｔｉｔｓ）中に、菖厘族原子が分布ｅｔｃ
（２）１で均一分布で含有されている層領域（ｂｔＢ）
が設けである点を除けば、第３図に示す場合と同様であ
る。 第５図に示す例は、第貰族原子が一定の分布ｉ１＆で均
一分布で含有されている層領域を２つ有する場合である
０ ３１５図に示す例の非晶質層は、支持体側より、酸素原
子と第■族原子との両方が含有されている層領域（ｉｏ
ｔａ）と、皺層領域（ｔｓｔｍ）上に菖鳳族原子は含有
されているが酸素原子は含有されてない層領域（ｔ、　
ｔｓ）と、ｇ厘族原子も８１１Ｍ子もいずれも含有され
ていない層領域（ｔｓ　ｔｔ　）とで構成されている。 そして、酸素原子の含有されている層領域（ｈｔｓ＋）
は、分布濃度Ｃ（ロ）１で層厚方向に実質的に拘−に分
布されている層領域（ｔｌｔｎ）と、分布一度Ｃ（ｏ）
１よシ次第に締屋的に減少されて実質的に零に祠ってい
る層領域（ｔｍ　ｔｓ　）とで構成されている。 層領域（ｔｌｔｎ）は、・支持体側から、第璽族原子が
、分布濃度Ｃ（１）ｌで実質的に均一分布している層領
域（ｔ４ｔｉ＋）、分布濃度Ｃ（１１から分布濃度Ｃ（
Ｉａａｔでｉｕｉ的に連続減少して分布している層領域
（ｔｌｔｎ）、分布濃度Ｃ（２）３で実質的に均一分布
している層領域（ｔａ　ｔｓ）　、及び分布製部−１か
らｍ皺的に連続減少して分布している層領域（１，１□
）とが積層され九層構成を有している。 第６図には、第５図に示す例の変形例が示される。 第６図に示す例の場合には、＃素原子とｊｌｌ族原子と
が夫々、分布濃度Ｃ（ｏ）ｘ；Ｃ（２）ｌで均−分、；
　　　　４している層領域（１＊１＊）と１．酸ｆＩＡ
Ｊ［子が分布−嵐Ｃ（ｏ）１からｔｍ的に次第に減少さ
れて実質的に零ｙｃ到っている層領域Ｄｓｔｓ）中に、
線型的に減少する分布状層でＪｌｌ族原子が含有されて
いる層領域（ｔｉｔｓ）と分布濃度Ｃ（２）３で実質的
に均一分布状態で第門族原子が含有されている層領域（
ｔｍｔａ）とが設けられている。 層領域（ｔｓｔｍ）Ｏ上には、酸素原子が実質的に含有
されてない層領域（ｔｇ　ｔｓ　）が設けられ、層領域
（ｔａ　ｔａ　）は、−ａＩｌＩ族原子が含有されて匹
る層領域（ｔｓｔｉ）と、酸素原子、縞門族原子のいず
れも含有されてなり層領域（ｔｕｔｓ）とで構成されて
いる。 （ｔｓｔｘ）には、ａｌ索原子が含有されてｉない例′
が示される。 ＩＩｔｌＬＨ子の含有される層領域（ｔｉｔｓ）は、実
―Ａ７で示す様に、分布＊　ＲＣｔｑ　１で均一分布状
態で酸素原子が含有されている層領域（ｔｉｔｓ）と、
分布１１１度Ｃ（ｏ）１から次第に減少されて零に絢る
分布状層で酸素原子が含有されている層領域（ｔｌｔｓ
）とを有する 非晶質層中に於ける＃ＩＮ族原子の分布は、実ｆｉＢ７
で示される。即ちｌｉ、ｌＩ族原子の含有されるノー領
域（１，１１）は、分布員ＩＩｔＣ（２）１で均一に第
膳Ｊ！原子が分布されている層領域（ｔ、ｔｍ）と、分
布濃度Ｃ（２）２で均一に第１族原子が分布されている
層領域（ｔｌｔｎ）との間に分布−＊Ｃ（２）ｌと分布
員１１ｃ＠ｚとの間Ｏ蕗厘族原子の分布変化を連続させ
る為に、これ等の分布ｆＩＩｋＷｌ閾で線型的に連続的
に変化している分布状態で第厘族原子が含有されている
層領域（ｔｘｔｔ）とを有する〇第８図には、第７図に
示す例の変形例が示さ第Ａ１１族原子が含有されておシ
、層領域（ｔｘｂ）には、酸素原子が含有されている。 層領域（ｔｓｔａ、）に於いては、酸素原子が分布濃度
Ｃ（ロ）１で、第門族原子が分布濃度ｃｆｉｌで夫々、
均一な分布状層で含有されており、層領域（ｔｇｔｔ）
に於いては、第門族原子が、分布濃１ＬＣ（至）２の均
一な分布状層で含有されている。 酸素原子は実線ム８で示される様に、層領域（ｔｉｔｓ
）Ｋ於いて、支持体側より分布＊ＲＣｎｓからｌ１ＩＩ
Ｉｌ的に次第に減少されて位置ｔ、に於いて実質的に零
になる様に含有されている０層領域（ｔｌｔｎ）では、
落厘族原子が、分布鐘ｔｃ（２）１から分布毅ＲＣ＠ｚ
に到るまで徐々に減少する分布状層で含有されている。 ＠９図には、酸素原子は、層厚方向に不均一な分布状層
でｔ有されるが、ＨＪＩ族康子は、連続的に含有される
層領域に於いて、層厚方向に実質的に均一な分布状層で
含有されている例が示される。 ＠９図に示される例に於いては、ａｌ嵩原子の含有され
る第一０層領域と第層表原子の含有される第二の層領域
とは、実質的に同一層領域であって、酸素原子及び菖厘
族原子のいずれも含有′されていない表向領域を有して
いる。 ａｂａｃｉ子は、ノー領域（ｔ、ｔｍ）４Ｃ於いては、
分布ｅｔｃ（ロ）ｌで実質的に均一な分布状−で含有さ
れてお９、層領域（１１１ｍ）に於いて、分布凝度ａ−
ｉｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される卵重質層を形成するにｑ
よ、基本的にはシリコン原子（Ｓｔ　）を供給し得るＳ
ｉ供給用の原料ガスと共に、水素原子Ｉ導入用の又は／
及びハロゲン原子（３）導入用の原料ガスｔ１内部が減
圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放
電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の支
持体表面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させ
れば良い。又、スパッタリング法で形成する場合には、
例えばＡｒ、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスを
ベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成され九メ
ーゲットをスパッタリングする際、水ＸＩＩＬ子Ｉ又は
／及びハロゲン原子（２）導入用のガスをスパッタリン
グ用の堆積室に導入してやれば曳い。 本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスとして
は、８ｉルー８１ｔＨｓ、　８１．鳥、　Ｓｉ、鴇０等
のガス状層の又はガス化し得る水嵩化硅素（シラン（資
）が肴効に使用されるものとして挙けられ、殊に、層作
成作業の扱い易さ、８ｊ供給効率の良さ等の点でＳｉ曳
ｅ　５１ｔＨ，が好ましいものとして挙げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン鐸導体等のガス状層の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。 父、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成ＪＩ
素とするガス状層の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む硅素化合資も有効なものとして本兄明においては挙
げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、ａＩ本、臭素、ＢりＪＩ　Ｏ
ハロゲンガス、ＢｒＦ、　ＣＩＦ、　ＣＩＦＢ。 ＢｒＦｌ　、　ＢｒＦｌ　、　ＩＦ＠　、　ＩＦｙ　、
　ＩＣｊ、　ＩＢｒ　等のハロゲン間化合物を挙げるこ
とが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換され九シラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４　、８１１Ｆ＠　、　５ｉＣｊ４　、８１Ｂｒ４
等のハロゲン化硅累が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用し°Ｃグ
ロー放電法によって本発明の特徴的な尤導域部材會形成
する場合には、ｓｉ　ｆｔ供給し得る原料ガスとしての
水素化硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にａ
−８ｉ：Ｘから成る非晶質Ｉ−を形成する事が出来る。 グロー放電法に従って、ノ・ロゲン原子を含む非晶質層
ｔ−製造する場合、基本的には、Ｓ１供給用の原料ガス
であるハロゲン化硅素ガスとＡｒ。 鶏、　Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる
様にして非晶質層を形成する堆積室に導入し、グロー放
ｔｔ生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成する
ことによって、所定の支持体上に非晶質層を形成し得る
ものであるが、水嵩原子の導入を計る為にこれ等のガス
に更に水嵩原子を含む硅素化合物のガスも所定量拠金し
てｊ−形成しても嵐い。 （又、谷ガスは単独種のみでなく所定の混合比でＩｌ数
槽混合して使用しても差支えないものである〇 反応スパッタリング法或いはイオングレーティング法に
依ってａ−８ｔ（ａＸ）から成る非晶質層を形成するに
は、例えばスパッタリング法の場合にはＳｊから成るタ
ーゲットを使用して、これを所定のガスプラズマ雰囲気
中でスノくツタリングし、イオンブレーティング法の場
合には、多結晶り替、コン又は単結晶シリコンを蒸発源
として蒸着ボートに収容し、このシリコンＮ発源を抵抗
加熱法、或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によ
って加熱蒸発させ飛４蒸宛物を所定のガスプラズマ雰囲
気中を通過させる事で行う事が出来る。 この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にノ・ロゲン原子を導入
するには、前記の−・Ｑゲン化合物又は前記のハロゲン
原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガ
スのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものでるる。 又、水嵩原子を導入する場合には、水Ｘ鳳子導入用の原
料ガス、例えば、為、或いは前記したシラン類等のガス
をスノくツタリング用の堆積室中に導入して皺ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれば良い０ 本発明Ｖこおいては　／％ロゲン原子導入用の原料ガス
として上記され九ノ・ロゲン化合物或いはハロゲンを含
む硅素化合物が有効なものとして使用されるものである
が、その他に、ピ、ＨＣｊ。 ＨＢｒ、　ＨＩ等のノ１０ゲン化水素、Ｓｉ％Ｆ１．　
Ｓｉｎ、Ｉ！。 ５ｉｊｄ、Ｃｌ＊Ｉ　５ＩＨＣ４、ＳｉＨ，Ｂｒ、　、
　８ｉＨＩｌｒ、等のノーロゲン置換水素化硅素、等々
のガス伏線の或いはガス化し得る、水ｌＡＪ［子を構成
要素の１つとするハロゲン化−も有効な非晶質層形成用
の出発物置として挙げる事が出来る０ これ等の水素原子を含む）・ログン化物は、非＆質層形
成の際に層中に／Ｓロゲン原子の導入と同時に電気的或
いは充電的特性０ＩＩ１１御１ｃｌｉめて有効な水素原
子も導入されるので、本発明においては好適な／Ｓロゲ
ン導入用のＭ料として使用される。 水嵩原子を非晶′質層中に構造的に導入するには、上記
の他に４．或いは８１Ｈａ　ｔ　８ｉｔ＆　＊　８ｉ晶
。 ｓｔ、′Ｈ４゜等の水素化硅素のガスｔ−ｓｉを供給す
る為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて放電を生
起させる事でも行う事が出来る。 例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及び為ガスを
必要に応じてＨ・、Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆積室
内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｌターゲ
ットｔスノくツタリングする事によって、基板上にａ−
８ｉ　（Ｈｔ　Ｘ　）から成る非晶質層が形成される。 東には、不純物のドーピング４ｈ兼ねて４八等のガスを
導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材Ｏ非晶質層中に
含有される水嵩原子■の量又はハロゲン原子■の量又は
水素原子とハロゲン原子の量の８は過ｔｏ場−合１〜４
０　ａｔｏｍｉｃ　１１６　％好適には５〜３０　ａｔ
ｏｍｉｃチとてしるのが望ましい〇非晶質層中に含有さ
れる水嵩原子０又は／及びハロゲン原子ＱＯＯ量を制御
するには、例えば支持体温度又は／及び水素原子１１或
いはハロゲン原子（４）を含有させる為に使用される出
発物質の堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御
してやれば良い。 本発明に於て、非晶質層をグロー放電法又はスパッター
リング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、
所謂稀ガス、例えばＨｅ　、Ｎｅ　。 Ａｒ等が好適なものとして挙けることが出来る。 非晶質層中に酸素原子及び周期律表第辺族原子を導入し
て、第一０層領域及び第二０層領域を形成するには、グ
ロー放電法や反応スパッタリング法等による層形成の際
に、第■族原子導入用の出発物質又は酸素原子導入用の
出発物質、或いは両出発物質を前記した非晶質層形成用
の出発物質と共に使用して、形成される層中にその菫ｅ
ｉｌＪ＃Ｌ乍ら含有してやる事によって成される〇 非晶質層を構成する第一０層領域を形成するり のにグロー放電法を用いる場合には、ＪＩｌＯ層領域形
成用の原料ガスとなる出発物質としては、＊記した非晶
質層形成用の出発物質の中から所望に従って選択された
ものに１１１素原子導入用の出発物質が加えられる。そ
の様な酸素原子導入用の出発物質としては、少なくとも
酸素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得
る物質をガス化したものの中の大概のものが使用され得
る。 例えばシリコン原子（Ｓｔ）ｔ−構成原子とする原料ガ
スと、酸素原子ａｔ−構成原子とする原料ガスと、必Ｉ
ＩＫ応じて水素原子日又は及びハロゲン原子ａｏを構成
原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るか、又は、シリコン原子（Ｓｔ）を構成原子とする原
料ガスと、酸素原子（０）及び水ＩＡ原子（）Ｉ）を構
成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子と
する原料ガスと、シリコン原子（Ｓｔ）ｊｌｉｌｌ嵩原
　　　子（０）及び水嵩原子（Ｈ）　Ｏ３つを構成原子
とする原料ガスとｆ：混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（ｓｌ）と水素原子（６）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。 具体的には、例えば酸素（へ）、オゾン（、ｏｓ＞　ｅ
−酸化窒素（ＮＯ）ｙ二酸化窒素（ＮＯり　＊−二酸化
１！ｌ嵩０ψ）、三二酸化窒素（鳥へ）、四二酸化窒素
（ＫＯａＬ五二酸化窒素（塊へ）、二酸化窒素（ＮＯＩ
）　ｊ　７リコン原子（Ｓｔ）と酸素原子（０）と水嵩
原子（）Ｉ）とｔ構成原子とする、例えば、ジシロキサ
ンＨ，５ｉＱＳｉ１１．　、　）リシロキサンＨ，５ｉ
Ｏ８ｉＨオ０８ｉＨ，等の低級シロ中サン等を挙げるこ
とが出来る。 スパッターリング法によって、酸１ＡＪｉ［子を含Ｍす
る第一０層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ
ｉウェーハー又は８１０．ウェーハー、又はＳｉとＳｉ
ｎ！が混合されて含有されているウェーハーをターゲッ
トとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッターリ
ングすることによって行えは良い。 例えば、Ｓｉウェーハーｔターゲットとして使用すれば
、ｃａｉｌｃＪＩＬ子と必要に応じて水素原子又は／及
びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを１必要に応じ
て稀釈ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入
し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウ
ェーハーをスパッターリングすれば良い。 又、別には、ＳｔとＳｉｎ、とは別々のターゲットとし
て、又はＳｔとＳｔＯ，の混合した一枚のターゲットを
便用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくと一水１ｇＪｔＡ子（Ｈ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有
するガス雰囲気中でスパンターリングすることによって
成される。 ＃１素原子導入用の原料ガスとしては、先述し九グロー
放電の真で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料
ガスが、スパッターリングの場合にも有効なガスとして
使用され得る。 非晶質層を構成する第二０層領域を形成するには、前述
し九非晶質層の形成の腺に前記し九非晶質層形成用とな
る原料ガスと共に、Ｊｌｌ族原子導入用となるガス状態
の又はガス化し得る出発物質をガス状態で非晶質層形成
の為の真空堆積室中に導入してやれば良いものである０
第二のノー領域に導入されるｊｌＩＩＩｌ族原子の含有
菫１よ、堆積室中に流入されるｓｉｔ族原子導入用の出
発物質のガス流量、ガス流量比、放電パワー等を制御す
ることによって任意に制御され得るＯ Ａｎ族原子導入用の出発物質として、本発明ｙｃ於いて
有効に使用されるのは、−１Ｌ原子導入用としては〜Ｂ
冨Ｈ＠ｊ　ｎ４ｎ、・、　Ｂ、Ｈ・、　ＢＩＨ，、、Ｂ
＠ル・ν１１、Ｈｌ、、　Ｂ、Ｈｕ等の水素化砿素、Ｂ
ＦＩ　、　ＢＯ２，ＢＢｒ１等Ｏハロゲン化硼素等が挙
げられる。この他、ＡｌＣｌ、　、　ＧａＣｊ、　、　
Ｇａ（ＣＨ，）、　、　ＩｎＣｊｌ　、　ＴｌＣｌ、等
も挙げることが出来る。 本発明に於いて遷移層領域（＃Ｒ素原子又は第Ｍｌ族原
子のいずれかの分布ＩＩＩＩｉｔが層厚方向に変ｉ　　
　化している層領域）の形成は分布磯度を変化させるべ
き成分を含有するガスの重量を適宜変化させることによ
シ達成される０例えば手動めるいは外部駆動モータ等の
通常用いられている何らかの方法により、ガス流路系の
途中に設けられた所定のニードルパルプの開口を漸次変
化させる操作を行えば良い。こ０とき、流量の変化率は
線型である必要はなく、例えばマイコン等を用いて、め
らかしめ設計され九変化皐−一に従って流量を制御し、
所望の含有率−！Ｉｔ−得ることもできる。 非蟲質贋作属の際遷移層領域と他の層領域との境界にお
いて、プラズマ状層は維持されても、中断されても膜の
特性上には何ら影響を及ぼさないが連続的に行うのが管
層上も好ましい〇非晶質層の層厚は、非晶質層中で発生
されるフォトキャリアが効率良く輸送される様に所望に
従って適宜決められ、通常は、３〜ｌｏｏμ、好適には
５〜５０μとされる。 本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｘＣｒ、ステンレス。 ＡＪ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ
、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等〇金属又はこれ等の合金が
挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。 ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。 ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成１１脂のフィルム又はシート、ガラス。 上２ミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、咳導電処理され九表国側に他の層が設けられ
るのが１ｉｉｔＬい。 例えば、ガラスであれば、その表Ｗｉに、ＮｉＣｒ。 ＡＩ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔ
ａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ。 Ｉｎ、０１　、５ｎＯ１、ＩＴＯ（Ｉｎｌｏｓ＋ＳｎＯ
，）等から成る薄躾會設けることによって導電性が付与
され、或いはボリエステルンイルム等の合成樹脂フィル
ムであれば、ＮｉＣｒ、　ＡＩ、　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚ
ｎ、　Ｎｉ、　Ａｕ。 Ｏｒ、　Ｍｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ
、　Ｐｔ等の金属の薄線を真空蒸着、電子ビーム蒸着、
スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属でそ
の表向全ラミネート処理して、その表面に導電性が付与
される。支持体の形状としては、円筒状。 ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１
００　ｔ−電子写真用像形成部材として使用するのであ
れば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状
とするのが！！まし一〇支持体の厚さは、所望過少の光
導電部材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部
材として可ｌＩ！性が要求される場合には、支持体とし
てのｆｓ能が充分発揮される範Ｈ内であれば可能な限り
薄くされる。百年ら、この様な場合支持体の製竜上及び
城扱い上、機械的強度等の点から、通常は、ｌ　Ｏμ以
上とされる。 本発明の光導１ｍ部材においては、非晶質層上に、該非
晶質層中への自由表面側からの電荷の注入を阻止する働
きのある、所鎮障壁層と云わし、炭素原子（Ｃ）、ｆｆ
１本原子（Ｎ）　Ｏ中から選択される原子の少なくとも
一樵と、必要に応じて水嵩原子又は−・ログン原子の少
なくともいずれか一方とを含む非晶質材料くこれ等を総
称してａ−（ｓｔｓ（ｃ、Ｎ）ｔ−ｚＪ　ｙ　（ＨｓＸ
）＊−ｙと衆記する（但し、０＜−ｆ＜１．０＜、＜１
　）＞又は、電気絶縁性の金属酸化物或いは電気絶縁性
の有機化合物で構ゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ、
　ＣＩ、　Ｂｒ、　Ｉであり、殊にＦ、ＣＩが望ましい
ものである。 上記表面層ｔ一層構成る非晶質材料として有効に使用さ
れるものとして具体的には、例えば炭凧系の非晶質材料
としてａ−８ｉＪＬＣ１−、、ａ−（ＳｊｂＣｌ−−Ｂ
　）、Ｈ４−ｃ　、　ａ　−（Ｓ　ｉ　ｄＣｌ−ｄ）ｅ
”ｌ　−ａ　、　ａ−（Ｓｉ　ｆｃｌ−４）ｇ（Ｈ”Ｘ
）ｚ−ｇ。 輩嵩系の非晶質材料としてａ−８ｉｈＮ１−ｈ。 ’−（Ｓ’　ｉ”５−ｉ）ｊＨｌ−ｊ　、　ａ−（Ｓｉ
ｌｃＮｔ−ｋ）ＪＸ４−ｊ　、　ａ−（ｓｔ。 Ｎ１−ｒＱ）ｎ（）Ｉ＋Ｘ）１−ｎ、等、更には、上記
の非ｊ［材料において、Ｃ及びＮＯ２樵の原子を構成原
子として甘む非晶質材料を挙げることが出来る（但し０
＜ａ、ｂ、ｃ、ｄ、＊、ｆ、ｇ、１１゜ｉ　、　ｊ　、
に、ｊ！、ｎｈ、、ｎ＜１）。 これ等の非晶質材料は層構成の最適化設計に依る表面層
に要求される特性及び該表面層と接触して設けられる非
晶質層との連続的作成の容易さ等によって適宜最適なも
のが選択される。 妹に特性面からすれば、炭素系の非晶質材料を選択する
Ｏがより好ましｉものである。 表面層を上記の非晶質材料で構成する場合Ｏ１−形成法
としてはグロー放電法、スパン、ターリング法、イオン
インプランテーション法、イオングレーティング法、エ
レクトロンと−Ａ法等によって成される〇 真向層を前記の非晶質材料で構成する場合には、その要
求される特性が所望通シに与えられる様に注意深く形成
される。 即ち、Ｓｉと、Ｃ，Ｎの中の少なくと４１つ及び必要に
応じてＨ又は／及びＸｔ−構成原子とする物質はその作
成条件によって構造的には繭重からアモルファス゛まで
の形ｍを取り、電気物性　　□的には導電性から半４２
１１Ｅ性、絶縁性までｏｒＩ４゜性質を、又元導電的性
°質から非光導電的性質までの間の性質を、各々示すの
で、本発明においては、少なくとも可視光領域において
非光導電性であって暗抵抗の高いところの非晶質材料が
形成される様に、その作成条件の選択が厳密に成される
。 表面層に含有される炭素原子、窒素原子及び氷菓原子、
ハロゲン原子の量は、表面層の作成条件と同様、所望の
特性が得られる上部層が形成される重要な因子である。 表向層を＆　−Ｓ　ｌ　＠ＣＩ−ＪＬで構成する場合に
は炭素原子の含有量は、シリコン原子に対して通常は６
０〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％　、好適には６５〜８０　
ａｔｓｍｉｃ％。 蝋通には７０〜７５　ａｔｏｍｉｅｓ　、　ａの表示で
は０、１〜０．４．好適には０．２〜０．３５．最適に
は０．２５〜０．３とされ、ａ−（ＳｉｂＣ，−ｂ）ｃ
Ｈ３−、で構成する場合には、炭素原子の含有量は、通
常３０〜９０　ａｔｏｍｉｃ　Ｔｏ　、好適には４０〜
９０　ａｔｏｍｉｃ　−。 ｍ通には５０〜８０　ａｔ韓ｉｃ％を水素原子の含有量
としては、通常１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　’ｌｋ　、好
適には２〜３５　ａｔｏｍｉｃ　％　を最適には５〜３
０　ａｔｏｍｉｅ　９Ｇ。 ｂ、ｃの表示で示せば、ｂが通常は０．１〜０．５゜好
適にはｏ、　ｉ〜０．３５．最適には０．１５〜０．３
゜Ｃが通常は０．６０〜０．９９．好適には０．６５〜
０．９８．最適には０．７〜０．９５とされ、ａ−（Ｓ
ｔ、ＩＣ＊−ａ）、ｘ、−ｐ又は、ａ−（ＳｉＩＣ＊−
ｔ）ｇｃｋｌ＋Ｘ）、−１で構成される場合には、炭１
ＡＪ１．．子の含有量は通常は４０〜９０　ａｔｏｍｉ
ｃ　Ｓ　、好適には５０〜９０　ａｔｏｍｉｃ（ｉＩｋ
２１１には６０〜８０　ａｔＣＤｉｃ　％　、ハロゲン
原子はハロゲン原子と水嵩原子とを併せ死金有量は通常
は１〜２０　ａｔｏｍｉｃ　％　、好適には１〜１８ａ
ｔｏｍｉｃ　−＊最適には２〜１５　ａｔｏｍｉｃ　Ｓ
とされ、ハロゲン原子と水嵩原子の両者が含有される場
合の水嵩原子の含有量は通常は１９　ａｔｏｍｉｃ　％
以下、好適にはｌ　３　ａｔｏｍｉｃ　％以下とされ、
ｄ、　ｅ。 ｆ、ｆｏｅ示では、ｄ、ｆが通常は０．１−０．４７好
適には０．１〜０．３５．最適には０．１５〜０．３゜
・１ｇが通常は０．８〜０．９９．好適には０．８５〜
０．９９．最適には０．８５〜０．９８とされる。 表面層をｍ素糸の非晶質材料で構成する場合、先ずａ−
ｓｔｈＨ４−ｈＯ場合には、窒素原子の含有量はシリコ
ン原子に対して通常は４３〜６０　ａｔｏｍｉｃ９Ｌ好
適には４３〜５０　ａｔａｍｉｅ％　、　ｈの表示では
通常は０．４３〜０．６０．好適には０．４３〜０．５
０とされる０ ａ−（ＳｔｉＮｌ−ｉ　）ｊＨｔ−ｊで構成する場合に
は、窒素原子含有量としては、通常は２５〜５５　ａｔ
ｍｉｅ　Ｓ。 好適には３５〜５５　ａｔ（２）ｉｅ％、水嵩原子の含
有量としては、通常２〜３５　ａｔｏｍｉｃ　＊　、好
適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％とされ、ｉ、ｊで表
示すれば、ｉとしては通常０．４３〜０．６．好適には
０．４３〜ｏ、ｓ、ｊとしては通常０．６５〜０．９８
．、好適には０．７〜０．９５とされ、ａ　−（Ｓ　１
）ｔＮｘ−ｋ）ｌＸ４−１又はａ−（ＳｉｍＮｌ−、）
ｎ（Ｈ＋Ｘ）１−ｎで樽成すｂ場合には窒素原子の含有
量は、通常３０〜６０　ａｔｍｉｅ　１１Ｇｔ好ｍには
４０〜６０　ａｔｏｍｉｅ　％　ｅハロゲン原子又は、
ハロゲン原子と水素原子とを併せ先金有量は、通常１〜
２０　ａｔｏｍｉｃ　ＩＧ　ｙ好適には２〜１５、　　
　ａｔＱｏｌｉｃ　％とされ、ハロゲン原子と水素原子
の両′１ 者が含有される場合の水嵩原子の含有量は通常は１９　
ａｔｏｍｉｃ　Ｓ以下、好適には１３　ａｔｏｍｉｃ　
Ｓ以下とされ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎの表示では、ｋ、　７が
通常は０．４３〜０．６０．好適には０．４３〜（Ｌ４
９．ｍ、ｎが通常Ｉ／１０．８〜０．９９．好適には０
．８５〜０．９８とされる。 表面層を構成する電気絶縁性の金属酸化物としては、Ｔ
ｉ０１　、　Ｃｏ、０１　、　ＺｒＯ，、Ｈｆ０１　、
　Ｇａｏｌ　。 Ｃａｂ、　　Ｂｅｄ、　　ＹＩＯ，、Ｃｒ１Ｏ，、ムノ
＊Ｏａ　　＊　　ｋｌｇＯ−ｈｌｌｌｏ　　・Ａｊ＊Ｏ
ｓ　ｔ　８１０１・ＭｇＯ、等が好ましいものとして挙
げることが出来る。これ等は２ｉｓ以上を併用して表向
層を形成しても良いものである。 電気絶縁性の金属酸化物で構成される表面層の形成は、
真空蒸着法、ＣＶ　Ｄ　（ｃｈ＠ｍｏａｌ　ｖａｐｏｕ
ｒｄ＠ｐｏ畠１ｔｉｏｎ　）法、グロー法域分解法、ス
パッターリング法、イオンインクランチ−ジョン法。 イオンブレーティング法、エレクトロンビーム法等によ
って成される。 表面層の厚層の数値範囲は、その目的を効果的に達成す
る為の重要な因子の１つである。 表面層の層厚が充分過ぎる程に薄いと、表向層の表面Ｏ
ＩＩからＱ非晶質層中の電荷Ｏ＃１入を阻止する働きが
充分果し得なくな９、又、充分過ぎる程以上に厚いと、
光照射によって非晶質ノー中において生ずるフォトキャ
リアと表面層表向にある電荷との結合の確率が極めて小
さくなり、従って、いずれの場合も、表面層を設ける目
的を効果的に達成され得なくなるＯ 上記の点に鑑みて表面層を設ける目的を効果的に達成す
る為の表面層の層厚としては、通常とされるのが望まし
いものである０ 次にグロー放電分解法によって生成される光導電部材の
製造方法について説明する。 第１１図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装
置を示す。 図中の１１０２．１１０３．１１０４のガスボンベに／
ｆｉ、本発明の夫々の層を形成するための原料ガスが密
封されており、その１例としてたとえば１１０２は、出
で稀釈された５ｉＦ（４ガス（純度９９．９９９に。 以下ＳｉＨ４／Ｈｅと略す、）ボンベ、１１０３はＨｅ
でＢ、Ｈ，／Ｈｅと略す。）、１１０４はＣＩ（４ガス
（純度９９．９９Ｎ）ボンベ、１１０５は陶ガス（純度
９９．９９９Ｎ　）ボンベ、１１０６は七で希釈された
８ｉＦ、ガス（純度９９．９９９Ｎ、以下ＳｉＦ、　／
Ｈｅと略す。）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるＫことを確
認し、又、流入パルプ１１１２〜１１１６、流出パルプ
１１１７〜１１２１　、補助パルプ１１３２　。 配管内を排気する。次に真空計１１３６の読みが約５　
Ｘ　１０　’ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ１１３
２゜１１３３、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じる
。 基体シリンダー１１３７上に非晶質層を形成すルガスを
、ガスボンベ１１０５よりＮＯガスを、夫々パルプ１１
２２．１１２３．１１２５を開いて出口圧ゲージ１１２
７．１１２８．１１３０の圧をＩＫｐ／ｃＩｌに調整し
、流入パルプ１１１２．１１１３．１１１５を徐々Ｋｇ
ｌＡけて、マス７０−コントローラ１１０７．１１０８
　。 １１１０内に流入させる。引き続いて流出パルプ１１１
７、１１１８．１１２０、補助パルプ１１３２を徐々に
開いて夫々のガスを反応室１１０１に流入させる。この
ときのＳｉｒ、／Ｈｅガス流量とＢ、Ｈ＠／Ｈｅガス流
量とＮＯガス流量との比が所望の値になるように流出パ
ルプ１１１７．１１１８．１１２０を調整し、又、反応
室内の圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読
みを見ながらメインパルプ１１３４の開口を調整する。 そして基板シリンダー１１３７の温度が加熱ヒーター１
１３８により５０〜４００℃の温度に設定されているこ
とを確認された後、電源１１４０を所望の電力に設定し
て反応室１１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあ
らかじめ設計された変化率曲線に従ってＢｔｌｌａ　Ａ
長ガスの流量及び園ガスの流量を夫々手動あるいは外部
駆動モータ等の方法によってパルプ１１１８及び１１２
０を漸次変化させる操作を行なって形成される層中に含
有されるＢ等の第■族原子及び酸素原子の含有濃度を制
御する。 非晶質層上に更に上部表面層を形成するＫは非晶質層の
形成の際に使用し九Ｂ！Ｌ、／’）（ｅガス及びＮＯガ
スのかわりＫＯＨ＋ガスを用いて層形成を行なう。 夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出バルブは
全て閉じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形成
ぼる際、前層の形成に使用し九ガスが反応室１１０１内
、流出パルプ１１１７〜１１２１から反応室１１０１内
に至る配管内に残留することを避けるために、流出バル
ブ１１１７〜１１２１を閉じ補助バルブ１１３２．１１
３３を開いてメインパルプ１１３４を全開して系内を一
旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。 又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体シリンダー１１３７はモータ１１３９により一定速
度で回転させる。 以下実施例について説明する。 実施例１ 第１１図に示した製造装置を用い硼素（ハ）及びｒＩＩ
素０の層中の含有量をパラメータとして、Ｍシリンダ上
に第２図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行って
電子写真用像形成部材を作製した。このときの共通の作
製条件は、第１表に示した通りである。 第２表に縦軸に硼素の含有量０（１）１１横軸に酸素の
含有量０　（０）１とを夫々示し、得られた各試料の１
価結果を示す。や 作製した電子写真用像形成部材は、帯電−像露光一塊倫
一転写までの一連の電子写真プロセスを経て転写紙上に
顕倫化された画倫の〔濃度〕〔解儂力〕〔階調再現性〕
等の優劣をもって綜合的に評価した。 ＩＩ１表 実施例２ ｇｔ１図に示した製造装置を用い、硼素（Ｂ）及び酸素
（０）の層中の含有量をパラメータとして、Ｍシリンダ
上に１ｓ３図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
って、電子写真用像形成部材を得九。この際の非晶質層
を構成する各層領域の作成条７件を、下記第３表に示し
た。 酸素の分布濃度０（０）１・・・・・・３．５　ａｔｏ
ｍｉ　ｃ％１＃１素の分布濃度ｑ荀ｌ・・・・・・８０
ａｔ面ｉｃｐｐｍ得られた電子写真用像形成部材を用い
て、実施例１と同様に電子写真プロセスを適用して転写
紙上にトナー画偉を繰返し形成したところ、安定して高
品質のトナー転写画“像を得ることが出来た口 第　　３　　表 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 実施例３ 第１１図に示した製造装置を用い、硼素（Ｂ）及び＃Ｒ
素（０）の層中の含有量をパラメータとして、Ｍシリン
ダ上に第４図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
って、電子写真用像形成部材を得た。この際の非晶質層
を構成する各層領域の作成条件を、下記第４表に示した
。 酸素の分布濃度ＱＯ）１・・・・・・７ａｔｏｍｉｃ％
砿嵩の分布濃度ｑＩ）１−＝　３０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ得られた電子写真用像形成部材を用いて、実施例１と
同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー画
像を繰返し形成したところ、安定して高品質のトナー転
写画像を得ることが出来た。 第４表 放電周波数：　１Ｂ、５６ＭＨｚ 実施例４ 弔１１図に示した製造装置を用い、硼素（６）及び酸素
００層中の含有量をパラメータとして、Ａｔ　　シリン
ダ上に第５図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
って、電子写真用像形成部材を得木。 この除の非晶質層を構成する各層領域の作成粂汗を下記
第５表に示した。　　 ｄｊｔ素の分布濃度Ｃ（０）、　＝　７　ａｔｏｍｉｃ
＊硼素の分布濃度Ｃ＠１・・・・・・・・・１０　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ＃　　　　ｃ＠、・・・・・・・・・
第６表に示す。 得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて実ａ例１
と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー
画像を繰返し形成したところ、第６表に示す様な評価を
得ることが出来た。 但し、第５表中のＸ（４）は次の通りである。 ５４−１・・・・・・１×１０″　　５４−２・・・・
・・５×１０ゴ５４−３・・・・・・ｌＸ１０１Ｓ４−
４・・・・・・５Ｘ１０−’ＩＩ５表 実施例５ 第１１図に示した製造装置を用い、硼素＠）及び酸素向
の層中の含有量をパラメータとして、Ａｔ　シリンダ上
に第６図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行って
、電子写真用像形成部材を得た。 この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記
第７表に示した。 酸素の分布濃度Ｃ（０）ｌ・・・−・・・・・１　ａｔ
ｏｍｉｃチ硼累の分布濃Ｗ　ＣＱｎ）＋　−１００ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ＃　　　　Ｃｏ１１．・・・・・・・
・・第６表に示す。 得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて実施例１
と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー
画像を繰返し形成したところ第６表に示す様な評価を得
ることが出来だ。 但し、第７表中のＸ（６）は次の通りである。 ５５−１・・・・・・ｌＸ１０−フ　　８５−２・・・
・・・５Ｘ１０”−’８５−３・・・−１ｘｌＯ’　　
　５５−４・・・−５×１０　’８５−５・・・−・＝
ＩＸ１０　’　　　Ｓ５−６−・−・・＝２Ｘ１０　”
５５−７・・・・・・４ｘｌＯ’　　　８５−８・−・
−・−８ｘ１０　”８５−９−−−−−−ＩＸＩＯ−’ 第　　　７　　　表 放電局液畝：１１ｓ６旙り 実施例６ 第１１図に示した製造装置を用い、硼素の）及び酸素（
００層中の含有値をパラメータとして、Ａｔ　　シリン
ダ上に第７図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
って、電子写真用像形成部材を侍た。 この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記
第８表に示した０ 酸素の分布濃度Ｃ（０）１・・・・・・・・・２ａｔｏ
ｍｉｃチ硼素の分布濃度ｃ　（ｍ＊・・・・・・・・・
３０　ａｔｏｍｉｃ　ＴｌｐｍＩＣａＩＤ、・・・・・
・・・・第６表に示す。 得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナ
ー画像を繰返し形成したところ第６表に示す評価を得る
ことが出来た。 但し、第８表中のＸ（７）は次の辿りである０８６−１
・・・・・・１ｘｌＯ’５６−２・・・・・・５Ｘ１０
　’　　′５６−３・・・・・・ｌＸｌ０−’　　　８
６−４・・・・・・５Ｘ１０　”５６−５・’・ｌＸｌ
０　”　　　８６−６−・・・−２Ｘ１０　’第　　８
　　表 放電周１１ＬＩＩｋ　：　１＆ＨＭＨｇ実施例７ 第１１図に示した製造装置を用い、ａ＊＠及び＃に素向
の層中の合有菫をパラメータとして、ＡＡ　　シリンダ
上に第８図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行っ
て、電子写真用像形成部材を得た。 この除の非晶質層を構成する各層鐵域の作成条件を下ｉ
ｉｅ　第９表に示した。 酸素の分布＃度Ｃ（０）ｔ＝　２　ａｔｏｍｉｅｓ硼素
の分布濃度Ｃ（ト）、・・・・・・２００　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ’　　　　ｃ　＠ｓ・・・・・・第６堀に示
す。 得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナ
ー画像を繰返し形成したところ第６表に示す様な評価を
得ることが出来た。 但し、第９表中のＸ（γ）は次の逼りである０８７−１
・・・・・−ＩＸＩＧ−’　　　８７−２・・・・・・
５Ｘ１０　’５７−３・・・・・・ｌＸｌ０　”　　　
８７−４・・・・・・５Ｘ１０　”　　　　　　□８７
−５−・・−・・ｌＸｌ０　”　　　８７−６・’・ｌ
Ｘｌ０　”５７−７・・・・・・４Ｘ１０　’　　　８
７−８・・・・・・８Ｘ１０−’５７−９・・・・・・
ｌＸｌ０　’ ９９表 放電周波融：　１！ＬＪｇＭＨ属 実施例８ ｊ１１１図に示し丸製造装置を用い、硼素（（至）及び
酸素向の層中の含有量を／＜２メータとして、ＡＩフシ
リンダ上ｊＩ９図に示す層構成を有する非晶質層の形成
を行って、電子写真用像形成部材を得九。この際の非晶
質層を構成する各層領域の作成条件を１下記ｊ１１１０
表に示した０酸素の分布１１１１Ｊ［Ｃ（ｏ）ｔ−５ａ
ｔｏｍｉｃｓｚ　　　　Ｃ（切３・・・ｌｌｌｌｌ表に
示す硼素の分布＃ｋ　Ｉｔ　Ｃｔｇｘ−・５０　ａｔｏ
ｍｉｃ　ＰＰｍ得られ良電子写真用像形成部材の夫々を
用いて、実施例１と同様に電子写真プロセスｔ−適用し
て転写紙上にトナー画像を繰返し形成したところ、ｊ１
１１表に示す評価を得ることが出来九〇但し、嬉ＩＧｆ
ｉ中の×（６）は次の通シである０８８−１・・・１．
ｌＸ１０−’　　８８−２・・・４．４Ｘ１０″″４８
８−３・　１．ｌＸ１０−”　　８８−４・　２．２Ｘ
１０’″５８８−５・　４．４ｘｌＯ−”　　８８−６
−７．７Ｘ１Ｇ’″８第１θ表 第１１表 （評価基準は１１２表に同じ） 実施例９ ３１１１図に示した製造装置を用い、Ａフシリンダ上に
１１１１０図に示す層構成を有する非晶質層の形成を層
領域（ｔｘ　ｔｘ）　１層領域（ｔｕｔｓ）の夫々Ｏ層
厚をパラメータとして行って、電子写真用像形成部材を
得た。この緑Ｏ非晶質層を構成する各層領域の作成条件
を、下記Ｊ１１２＊に示しＩ−Ｑ 酸素の分布員度Ｃ（叩・・・　７　ａｔｏｍｉｅｌＧ硼
素の分布濃度Ｃ（至）１・・・１００　ａｔｏｍｉｅ　
ＰＰ鳳得られ良電子写真用像形成部材の夫々を用いて、
実施例１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上
にトナーｍ＊を繰返し形成し九ところ、Ｊ１１３表に示
す評価ｔ−得ることが出来九〇第１２表 第１３表 実施例１Ｏ 第１１図に示した製造装置を用い、硼素（ＩｌＮ及び酸
素向の層中の含有量をパラメータとして、ＡＩクシリン
ダ上ｊ１２図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
って、電子写真、層像形成部材ｔ−得た。この際の非晶
質層を構成する各層領域の作成条件を、下記１１１４表
に示しえ０酸素の分布磯ｆｉ、Ｃ（ロ）１・・・３．５
ａｔ側１ａｌｌ硼素の分布ｅｌｋ　１１　Ｃ＠ｌ　−−
−−８０ａｔ＊ｍ１　ｅ　ｐｐｗａ＃　　　　０ｇ４ｘ
　−・−５００ａｔ６１１１１＠Ｐ−得られた電子写真
用像形成部材を用いて、実施例１と同様に電子写真プロ
セスを適用して転写紙上にトナー画像を繰返し形成し九
ところ、安定して高品質のトナー転写画像を得ることが
出来た。 第１４表 実施例１１ 実施例２と同様の条件と作製手順に従って、Ａｊフシリ
ンダ上ｊＩａ図に示す層構成を有する非晶質層を形成し
た後に、該非晶質層上に以下の条件に従って、炭化シリ
コン系の表面障壁層を形成した。この様にして得られた
試料に就て実施例１と同様に繰返し電子写真プロセスを
適用し、トナー転写画像を得たところ１００万枚目のト
ナー転写画像も極めて高品質であって、一枚目の転写画
像と較べても同等遜色ないもので６つ九〇 使用ガス・・・鳴 ８１Ｈ４／Ｈ・＝　１０　：　２５Ｇ 流　　　　　　　量　・・・　ｓｉｎ、＝　　１０　８
ＣＣＭ流量比−ｃＨ４／８１＆＝　ａ。 層形成速度・・−０，８４Ａ／ｓ＠ｅ 放電電力・・・０．１８塾億 基板温度・・・２５０℃ 反応時圧・・・０．５ｔｏｒｒ 実施例１２ １Ｉｌ１図に示し友製造装置を用い、硼素（均及び酸素
向の層中の含有量を）（２メータとして、ムｌシリンダ
上に第３図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行っ
て、電子写真用ｖＩｌ形成部材を得九〇この際の非晶質
層を構成する各層領域の作成条件を、下記ｊＩ１５表に
示し九〇酸素の分布＃１度Ｃ（ｏ）１−３．５　ａｔｏ
ｍｌｃｌｇ−嵩の分布１１度Ｃ＠１−８０　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｒｘｈ得られ良電子写真用像形成部材を用いて
、実施例１．！：ＩＷ１様に電子写真プロセスｆ：適用
して転写紙上にトナーｍａｔ１″繰返し形成したところ
、安定して高品質のトナー転写画像を得ることが出来友
。 第　　１５　　表 款電周瀘黴：重ａ、６６ＭＨｚ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の構成の好適な例の１つ
を説明する為の儀式的説明図、ｊ１２図乃至第１Ｏ図は
夫々、本発明の光導電部材を構成する非晶質層の層ａ成
を説明する模式的説明図、ｆｇｌ１図は、本発明の光導
電部材を作製する為に使用され九装置の模式的ｉｌ！明
図である。 １００・・・先導１１に部材　　１０１・・・支持体１
０２・・・非晶質層　　　１０３・・・第一０層領域１
０４・・第二０層領域　１０５・・・層領域１０６・・
・上部層領域　　１０７・・・自由表面代理人　丸　Ｊ
６　　議　−・ （’、＞Ｉ゛ −一〇 手　　続　　補　　正　　書（自効 昭和５７年１１月　５日 １、事件の表示 昭和５６年特許願第１９００３７号 ２、発明の名称 光導電部材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 住所　東京都大田区下丸子３−３０−２名称　（１００
）キャノン株式会社 代表者　賀　　来　　龍　三　部 ４、代理人′ 居所　〒１４８東京都大田区下丸子３−３０−２５、補
正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２）明細書
の「図面の簡単な説明」の欄（３）図面 ６、補正の内容 （１）■明細書の第１１頁第１１行目の「に分布し、」
の後から同第１１頁第１２行目の「・・・ものであるが
、」までの文章を削除する０ ■同第１４頁第７行目に「・・・、通常はオ・・ｅ−好
」とあるのを「・・・、通常は、０．０１〜５Ｘ１０’
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは、１〜１００　ａｔ
ｏｍｉｃｐｐｍ、より好」と補正する。 ■同第１４頁第１６行目に「場合、・・０好ましくは、
０．０２．Ｊとあるのを［場合、０．００１〜３０ａｔ
ｏｍｉｃ％、好ましくは、Ｑ、３１〜２０　ａｔｏｍｉ
ｃ　％、より好ましくは、０．０２　ｊと補正する。 ■同第１６頁第１２行に「・・・通常の場合・・・・・
ａｔｏｍｉｃ　ｊとあるのを「・・・通常の場合、０　
、１〜８　ｘ　Ｉ　Ｑ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ま
しくは、０．１と補正する。 ■同第１７頁第１９行に１・・・酸素分子・・・」とあ
るのを「・・・酸素原子・・・Ｊと補正する０■同第２
６頁第８行乃至同第１２行目の文章を［第９図には、酸
素原子及び第■族原子が層厚方向に均一な分布状態で含
有されている層領域上に、これ等の原子が不均一に、連
続的に含有されている層領域が形成されている例が示さ
れる。」と補正する。 ■同第２６頁第１７行に「・・・表面領域・・・」とあ
るのを「・・・表面層領域・・・」と補正する。 ■同第７１頁の第１０表の「流量比」の項目の第２段中
にｒ　Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４＝＝４Ｘ　１０−’　Ｊとあ
る（　　　のを「Ｂ２Ｈ，／５１Ｈ４＝４　ｘ’１０−
’〜２　Ｘ　１０−５ｊと補正する。 （２）明細書第８０頁第１１行目に「’ｉ’ｏ６・・・
上部特ｌＩＩ唱８−９１６８３（２５） 層領域」とあるのを［１ｏ６・・・表面層領域」と補正
する。 （６）別紙の通り ｌ添付書類の目録 第９図を記載した図面　　　　−葉

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体と
   し、構成原子として水素原子又は７１０ゲン原子のいず
   れか一方を少なくとも含有する非晶質材料で構成され、
   光導電性を示す非晶質層とを有する光導電部材において
   、前記非晶質層が、構成原子として、層厚方向に不均一
   で連続的な分布状態で酸素原子が含有されている第一０
   層領域と、構成原子として、層厚方向に連続的な分布状
   態で周期律表第■族に属する原子が含有されている第二
   ０層領域とを有し、前記第一０層領域が前記非晶質層の
   表面下に内在しいている事ｔ−特徴とする先導ｍｓ材。 （２）周期律表第凹族に属する原子の分布状態が均一で
   ある特許請求の範囲ｇｉ項に記載の光４１１に部材。 （３）周期律表第■族に属する原子の分布状態が不均一
   である特許−求ＯＩｉ囲第１項に記載の光導電部材。 ＋４１　　第一０層領域と第二０層領域とは、少なくと
   もその一部を共有している特許−求ｔｏｉｉ囲ＪＩＩＪ
   ＪＩに記載の光導電部材。 （６）　　第一の層領域と第二０層領域とが実質的に同
   一層領域である特許請求の範囲第１項に起部の光導電部
   材。 （６）第一０層領域が第二０層領域の一部を構成してい
   る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （７）縞二の層領域が第一０層領域の一部を構成してい
   る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。