JPS589231A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
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- JPS589231A JPS589231A JP56107032A JP10703281A JPS589231A JP S589231 A JPS589231 A JP S589231A JP 56107032 A JP56107032 A JP 56107032A JP 10703281 A JP10703281 A JP 10703281A JP S589231 A JPS589231 A JP S589231A
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- G11B2007/24328—Carbon
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光、熱等のエネルギービームの照射によシ、記
録膜に穴もしくは凹部を形成することによって情・報を
記録するようにし九光学的情報記鍮媒体に係シ、特に感
度の向上及び長寿命化を図った光学的情報記録媒体に関
する。
録膜に穴もしくは凹部を形成することによって情・報を
記録するようにし九光学的情報記鍮媒体に係シ、特に感
度の向上及び長寿命化を図った光学的情報記録媒体に関
する。
基板上に形成された薄膜層にエネルギービームを照射し
、記録されるべき信号に対応したピット列を形成するよ
うにした光学的情報記録媒体において、従来よシ低融点
金属記録薄膜としてビスツ。
、記録されるべき信号に対応したピット列を形成するよ
うにした光学的情報記録媒体において、従来よシ低融点
金属記録薄膜としてビスツ。
ス（Ｂ＆）を使用することが知られている。Ｂｉ薄膜は
、最も低−エネルギーで所望のピットを形成で自る材料
でｓｌ）、この種贋造においては高感度材料として極め
て有望である。ζζで感度とは単位璽積蟲〉のピット形
成に要するエネルギー（ｗＪ／ｄ ）で定義される。
、最も低−エネルギーで所望のピットを形成で自る材料
でｓｌ）、この種贋造においては高感度材料として極め
て有望である。ζζで感度とは単位璽積蟲〉のピット形
成に要するエネルギー（ｗＪ／ｄ ）で定義される。
しかしながら引は大気中に放置されえ場合、酸素中水分
によシ酸化され透明になる度合が早い。
によシ酸化され透明になる度合が早い。
記鍮薄膜として使用する場合、膜厚は７００Ｘ位と極め
て薄いため、ビスーｆＪＬ薄膜の酸化で生じた透明度増
加に基因す基膜の感度劣化、出力減少は着るしい。即ち
、属が酸化されるど職解 Ｓｔ発温度が上昇する九め感
＊＊化となシ、透明化する丸め、反射率又は透過率が情
報記録されるビットの有無に敏感に対応しな（な９てし
まうためである。たとえば、７０℃相対１１度８ｓ％の
雰囲気に放置し丸場合、約６時間で感度が約２０％低下
し、約１５時間で約２０％低下してしまう。この九めＢ
ｉ膜の酸化防止の九めに、種々の防止策がとられて一ム
。最も有効な手段は無機ガクス体でおおう事だが、プロ
竜スが複雑であ〕、高側なため実用化されてｉない。
て薄いため、ビスーｆＪＬ薄膜の酸化で生じた透明度増
加に基因す基膜の感度劣化、出力減少は着るしい。即ち
、属が酸化されるど職解 Ｓｔ発温度が上昇する九め感
＊＊化となシ、透明化する丸め、反射率又は透過率が情
報記録されるビットの有無に敏感に対応しな（な９てし
まうためである。たとえば、７０℃相対１１度８ｓ％の
雰囲気に放置し丸場合、約６時間で感度が約２０％低下
し、約１５時間で約２０％低下してしまう。この九めＢ
ｉ膜の酸化防止の九めに、種々の防止策がとられて一ム
。最も有効な手段は無機ガクス体でおおう事だが、プロ
竜スが複雑であ〕、高側なため実用化されてｉない。
有機＊＊、例えに透明プラスチックにすれば１安個でｈ
）、熱伝導率もガラスの１／！のため感度も８倍となる
丸め、プラスチックを如何に使いこなすかが、現状の最
重点項目の１つとなうて匹る。
）、熱伝導率もガラスの１／！のため感度も８倍となる
丸め、プラスチックを如何に使いこなすかが、現状の最
重点項目の１つとなうて匹る。
ζζでプラスチツタには決定的な欠陥がある。即ち、大
気中の酸素、水分を自由に通過させてしまうことであ珈
、上述ＯＢｌ薄属薄膜板としては使えないと−うむとで
ある。
気中の酸素、水分を自由に通過させてしまうことであ珈
、上述ＯＢｌ薄属薄膜板としては使えないと−うむとで
ある。
本発明は、この問題点に鍾みなされえもので、有機樹Ｉ
ｌ基板を使用しながら、高感度でかつ長寿命Ｏ光学的情
報記録媒体を提供するととを１的とする。
ｌ基板を使用しながら、高感度でかつ長寿命Ｏ光学的情
報記録媒体を提供するととを１的とする。
本発＠Ｏ光学的情報記―厳体は、記鍮属を炭素（Ｃ）と
寵索（町並びに水素（ＩＩ）を含有する低融点金属又は
低融点金属合金Ｏ薄膜によりて形成しえヒとを特徴とし
てｓ’ Ｄ ｓ炭化水嵩３９！（−Ｑ＋ａ＆）４會有し
て−る薄膜も対象とし、これによって高感度と長寿命と
を兼ね備えたも０′ｅ６る。低融点金属として杜、膜形
成技術並びに高感度から与て、雪５ＩＸ）〜・・Ｏυに
融点をｔつ金属並びに合金、例えばｅｅｌ。
寵索（町並びに水素（ＩＩ）を含有する低融点金属又は
低融点金属合金Ｏ薄膜によりて形成しえヒとを特徴とし
てｓ’ Ｄ ｓ炭化水嵩３９！（−Ｑ＋ａ＆）４會有し
て−る薄膜も対象とし、これによって高感度と長寿命と
を兼ね備えたも０′ｅ６る。低融点金属として杜、膜形
成技術並びに高感度から与て、雪５ＩＸ）〜・・Ｏυに
融点をｔつ金属並びに合金、例えばｅｅｌ。
Ｉｎ、 ８ａ、 Ｚａ、 Ｐｈ、 Ｂｉ等の単体、並び
ＫＩａ８ｂ替０合会である。
ＫＩａ８ｂ替０合会である。
以下、゛図面を参照にして本発明の実施例Ｋ）龜詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発−の一実施例を示す購買構成図である。
図において（１）は基板で、本実施例では合成樹脂の１
つであるアクリル板を用いた。しかし他のどの様なプラ
スチック板、又拡ガラス板であうても作用効果は同じで
あ〕、九だ、情報記鎌の書き込み、読み出し方法によう
て適宜選択すれば良−０（２）は、Ｃ，Ｎ、Ｈ，を會む
情報記録゛用低融点金属並びに会員合金属であシその厚
さは十分な光反射率を得る＠＊に厚く、かつ、感度を損
なわな一程度に薄いことが必要で、 ２００Ｘ〜１声
ｍ＠度が適轟である。
つであるアクリル板を用いた。しかし他のどの様なプラ
スチック板、又拡ガラス板であうても作用効果は同じで
あ〕、九だ、情報記鎌の書き込み、読み出し方法によう
て適宜選択すれば良−０（２）は、Ｃ，Ｎ、Ｈ，を會む
情報記録゛用低融点金属並びに会員合金属であシその厚
さは十分な光反射率を得る＠＊に厚く、かつ、感度を損
なわな一程度に薄いことが必要で、 ２００Ｘ〜１声
ｍ＠度が適轟である。
我々は低融点金属としてビスマス（Ｂりを例にと’り
、Ｎ嘗ガスとＣＨ４ガｘの混合ガス内（１０”” ／ｌ
ａｗ）で、ルツボ又はポートに入れたＢ１を加°熱蒸発
させ、基板と蒸発源と′の間にはあらかじめ電界を加え
てガスをイオン化しておくと、基板面に田とＣとＨとＮ
と（ＣＨａｘ）ａとの混合した膜が得られる。ｉわゆゐ
反応性イオｙプＶティｙグ法で形成したが、膜中ＯＣと
ＨとＮの含有量線Ｎ會とＣＨ４５スとの拠金化、並びに
電界強度で制御でき、例えば、ＮＩ／ｃＨ４−１ＯＩ＆
舎比、かつ、約５０ ｅＶのイオンを与えると、約言Ｏ
原子鴨のＣと約ｌＯ原子鴨のＨと約１０厘子％のＮとを
含有させ九膜を得るととができる。
、Ｎ嘗ガスとＣＨ４ガｘの混合ガス内（１０”” ／ｌ
ａｗ）で、ルツボ又はポートに入れたＢ１を加°熱蒸発
させ、基板と蒸発源と′の間にはあらかじめ電界を加え
てガスをイオン化しておくと、基板面に田とＣとＨとＮ
と（ＣＨａｘ）ａとの混合した膜が得られる。ｉわゆゐ
反応性イオｙプＶティｙグ法で形成したが、膜中ＯＣと
ＨとＮの含有量線Ｎ會とＣＨ４５スとの拠金化、並びに
電界強度で制御でき、例えば、ＮＩ／ｃＨ４−１ＯＩ＆
舎比、かつ、約５０ ｅＶのイオンを与えると、約言Ｏ
原子鴨のＣと約ｌＯ原子鴨のＨと約１０厘子％のＮとを
含有させ九膜を得るととができる。
膜厚は蒸着時間をかえるととく得られる。膜の光学電歇
は、ＣとＨとＮとの含有量にようて異なｈが、情報記−
用として活用するには、反射率ならびに消衰係数に制限
があ〕、我々の実験結果で杜、前ｌ！ｏ蒸着条件で約１
０００人の膜厚の時に最良ｏＨが得られた。
は、ＣとＨとＮとの含有量にようて異なｈが、情報記−
用として活用するには、反射率ならびに消衰係数に制限
があ〕、我々の実験結果で杜、前ｌ！ｏ蒸着条件で約１
０００人の膜厚の時に最良ｏＨが得られた。
ζＯ拳件で作成し九属紘非晶質でＴｏ）、多結晶・４膜
に比べて、記鎌状態のビット周辺工ｔヂ部がなめらかと
なシ情報読み出し時のノイズレベルを低くおさえること
ができる。
に比べて、記鎌状態のビット周辺工ｔヂ部がなめらかと
なシ情報読み出し時のノイズレベルを低くおさえること
ができる。
第３閣はｔｏ’ｏ 、椙対温ＩＩＩ％Ｏ雰囲気中での時
間経過に対する感度の劣化を、従来のＢ１単体のものと
本発明のものとで比較した図である。
間経過に対する感度の劣化を、従来のＢ１単体のものと
本発明のものとで比較した図である。
本図における感度の劣化は、記録に必要なエネルギーの
逆数の梼期値に対する便化として表わして”ｐ ｓ組単
体からなる従来、Ｏ記録膜、本発明による記鍮膜共にア
クリル基板上に形成さｈ九場合を示す。
逆数の梼期値に対する便化として表わして”ｐ ｓ組単
体からなる従来、Ｏ記録膜、本発明による記鍮膜共にア
クリル基板上に形成さｈ九場合を示す。
本図かられかるようＫＢｉ単体からなる記鍮膜の換金は
、図中（ム）で示すように時間経過とともに感度が劣化
する。これは時間とともＫ１部的な透明領域（シミ）が
発生する丸めで約１７０時間経過後には全面にわたりて
劣化してしまう。
、図中（ム）で示すように時間経過とともに感度が劣化
する。これは時間とともＫ１部的な透明領域（シミ）が
発生する丸めで約１７０時間経過後には全面にわたりて
劣化してしまう。
一方、本発＠によるＣとＨとＮとを含有する引薄膜の場
合は、同図中（Ｂ）で示すように１０００時間経過ＩＮ
％組薄膜に見られた様なシζは全く露められず、常Ｋｆ
ｉソ一定の感度を保持してか）、長寿命化を達成して−
ることがわかる。
合は、同図中（Ｂ）で示すように１０００時間経過ＩＮ
％組薄膜に見られた様なシζは全く露められず、常Ｋｆ
ｉソ一定の感度を保持してか）、長寿命化を達成して−
ることがわかる。
以上述べ先様ＫｃＪ、ＨとＮとを含有する引薄膜を用い
九記倦媒体では優れた感度と非常に長い寿命を得ること
が出来為。まえ組板外のＣｄ、 Ｉｎ、 Ｂｘｓ。
九記倦媒体では優れた感度と非常に長い寿命を得ること
が出来為。まえ組板外のＣｄ、 Ｉｎ、 Ｂｘｓ。
２町ｐｂ、ｓｂ並びｌｃＩｍ８１等の合金においてもは
ぼ同様の結果が得られ九。但し、 １ｊａｔ％以下のＣ
含有嚢膜では低融点金属又は合金単体の膜との有意義は
みもれず、を九４０ａｔ％以上では感度の低下が与られ
た。又、！！ａｔ％以下のＨ含有量属では感度の低下と
な）、４ｏａｔ％以上では膜め反射率が低下し、記碌用
薄膜として嬬不適当であり九。
ぼ同様の結果が得られ九。但し、 １ｊａｔ％以下のＣ
含有嚢膜では低融点金属又は合金単体の膜との有意義は
みもれず、を九４０ａｔ％以上では感度の低下が与られ
た。又、！！ａｔ％以下のＨ含有量属では感度の低下と
な）、４ｏａｔ％以上では膜め反射率が低下し、記碌用
薄膜として嬬不適当であり九。
又、Ｓ原子鴨以下ＯＮ含有量で社Ｂｌ膜との有意差紘皐
られず、３０原子鴨以上でａｇｏ剥離がみられ九。
られず、３０原子鴨以上でａｇｏ剥離がみられ九。
上記０例ではＮ、ガスとＣＨｄｌス中の引のイオンブレ
ーティングによる薄膜形成法につ−てのべた。
ーティングによる薄膜形成法につ−てのべた。
従って膜内にＣとＨとが１う九（別個に存在しているわ
けではない。ＣＨ，ガスは電界解離によ）、ＣＨＩ （
ラジカル）：ＣＨｌ（ツジ會＃ ） ： ＣＨ（ラジカ
ル）、そして、ＣとＨのラジカル基に順次分解しておシ
、そζに組原子が介在して、任意０（Ｃ１ｈａ）ｍ基と
組とが重金してネットを形成する。従うて形成ｉ５詐九
属は非結晶で６〉、クマン歓虱、示葺熱分析。
けではない。ＣＨ，ガスは電界解離によ）、ＣＨＩ （
ラジカル）：ＣＨｌ（ツジ會＃ ） ： ＣＨ（ラジカ
ル）、そして、ＣとＨのラジカル基に順次分解しておシ
、そζに組原子が介在して、任意０（Ｃ１ｈａ）ｍ基と
組とが重金してネットを形成する。従うて形成ｉ５詐九
属は非結晶で６〉、クマン歓虱、示葺熱分析。
赤外−吸収解析等の結果からも細論出来る。この組とＣ
とＫとＣｍＩｈ七による半有機的非蟲貿構造の丸め組学
体属と同−ｅｖｅｓ度＊＊をもち、鹸化となるタンダリ
ンダＩンド（未結会基）が存在しない大め、長寿命＊＊
をもりこととな為。
とＫとＣｍＩｈ七による半有機的非蟲貿構造の丸め組学
体属と同−ｅｖｅｓ度＊＊をもち、鹸化となるタンダリ
ンダＩンド（未結会基）が存在しない大め、長寿命＊＊
をもりこととな為。
こζでＮ原子の役割は、膜の高感度化に寄与する。ある
種の窒化物、例えば窒化銀、窒化金は、ある組成比では
爆発性となることが知られている。
種の窒化物、例えば窒化銀、窒化金は、ある組成比では
爆発性となることが知られている。
低融点金属の窒化物がすべて爆発性になるとは言えない
が、我々の実験では、Ｂ１膜にＮが混ざると、爆発性に
なることを見出した。この性質をもつとＢｌ単体にレー
ザービームを当ててピッＦを形成するレーザーパワーよ
シもよシ低いＶ−ザーパワーで、ビットを形成できる。
が、我々の実験では、Ｂ１膜にＮが混ざると、爆発性に
なることを見出した。この性質をもつとＢｌ単体にレー
ザービームを当ててピッＦを形成するレーザーパワーよ
シもよシ低いＶ−ザーパワーで、ビットを形成できる。
即ち高感度となる。但し、窒素が入シすぎると膜の強度
が低くな）剥離し中すくなる。
が低くな）剥離し中すくなる。
この様な膜の形成状反応性イオングレーティングだけで
形成されるものではない。Ｂｉ膜を中心とすれば、ルツ
ダの改棗でイオンクツメタ−法で可能であ）、ＢＩＦ諺
、引Ｃｊ！等のガスとＮ雪、Ｈ雪、 ＣＨ，ガス等のキ
ャリアガスとを反応させ膜を形成させるグッズマ重合法
、そこに電場を加えたグツダマＣＶＤ法等でも形成でき
る。組は２７１’Ｏと低融点のためスパｙ／等は使用で
きないが、Ｚｎ（３１１℃）０１（３２１）℃）等は島
ガスとＣＨ４ガスとの１合ガス内の反応性スパッター法
で膜を形成できる。又、 Ｂｌ鵞Ｔｅ５（ｓｓｓ℃）
。
形成されるものではない。Ｂｉ膜を中心とすれば、ルツ
ダの改棗でイオンクツメタ−法で可能であ）、ＢＩＦ諺
、引Ｃｊ！等のガスとＮ雪、Ｈ雪、 ＣＨ，ガス等のキ
ャリアガスとを反応させ膜を形成させるグッズマ重合法
、そこに電場を加えたグツダマＣＶＤ法等でも形成でき
る。組は２７１’Ｏと低融点のためスパｙ／等は使用で
きないが、Ｚｎ（３１１℃）０１（３２１）℃）等は島
ガスとＣＨ４ガスとの１合ガス内の反応性スパッター法
で膜を形成できる。又、 Ｂｌ鵞Ｔｅ５（ｓｓｓ℃）
。
Ｉｍａｋ （８３５℃）等の金属合金も低融点として知
られ、板材となるため、Ｎ會ガスとＣＨ番ガスとでの反
応性スＡｔタリングで膜を形成でき、本発明の主旨と同
一性能をもった膜を形成させることは可能である。別に
ＣｔＨｍ （エチレン） −ＣｔＨｍ（アセチレン）。
られ、板材となるため、Ｎ會ガスとＣＨ番ガスとでの反
応性スＡｔタリングで膜を形成でき、本発明の主旨と同
一性能をもった膜を形成させることは可能である。別に
ＣｔＨｍ （エチレン） −ＣｔＨｍ（アセチレン）。
等のガスもＣＨ４ガスのかわ）Ｋ使用できる。
本発明の光学的情報記ｆａｓ体は１声φ以下にしぼう九
シーず光に敏感に作用するため黴細なパターンを任意に
形成できるという性質を４９．この性質を利用した他の
用い方も可能である。たとえば、ＩＣ用として使われて
いるフォトレジスＦ的に使用できる。現在の７オトレジ
スシはウェットプロ七スを必要とするが、本発明の膜を
用いれば、ドライブ冒七スですむという大きな利点があ
る。又、水、ｌｌ気に強い事を利用して、各種部品の保
一層として使える０例えば、従来の情報記帰属である！
＠膜の保護膜として、ＩＣ等の保護層として、ダイオー
ドのｐ−ｎ接合面保護層等として、又、絶縁層としてＩ
Ｃ用多層配線の絶縁層、電気的絶縁層等として使用でき
る。
シーず光に敏感に作用するため黴細なパターンを任意に
形成できるという性質を４９．この性質を利用した他の
用い方も可能である。たとえば、ＩＣ用として使われて
いるフォトレジスＦ的に使用できる。現在の７オトレジ
スシはウェットプロ七スを必要とするが、本発明の膜を
用いれば、ドライブ冒七スですむという大きな利点があ
る。又、水、ｌｌ気に強い事を利用して、各種部品の保
一層として使える０例えば、従来の情報記帰属である！
＠膜の保護膜として、ＩＣ等の保護層として、ダイオー
ドのｐ−ｎ接合面保護層等として、又、絶縁層としてＩ
Ｃ用多層配線の絶縁層、電気的絶縁層等として使用でき
る。
第１図は本発明の実施例を示す断面構成図、第２図社第
１図に示した記録媒体と従来の記録媒体との寿命につい
ての比較図である。 １・・・基 板、 ２・・・Ｂ轟−Ｃ−Ｈ−Ｎ膜
。 代理人 弁理士 則 近 ＩＩＩ 儂ほか１名 手続補正書（自発） 特許庁長官若 杉 和犬 殿 １、事件の表示 昭和５６年特願第１０７０３２号 ２、発明の名称 光学的情報記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７，）東東芝諸電気株式会社 ４、代理人 〒１００ 東京都千代田区内幸町１−１−１ 及び「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙のとうり補正する。 （２）明細書第２頁第１２行目の「凹部」を「例えば凹
部等の変形部」と訂正する◎ 以上 特許請求の範囲 （１） 基板上（：記録膜を形成し、この記録膜ζ：
エネルギービームを照射し、大もしくは変形部を形成し
て情報を記録する光学的記録用部材において、前記記録
膜が低融点金属、及び炭素と窒素並びに水素を含有する
ことを特徴とする光学的情報記録媒体。 （２１基板はガラスもしくは合成樹脂であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情報記録媒体
。 （３）記録膜は２５℃〜６００℃間の融点をもつ金属な
らびに金属合金を含むことを特徴とする特許請求の範囲
第１現記戦の光学的情報記録媒体。 （４）記録膜は炭化水素基を含むことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光学的情報記鍮謀体０ （５）記録膜は非晶質であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光学的情報記鍮体。 （６）記録膜中の炭素の含有量は、５〜４０原子パーセ
ント、窒素の含有量は５〜Ｗ原子優、水素の含有量は５
〜４０原子−であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光学的情報記録媒体。 （７）記録膜の厚さは２００人乃至１μｍであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情報記母
媒体。
１図に示した記録媒体と従来の記録媒体との寿命につい
ての比較図である。 １・・・基 板、 ２・・・Ｂ轟−Ｃ−Ｈ−Ｎ膜
。 代理人 弁理士 則 近 ＩＩＩ 儂ほか１名 手続補正書（自発） 特許庁長官若 杉 和犬 殿 １、事件の表示 昭和５６年特願第１０７０３２号 ２、発明の名称 光学的情報記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７，）東東芝諸電気株式会社 ４、代理人 〒１００ 東京都千代田区内幸町１−１−１ 及び「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙のとうり補正する。 （２）明細書第２頁第１２行目の「凹部」を「例えば凹
部等の変形部」と訂正する◎ 以上 特許請求の範囲 （１） 基板上（：記録膜を形成し、この記録膜ζ：
エネルギービームを照射し、大もしくは変形部を形成し
て情報を記録する光学的記録用部材において、前記記録
膜が低融点金属、及び炭素と窒素並びに水素を含有する
ことを特徴とする光学的情報記録媒体。 （２１基板はガラスもしくは合成樹脂であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情報記録媒体
。 （３）記録膜は２５℃〜６００℃間の融点をもつ金属な
らびに金属合金を含むことを特徴とする特許請求の範囲
第１現記戦の光学的情報記録媒体。 （４）記録膜は炭化水素基を含むことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光学的情報記鍮謀体０ （５）記録膜は非晶質であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光学的情報記鍮体。 （６）記録膜中の炭素の含有量は、５〜４０原子パーセ
ント、窒素の含有量は５〜Ｗ原子優、水素の含有量は５
〜４０原子−であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光学的情報記録媒体。 （７）記録膜の厚さは２００人乃至１μｍであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情報記母
媒体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 基板上に記録膜を形成し、この記録膜にエネ
ルギービームを照射し、穴もしくは凹部を形成して情報
を記録する光学的記録用部材において、前記記録膜が低
融点金属、及び炭素と電率並びに水素を含有する□こと
を特徴と−する光学的情報′記録媒体。 （２） 基板はガラスもしくは合成樹脂であること（
３） 記録膜は２５℃〜６００℃間の融点をもつ金属
な（４）記録膜は炭化水素基を含むことを特徴とす（５
）記録膜は非晶質であることを特徴とする特《６）
記録膜中の炭素の含有量は、５〜４０厘子ノ（−セント
、窒素の含有量は５〜３０原子輪、水素の官有量は５〜
４０原子鴨であることを特徴とするＩｌ！ｆ軒請求の範
囲第１項記載の光学的情報記録媒体。 （７）記録膜の厚さは２００λ乃鬼１μｍであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情報記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107032A JPS589231A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107032A JPS589231A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589231A true JPS589231A (ja) | 1983-01-19 |
Family
ID=14448783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56107032A Pending JPS589231A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589231A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6251561B1 (en) | 1998-01-23 | 2001-06-26 | Denso Corporation | Optical information recording medium and manufacturing method thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5662192A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Medium for optical recording use and preparation thereof |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP56107032A patent/JPS589231A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5662192A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Medium for optical recording use and preparation thereof |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6251561B1 (en) | 1998-01-23 | 2001-06-26 | Denso Corporation | Optical information recording medium and manufacturing method thereof |
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