JPS589232A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
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- JPS589232A JPS589232A JP56107034A JP10703481A JPS589232A JP S589232 A JPS589232 A JP S589232A JP 56107034 A JP56107034 A JP 56107034A JP 10703481 A JP10703481 A JP 10703481A JP S589232 A JPS589232 A JP S589232A
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Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発Ｉｊ１１は光、熱等のエネルギービームの照射ミー
より配録層に穴もしくは凹部な形成することＣ二よって
情報を記録す、るよう−二した光学的情報記録媒体に係
り、峙−二感度の向上及び長寿命化を図った光学的情報
記録媒体Ｃ二関する０ 基板上に形成された薄膜層６：エネルギービームを照射
し、記録されるべき信号に対応し九ピット、列を形成す
るようＩニジた光学的情報記録媒体区二おいて、従来よ
り低融点金属記録薄族としてビスマス（Ｂｓ）を使用す
ることが知られている。Ｂ１１１！１４は最も低いエネ
ルギーで所望のビットを形成できる材料であり、この種
用途Ｉ：おいては高感度材料として極めて１望である。
より配録層に穴もしくは凹部な形成することＣ二よって
情報を記録す、るよう−二した光学的情報記録媒体に係
り、峙−二感度の向上及び長寿命化を図った光学的情報
記録媒体Ｃ二関する０ 基板上に形成された薄膜層６：エネルギービームを照射
し、記録されるべき信号に対応し九ピット、列を形成す
るようＩニジた光学的情報記録媒体区二おいて、従来よ
り低融点金属記録薄族としてビスマス（Ｂｓ）を使用す
ることが知られている。Ｂ１１１！１４は最も低いエネ
ルギーで所望のビットを形成できる材料であり、この種
用途Ｉ：おいては高感度材料として極めて１望である。
ここで感度とは単位向積尚りのビット形成（二要するエ
ネルギー（ｍＪ□）で足義される。
ネルギー（ｍＪ□）で足義される。
しかしながらＢＢは大気中に放置され九場合、酸系や水
分により酸化され透明になる度合が早い。
分により酸化され透明になる度合が早い。
記録薄膜として使用する場合、膜厚＃／１７ｏｏ！位と
極めて薄いため、ビスマス薄膜の酸化で生じた透明度増
加６二基因する膜のＭ度劣化、出力減少は着るしい。即
ち、膜が酸化されると融解、蒸発温度が上昇するため感
度劣化となり、透明化する丸め反射率又は透過革゛が情
報記録されるビットの有無ミー敏７ｉ＆Ｃ対応しなくな
ってしまうためである。たとえは７０℃相対湿度８５９
６の雰囲気Ｃ；放置した場合、約５時間で感度が約２０
Ｓ低下し、約１５時間で約５０ Ｓ低下してしまう。
極めて薄いため、ビスマス薄膜の酸化で生じた透明度増
加６二基因する膜のＭ度劣化、出力減少は着るしい。即
ち、膜が酸化されると融解、蒸発温度が上昇するため感
度劣化となり、透明化する丸め反射率又は透過革゛が情
報記録されるビットの有無ミー敏７ｉ＆Ｃ対応しなくな
ってしまうためである。たとえは７０℃相対湿度８５９
６の雰囲気Ｃ；放置した場合、約５時間で感度が約２０
Ｓ低下し、約１５時間で約５０ Ｓ低下してしまう。
このためＢｉ換の酸化防止のために、種々の防止策がと
られている。最も有効な手段は無機ガラス体でおおう事
だが、プロセスが複雑であり高価なため実用化されてい
な（ゝＯ 有機ＩＩ脂、例えば透明プラスチックにすれに１安値で
あり、熱伝導率もガラスの匈のため感度も２倍となるた
め、プラスチックを如何ｆ′、使いこなすかが、現状の
鰍１点稠目の１つとなっている０ここでプラスチック６
二は決定的な欠陥がある０即ち、大気中の酸素、水分を
自由に通過させてしまうことであり、上述のＢｉＩＩ膜
の基板としては使えないということである。
られている。最も有効な手段は無機ガラス体でおおう事
だが、プロセスが複雑であり高価なため実用化されてい
な（ゝＯ 有機ＩＩ脂、例えば透明プラスチックにすれに１安値で
あり、熱伝導率もガラスの匈のため感度も２倍となるた
め、プラスチックを如何ｆ′、使いこなすかが、現状の
鰍１点稠目の１つとなっている０ここでプラスチック６
二は決定的な欠陥がある０即ち、大気中の酸素、水分を
自由に通過させてしまうことであり、上述のＢｉＩＩ膜
の基板としては使えないということである。
本ＩＡ明は、この問題点Ｉ：ｔＩｋみなされたもので、
有ｅ！ｗ脂基板を使用しながら、菖感度でかつ訳寿命の
光学的情報記録媒体を提供することを目的とする。
有ｅ！ｗ脂基板を使用しながら、菖感度でかつ訳寿命の
光学的情報記録媒体を提供することを目的とする。
□ 本発明の光学的情報記録媒体は、記録膜な縦木（０
）並びに弗素（Ｐ）を含有する低融点金属又は低融点金
属合金のＩｌ＃膜（−よって形成したことを特徴として
おり、炭化弗素基（−０ｍ１Ｆｓ ）も含有している薄
膜も対象とし、これによって高ＩＩ＆度と長寿命とを鴬
ね備えたものである０゛低融金属としては、膜形成技術
並びに高感度からみて、２５℃−６００℃１；融点をも
つ金属並びに合金、例えａ’ ０４ Ｉａｅ ８ｓ ｅ
ｚ語＊ Ｐｂｅ ＢＢ等の単体並び１二１１ｂ等の合金
である０以下、図面な番照−二して本発明の実施例１二
つき詳細に説明する〇 ＃！１図は本発明の一＊ｍ例を示す断藺構成図である。
）並びに弗素（Ｐ）を含有する低融点金属又は低融点金
属合金のＩｌ＃膜（−よって形成したことを特徴として
おり、炭化弗素基（−０ｍ１Ｆｓ ）も含有している薄
膜も対象とし、これによって高ＩＩ＆度と長寿命とを鴬
ね備えたものである０゛低融金属としては、膜形成技術
並びに高感度からみて、２５℃−６００℃１；融点をも
つ金属並びに合金、例えａ’ ０４ Ｉａｅ ８ｓ ｅ
ｚ語＊ Ｐｂｅ ＢＢ等の単体並び１二１１ｂ等の合金
である０以下、図面な番照−二して本発明の実施例１二
つき詳細に説明する〇 ＃！１図は本発明の一＊ｍ例を示す断藺構成図である。
因において（１）は基板で本実施例では合成樹脂の１つ
であるアクリル板を用いたｏしかし他のどの様なプラス
チック板、又はガラス板であっても作用効果は同じであ
り、ただ情報記録の瞥き込み読み出し方法−一よって適
宜選択すれｄ嵐いｏ（８）ｔｉ−Ｃ，Ｐを含む情報記録
用低融点金□属並び−二金属合金膜でありその厚゛さは
十分な光反射率を得る＠度１：厚く、かつ感度を損なわ
ない程度に薄いことが必要で％２００Ｋ −１μ重程度
が７′当である。
であるアクリル板を用いたｏしかし他のどの様なプラス
チック板、又はガラス板であっても作用効果は同じであ
り、ただ情報記録の瞥き込み読み出し方法−一よって適
宜選択すれｄ嵐いｏ（８）ｔｉ−Ｃ，Ｐを含む情報記録
用低融点金□属並び−二金属合金膜でありその厚゛さは
十分な光反射率を得る＠度１：厚く、かつ感度を損なわ
ない程度に薄いことが必要で％２００Ｋ −１μ重程度
が７′当である。
我々社低融点金属としてビスマス（１４）を遺び、Ａｒ
ガスとＣＩＦ４ガスの混合ガス内（１０４テｅｒｒ ）
で、ルツボ又はポートε＝入れたＢｉを加熱蒸発させ、
基板と蒸発源との関ｌ；はあらかじめ電界を加えてガス
をイオン化しておくと、基板面ＣＢｉと０と１と（ＯＦ
ｍｈの混合した膜が得られる。いわゆる反応性イオンプ
レテ４ング法で形成したが、膜中００と７との含有量は
Ａｒとｃｐ４ガスとの混合比、並びＣ；電界強度で制御
でき、例えば、ムｆ１０ＩＦ４ ＝ １の混合比、かつ
、約５０−ｖのイオンを与えると、約２０原子−〇〇と
約３０原子−の１を含有させた膜を得ることが・できる
。膜厚は蒸着時間をかえること仁よって得られる。膜の
光学定数は０と１との含有量Ｃ−よって異なるが、情報
記費用として活用するＣ：は、反射率ならびａ；消衰係
数−二制限があり、我々の実験結果で轄前記の蒸着条件
で約１ｏｏｏ Ｘの膜厚の時に最良の膜が得られた０こ
の条件で作成した膜拡非島質であり、多結晶Ｂｉ ｍｌ
Ｃ比べて、記録状態のビット周辺エッチ部がなめらか
となり情報読み出し時のノイズレベルを低くおさえるこ
とができる。
ガスとＣＩＦ４ガスの混合ガス内（１０４テｅｒｒ ）
で、ルツボ又はポートε＝入れたＢｉを加熱蒸発させ、
基板と蒸発源との関ｌ；はあらかじめ電界を加えてガス
をイオン化しておくと、基板面ＣＢｉと０と１と（ＯＦ
ｍｈの混合した膜が得られる。いわゆる反応性イオンプ
レテ４ング法で形成したが、膜中００と７との含有量は
Ａｒとｃｐ４ガスとの混合比、並びＣ；電界強度で制御
でき、例えば、ムｆ１０ＩＦ４ ＝ １の混合比、かつ
、約５０−ｖのイオンを与えると、約２０原子−〇〇と
約３０原子−の１を含有させた膜を得ることが・できる
。膜厚は蒸着時間をかえること仁よって得られる。膜の
光学定数は０と１との含有量Ｃ−よって異なるが、情報
記費用として活用するＣ：は、反射率ならびａ；消衰係
数−二制限があり、我々の実験結果で轄前記の蒸着条件
で約１ｏｏｏ Ｘの膜厚の時に最良の膜が得られた０こ
の条件で作成した膜拡非島質であり、多結晶Ｂｉ ｍｌ
Ｃ比べて、記録状態のビット周辺エッチ部がなめらか
となり情報読み出し時のノイズレベルを低くおさえるこ
とができる。
第２図Ｆ１７０℃、相対湿度８ｓ哄の雰囲気中での時間
経過１；対する感度の劣化を、従来のＢＢ単体のものと
本、発明のものとで比較した図である０本図−二おける
感度の劣化轄、記ａＳ二必要なエネルギーの逆数の初期
値ｌ二対する変化として表わしておりｓ Ｂｔ単体から
なる従来の記舜膜一本発明６二よる記録展共１ニアクリ
ル基板上ｇ二形晟された場合を示す。
経過１；対する感度の劣化を、従来のＢＢ単体のものと
本、発明のものとで比較した図である０本図−二おける
感度の劣化轄、記ａＳ二必要なエネルギーの逆数の初期
値ｌ二対する変化として表わしておりｓ Ｂｔ単体から
なる従来の記舜膜一本発明６二よる記録展共１ニアクリ
ル基板上ｇ二形晟された場合を示す。
本図かられかるようにＢ＝単体からなる記録膜の場合は
、図中（ム）で示すようＣ；時間経過とともに感度が劣
化する。これは時間とともＣ：局部的な透明領域（シミ
）が発生する丸めで約１７０時間鮭通後直二は全面にわ
たって劣化してしまう。
、図中（ム）で示すようＣ；時間経過とともに感度が劣
化する。これは時間とともＣ：局部的な透明領域（シミ
）が発生する丸めで約１７０時間鮭通後直二は全面にわ
たって劣化してしまう。
一方、本発明Ｃ二よる０と１を含有するＳ＝薄薄膜場合
は、同図中（Ｂ）で示す上う１二１０００時間経過後も
Ｂｉ薄膜８：見られた様なシミは全く認められず、常に
はソ一定の感度を保持しており、長寿命化を達成してい
ることがわかる。
は、同図中（Ｂ）で示す上う１二１０００時間経過後も
Ｂｉ薄膜８：見られた様なシミは全く認められず、常に
はソ一定の感度を保持しており、長寿命化を達成してい
ることがわかる。
以上述べた様ｌ二本発明によるＣと１とを含有するＢ１
薄膜を用いた配録媒体では優れた感度と非常直−長い寿
命を得る仁とが出来る。但し、５ａｔ％以下のＣ含有量
膜ではＢｉｇとの有意義はみられず；また４０αｔチ以
上では感度の低下がみられた◇又、５ａｔ％以下の１含
有量膜では感−の低下とカリ、４０ａｔチ以上では膜の
反射率が低下し、記銖用薄膜としては不適当であった。
薄膜を用いた配録媒体では優れた感度と非常直−長い寿
命を得る仁とが出来る。但し、５ａｔ％以下のＣ含有量
膜ではＢｉｇとの有意義はみられず；また４０αｔチ以
上では感度の低下がみられた◇又、５ａｔ％以下の１含
有量膜では感−の低下とカリ、４０ａｔチ以上では膜の
反射率が低下し、記銖用薄膜としては不適当であった。
上記の例でｆｉ ＡｙガスとＯ’Ｆ４ガス中のＢｉのイ
オングレーティングによる薄膜形成法についてのべた０ 従って膜内１：Ｃと１とがまったく別個Ｃ；存在してい
るわけではない。ＯＦ４ガスは電界解離により０７９
（ラジカｋ ） ＯＦｍ （９シカｘ）ａｙ（ラジカル
）セしてＣと１のラジカル基１：順次分解しており、そ
ζｌ：Ｂｉ原子が介在して、任意のｏｍｙｓ基とＢｉと
が重合してネットを形成する◇従って形成され九膜は非
結晶であり、ラマン散乱、示差熱分析。
オングレーティングによる薄膜形成法についてのべた０ 従って膜内１：Ｃと１とがまったく別個Ｃ；存在してい
るわけではない。ＯＦ４ガスは電界解離により０７９
（ラジカｋ ） ＯＦｍ （９シカｘ）ａｙ（ラジカル
）セしてＣと１のラジカル基１：順次分解しており、そ
ζｌ：Ｂｉ原子が介在して、任意のｏｍｙｓ基とＢｉと
が重合してネットを形成する◇従って形成され九膜は非
結晶であり、ラマン散乱、示差熱分析。
赤外線吸収解析等の結果からも結論出来る。このＢａと
０と１と０１ｍ１ＦｓとＩ：よる半有機的非晶質構造の
ためＢｉ単体膜と同一の高感度特性をもち、酸化となる
タングリングポンド（未結合基）が存在しまいため、長
寿命特性をもつむととなる。
０と１と０１ｍ１ＦｓとＩ：よる半有機的非晶質構造の
ためＢｉ単体膜と同一の高感度特性をもち、酸化となる
タングリングポンド（未結合基）が存在しまいため、長
寿命特性をもつむととなる。
この様な膜の形成は反応性イオンブレーティングだけで
形成されるものではないｏ Ｂｉ膜を中心とすれば、ル
ツｌの改良でイオンクラスター法で可能であり％ Ｂｓ
ＦＳｅ Ｂ＆ｅＬｓ等のガスと、Ｈ富とＯＦ４ガス等の
キャリアガ′スとを反応させ膜を形成させるプラズマ重
合法、そこＭ：電場を加えたプラズマＣＶＤ法等でも形
成できる。Ｂｊは２７１℃と低融点のためスパッタ等は
使用できないが、２亀（３１９℃）Ｏｄ（３２０℃）等
はムデガスとＯＦ４ガスとの混合ガス内の反応性スパッ
ター法で膜を形成で７きる。又、ＢｉＢｌｌｌＴ （５
８５℃）、ＩｎＢｋ （５３５℃）等の金属合金も低融
点として知られ、板材となるため、ムｒガスとＯＦ４ガ
スとでの反応性スパッタリングで膜を形成−’ｑ＠、本
発明の主旨と同一性能をもった膜を形成させることは可
能である。
形成されるものではないｏ Ｂｉ膜を中心とすれば、ル
ツｌの改良でイオンクラスター法で可能であり％ Ｂｓ
ＦＳｅ Ｂ＆ｅＬｓ等のガスと、Ｈ富とＯＦ４ガス等の
キャリアガ′スとを反応させ膜を形成させるプラズマ重
合法、そこＭ：電場を加えたプラズマＣＶＤ法等でも形
成できる。Ｂｊは２７１℃と低融点のためスパッタ等は
使用できないが、２亀（３１９℃）Ｏｄ（３２０℃）等
はムデガスとＯＦ４ガスとの混合ガス内の反応性スパッ
ター法で膜を形成で７きる。又、ＢｉＢｌｌｌＴ （５
８５℃）、ＩｎＢｋ （５３５℃）等の金属合金も低融
点として知られ、板材となるため、ムｒガスとＯＦ４ガ
スとでの反応性スパッタリングで膜を形成−’ｑ＠、本
発明の主旨と同一性能をもった膜を形成させることは可
能である。
本発明の光学的情報記録媒体は１ｐφ以下ｌニジ埋った
レーザ光に敏感５二作用するため微細なパターンを任意
感二形成できるという性質をもつ。この性質を利用した
他の用い方も可能である。たとえば、ＩＣ用として使わ
れているフォトレジスト的Ｃ；使用できる。現在のフォ
トレジストはウエットプＩセスを必要とするが１本発明
の膜を用いれに１ ドライプロセスですむという大きな
利点がある。又、水、湿気傷二強い事を利用して、各種
部品の保躾層として使える。例えば、従来の情報記骨膜
であるＴ−膜の保映展として、ＩＣ等の保饅層として、
ダイオードのｐ−ｓ接合面保饅層等として、又、絶縁層
としてＩＣ用多層配線の絶縁層、電気的絶縁層等として
使用できる。
レーザ光に敏感５二作用するため微細なパターンを任意
感二形成できるという性質をもつ。この性質を利用した
他の用い方も可能である。たとえば、ＩＣ用として使わ
れているフォトレジスト的Ｃ；使用できる。現在のフォ
トレジストはウエットプＩセスを必要とするが１本発明
の膜を用いれに１ ドライプロセスですむという大きな
利点がある。又、水、湿気傷二強い事を利用して、各種
部品の保躾層として使える。例えば、従来の情報記骨膜
であるＴ−膜の保映展として、ＩＣ等の保饅層として、
ダイオードのｐ−ｓ接合面保饅層等として、又、絶縁層
としてＩＣ用多層配線の絶縁層、電気的絶縁層等として
使用できる。
第１図は本発明の実施例を示す断面構成−１亀２図は第
１図に示した配録媒体と従業の配録媒体との寿命Ｃ；つ
いての比較図である。 １・一基板 ２＝Ｂｉ−０−１膜代理人弁理士
則 近 電 佑 ＃１か１名 手続補正書（自発） 酊５ケ８．八８ １、特許庁長官 若 杉和 大股 １、事件の表示 昭和５６年特願第１０７０３４号 ２、 発明の名称 光学的情報配置媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）東東芝浦電気株式会社 ４６代理人 〒１００ 東京都千代田区内幸町１−１−６ 東京芝浦電気株式会社東京事務所内 明細書の［特許請求の範′Ｓ−の欄 及び「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 （１） 特許請求の範囲を別紙のとうり補正する〇（
２） 明細書簡２頁ｔＩＩＥ９行目の「凹部」を「例
えけ凹部・等の費形部」と訂正する。 以上 特許請求の範囲 （１）基板上に記録膜を形成し、前記紀―膜にエネルギ
ービームを照射し、穴もしくは皇！！−を形成して情報
を記鍮する光学的配置用部材において、前記記録膜が低
融点金属及び炭素並びに弗素を有することを特徴とする
光学的情報記録媒体０ （２）基板はガラスもしくは合成樹脂であることを特徴
とする特許請求の範囲第１現記戦の光学的情報記録媒体
。 （３）記録膜は２５℃〜６００℃間の融点をもつ金属な
らびに金属合金を含むことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光学的情報記録媒体。 （４）記録膜は炭化弗素基な含むことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光学的情報記録媒体。 （５）記録膜は非晶質であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光学的情報記録媒体。 （６）記録膜中の炭素の含有量は５〜４Ｇ原子パーセン
ト、弗素の含有量は５〜４０原子パーセントであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情報記
録媒体。 （７）記録膜の厚さは２００λ乃Ｍｌ／ＩＩｍであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１現記−の光学的情報
記録媒体。
１図に示した配録媒体と従業の配録媒体との寿命Ｃ；つ
いての比較図である。 １・一基板 ２＝Ｂｉ−０−１膜代理人弁理士
則 近 電 佑 ＃１か１名 手続補正書（自発） 酊５ケ８．八８ １、特許庁長官 若 杉和 大股 １、事件の表示 昭和５６年特願第１０７０３４号 ２、 発明の名称 光学的情報配置媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）東東芝浦電気株式会社 ４６代理人 〒１００ 東京都千代田区内幸町１−１−６ 東京芝浦電気株式会社東京事務所内 明細書の［特許請求の範′Ｓ−の欄 及び「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 （１） 特許請求の範囲を別紙のとうり補正する〇（
２） 明細書簡２頁ｔＩＩＥ９行目の「凹部」を「例
えけ凹部・等の費形部」と訂正する。 以上 特許請求の範囲 （１）基板上に記録膜を形成し、前記紀―膜にエネルギ
ービームを照射し、穴もしくは皇！！−を形成して情報
を記鍮する光学的配置用部材において、前記記録膜が低
融点金属及び炭素並びに弗素を有することを特徴とする
光学的情報記録媒体０ （２）基板はガラスもしくは合成樹脂であることを特徴
とする特許請求の範囲第１現記戦の光学的情報記録媒体
。 （３）記録膜は２５℃〜６００℃間の融点をもつ金属な
らびに金属合金を含むことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光学的情報記録媒体。 （４）記録膜は炭化弗素基な含むことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光学的情報記録媒体。 （５）記録膜は非晶質であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光学的情報記録媒体。 （６）記録膜中の炭素の含有量は５〜４Ｇ原子パーセン
ト、弗素の含有量は５〜４０原子パーセントであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情報記
録媒体。 （７）記録膜の厚さは２００λ乃Ｍｌ／ＩＩｍであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１現記−の光学的情報
記録媒体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 基板上ｊ；記録膜を形成し、１記記録膜にエ
ネルギービームな照４射し、穴もしくは凹部を形成Ｅ７
て情報を記録する光学的記録用部材５二勲いて、１’Ｑ
記記録換が低融点金属及び員−並びに弗素なＭすること
を特徴とする光学的情報記録媒体。 （２）基板はガラスもしくは合成樹脂であることを特徴
とする特許請求の範囲ｍ１項記載の光学的情報記録媒体
。。 （Ｂｌ 記ｉ＆躾は２５℃〜６００℃間の融点をもつ
金属な（６）記録膜中の炭素の含有量は５〜４０原子パ
ーセント、弗素の含有量は５〜４０原子パーセントであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的
情報記録媒体。 （７）記録膜の＃Ｌセ嬬２００！乃至１μｍであること
を特徴とする特許艙求の範囲第１項記載の光学的情報記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107034A JPS589232A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107034A JPS589232A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589232A true JPS589232A (ja) | 1983-01-19 |
Family
ID=14448835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56107034A Pending JPS589232A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589232A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6110696A (ja) * | 1984-05-29 | 1986-01-18 | グロード スリス | 井戸掘削装置と方法 |
| JPS61110348A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-28 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
| JPS6233348A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-13 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS545742A (en) * | 1977-06-15 | 1979-01-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Recording material |
| JPS5662192A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Medium for optical recording use and preparation thereof |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP56107034A patent/JPS589232A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS545742A (en) * | 1977-06-15 | 1979-01-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Recording material |
| JPS5662192A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Medium for optical recording use and preparation thereof |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6110696A (ja) * | 1984-05-29 | 1986-01-18 | グロード スリス | 井戸掘削装置と方法 |
| JPS61110348A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-28 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
| JPS6233348A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-13 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
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