JPS5893397A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS5893397A JPS5893397A JP19222481A JP19222481A JPS5893397A JP S5893397 A JPS5893397 A JP S5893397A JP 19222481 A JP19222481 A JP 19222481A JP 19222481 A JP19222481 A JP 19222481A JP S5893397 A JPS5893397 A JP S5893397A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- thin film
- insulator
- wiring
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
この発明は、銅の薄膜からなる配線ノ４ターンを有する
配線基板の製造方法に関する◎発明の技術的背景とその
問題点 従来の薄膜配線基板においては、絶縁性基体上にＣｒ、
Ｐｄ、 Ａｕの薄膜を順次蒸着し、その上にフォトレ
ジストを塗布し無光、現像し、それをマスクとして上記
薄膜を選択的にエツチング除去して、配線パターンを形
成していた０しかし、金（Ａｕ ）を配線ｔ！パターン
材料に用いることはコスト面で好ましく々い。
配線基板の製造方法に関する◎発明の技術的背景とその
問題点 従来の薄膜配線基板においては、絶縁性基体上にＣｒ、
Ｐｄ、 Ａｕの薄膜を順次蒸着し、その上にフォトレ
ジストを塗布し無光、現像し、それをマスクとして上記
薄膜を選択的にエツチング除去して、配線パターンを形
成していた０しかし、金（Ａｕ ）を配線ｔ！パターン
材料に用いることはコスト面で好ましく々い。
一方、このような薄膜配線パターンにょシ多層配線基板
を形成する場合、層間絶縁体としてポリイミド等の有機
質膜が従来用いられている。
を形成する場合、層間絶縁体としてポリイミド等の有機
質膜が従来用いられている。
しかしながら、このような有機質膜は一般に熱伝導性が
悪いため、この多層配線基板上に大電力のＬＳＩ等のチ
ップ部品を実装する場合、信頼性の点で問題がある。ま
た、配線パターンに大電流を流す場合、メッキによシ肉
付けを行なうが、メッキ工程は一般に煩雑であシ、さら
にメッキ膜の内部応力によってパターンが破損するおそ
れがある。
悪いため、この多層配線基板上に大電力のＬＳＩ等のチ
ップ部品を実装する場合、信頼性の点で問題がある。ま
た、配線パターンに大電流を流す場合、メッキによシ肉
付けを行なうが、メッキ工程は一般に煩雑であシ、さら
にメッキ膜の内部応力によってパターンが破損するおそ
れがある。
発明の目的
この発明の目的は、低コストであって、放熱性の問題も
なく、さらに大電流にも耐え得る配線基板の製造方法を
提供するととである。
なく、さらに大電流にも耐え得る配線基板の製造方法を
提供するととである。
発明の概要
この発明は、下地絶縁体上に銅薄膜を形成し、この上に
７オトレジストを塗布して露光、現像し、この無光、現
僚後の７オトレジストをマスクとして銅薄膜を選択的に
エツチング除去した後、フォトレジストを除去し、しか
る後中性雰囲気中にて銅薄膜が下地絶縁体と反応する温
度以上で焼成を行なうことによシ、銅薄膜からなる配線
ＡＩパターン有する配線基板を得ることを特徴としてい
る。
７オトレジストを塗布して露光、現像し、この無光、現
僚後の７オトレジストをマスクとして銅薄膜を選択的に
エツチング除去した後、フォトレジストを除去し、しか
る後中性雰囲気中にて銅薄膜が下地絶縁体と反応する温
度以上で焼成を行なうことによシ、銅薄膜からなる配線
ＡＩパターン有する配線基板を得ることを特徴としてい
る。
発明の効果
この発明によれば、薄膜配線ノリーンを銅薄膜で形成す
るため、製造コストを下げることができるとともに１フ
オトエツチングでノリーニングを行なうので、微細な配
線ノ母ターンが得られる◎また、焼成が可能なため、多
層配線基板を形成する場合、層間絶縁体として焼成を必
要とするが熱伝導性の良好な厚膜絶縁体を使用すること
ができる。さら忙、配線パターンとして：：１： やはシ焼成を必要とするがメッキに比べて工程が簡単で
、電気伝導性が良好な大電流に耐え得る厚膜導体を併用
することが可能である。従って、大電力ＬＳＩ等を実装
するのに適し九多層配線基板を得ることができる。
るため、製造コストを下げることができるとともに１フ
オトエツチングでノリーニングを行なうので、微細な配
線ノ母ターンが得られる◎また、焼成が可能なため、多
層配線基板を形成する場合、層間絶縁体として焼成を必
要とするが熱伝導性の良好な厚膜絶縁体を使用すること
ができる。さら忙、配線パターンとして：：１： やはシ焼成を必要とするがメッキに比べて工程が簡単で
、電気伝導性が良好な大電流に耐え得る厚膜導体を併用
することが可能である。従って、大電力ＬＳＩ等を実装
するのに適し九多層配線基板を得ることができる。
発明の実施例
第１図はこの発明の一実施例の基本工程図である。まず
、下地絶縁体である例えばアルミナ（Ａｔ２０ｓ）ある
いはシリコン酸化物（ｓｔｏ２）を主成分とする基体１
上の全面に１第１図（ａ）Ｋ示す如く銅薄膜２を例えば
蒸着またはスパッタ、メッキ等圧よシ１〜２０μ程度被
着形成する。次に、ｍ１図（ｂ）Ｉｃ示す如く銅薄ｌＩ
２の上にフォトレジスト３を塗布し、所定ノ母ターンに
露光、現像を竹なって、不要部分３を除去する。次に、
この不要部分３が除去されたフォトレジスト３をマスク
として、銅薄ＪＩＩ２を選択的にエツチング除去する。
、下地絶縁体である例えばアルミナ（Ａｔ２０ｓ）ある
いはシリコン酸化物（ｓｔｏ２）を主成分とする基体１
上の全面に１第１図（ａ）Ｋ示す如く銅薄膜２を例えば
蒸着またはスパッタ、メッキ等圧よシ１〜２０μ程度被
着形成する。次に、ｍ１図（ｂ）Ｉｃ示す如く銅薄ｌＩ
２の上にフォトレジスト３を塗布し、所定ノ母ターンに
露光、現像を竹なって、不要部分３を除去する。次に、
この不要部分３が除去されたフォトレジスト３をマスク
として、銅薄ＪＩＩ２を選択的にエツチング除去する。
そして次に、フォトレジスト３を例えば酸素プラズマに
よシ、または銅薄ｍｚが酸化しない程度の温度下の焼成
によシ、またはレジストストリッパによシ除去する・ しかる後、中性雰囲気、例えば窒素またはアルゴン中に
て、銅薄膜２が下地絶縁体である基体１と反応する温度
以上で焼成を行なう。ここで、基体１がＡｚ２ｏ５を主
成分とする材料の場合は、９００℃〜１２００℃の範囲
で館１図（ｅ）Ｋ示す如く銅アルミネート４が形成され
、銅薄膜２と基体１との強固な結合が発生する。また、
基体１が８１０２を主成分とする材料の場合は、７５０
℃〜９５０℃の範囲で同様に強固な結合が生じる。
よシ、または銅薄ｍｚが酸化しない程度の温度下の焼成
によシ、またはレジストストリッパによシ除去する・ しかる後、中性雰囲気、例えば窒素またはアルゴン中に
て、銅薄膜２が下地絶縁体である基体１と反応する温度
以上で焼成を行なう。ここで、基体１がＡｚ２ｏ５を主
成分とする材料の場合は、９００℃〜１２００℃の範囲
で館１図（ｅ）Ｋ示す如く銅アルミネート４が形成され
、銅薄膜２と基体１との強固な結合が発生する。また、
基体１が８１０２を主成分とする材料の場合は、７５０
℃〜９５０℃の範囲で同様に強固な結合が生じる。
こうして、基体Ｊ上に第１図（ｃ）Ｋ示す如く銅薄膜２
から々る配線ノ譬ターン５が形成される◎第２図はこの
発明を多層配線基板の製造に適用した場合の工程図を示
すものである。即ち、第１図の工程によって得られた銅
薄膜からなる第１層配線ツクターン５の少なくとも一部
を檄うように１熱分解型またはペースト中のガラスの酸
素分によシ分解する有機物を、主成分とする絶縁体ペー
スト、つまり中性雰囲気中で焼成可能な厚膜用絶縁体ペ
ーストを印刷し、焼成することによって、第２図←）Ｋ
示す如く層間絶縁体としての厚膜絶縁体６を形成する。
から々る配線ノ譬ターン５が形成される◎第２図はこの
発明を多層配線基板の製造に適用した場合の工程図を示
すものである。即ち、第１図の工程によって得られた銅
薄膜からなる第１層配線ツクターン５の少なくとも一部
を檄うように１熱分解型またはペースト中のガラスの酸
素分によシ分解する有機物を、主成分とする絶縁体ペー
スト、つまり中性雰囲気中で焼成可能な厚膜用絶縁体ペ
ーストを印刷し、焼成することによって、第２図←）Ｋ
示す如く層間絶縁体としての厚膜絶縁体６を形成する。
そして次に、例えば銅ペースト、ニッケルペースト等の
厚換用導体（−ストを印刷し、中性雰囲気中で焼成する
ことによって、第２図（ｂ）に示す如く厚膜絶縁体６に
形成された開口部７を通して第１層配線パターン５と適
宜電気的に接続された厚膜導体からなる第１層配線パタ
ーン８を形成する。
厚換用導体（−ストを印刷し、中性雰囲気中で焼成する
ことによって、第２図（ｂ）に示す如く厚膜絶縁体６に
形成された開口部７を通して第１層配線パターン５と適
宜電気的に接続された厚膜導体からなる第１層配線パタ
ーン８を形成する。
以下同様に、必要に応じて厚膜絶縁体からなる階間絶縁
体と、厚膜導体からなる、または層間絶縁体を下地導体
として第１層配線パターンと同様の工程で形成される配
線パターンとを交互に積層することによって、多層配線
基板が作製される。
体と、厚膜導体からなる、または層間絶縁体を下地導体
として第１層配線パターンと同様の工程で形成される配
線パターンとを交互に積層することによって、多層配線
基板が作製される。
このようにして、この実施例によれば厚膜絶縁体からな
る層間絶縁体を介して銅薄膜または厚膜導体からなる配
線ノ９ターンを積層した多層配線基板が得られる＠ この場合、銅薄膜からなる配線パターンは金の薄膜から
なる配線ノ４？ターンに比べ非常に安価である０しかも
、この配線ノ母ターンはエツチングによりノ母ターニン
グされるため、例え−ば線幅４０μ程度の微細なノ母タ
ーンに形成することが可能である。
る層間絶縁体を介して銅薄膜または厚膜導体からなる配
線ノ９ターンを積層した多層配線基板が得られる＠ この場合、銅薄膜からなる配線パターンは金の薄膜から
なる配線ノ４？ターンに比べ非常に安価である０しかも
、この配線ノ母ターンはエツチングによりノ母ターニン
グされるため、例え−ば線幅４０μ程度の微細なノ母タ
ーンに形成することが可能である。
また、層間絶縁体に熱伝導性の良い厚膜絶縁体を用いる
ことができるため、基板上に大電力ＬＳＩチッｆ％を実
装する場合、好都合である。
ことができるため、基板上に大電力ＬＳＩチッｆ％を実
装する場合、好都合である。
さう＜銅ペースト、二、ケルペースト等の中性雰囲気中
で焼成する厚膜用導体ペーストを用いて配線パターンを
形成できるため、銅薄膜からなる微細な配線ノ４ターン
と厚膜導体からなる配線ノ臂ターンとの組合せによる多
鳩基板が得られるので、後者の配線ＡＩパターン大電流
の流れる部分に使用することによって、大電力ＬＳＩチ
ップ叫の実装に十分対応することが可能となるＯ特に銅
ペーストからなる厚膜導体は、電気伝導性に優れるのみ
でなく、半田付は性が良好で、半田リーチに対しても強
いという特長があるＯ“、ｔｇｓｏｍ＊ｔｈａｔｉ ！
ｌ：。
で焼成する厚膜用導体ペーストを用いて配線パターンを
形成できるため、銅薄膜からなる微細な配線ノ４ターン
と厚膜導体からなる配線ノ臂ターンとの組合せによる多
鳩基板が得られるので、後者の配線ＡＩパターン大電流
の流れる部分に使用することによって、大電力ＬＳＩチ
ップ叫の実装に十分対応することが可能となるＯ特に銅
ペーストからなる厚膜導体は、電気伝導性に優れるのみ
でなく、半田付は性が良好で、半田リーチに対しても強
いという特長があるＯ“、ｔｇｓｏｍ＊ｔｈａｔｉ ！
ｌ：。
第１図はこの発明の一実施例の工程図、第２図はこの発
明を多層配線基板の製造に適用した実施例の工程図であ
る。
明を多層配線基板の製造に適用した実施例の工程図であ
る。
１・・・基体（下地絶縁体）、２・・・銅薄膜、３・・
・フォトレジスト、４・・・銅アルミネート、５・・・
銅薄膜からなる配線／ＩＰターン、６・・・厚膜絶縁体
からなる層間絶縁体（下地絶縁体）、７・・・開口部８
・・・厚膜導体または銅薄膜からなる配線１？ター０ 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦：、、ａ；、
１図 フ
・フォトレジスト、４・・・銅アルミネート、５・・・
銅薄膜からなる配線／ＩＰターン、６・・・厚膜絶縁体
からなる層間絶縁体（下地絶縁体）、７・・・開口部８
・・・厚膜導体または銅薄膜からなる配線１？ター０ 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦：、、ａ；、
１図 フ
Claims (5)
- （１）下地絶縁体上に銅薄膜を形成し、この上に７オト
レジストを塗布して露光、現俸し、この露光、現像後の
７オトレジストを！スクトシて前記銅薄膜を選択的にエ
ツチング除去した後、フォトレジストを除去し、しかる
後中性雰囲気中にて前記銅薄膜が前記下地絶縁体と反応
する温度以上で焼成を行なうことにょシ、銅薄膜が遣方
法。 - （２）下地絶縁体は配線基板の基体である特許請求の範
囲第１項記載の配線基板の製造方法。 - （３） 下地絶縁体は多層配線基板忙おける層間絶縁
体であって、厚膜絶縁体ペーストを印刷し中性雰囲気中
にて焼成することＫよって形成されるものである特許請
求の範囲第１項記載の配線基板の製造方法。 - （４）銅薄膜からなる配線ノリーン社多層配線基板にお
ける配線ｉ４ターンである特許請求の範囲第１項記載の
配線基板の製造方法。 - （５） 銅薄膜からなる配線・臂ターン拡厚膜導体（
−ストを印刷し中性雰囲気中にて焼成することＫよって
形成される厚膜導体からなる配線／？ターンとともに多
層配線基板におけ゛る配線）臂ターンを構成するもので
ある特許請求の範囲第１項記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19222481A JPS5893397A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 配線基板の製造方法 |
| EP82108225A EP0074605B1 (en) | 1981-09-11 | 1982-09-07 | Method for manufacturing multilayer circuit substrate |
| DE8282108225T DE3280233D1 (de) | 1981-09-11 | 1982-09-07 | Verfahren zum herstellen eines substrats fuer multischichtschaltung. |
| US06/415,798 US4525383A (en) | 1981-09-11 | 1982-09-08 | Method for manufacturing multilayer circuit substrate |
| US06/695,466 US4569902A (en) | 1981-09-11 | 1985-01-28 | Method for manufacturing multilayer circuit substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19222481A JPS5893397A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893397A true JPS5893397A (ja) | 1983-06-03 |
Family
ID=16287723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19222481A Pending JPS5893397A (ja) | 1981-09-11 | 1981-11-30 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893397A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5139856A (en) * | 1988-12-20 | 1992-08-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Plated ceramic or glass substrate having undercoat |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP19222481A patent/JPS5893397A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5139856A (en) * | 1988-12-20 | 1992-08-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Plated ceramic or glass substrate having undercoat |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0074605B1 (en) | Method for manufacturing multilayer circuit substrate | |
| JPH0364925A (ja) | 集積回路チツプ実装構造及びその形成方法 | |
| JPH0226392B2 (ja) | ||
| JPH0214796B2 (ja) | ||
| JPH0213949B2 (ja) | ||
| JPH029198A (ja) | 基板上に金属層を付着する方法 | |
| CN1142169A (zh) | 电路板卡及其制造方法 | |
| US4546406A (en) | Electronic circuit interconnection system | |
| JPH07235768A (ja) | 薄膜多層配線基板の製造方法 | |
| JPS5893397A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| KR100301107B1 (ko) | 멀티칩모듈기판및그제조방법 | |
| JPH0575255A (ja) | 混成基板とこれを搭載する回路モジユールおよびその製造方法 | |
| JP2755587B2 (ja) | 回路基板 | |
| JPS5924558B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JPS5893398A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP3723350B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JPH0376190A (ja) | 薄膜回路基板 | |
| JPH0227818B2 (ja) | ||
| JPH03225894A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPS6331197A (ja) | 多層回路基板の製造方法 | |
| JPH0763109B2 (ja) | セラミック回路基板の製造方法 | |
| JPS58110055A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0231502B2 (ja) | ||
| JPH08316633A (ja) | 薄膜多層配線基板の製造方法 | |
| Hampy et al. | Hybrid microcircuit metallization system for the SLL micro actuator |