JPS5893324A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5893324A
JPS5893324A JP56192530A JP19253081A JPS5893324A JP S5893324 A JPS5893324 A JP S5893324A JP 56192530 A JP56192530 A JP 56192530A JP 19253081 A JP19253081 A JP 19253081A JP S5893324 A JPS5893324 A JP S5893324A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
oxide film
contact window
aluminum
cvd oxide
Prior art date
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Pending
Application number
JP56192530A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshizo Hagimoto
萩本　佳三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS5893324A publication Critical patent/JPS5893324A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/01—Manufacture or treatment
    • H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置において、特に信頼性の向上に関
するものである。
半導体装置の一例として、電界効果トランジスタの一例
を第１図に示す。第１図は一主面側にソースおよびゲー
ト電極を設け、他主面側にドレイン電極を設けた、縦型
電界効果トランジスタが、Ｎ型半導体基板１内に、Ｐ型
層２．Ｎ生型層３．ゲート酸化膜４およびゲート電極５
を形成ｌ、ゲート電極５とソース電極９との絶縁のため
ＩＣＣＶＤ酸化膜６が形成される。その後信頼性向上の
ために、ＣＶＤ　酸化膜６上に！Ｊ７ガ’）スＣＰ８Ｇ
＞層がＰＯＣ／３拡散等により形成され、電極とのコン
・タクト窓８がフォトリソグラフィー技術にて形成され
る。従来の、アルミニウムソース電極９下にリンガラス
（ｐｓｏ）層７が形成された構造では、ＰＥＧ中のリン
が溶は出し、水分によるアルミニウム腐食を促進し、ア
ルミニウム電極が断線したり。
誤動作することがらり九〇 本発明は、これらの欠点を除去するためＫなされたもの
である。
本発明の特徴は、半導体装置において第１のＣＶＤ酸化
膜を形成した後、リンガラス層（Ｐ２Ｏ）を形成し、電
極との接続のためのコンタク）Ｉｌｌを形成後、第２の
ＣＶＤ酸化膜を形成し、電極との接続のためのコンタク
ト窓を再度形成したのち電極を形成した半導体装置にあ
る。すなわち、コンタクト窓を形成した後、不純物の＃
１とんど含まないＣＶＤ膜を形威し、再度コンタクト窓
を形成したのちアルミニウム電極を形成したもので、以
下図面について詳細に説明する。
第２図は本発明の実施例であり、１はＮ型基板。
２はＮ型基板１内に形成されたＰ型拡散層を示す。
３はＰ型拡散層２内に形成されたＮ＋型型数散層４はゲ
ート酸化膜、５はゲート電極、６はＣＶＤ酸化膜、７は
リンガラス（Ｐ２Ｏ）層、８は電極とのコンタクト窓、
１１は以上形成後に不純物をほとんど含まないＣＶＤ酸
化膜を形成後、再度コンタクト窓８を空けＣＶＤ酸化膜
１１を形成した後。
アルミソース電極９を形成したものである。１０は他主
面に形成され九ドレン電極１０である。
本構造によれば、従来のようにアルミソース電極とは離
れてＰ２Ｏ膜があるため、従来のようＫは、アルミ腐蝕
を促進しないため寿命の長い信頼性の高い製品が得られ
効果が大きい。
なお本発明は、実施例として電界効果トランジスタにつ
いて述べたが、勿論ＩＣｓＣｓバイポーラトランジスタ
も適用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の電界効果トランジスタの断面図。 第２図は本発明実施例による構造を各々示す。 なお図面において、ｌ・・・・・・Ｎ型半導体基板、２
・・・・・・Ｐ型領域、３・・・・・・Ｎ＋型領領域４
・・・・・・ゲート酸化膜、５・・・・・・ゲート電極
％　６，１１・・・・・・ＣＶＤ酸化酸化膜子・・・・
・・リンガラス（Ｐ２Ｏ）層、８・・・・・・コンタク
ト窓％９・・・・・・アルｉニクムソース電極％ｌＯ・
・・・・・ドレイン電極、である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体装置において、基板上に第１のＣＶＤ酸化膜が形
    成され、該第１のＣＶＤ酸化膜上にリンガラス層（ＰＥ
    Ｇ）が形成されて、電極との接続のためのコンタクト窓
    が形成され、さらに第２のＣＶＤ酸化膜が形成されて前
    記電極との接続のためのコンタクト９９が再度形成され
    たのちに電極が形成されていることを特徴とする半導体
    装置。
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